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Prática 5: Curvas Características do TBJ

20179129257 Herick Wallace da Silva - Turma n° 01 – 2019.2

Resumo: Nessa prática será abordado o funcionamento do Para essa configuração as características de saída são
transistor bipolar de junção(TBJ) e suas respectivas curvas analisadas pelo gráfico de corrente de saída(𝐼𝐶 ) versus a tesnão
características. de saída (𝑉𝐶𝐸 ) para uma faixa de valores de corrente de
entrada(𝐼𝐵 ). Para as características de entrada são representadas
Palavras-chave--- TBJ, curvas características. pelo gráfico de corrente de entrada(𝐼𝐵 ) versus a tensão de
entrada (𝑉𝐵𝐸 ) para uma faixa de valores de tensão de saída(𝑉𝐶𝐸 ).
I. INTRODUÇÃO
O transistor é um dispositivo eletrônico semicondutor que
assim como o doido possui dopagens tipo N e tipo P. Porém, a
transistor possui três camadas, duas do tipo P e uma do tipo N
ou duas do tipo N e uma do tipo P. O termo bipolar se deve ao
fato de que as lacunas e eletróns paticiparem do processo de
injeção no material de polarização oposta. As três camadas do
TBJ são denominadas de emissor, base e coletor, sendo o
emissor mais dopado que o coletor ea base com pouca
dopagem. A figura 1 mostra as duas simbologias usadas para o
TBJ NPN.

Figura 3: Gráfico 𝑰𝑪 x 𝑽𝑪𝑬 na configuração emissor-comum.

Figura 1: Simbologia do transistor NPN .

Existem três tipos de configurações para TBJ, base-

comum, emissor- comum e coletor-comum. A mais utilizada e
a que é usada nessa prática é a configuração emissor comum em
que o emissor é comum em relação aos terminais de coletor e
base. As correntes de emissor, base e coletor são mostradas nos
seus sentidos convencionais na figura 2 e obedecendo as Leis
de Kirchoff temos que:
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (1) Figura 4: Gráfico 𝑰𝑩 x 𝑽𝑩𝑬 na configuração emissor-comum.

Na prática usamos alimetação CC e pra essa alimentação

existe uma relação entre corrente do coletor e corrente de base
denominada ganho de correnre ou 𝛽.
𝐼𝐶
𝛽= (2)
𝐼𝐵

Pelo gráfico da figura 3 observamos que existem três modos

de operação para o TBJ emissor-comum: região ativa, região de
saturação e região de corte. No modo ativo , a junção base-
emissor está polarizada diretamente e a junção base-coletor está
Figura 2: Correntes na configuração emissor-comum. polarizada reversamente. Nesse modo o TBJ opera como um
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amplificador e as correntes entre seus terminais relacionam-se III. SIMULAÇÕES

de forma praticamente linear. Além disso, temos que:
𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐵 (3)
𝑉𝐵𝐸 ≅ 0,7 V (4)
No modo de saturação tanto a junção base-emissor como
a junção base-coletor estão diretamentepolarizadas. Nesse
modo a corrente entre o coletor e o emissor atinge seu valor
máximo. O TBJ passa a operar como uma chave fechada,
embora com uma pequena queda de tensão entre seus terminais
As simulações foram feitas no softwere Multisim e os
dados simulados são agrupados na sessão de resultados
experimentais. Para o circuito da figura 5 a simulação feita
ficou como mostra a figura abaixo. Alterando o valor de V1
para se obter a corrente de base desejada e alterando o valor de
V2 para se obter a tensão coletor-emissor desejada foram
medidos os valores de corrente no coletor como foi discutido
nos procedimentos.
A 0
- +

(𝑉𝐶𝐸 ≅ 0,2 V p/ transistores de Si). I: 0 A

R2
I(p-p): 0 A
No modo de corte ambas as junções do TBJ estão I(rms): 0 A 100Ω
reversamente polarizadas. Além disso, neste modo o TBJ opera I(dc): 0 A
I(f req): --
como uma chave aberta. Apenas uma fraca corrente reversa (tal
qual 𝐼𝑆 no diodo) circula entre o coletor e o emissor.
R1 A Q1
PR1
BC548BP V2
100kΩ 0V

+
V
II. MATERIAIS E MÉTODOS Key = A
V1
A. Materiais 0V

0
Key = A

-
• Protoboard;
• Multímetro;
• Osciloscópio;
• Transistor BC548; Figura 6: Simulação do circuito da figura 5.
• 1 resistor de 100 kΩ e 1 de 100Ω;
• Fonte geradora de tensão regulável;
• Software Multisim; IV. RESULTADOS EXPERIMENTAIS
• Fios de conexão.
Todos os resultados para a corrente no coletor(𝐼𝐶 )
B. Procedimentos simulados e experimentais foram agrupados em tabelas.

Nessa práica é realizada apenas uma montagem afim de

analisar a curva característica do transistor TBT na TABELA 1: RESULTADOS SIMULADOS DA
configuração emissor-comum. Para isso é necessério medir MONTAGEM
as correntes de coletor 𝐼𝐶 para valores especificados de
corrente de base e de tensão coletor-emissor, sendo que para Corrente no coletor simulada 𝐼𝐶 (mA)
𝑉𝐶𝐸 temos 0.5V, 1V, 3V, 5V, 10V e 15V e para 𝐼𝐵 temos 𝐼𝐵 (uA)
20uA, 40uA, 60uA e 80uA. O circuito a ser montado é 20 40 60 80
mostrado a seguir. 0,5 5,86 11,7 17,2 22,4

1 5,90 11,7 17,3 22,5

3 6,05 12,1 17,8 23,1

𝑉𝐶𝐸 (V)

5 6,21 12,4 18,2 23,7

10 6,60 13,1 19,4 25,2

15 6,98 13,9 20,5 26,7

Figura 5: Circuito a ser montado na prática.

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TABELA 2: RESULTADOS EXPERIMENTAIS DA b) Determine o ganho de corrente (𝛽 = 𝐼𝑐 /𝐼𝑏𝑏 ) para cada

MONTAGEM ponto das curvas traçadas no item (a).

Corrente no coletor medida 𝐼𝐶 (mA) TABELA 3: RESULTADOS SIMULADOS DA

𝐼𝐵 (uA) MONTAGEM
20 40 60 80
Ganho de corrente simulado 𝛽
0,5
𝐼𝐵 (uA)
1 20 40 60 80
0,5 293 292.5 286.7 280
3
𝑉𝐶𝐸 (V) 1 295 292.5 288.3 281.2
5
𝑉𝐶𝐸 (V) 3 302.5 302.5 296.7 288.7
10
5 310.5 310 303.3 296.2
15
10 330 327.5 323.3 315

15 349 347.5 341.7 333,7

V. QUESTIONÁRIO

a) Traçar a curva de saída 𝑰𝑪 = 𝒇(𝑽𝑪𝑬 ) de um TBJ:

experimental e simulada. TABELA 4: RESULTADOS EXPERIMENTAIS DA
A curva obtida através dos valores simulados mostrados na MONTAGEM
tabela 1 esta apresentada na figura abaixo
Ganho de corrente medido 𝛽
𝐼𝐵 (uA)
Curva característica Ic x Vce 20 40 60 80
30 0,5
Corrente no Coletor Ic (mA)

25
20 1
15
10 3
𝑉𝐶𝐸 (V)
5
0 5
0 5 10 15 20
Tensão Vce (V) 10

Figura 7: Gráfico 𝑰𝑪 x 𝑽𝑪𝑬 para valores simulados. 15

A curva obtida através dos valores experimentais

mostrados na tabela 2 é mostrada na figura abaixo.
c) Consultando a folha de dados do TBJ adotado durante
a prática, comente a respeito das principais características
de operação, bem como as limitações de operação.

R- Pela lista de valores máximos permitidos, tem-se que

Vcemax = 30V, e a Icmax = 100 mA. A dissipação máxima do
coletor é de 625 mW, e reduz 5mW a cada 1ºC.

d) Pesquise a respeito: transistores de carboneto de silício e

suas aplicações.

R- O MOSFET é um tipo de transistor, componente usado

Figura 8: Gráfico 𝑰𝑪 x 𝑽𝑪𝑬 para valores experimentais. como chave ou amplificador de sinais elétricos, constituído de
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um metal oxido transistor (MOS) e possui 3 terminais: porta, __________________________________________________

fonte e dreno. __________________________________________________
__________________________________________________
Há dois tipos essenciais o canal N e o canal P, e se __________________________________________________
diferenciam basicamente pela polarização. A corrente a ser __________________________________________________
fornecida para um circuito, que circulará entre o terminal- fonte __________________________________________________
e o dreno do FET, é controlada pela tensão aplicada no terminal __________________________________________________
Porta. Este último possui uma separação dielétrica dos outros __________________________________________________
dois, gerando uma corrente quase nula no dreno e um campo __________________________________________________
elétrico que influencia no dreno e na fonte. __________________________________________________
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Uma das aplicações mais comum de MOSFETS é nos __________________________________________________
circuitos tipo CMOS. Porém, também há outras, como: __________________________________________________
Resistência controlada por tensão, circuitos de comutação de __________________________________________________
potência, misturadores de frequência e etc. __________________________________________________
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VI. CONCLUSÕES __________________________________________________
__________________________________________________
__________________________________________________
__________________________________________________
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__________________________________________________ VII. REFERÊNCIAS
__________________________________________________
__________________________________________________ [1] Boylestad, Robert; Nashelesky, Louis. Dispositivos
__________________________________________________ Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11ta. Ed. Rio de Janeiro:
Prentice-Hall do Brasil, 2013.
__________________________________________________
__________________________________________________
__________________________________________________ [2] SEDRA, A.S.; Smith,K., Microeletronica, Pearson, 2010, 5ª
__________________________________________________ Ed.
__________________________________________________
__________________________________________________ [3] Disponível em: http://labdegaragem.com/profiles/
__________________________________________________ blogs/tutorial-conhe-a-e-utiliza-mosfets
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