Curso Técnico em Eletroeletrônica

Eletrônica Analógica II
Aula 01

Revisão:
Dispositivos eletrônicos

Prof. Dra. Giovana Tripoloni Tangerino

2016
 CIRCUITOS ELÉTRICOS E ELETRÔNICOS

.. de junção
.. Zener
Elementos .. Schottky
.. Trimpots Elementos
.. Potenciômetros Ativos: .. Emissor de luz
Passivos:
. Válvulas .. Fotodiodos
. Resistores
. Semicondutores
.. Trimmer . Capacitores .. BJT
.. variáveis
.. Diodos
. Indutores .. JFET
.. Transistores .. MOSFET
.. Solenóides
.. Tiristores .. IGBT
.. SCR .. UJT
.. motores CIs
.. Diac/Triac
. Amp-op .. GTO
. Portas lógicas .. SCS
. etc
Fontes de alimentação: Transmissão de dados:
. Corrente contínua/alternada . Sistemas analógicos
. dependente/independente . Sistemas digitais

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 CIRCUITOS ELÉTRICOS E ELETRÔNICOS

Elétrica Eletrônica Analógica

.. de junção
.. Zener
Elementos .. Schottky
.. Trimpots Elementos
.. Potenciômetros Ativos: .. Emissor de luz
Passivos:
. Válvulas .. Fotodiodos
. Resistores
. Semicondutores
.. Trimmer . Capacitores .. BJT
.. variáveis
.. Diodos
. Indutores .. JFET
.. Transistores .. MOSFET
.. Solenóides
.. Tiristores .. IGBT
.. SCR .. UJT
.. motores CIs
.. Diac/Triac
. Amp-op .. GTO
. Portas lógicas .. SCS
. etc
Eletrônica de Potência
Eletrônica Digital

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Circuitos Elétricos e Eletrônicos
APLICAÇÕES: Eletrônica Analógica:
. Retificadores
Elétrica
. Ceifadores
. Transformadores
. Grampeadores
. Motores
. Multiplicadores de tensão
. Geração/Transmissão/Distribuição
. Fontes de alimentação(reguladores de tensão)
. Instalações Residenciais/Prediais/Industriais
. Amplificadores
. Filtros Passivos
. Filtros Ativos
. Geradores de sinais: Osciladores/ Multivibradores
. Circuitos de Instrumentação
. Circuitos Integrados

Eletrônica Digital:
. Circuitos combinacionais Eletrônica de Potência:
.. Codificadores e decodificadores . Classes de amplificadores: A, B, AB, C
.. Multiplexador e demultiplexador . Reguladores
.. Somador e subtrator .. Regulador CA ou controlador CA (CA p/CA)
. Circuitos sequenciais .. Regulador CC: chopper ou recortador (CC p/CC)
.. Flip-flop RS, JK, D e T . Conversores de potência:
. Registradores .. Conversores de fator de potência: compensador
. Contadores síncronos e assíncronos .. Retificadores de potência (CA p/ CC)
. Memórias .. Inversores de potência (CC p/ CA)
. Conversores A/D e D/A .. Inversores de frequência
. Acionamento de máquinas elétricas
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Teorias
. Circuitos em regime permanente CC
. Leis básicas . Circuitos em regime permanente CA
.. Lei de Ohm .. Excitação senoidal, fasores
.. Lei das tensões de Kirchhoff . Resposta em frequência
.. Lei das correntes de Kirchhoff . Circuitos de 1ª e 2ª ordem
.. Circuitos RL, RC, RLC
. Transformada de Laplace
. Métodos de análise .. Filtros passivos
.. Análise nodal . Análise de Fourier
.. Análise de malhas . Circuitos monofásicos e polifásicos
.. Correntes fictícias de Maxwell .. fator de potência
. Processamento de sinais
.. Ligações estrela e triângulo
..(analógico e digitais)
. Teoremas de rede
.. Circuitos lineares . Análise em regime transitório
. Automação e Controle
.. Princípio da Superposição .. Resposta ao degrau e ao impulso
.. Teoremas de Thévenin
.. Teoremas de Norton . Análise em regime permanente
.. Transferência máxima de potência .. Valor médio e eficaz
.. Energia, potência

. Magnetismo e eletromagnetismo
. Bipolos, quadripolos, geradores, receptores .. Transformadores
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DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES

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HISTÓRIA DOS ELETRÔNICOS
• A maioria dos dispositivos em uso foi inventada há décadas.
• Grande parte dos novos desenvolvimentos são melhoria constante em técnicas de
construção, características gerais e técnicas de aplicação, em vez do desenvolvimento de
novos elementos e projetos.

• Diodo desenvolvido em 1939.

• Transistor desenvolvido em 1947.
• Primeiro circuito integrado desenvolvido em 1958 por Jack Kilby na Texas
Instruments.

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DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
• Diodos:
• 2 camadas PN
• chaveamento
• Junção PN, zener, Schottky, diodo túnel, emissor de luz, fotodiodo, varicap
• Transistores:
• 3 camadas PNP ou NPN
• Amplificação e chaveamento de potência
• BJT, FET, MOSFET, IGBT, UJT
• Tiristores:
• 4 camadas PNPN
• Chaveamento de potência
• SCR, GTO, triac, diac, SCS, MCTMOS
• Vantagem: converter e controlar grandes quantidades de potências em sistemas AC ou DC,
utilizando apenas uma pequena potência para o controle.
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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (diodos)
Diodo de junção
PN

Diodo Zener

• Trabalha com baixas tensões e em alta velocidade

• Pode desligar muito mais rapidamente do que o de junção PN
• Frequências de chaveamento muito maiores
• Emprego:
Diodo Schottky • retificadores em aplicações de baixa tensão, em que a eficiência de
conversão é o ponto importante
• Fontes de alimentação chaveadas que operam em frequências iguais ou
maiores do que 20 Hz.

Extremamente rápido, opera na casa dos GHz

Diodo túnel
ou diodo Esaki

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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (diodos)

Diodo emissor de luz

Fotodiodo

Varicap

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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (transistores)
BJT • Controlado por corrente
Transistor Bipolar de • Velocidade de chaveamento mais lenta que o MOSFET
Junção • Em aplicações de alta tensão, um BJT é preferível, mesmo que
(Bipolar Junction às custas de perdas de desempenho em alta frequência
Transistor)
• Controlado por tensão
JFET

MOSFET • Controlado por tensão

Transistor de Efeito de • Transistor de chaveamento rápido
Campo Metal-Óxido- • Preferíveis em aplicações com altas frequências
Semicondutor • Alta impedância de entrada
(Metal-Oxide- • Apropriado para baixas potências (até alguns quilowatts)
Semiconductor Field
Effect Transistor)

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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (transistores)
• Semicondutor de potência que alia as características de
IGBT
chaveamento dos BJTs e a alta impedância dos MOSFETs
Transistor Bipolar de Porta
• Baixa queda de tensão no estado ligado (alta eficiência)
Isolada
• Excelente chaveamento
(Insulated Gate Bipolar
• Velocidade de chaveamento entre as do BJTs e os MOSFETs
Transistor
• Capacidade de bloqueio para tensões inversas é muito ruim
• Usado para gerar pulsos de acionamento para dispositivos
UJT maiores, como retificadores controlados de silício e triacs
Transistor de Unijunção • Dispositivo ideal para utilização em osciladores de
(Unijunction Transistors) relaxamento, usados para disparo de um SCR

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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (tiristores)
• Para passar o tiristor ao estado ligado é preciso que a porta
SCR
recebe um pulso positivo de pequena amplitude apenas por um
Retificador Controlado
curto espaço de tempo
de Silício
• Permanece no estado ligado enquanto a corrente ficar acima de
(Silicon Controlled
um certo valor
Rectifier)
• Chaveamento
• Passa para o estado ligado com um sinal positivo na porta
• Passa para o estado desligado com uma corrente de porta
negativa
GTO
• Qualidades melhoradas de chaveamento.
Tiristor de
• Tempo de desligamento muito menor que o SCR
desligamento de porta
• Valores nominais de tensão e corrente menores que o SCR
(Gate Turnoff Thyristor)
• Queda de tensão mais alta no estado ligado
• Uso: acionamento de motores, fontes de alimentação de
funcionamento contínuo, choppers e inversores.
• A única maneira de o dispositivo passar para o estado ligado é
Diac
excedendo a tensão de disparo
Chave semicondutora
• Pode ser chaveado de desligado para ligado para qualquer das
de três camadas e dois
polaridades de tensão
terminais
• Útil para aplicações AC
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Visão geral: Dispositivos Semicondutores (tiristores)
• Capaz de conduzir corrente em ambas as direções direta e inversa, e
pode ser controlado por um sinal na porta, positivo ou negativo
• Mais econômico e fácil de controlar
Triac • Dois SCRs podem ser usados em vez de um triac caso a potência a ser
regulada seja maior do que os valores nominais dos dispositivos
• Limitações: baixa velocidade, que restringe a freq. operacional
• Usados apenas para regular tensões AC de 60Hz
• Pode passar para o estado ligado com aplicação de pulso
SCS
positivo na porta do cátodo ou com um pulso negativo na porta
Chave controladora de
do ânodo.
Silício
• Se estiver ligado, passará para desligado com um pulso positivo
na porta do ânodo ou um pulso negativo na porta do cátodo
• MOS+SCR
MCT • Queda de tensão baixa no estado ligado e baixo tempo de
Tiristor Controlado desligamento
MOS • Exige corrente de porta menor para o desligamento do que o
(MOS Controlled GTO
Thyristor) • Desvantagem: baixa capacidade de bloqueio de tensão inversa

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