CAPITULO I – FÍSICA DOS SEMI-CONDUTORES

1.1- Representação gráfica

1.2- Energia de Fermi intrinseca
1.3- Semi-condutor tipo N
1.4- Semi-condutor tipo P
1.5- Concetração em equilibrio
1.6- Mobilidade e condutividade

Física dos semi-condutores

Para o cálculo das propriedades de um semi-condutor e análise do seu comportamento é necessário
conhecer, a densidade das partículas de enérgia do determinado material.

1.1-Representação gráfica
EG = EFN + EFP

EC = EV + EG

EG = EC - EV

Para o electrão chegar até a banda de condução, é necessário ter uma enérgia de valencia suficiente
para atravessar a banda proibida.

1.2-Energia de Fermi intrinseca

O ponto de união entre as energias de Fermi tem uma enérgia chamada de energia de Fermi intrinseca
que é o ponto em que a quantidade de electrões é igual a quantidade de lacunas ou seja é o ponto de
equilibrio.

Dentro da banda proibida temos pontos com excesso de electrões e pontos com escassés de electrões.

1.3-Semi-condutor tipo N

Se a quantidade de particulas eléctricas estiverem acima da enérgia de Fermi intrinseca, Diz-se que a
excesso de electrões ou é um semi-condutor de tipo N. Logo a densidade de particulas de enérgia está mais
proxima a banda de condução.
−EC −EFN
KT
η=N C e

η=P+ N D ou η ≈ N D

Onde:

η = concentração de electrões;

N C = densidade de partículas de enérgia proxima a banda de condução;

 N D= concentração de impurezas doadores;

k = constante de Boltzmann;

T = Temperatura.

1.4- Semi-condutor tipo P

Se a quantidade de partículas eléctricas estiverem abaixo da enérgia de Fermi intrinseca, Diz-se que a
excesso de electrões ou é um semi-condutor de tipo P. Logo a densidade de partículas de enérgia está mais
proxima a banda de valencia.
−E FP−EV
KT
P=N V e

P=n+ N A ou P ≈ N A

Onde:

P = concentração de lacunas;

N V = densidade de partículas de enérgia mais proxima a banda de valencia;

N A = concentração de imperazas aceitador;

1.5 - Concentração intrinseca (equilibrio)

Sabemos que para um semi-condutor intrinseca η=P=ηi
Dedução
P 2
η=P=ηi ⟹ η= ⟹ η ×η=P ×ηi ⟹ ηi × ηi=P × η⟹ ηi =P × η
η
−E Fi−E V −EC −E Fi
KT KT
P=N V e ⟹ η=N C e
−E Fi−E V −EC −E Fi E Fi− EC +EV −E Fi EV −EC
2 KT KT 2 KT 2 KT
ηi =N V e × NC e ⟹ ηi =N V N C e ⟹ ηi =N V N C e

√ √
−(EC− EV ) − EG −EG − EG

⟹ ηi = √ N V N C × e ⟹ ηi = √ N V N C ×
2 KT 2 KT KT KT
⟹ ηi =N V N C e ⟹ ηi =N V N C e ⟹ ηi = N V N C e
19
N V =2 ,3 ×10 cm3; N V =2 ,5 ×10 19 cm3; K= T= 300oK; EG ( germanio )=0 , 7 eV ;
EG ( s í licio )=1 , 1eV ηi ( germanio ) =2 ,5 ×10 13 cm3; ηi ( s í licio )=1 ,5 ×10 10 cm3
KT ≈ 0,026 eV
1.6 – Mobilidade de condutividade
Quando não existe nenhum campo externo o movimento das cargas é aleatório.
Figura
 Quando aplica-se um campo externo Ex: campo eléctrico ⃗
E o movimento das cargas eléctricas começa
a ter uma orientação em função do campo aplicado.
Figura

VD

V D=−μ ⃗
E
σ n=q μn n
σ p=q μ p P
σ T =σ n +σ P ⟹ σ T =q μn n+q μ p P ⟹ σ T =q (μ ¿ ¿ n n+ μ p P)¿
1
ρ=
σ
Onde:
V D=¿ velocidade de derivação da carga eléctrica;
μ=¿ mobilidade;
⃗
E =¿ campo eléctrico;
σ n=¿ condutividade tipo n;
q=¿ carga eléctrica;
n=¿ concetração de electrões;
ρ=¿ resistencia específicaou resistividade.
Semi-condutores: são sólidos geralmente cristalinos de condutividade eléctrico intermediário entre
condutores e isolantes é também semelhante aos materiais ceramicos.
Seu emprego é importante na fabricação de componentes electrónicos tais como: diodos, transistores
etc...
A condutividade dos semi-condutores a temperatura ambiente é causada pela excitação de um poucos
de electrões da banda de valencia para a banda de condução. Para um semi-condutor pela definição esta
enérgia é abaixo dos 4,5 V.
Diodo semi-condutor: é um elemento ou componente electrónico composto de cristal semi-condutor
de sílicio ou germanio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferente materiais
durante sua formação que causa a polarização de cada uma das extremidades. É usado como retificador de
corrente eléctrica entre outras. Possui uma queda de tensão aproximadamente a 0,3 V (germanio) e 0,7 V
(sílicio).
Exercícios
1. Num semi-condutor (sílicio) introduz-se impurezas doadoras com concentração igual a
19 3
4 ×10 cm . calcula a concentração de eléctrões e lacunas. Qual o tipo deste semi-condutor.
 2. O nível de enérgia de Fermi de um semi-condutor de sílicio está 0,3 eV acima do nível da
banda de valencia.
a) De que tipo é o semi-condutor?
b) Achar a concentração dos portadores maioritários e minoritários.
3. Calcular a resistividade do semi-condutor de Germanio intrinseco, para T= 300 oK, q= 1,6
*1019C.
4. Achar a concentração de lacunas e eléctrões num tipo P de Germanio a 300 oK se a sua
restividade é de ρ=0 , 05 Ω.
5. Uma amostra de sílicio possui a temperatura ambiente, uma concentração
5 3
η=9 , 25× 10 cm , sabendo que a amostra é do tipo P.
a) Calcula a concentração de lacunas.
b) Qual a posição do nível de enérgia de Fermi relativamente ao nível de enérgia de valencia.
6. O nível de enérgia de Fermi de uma amostra de germanio está a 0,2 eV abaixo do limite
inferior da banda de condução. Identifique o tipo de amostra e calcula a concentração de lacunas e
eléctrões assim como a sua resistividade.
7. O nível de enégia de Fermi de uma amostra de sílicio está a 0,3 eV acima do nível da banda
de valencia.
a) Diga se a amostra é do tipo N ou P.
b) Acha a concentração de eléctrões e lacunas da amostra.
c) Se a amostra possuir uma configuração cilindrica com raio de 0,2 mm e comprimento de 4
cm. Qual será a resistencia da amostra.
8. Dado o circuito eléctrico abaixo sabendo que a lamina L é de germanio dopadas de
impurezas tipo N. Calcula a concentração de eléctrões e de lacunas da lamina L em temperatura
300oK, para que a corrente no circuito seja de 90 mA. Comprimento da lamina de 3 cm, área de 1
mm2, resistencia 50 Ω .

Junção PN (diodo semi-condutor)

Diodo é um elemento formado por 2 cristais semi-condutores de germanio ou sílicio, porém é também
formado do tipo P (Anodo) e o outro do tipo N (Catodo), só deixa passar corrente eléctrica num dos sentidos.
Estrutura Simbolo
 Os diodos só conduzem corrente quando a tensão do anodo é maior que a do cátodo.
Figura

Diodo semi-condutor: componente eléctrico compostode um cristal semi-condutor de sílicio ou

germanio, cuja numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes matériais durante a
sua formação o que causa suas polarizações nas extremidades.
Junção PN: produzida quando dois semi-condutores do tipo P e do Tipo N são ligadas de forma que
se mantenha a contuidade do reticulado cristalino (forma de rede). não basta apenas colocar em contacto
intimo os tipos de semi-condutor pois além da presença de impurezas e defeitos na superfície existem
também filmes de óxidos (composto binário que figura oxigénio) que cobrem essas superfícies mudando
totalmente a interface dos semi-condutor.
Zona de carga espacial: ajunção PN apresenta zonas com densidade de carga não nula designaremos
por zona de transição ou de carga espacial.
Dentro de uma junção PN é produzido semi-condutor e os mesmos libertam cargas logo dentro desta
junção terá zonas com cargas neutras (ou sejas nulas).
Roptura: tensão maximo inversa aplicado a um diodo para que não queime.
Limiar: tensão minima que deve ser aplicada ao diodo para que ele conduza.
Corrente avalanche: é a funga que ocorre quando o diodo é polarizado inversamente.
Ligação covalente: é ligação caracterizada pelo compartilhamento de um ou pares de electrões entre
átomos.
Ligação covalente polar: compartilhamento desigual de electrões entre o átomo, ligação de dois
átomos no qual os dois provem do mesmo átomo.
Ligação ionica: ligação baseada no atração electrostica de ions com cargas opostas.
Ligação química: são conjunções estabelecidas entre átomos para formarem moléculas.
Ião é uma especie quimica electricamente carregada que resulta de um a átomo ou molécula que
perdeu ou ganhou electrões.
Átomo matéria que consiste num nucleo central de carga eléctrica positiva envolta por uma nuvem de
electrões de carga negativa.
Molécula entidade electricamente neutro que possui pelo menos dois átomos todos ligados entre si
electrões.
 Rectificadores é um dispositivo que permite que uma tensão ou corrente alternada seja constante, ou
seja transformada em continua.
Tipos rectificadores meio onda e onda completa
Onda completa com ponte e com transformador com derivação central.
O por rectificador é o de meio onda pois gera muita interferencia de onda, porem o mais barato pois so
usa um diodo.
Para reduzir a perta na queda da onda que chega a zero em qualquer rectificador adicionamos
capacitores que quando a onda estiver descendo se descarregam, na tentativa de manter o nével de tensão
elevado.
Rectificador de meio onda possui um diodo em série com uma resistencia. A tensão médio ou
corrente continua na saída de uma resistencia de meia onda e igual da amplitude máxima de tensão (tensão
pico).

Rectificador de onda completa quando a tensão da linha é positiva ambos sinais serão positivos logo
D1 conduz e D2 não conduz; quando a tensão nalinha é contrário serão negativos D1 não conduz e D2
conduz; a corrente circula em um setido único.
Rectificador de onda completa transforma ondas negativas em positivas.

Transformador elevador número de experas no primário é inferior a do secundário.

Transformador abaixador número de expera no primário maior que a do secundário.
Transformador isolamento número de expera no primário é igual a do secundário.
Diagrama em bloco de uma fonte de alimentação

TRANSISTOR
 Introdução histórico dos transistores
Construção básica e principio de funcionamento
O transistor foi desnvolvido nos laboratórios de Bell em Murray, New Jessey, em 1947, pelo cientistas
John Bardeen, Walter Brattaim e William shochkey. O desenvolvemento desse componente semi-condutor
foi de grande relevancia para a história de electrónica e da informática, pois ele está presente em inumeras
invenções electrónica na nossa sociedade.
O transistor é um despositivo semi-condutor no qual existe uma camada do tipo P, entre duas camadas
do tipo N, ou uma camada do tipo N, entre duas camada do tipo P.
O primeiro é denominado transistor NPN, enquanto que o último é PNP.
O termo transistor é a contração de duas palavras em ingles: Trans e resistor (resistor de transferencia).
Existem 2 tipos básicos de transistor de acordo com tipo de dopagem de cada terminal (base, colector,
emissor) NPN e PNP.
Cada uma das regiões de transistor apresenta caracteristicas próprio:
Base: é a região mais extrita, menos dopada (com menos concentração de impurezas) e é
extremamento fina.
Emissor: é a região mais dopada (com menos concentração de impurezas), onde são emitidos os
portadores de cargas electrões, no caso de transistor NPN e lacunas PNP.
Colector: é a região mais extensa porque é nela que a potencia se dessipa.

Transistores de junção
Tipos de funcionamento
Os transistores PNP são aqueles que na saída conduzem um sinal positivo, ou seja é alimentado com
sinal de tensão positiva, e negativa para o funcionamento do circuito interno, e na saída emite o sinal
positivo.
Transistor NPN tem o funcionamento similar ao PNP, porém tem sinal negativo na sua saída, existem
centenas de tensões e aplicações para os transistore, mais em sua maioria eles trabalham de modo NPN.
O principio de funcionamento básico de um transistor quando o mesmo é accionado através da tensão
de alimentação, é permitido que passe uma corrente por um resistor em sua base.
Os transistores são utilizados em circuitos electrónicos, e muitas vezes são aplicados como aplificador
de sinal de tensão.
Existem vários tipos, cada uma deles varia em aplicação e caracteristicas.
 Existem transistores sensíveis a luz denominado foto-transistores, eles são utilizados em circuitos de
iluminação pública, somente no periódo noturno.
Transistor de efeito de campo
É constituido por 3 terminais, sendo uma porta, uma fonte, este transistor é controlado pela tensão
eléctrica, essa tensão quando colocada na porta, faz com que uma corrente eléctrico flua da fonte do
transistor. Este transistor também pode ser encontrado no modo PNP e NPN; possuem uma impedancia de
entrada muito alta, faz com que essa alta impedancia de entrada tenham muito pouca corrente, ou seja esses
tipos de transistores buscam pouca corrente da fonte de alimentação.
Transistor bipolar de junção (TBJ)
Possui em sua forma construtiva 3 terminas sendo a base, colector e emissor.
Ao contrário dos transistores de efeito de campo, os transistores bipolar de junção despositivos
controlados pela corrente na base provoca um fluxo de corrente muito elevada no emissor também podemos
encontrar transistores bipolar de junção do tipo PNP e NPN.
A baixa impedancia ou resistencia permite que corente flua através da base do transistor, devido a esta
baixa impedancia e estes transistor tem maior amplificação de todos.
A desvantegem deles é ter baixa impedancia de entrada, e poderem extrair corrente significativa de um
circuito perturbando assim a fonte de alimentação.
Transistores de comutação
São usados principalmente como comutadores, mas que também podem ser usados com
amplificadores, trabalham como interroptores e comutadores além de ser encontrados tanto com NPN e PNP.
Transistores de força
É muito utilizado em circuitos de correntes altas, onde muita enérgia está sendo usado (correntes e
tensões).
Colector do transistor é conectado com base de mental que actua como um dessipados de calor para
dessipar o excesso de enérgia.
Os transistores de potencia podem em ter estrutura NPN e PNP, são muito utilizados em paralelo com
circuitos mais sensíveis de forma apermiter a passagem de corrente para o transistor, alevando o circuito
electrónico.
Os transistores de pequenos sinais são usados para amplificar sinais de baixo nível, mas também
podem funcionar como interroptores.
Os valores tipicos de Hfe (ganho do transistor) de sinal pequeno variam de 10 à 500 mA com um valor
máximo Ic (corrente do colector) de cerca de 80 à 600 mA; ser encontrados em construção NPN e PNP.
Estes transistores são excelentes para a aplicação como amplificadores de pequenos sinais.
Fonte de alimentação
Existem varios tipos de alimentação:
A maioria são concebidas para converter alta tensões AC da alimentação eléctrica em um valor
adequado de baixa tensão para circuitos electricos ou outros despositivos que necessitem de uma tensão ou
corrente adequada ao seu funcionamento.
 Basicamente, uma fonte é uma conversor que adapta os valores eléctricos desponíveis para valores
com grandezas que se adquirem ou adequem ao funcionamento de um aparelho eléctrico sem colocar em
risco os parametros de funcionamento.
Exemplo
A fonte de alimentação é o despositivo responsável por fornecer enérgia eléctrica à cargas eléctricas.
Cada despositivo electrónico necessita de uma fonte para prover enérgia para seus componentes. Esta
energia pode variar de acordo com a carga que este usa.
Estas fontes de enérgia podem ser de corrente continua como um conversor AC/DC ou um regulador
de tensão, ou fonte de enérgia de alta tensão.