Interpretao da figura 46

a) ICM -

Se trabalharmos com valores de IC abaixo de ICM, estaremos fazendo com

que o transistor trabalhe com segurana, no impondo nenhum risco ao seu
funcionamento, para tanto, basta traarmos por ICM (valor fornecido pelo
fabricante) uma paralela ao eixo VCE onde todo valor de IC abaixo dela no
conduz o transistor a risco algum).

b) BVCEO - Pelo valor de VCE = BVCEO, traamos uma perpendicular ao eixo VCE,
onde qualquer valor de VCE inferior a BVCEO, no impe risco algum ao
transistor. Em geral, se escolhermos para VCC um valor inferior a BVCEO,
j estaremos eliminando a hiptese desse valor ser ultrapassado.
c) Hiprbole de dissipao mxima:
Esta curva pode ser traada ponto a ponto, pela expresso PCmx = VCE x
IC, onde PCmx fixo e conhecido, e variando os valores de VCE e IC de
modo a manter o produto de ambos, constante e igual a PCmx, obteremos
uma srie de pontos que determinaro quando unidos, seu traado. Qualquer
ponto abaixo desta curva estar num valor inferior a Pcmx, portanto, no
imporemos tambm esse risco ao transistor.

41

d) Regio de alta deformao

Deveremos sempre que possvel, trabalharmos com valores de IC no muito
prximos a zero, para fugirmos a influncia da corrente de fuga dos
transistores, pois qualquer ponto nessa rea, poder vir a ocasionar uma
distoro no sinal aplicado.
e) Regio de saturao
Esta regio no apresenta pontos coordenados de VCE e IC, sendo tambm
evitada, e em poca oportuna compreenderemos facilmente o porqu disto,
quando estudarmos o transistor no corte e na saturao.
f) rea til
Dentro desta regio, qualquer ponto escolhido estar fora das limitaes, de
modo que caber ao projetista a escolha e aproveitamento do ponto de
operao dentro da mesma. Para maior clareza, representamos apenas esta
rea na figura 47.

Passemos a um exemplo prtico, para melhores esclarecimentos.

Exemplo: Dados
- Caracterstica de sada da configurao Emissor-Comum.
- ICmx = 80mA
- Pcmx = 400mW
- BVCEO = 30Volts
Traar sobre a caracterstica de sada as limitaes fornecidas.
Obs.:

42

Uma vez que delimitaremos uma rea onde o transistor pode operar livremente, o
ponto de trabalho (ponto Q) dever estar contido no interior dessa rea, e como ele pertence
a reta de carga esta tambm a estar.

Pelo eixo IC passando por ICmx, traamos uma paralela a VCE.

Pelo eixo VCE passando por BVCEO, traamos uma paralela a IC.

Devemos evitar sempre (no caso do transistor operando como amplificador) a

regio de saturao.

Devemos evitar tambm a regio de alta deformao.

Quanto a hiprbole de dissipao mxima, esta ser traada ponto a ponto.

PCmx = VCE x IC
(mw)

(Volts)

(mA)

400
400
400
400
400

20
16
10
8
5

20
25
40
50
80

P1
P2
P3
P4
P5

43

Com uma srie de pontos (P1, P2,........) basta uni-los e teremos determinada a
hiprbole.
A Influncia da Temperatura nos Transistores
J por diversas vezes, fizemos meno da influncia da temperatura nos elementos
semicondutores, porm reforaremos agora os conceitos j apresentados de uma maneira
geral.
Os transistores para operarem com mdia e alta potncia tm normalmente uma
temperatura mxima admissvel na juno. Como j nos referimos anteriormente,
trabalhando o transistor em regime contnuo na mxima temperatura admissvel, ficar sua
vida til reduzida. Para transistores de silcio e germnio, existem faixas de temperatura a
serem respeitadas. O Ge, por exemplo, possui sua faixa de temperatura mxima em torno
dos 80 a 100oC, enquanto que para o Si esta faixa de temperatura vai de 150 a 200oC.
Outra caracterstica j mencionada sobre a correntede fuga ICBO ou simplesmente
ICO.
Reunindo estas e outras caractersticas j apresentadas, o aluno deve ter notado a
necessidade da estabilizao da temperatura, pois dela depende o bom funcionamento do
transistor. Para contornar o problema temperatura, passaremos sempre que necessrio, a
prover o transistor de um dissipador de calor.
Dissipadores de Calor
O dissipador um elemento que permite elevar consideravelmente a capacidade de
dissipao dos semicondutores.
Abordaremos a seguir de maneira completa, o clculo de um dissipador,
possibilitando ao aluno a escolha correta do mesmo que j se encontra a venda no mercado,
porm, qual deveremos escolher, depender de uma srie de fatores que trataremos da
forma mais simples possvel.
a) Clculo da Potncia Dissipada em um Transistor
PC = VCE x IC, expresso esta j por ns utilizada anteriormente em exerccio.
Obs . :
O aluno j deve ter notado que no transistor temos duas junes: a juno baseemissor e a juno coletor-base. Na juno base-emissor a corrente e tenso so muito
pequenas comparadas juno coletor-base, e analogamente a potncia dissipada tambm
ser, de modo que a quase totalidade dissipada na juno coletor-base.
Resistncia Trmica (Rth)
A facilidade apresentada por um corpo de transmitir calor, chama-se condutncia
trmica, e seu inverso ser a resistncia trmica denotada por Rth.
Analisemos ento o transistor e a forma com que o calor irradiado ao meio ambiente
e a relao deste com Rth.

44

Rthj-c = Resistncia trmica juno-caixa

Rthc-r = Resistncia trmica caixa-radiador
Rthj-a = Resistncia trmica juno-ar
Na figura 49, apresentamos em corte um transistor com um dissipador. Sua
resistncia trmica total ser dada pela seguinte expresso.
Rth = Rthj-c + Rthc-a + Rthr-a
Outra expresso que tambm utilizaremos ser:
Tjmx = Tamb + Rth x Pcmx
Onde Tamb = Temperatura ambiente.
Tjmx = Temperatura mxima da juno.
Consideremos o seguinte exemplo:
Rthi-a = 0,25oC/mW = 250oC/W !
Rthj-c = 0,15oC/mW = 150oC/W !Transistor BC556
PCmx = 0,5 W (juno = 25o) !
Tjmx = 150oC
Conhecemos as seguintes expresses:
Tjmx = Tamb + Rth x PCmx

45

Rth

= Rthj-c + Rthc-r + Rthr-a

a) Calcular o valor de PCmx para a temperatura ambiente 25oC sem radiador.

Tjmx = Tamb + Rth x Pcmx
150

= 25

+ 250 x PCmx

Sem radiador, foi utilizada direta a Rthj-a

150 - 25 = Pcmx = 125 = 0,5W (dado fornecido acima)
250
250
b) Calcular o valor de PCmx para a temperatura ambiente 50oC sem radiador.
Tjmx = Tamb + Rth x PCmx
150

50 + 250 x PCmx

150 - 50 = Pcmx = 100 = 0,4W

250
250
c) Para a temperatura ambiente de 50oC utilizando radiador, calcular Rthr-a para obtermos
um PCmx = 0,45W.
Tjmx = Tamb + Rth x PCmx
150

50 + Rth x 0,45

150 - 50 = Rth = 100 = 222 oC/W

0,45
0,45
A resistncia trmica caixa-radiador, assume pequenos valores, ainda mais se
acoplarmos o dissipador ao transistor utilizando graxa de silicone, um timo condutor de
calor. Adotaremos aqui Rthc-r igual a 4 oC/W, desta forma teremos:
Rth = Rthj-c + Rthc-r + Rthr-a
222 = 150 + 4 + Rthr-a
Rthr-a = 68oC/W.

46

Diagrama de Dissipao

Pode-se calcular tambm a potncia mdia dissipada na juno, atravs do

diagrama da figura 50. No caso da figura 50 supomos que para temperaturas maiores que
50oC, a capacidade de dissipao diminui linearmente com o aumento da temperatura.
A montagem sem dissipador s vivel quando a potncia dissipada no
semicondutor for pequena, pois como vimos a resistncia trmica juno-ar (Rthj-a)
relativamente grande.
Outro detalhe que tambm podemos notar no exemplo da figura 49 o fato da
resistncia trmica total Rth ser constituda de trs parcelas: a resistncia trmica entre
juno caixa, a resistncia trmica entre caixa e radiador (obs:- esta resistncia a do
elemento isolante que se interpe entre a caixa e o radiador, portanto conhecida) e a
resistncia trmica radiador-ar.
Pela tabela da figura 51, voc poder ter uma melhor idia do que resulta o uso de
dissipadores.
Fig. 51
Transistor
BC107
BS454
BD109
2N3054

Rthj-a
(oC /W)
500
220

Pmx Sem
Dissipador
300 mW Tj=175oC
0,8 W Tj=200oC

Rthj-c
(oC /W)
200
35
7
6

Pmx com
Dissipador T=25oC
750 mW Tj=175oC
3W
Tj=200oC
21,5 W Tj=175oC
29 W Tj=200oC

Quando a potncia dissipada por um semicondutor aproxima-se a 1W, ou excede,

a transmisso direta de calor da caixa ao ar livre, no assegura uma temperatura tolervel na
juno. A montagem de um semicondutor sobre um dissipador aumenta a superfcie de
irradiao reduzindo a resistncia trmica juno-ar.
Clculo do Dissipador
Rth = Rthj-c + Rthc-r + Rthr-a
Os valores de Rthj-c e Rthc-r so fornecidos pelo fabricante, conforme j
especificado.

47

A resistncia trmica total pode ser calculada como j tivemos oportunidade de

verificar, e atravs dela a resistncia trmica radiador-ar que determinar o dissipador a ser
utilizado.
Logo, Rthr-a pode ser dada pela expresso j por ns uti1izada.
Rth r a =

T
Rth jc Rth c r
PCmx

Obs.: PCmx o valor a ser dissipado pelo transistor.

At agora, mencionamos apenas as propriedades dos radiadores, porm
gostaramos de lembrar que existe uma infinidade de modelos diferentes, dos quais
representaremos um a seguir.

Ser em funo do nmero de aletas, dimenses (a,b,c,d) e Rthr-a que

determinaremos o radiador a ser utilizado, nesse ou em qualquer elemento.
A tabela a seguir, fornece-nos a resistncia trmica entre caixa e radiador, para
vrios tipos de montagem e algumas embalagens.
Embalagem

Montagem a seco
Rth (oC/W)

Montagem c/silicone
Rth (oC/W)

T0.3
T0.220
T0.202

0,5 a 0,7
1,0 a 1,3
1,5 a 2,0

0,3 a 0,5
0,6 a 0,8
0,9 a 1,2

Montagem c/ mica e
silicone
Rth (oC/W)
0,4 a 0,6
0,8 a 1,1
1,2 a 1,7

De posse do valor de Rthr-a basta entrarmos numa tabela de radiadores com o

mesmo, e escolhermos o radiador desejado.
Nas figuras 53a,b,c e d, fornecemos uma srie de curvas para clculo da rea de
dissipadores de calor, utilizando chapas planas de alumnio e cobre, brancas ou
enegrecidas.
Em cada figura, vamos encontrar uma srie de curvas, onde os respectivos
radiadores iro operar livremente ou atravs de ventilao forada.
Exemplo
Dados:
48

Potncia a ser dissipada: 10 W

Rthr-a calculada 3 oC/W
Calcular as reas dos radiadores para chapas de cobre ou alumnio, brancos e
enegrecidos.
Se entrarmos na figura 53a, com os dados fornecidos, tiramos os seguintes
resultados.
Chapa de cobre enegrecida = 140 cm2
Chapa de alumnio enegrecida = 140 cm2
Se entrarmos na figura 53b, com os dados fornecidos, temos:
Chapa de cobre branca = 180cm2
Chapa de alumnio branca = 180cm2
Obs. :Por branca entenda-se no enegrecida.
Resistncia trmica para Radiadores utilizando chapas planas de Alumnio 3mm e cobre
2mm.

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Bibliografia
Cipelli, A.M.V. e Sandrini, W.J., Teoria e Desenvolvimento de Projetos de Circuitos
Eletrnicos, Livros rica Editora Ltda, 8a Ed., 1984.

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