Eletrônica I

1.4.6 Modelo AC do Diodo

a) Modelo para grandes sinais – A seguir mostraremos a validade do já estudado modelo

do segmento linear para sinais de amplitudes elevadas. Consideremos inicialmente a fig
1.28 que mostra um circuito retificador que será estudado em seguida e seu equivalente
substituído o diodo pelo modelo linearizado

(a) (b)
Figura 1.28 – Circuito retificador (a) circuito (b) circuito com diodo modelado
A aproximação linearizada mostrada na fig.1.12 indica em VDO uma
descontinuidade abrupta da inclinação, mas na realidade a passagem do estado off para o
estado on não é exatamente abrupta; portanto, a forma de onda transmitida por meio do
circuito retificador não apresenta uma variação de atenuação abrupta naquele ponto de
descontinuidade . Ao invés disto, existe uma região de ruptura, isto é , uma região onde a
inclinação da característica do diodo varia, gradualmente, a partir de um valor muito pequeno
para um valor muito grande; isto decorre da própria relação exponencial do diodo.
Estimaremos agora a faixa de tensão desta região de ruptura
O ponto de descontinuidade é definido com a tensão VDO, onde a resistência do
diodo varia descontinuamente a partir de um valor muito grande (baixa corrente) para um
valor muito pequeno rD ; assim, definiremos arbitrariamente , a região de ruptura como a
variação de tensão na qual a resistência do diodo é multiplicada por algum fator, por exemplo
100. A resistência incremental (resistência num ponto da característica AC) é definida como
dV V V
r   T e VT
dI IS
Se V1 é o potencial em r  r1 e V2 é o potencial em r  r2 , então :
 V2 V1 
r1 VT
e
r2

22 Eliúde Trovão Moraes

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r1
Para  100 , V  V2  V1  VT ln 100  0.12V se   1 e V  0.24V para   2 em
r2

temperatura ambiente. Notamos que a região de ruptura V é somente um ou dois décimo

de volt. Se o sinal de entrada é grande em comparação com esta pequena faixa de tensões,
então a aproximação volt-ampere linearizada (modelo linear) é válida. Na maioria dos casos a
resistência de carga for muito maior que a resistência média do modelo linearizado (rD),
portanto, podemos desprezar o efeito de rD e usarmos o modelo da queda de tensão que é
notavelmente mais prático pois não há necessidade de conhecer as características do diodo.
b) Modelo para pequenos sinais – Há aplicações em que o diodo é polarizado para
operar em um ponto sobre a característica direta i-v e um pequeno sinal ca é sobreposto
aos valores cc. Como vimos, para sinais de entrada pequenos a modelagem linear não é
válida; para essa situação, o diodo é melhor modelado por uma resistência de valor igual
ao inverso ada inclinação da tangente à curva característica i-v no ponto de polarização.
Considere o circuito idealizado a seguir e sua correspondente representação
gráfica na figura 1.30. Uma tensão cc, VD, representada por uma bateria é aplicada ao diodo; e
um sinal variável no tempo vd(t) , suposto (arbitrariamente) como sendo uma onda triangular,
é sobreposto á tensão cc, VD. Na ausência do sinal vd(t), a tensão no diodo é igual à VD e ele
conduzirá uma corrente cc, ID, correspondentemente dada por:
VD
VT
ID  ISe (1.4)

Figura 1.29 – Circuito idealizado para análise de pequenos sinais

23 Eliúde Trovão Moraes

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Fig 1.30 - Curva para pequenos sinais

Quando o sinal vd(t) for aplicado, a tensão total instantânea no diodo será dada por:
vD (t )  VD  vd (t ) (1.5)
Correspondente, a corrente total instantânea iD (t ) será
VD
VT
iD  I S e (1.6)

Substituindo vD na equação anterior

iD  I S e VD  v d  VT (1.7)

que pode ser reescrita como

VT
iD  I S eVD VT e vd (1.8)
ou

iD  I D e vd VT (1.9)

24 Eliúde Trovão Moraes

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expandindo iD em série de potência e mantendo suficientemente pequena tal que

vd
 1 (1.10)
VT
então
 v 
iD  I D 1  d  (1.11)
 VT 
Essa é aproximação para pequenos sinais. Ela é válida para sinais com amplitude menor que
10mV. Embora rigorosamente, devamos ter vd  VT , isto é, vd  26mV , observamos
na prática que para vd  10mV podemos usar a aproximação para pequenos sinais.
Assim a corrente iD é dada por
iD  I D  id (1.12)
onde
ID
iD  vd (1.13)
VT
A grandeza que relaciona o sinal da corrente id com o sinal da tensão vd tem dimensão de

ID
condutância, siemens, e é chamada de condutância do diodo para pequenos sinais ( g m 
VT
). O inverso desse parâmetro é a resistência do diodo para pequenos sinais, ou a resistência do
diodo para pequenos sinais, ou resistência incremental, rd,
VT
rd  (1.14)
ID

Retornando a representação gráfica da fig. 30, percebe-se que usar o modelo para pequenos
sinais é o mesmo que supor que a amplitude do sinal é suficientemente pequena de modo que
a excursão do sinal ao longo da curva i-v é limitada a um pequeno segmento, quase linear.
Definindo o ponto onde a tangente intercepta o eixo vD por VDO, podemos
descrever a tangente pela equação
1
iD   vD  VDO  (1.15)
rd

Essa equação é um modelo para o diodo operando com pequenas variações próximas ao ponto
de polarização ou ponto quiescente Q. O modelo pode ser representado pelo circuito
equivalente a seguir (fig.1.31).

25 Eliúde Trovão Moraes

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Figura 1.31 – Modelo linearizado para pequenos sinais

da equação anterior obtemos
vD  VDO  I D rd   iD rd (1.16)
Assim, verificamos que a tensão no diodo é composta por uma componente cc que leva em
conta a bateria e a resistência incremental mais uma parte ac que leva em conta a somente a
resistência incremental. Concluímos que a aproximação para pequenos sinais nos permite
realizar separadamente a análise cc da análise de sinal (ou análise ac). A análise de sinal é
executada pela eliminação de todas as fontes cc e substituindo-se o diodo por sua resistência
para pequenos sinais rd.
MODELO DO DIODO PARA ALTAS FREQÜÊNCIAS
A polarização reversa no diodo provoca o afastamento dos portadores
majoritários para longe da junção, deixando no lugar mais cargas fixas; assim, a espessura da
camada de carga espacial aumenta com a tensão reversa; este aumento de carga com a tensão
aplicada pode ser considerado como efeito capacitivo. A capacitância de deplexão Cj (também
chamada capacitância de junção) para pequenos incrementos (pequenos sinais) é dada por:
C j0
Cj  m
 VR  (1.17)
1  
 V0 
onde:
 C j 0 é o valor de C j obtido para aplicação de uma tensão reversa ( VR ) nula;

 V0 é a tensão através da junção sem aplicação de uma tensão externa e é dada por:

N N 
V0  VT ln A 2 D  (1.18)
 ni 

26 Eliúde Trovão Moraes

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em que: N A e N D são as concentrações de dopantes do lado p e do lado n

respectivamente e ni é a concentração intrínseca (isto é, o número de elétrons e lacunas
por centímetro cúbico);
 m é uma constante cujo valor depende da maneira pela qual a concentração varia do
lado p para o lado n. Ela é chamada de coeficiente de graduação da junção e seu valor
varia entre 1/3 e 1/2.
Obs: Na polarização direta C j  2C j 0 .
No caso da polarização direta da junção pn, nota-se que , no estado estável,
uma certa quantidade de portadores minoritários em excesso está armazenada em cada uma
das regiões n e p do corpo. Se a tensão entre os terminais muda, essa carga precisa ser
modificada antes de atingir o novo estado estável. Esse fenômeno de carga propicia outro
efeito capacitivo, claramente distinto daquele devido ao armazenamento de cargas na região
de deplexão. A capacitância definida para tal fenômeno é chamada capacitância de difusão e
seu valor para pequenos sinais é dado por:
 
Cd   T  I (1.19)
 VT 
onde :  T é o tempo médio de trânsito do diodo e I é corrente do diodo no ponto de
polarização. Como Cd é diretamente proporcional.
Portanto o modelo do diodo para pequenos sinais em altas freqüências é dado
por

Figura 1.32 – Modelo de pequenos sinais para altas freqüências

1.4.7 Aplicações do Diodo

CIRCUITOS RETIFICADORES – O diodo empregado como retificador converte energia

de uma fonte CA em energia CC exigida para operação de circuitos eletrônicos. A saída do
retificador é uma onda CC pulsante; os circuitos retificadores dispõem de um filtro, que
suaviza a forma de onda retificada.

27 Eliúde Trovão Moraes

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Seja vi a entrada senoidal como mostra a figura a seguir(fig.1.33)

Figura 1.33 – Sinal de entrada

Antes de analisar o estudo do retificador de meia onda, devemos observar dois
pontos. Primeiro, é possível usar a característica exponencial do diodo para determinar a exata
característica de transferência do retificador. Porém, o trabalho envolvido é usualmente muito
grande para ser justificado na prática. È claro que a análise pode ser feita usando programas
de análises de circuitos com EWB e o SPICE.
Segundo, ao analisarmos o circuito, com precisão ou não, é óbvio que ele não
irá funcionar corretamente quando o sinal de entrada for pequeno.
Vamos considerar o modelo linear para grandes sinais, e verificar
aproximadamente a partir de que valores do sinal de entrada é válida tal aproximação. Seja o
circuito aproximado da figura 1.28 , a corrente do circuito é dada por
VP sen wt  VDO
i
RL  rD
(1.20)

desta forma o ângulo da tensão de entrada para atingir o limiar(transição de off para on) é dado por

desta forma o ângulo da tensão de entrada para atingir o limiar(transição de off para).

on) é dado por

V 
wt0    sen 1  DO  (1.21)
 VP 
no caso de VDO  0.6V temos   3.4 0 para V P  10V e o ângulo de início de condução
pode ser desprezado, neste caso o diodo conduz para todo meio ciclo como será analisado a
seguir (para uma análise mais prática podemos considerar o modelo da queda de tensão)

28 Eliúde Trovão Moraes

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O circuito funciona da seguinte forma: no semiciclo positivo o diodo conduz e

tensão na carga é aproximadamente igual (considerando o modelo da queda de tensão no
diodo esta é menor de VDO ) a tensão na entrada. No semiciclo negativo o diodo abre e a
tensão na carga é zero. A tensão de saída é mostrada na figura a seguir

Figura 1.34 – Sinal retificada de meia onda

Para calcularmos o valor médio da tensão na carga basta resolvermos a seguinte integral

1
VDC 
2  V
0
P sen( wt )  VDO  dwt (1.22)

resolvendo esta integral temos para o valor médio

VP VDO
VDC   (1.23)
 2
A tensão de pico inversa no diodo é –VP e é um fator importante na escolha do diodo.
Para o circuito retificador em onda completa temos duas configurações:
a) Retificador de onda completa usando um transformador com tap (derivação) central
Este circuito está mostrado na figura a seguir(fig.1.35)

Figura 1.35 – Retificador de onda completa com trafo de derivação central

O funcionamento do circuito é o seguinte. No semiciclo positivo da tensão de entrada D1
conduz e tensão de saída é igual à tensão de entrada No semiciclo negativo da tensão de
entrada D2 conduz e tensão de saída é igual a menos a tensão de entrada. Portanto a tensão
de saída tem a seguinte forma

29 Eliúde Trovão Moraes

 Eletrônica I

Figura 1.36 – Sinal retificado de onda completa

O valor médio da tensão na carga é dado por:

1
V DC 
  V
0
P sen( wt )  V DO  dwt (1.24)

que resolvendo tem-se

2V P
V DC   V DO (1.25)

Neste caso a tensão de pico inversa em cada diodo é –2VP .
b) Retificador de onda completa em ponte

Figura 1.37 – Retificador de onda completa em ponte

Uma implementação alternativa para o retificador de onda completa é o retificador
em ponte mostrado na figura 1.37. O nome retificador em ponte reside na similaridade com a
configuração da ponte de Wheatstone. Neste circuito não a necessidade de transformador com
derivação central, o que é uma vantagem. O retificador em ponte, contudo, requer quatro
diodos em comparação com os dois diodos do retificador de onda completa com
transformador com derivação central. Essa desvantagem não é grande, os diodos apresentam
custo menor e ainda podemos comprar uma ponte de diodos em um único encapsulamento.
O circuito funciona da seguinte forma: No semiciclo positivo D1 e D3 são
polarizados diretamente enquanto D2 e D4 estão reversamente polarizados. Portanto a tensão

30 Eliúde Trovão Moraes

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de saída é igual (obviamente deve ser considerado a queda de tensão sobre os diodos) tensão
de entrada. No semiciclo negativo D2 e D4 são polarizados diretamente enquanto D1 e D3
estão reversamente polarizados. Portanto a tensão de saída é igual a menos a tensão de entrada
(novamente deve ser considerada a queda de tensão nos diodos). Portanto a tensão de saída
tem a seguinte forma do caso anterior (com derivação central). Assim se vi (t )  VP sen wt a
tensão média na saída é dada por:

1
VDC 
  V
0
P sen(wt )  2VDO  dwt (1.26)

logo
2VP
VDC   2VDO (1.27)

e a tensão de pico inversa em cada diodo é –VP .
FONTE DE ALIMENTAÇÃO
Nos circuitos retificadores não temos uma tensão pura(livre de harmônicos),
mas sim formada por pulsos que tem a mesma freqüência da rede no caso de retificação de
meia onda ou o dobro no caso da retificação em onda completa. Para termos uma corrente
contínua pura precisamos de um circuito de filtragem. Isto é conseguido colocando um
capacitor eletrolítico de “grande valor”. O circuito a seguir representa uma fonte DC:

Figura 1.38 – Fonte DC

Desprezando a queda de tensão nos diodos, no semiciclo positivo(D1 e D3 estão
conduzindo), a tensão do secundário é aplicada na carga. Assim, a tensão de saída é
vo (t )  VP sen wt . Surge imediatamente a pergunta: Sobre que intervalo de tempo se pode

aplicar esta equação? Em outras palavras, sobre que parte de cada ciclo o diodo permanece
conduzindo? O ponto em que o diodo começa a conduzir é chamado de ponto de limiar de
condução e aquele em que ele corta é chamado ponto de corte. Os tempos correspondentes ao
corte e ao limiar de condução t1 e t2, respectivamente, estão mostrados na figura a seguir, onde

31 Eliúde Trovão Moraes

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se observa que a forma de onda de saída consiste em partes de senóide(quando D1 e D3 estão

conduzindo) completada por segmentos senoidais(quando D1 e D3 estão cortados).

Figura 1.39 – Sinal de saída do filtro

Calculemos agora o ângulo de corte, determinado pela expressão da corrente
nos diodos D1 e D3 i e observando o ponto em que i = 0. Quando estes dois diodos estão
conduzindo, a tensão de saída é vo (t )  VP sen wt e i é a soma da corrente através da
resistência de carga iL e da corrente pelo capacitor iC . Assim
vo dv V
i  C o  P sen t  CVP cos t (1.28)
RL dt RL

Esta corrente tem a forma i  I P sen  t    onde:

1
I P  VP 2
  2C 2 ;   arctg CRL (1.29)
RL

O tempo de corte é determinado fazendo-se i = 0 em t = t1, o que permite determinar

t1     (1.30)
para o ângulo de corte no primeiro ciclo.
No intervalo entre o tempo de corte t1 e o tempo de limiar de condução de t2,
os diodos(D1 e D3) estão efetivamente cortados(fora) do circuito, e o capacitor descarrega
através da resistência de carga com uma constante RLC . Assim a tensão no capacitor(igual a
tensão na carga) é
vo  Ae  t CRL (1.31)
Para determinar o valor da constante A , notemos na fig. 1.39 Qque , para o tempo de corte
t  t1 , v0  vi  VP sen t1 . E a equação anterior passa a ter a forma

32 Eliúde Trovão Moraes

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v0  (V P sent1 )e  (t t1 ) CRL (1.32)

Como t1 é conhecido pela equação 1.30 , v0 pode ser plotado em função do

tempo. Esta curva exponencial está indicada na fig. 1.39, e onde ela intercepta a curva
 VP sen t1 (no ciclo seguinte) encontramos o ponto t2 correspondente a tensão de limiar.

Nenhuma expressão analítica pode ser dada para t2, o qual deve ser determinado por métodos
numéricos.
É possível obter a tensão de saída contínua para certos valores dos parâmetros
 , RL , C e VP a partir da construção gráfica indicada na figura 1.39. Assim, apresentamos
uma solução aproximada e suficientemente precisa para muitas aplicações em engenharia.
Se considerarmos um riplle menor que 10%, podemos representar a saída do
circuito retificador com um filtro capacitivo representada aproximadamente por trechos
lineares. Assim VCC vale
1  (VP  Vr  VP ) ton (VP  Vr  VP )toff 
VCC     (1.33)
T 2 2 

Mas ton  toff  T , logo

Vr
VCC  VP  (1.34)
2
A carga armazenada pelo capacitor durante o período de condução dos diodos é
QA  CVr (1.35)
A carga perdida(entregue a carga) pelo capacitor durante o período de não condução dos
diodos é dada por
QD  I CC toff (1.36)
Quanto melhor a ação de filtragem, menor será o tempo de condução ton e mais o tempo de
não condução toff se aproxima de um período da onda retificada. Assim toff  T . Como a
carga ganha pelo capacitor durante o período ton é a mesma entregue a carga no período toff ,
então :
I CC
Vr  (1.37)
f C

onde f é a freqüência do sinal retificado e ICC é a corrente média na carga.

As características desejáveis de retificadores que empregam capacitores como
filtro são pequena ondulação e alta tensão na saída. A tensão sem carga é igual, teoricamente
a tensão de pico no secundário do transformador(na verdade ela é VP – 1.4V). As

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 Eletrônica I

desvantagens deste sistema são a regulação relativamente pobre, a alta ondulação em grandes
cargas e as altas correntes de pico que passam pelos diodos.
Anáalise similar pode ser feita para o circuito de meiaai onda. A fórmula
encontrada é a mesma da equação 1.37, só que neste caso a nova freqüência é a metade da
freqüência do de onda completa. Logo para se obter a mesma ondulação que o de onda
completa, precisamos de um capacitor duas vezes maior.
Exemplo: Projete uma fonte DC, com tensão de saída de aproximadamente 15V, usando um
transformador com secundário de valor 12V rms e 60Hz. A carga a ser alimentada precisa de
uma corrente de 100mA. Considere um riplle(Vr) de 10%
Com um transformador de 12V rms no secundário temos uma tensão de pico
aplicada ao capacitor de 12 2  1.4  15.57V e o riplle é dado por:
riplle  0.1  15.57  1.557V

assim, usando um filtro com retificação completa o capacitor é dado por:

100  10 3
C  535F
120  1.557
usando o valor comercial mais próximo temos um capacitor de C  680F .
CIRCUITOS GRAMPEADORES – O grampeador é amplamente usado em sistemas de
processamento de sinais digitais e de vídeo. Sua função é manter grampear (manter ) a forma
de onda em um determinado nível DC. A seguir temos um circuito grampeador básico.

Figura 1.40– Circuito grampeador

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