ANÁLISE DE MODELOS MATEMÁTICOS PARA MODEAGEM DE MÓDULOS

FOTOVOLTAICOS

RODRIGO DE ALMEIDA PESSOA DIAS1

1
Programa de Pós-Graduação em Engenharia - Universidade Federal de São João Del Rei – São J. D.
Rei, Rua A. D. Filho, Vila São Paulo, s/n, MG, CEP: 36301-358.

E-MAILS: rpessoa.dias@gmail.com.br

Abstract The photovoltaic module alone cannot deliver all the power available at its terminals, so the photovoltaic
inverter is responsible for converting and operating at the MPPT point (maximum power point tracker). The MPPT repre-
sents the operating region that favors the entire extraction of electrical potential by the inverter. Hence, it is necessary to
apply a power control linked to a photovoltaic module mathematical modeling to find the MPPT point.

Keywords Photovoltaic module, Modeling, Photovoltaic Solar Energy, Maximum power point.

Resumo O módulo fotovoltaico sozinho não consegue entregar toda a potência disponível em seus terminais ficando
sobre a responsabilidade do inversor fotovoltaico converter e operar no ponto de MPPT (maximum power point tracker).
O ponto de máxima potência representa a região de operação que favorece toda a extração do potencial elétrico pelo o
inversor, com isso, é necessário empregar um controle de potência atrelado a uma modelagem matemática módulo fotovol-
taico para encontrar o ponto de MPPT.

Palavras-chave Módulo fotovoltaico, Modelagem , Energia Solar Fotovoltaica, Ponto de máxima potência.

A energia solar já provou ser um bom inves-

1 Introdução
Com a crescente demanda energética do
mundo atrelada aos esforços pela redução da CO2
na atmosfera, fonte de energia renováveis tem to-
mado atenção popular. No ano de 2020 o Brasil
entrou para o ranking dos países que mais insta-
laram fontes de energia solar no mundo, ficando
à frente da Holanda com 3,15 gigawatts
(ABSOLAR, 2021).
Em países como o Brasil, a energia solar tem
grande potencial de ascensão visto que a região
registra níveis altos de irradiação variando de 3 a
6 W/m². Ainda assim, a matriz energética brasi-
leira dispõe apenas de 2,3 % da energia solar
Figura 1. Infográfico ABSOLAR – Associação Brasileira de
Energia Solar. Ano:2021
timento, tanto para pequenas centrais geradoras
na escala de kilowatts como grandes plantas de
produção de energia na escala de Gigawatts. En-
tretanto, o custo de implantação de um sistema
fotovoltaico possui um alto valor agregado,
sendo assim, quem procura por uma solução fo-
tovoltaica pretende investir o dinheiro em algo
que seja rentável e duradouro com alta tecnologia
empregada. Os equipamentos responsáveis pela
geração de energia basicamente são inversores
fotovoltaicos e módulos fotovoltaicos. Os módu-
los fotovoltaicos geram um tipo de energia que
não é amplamente utilizável da forma com que é
concebida, então, se faz necessário a inserção de
um equipamento que converta a energia da forma
corrente contínua para alternada, esse processo é
feito eletronicamente de forma a manipular o ní-
vel de tensão até se assemelhar a uma onda se-
noidal. O inversor também possui outras funções
como o controle de injeção de energia e manipu-
lação do ponto de MPPT, esses controles são im-
prescindíveis para a eficiência do sistema fo-
tovoltaico trazendo ainda mais vantagens durante
a produção de energia.
A geração de energia se inicia por células fo-
tovoltaicas, esse material é capaz de fornecer
energia elétrica a partir de uma diferença de po-
tencial entre os polos P e N comumente. Cada
polo, é dopado com um tipo de elemento triva-
lente, geralmente, o Boro (B), e pentavalentes
como o Fósforo (P). Quando se posiciona esses
dois tipos de materiais formando uma junção PN,
de um lado, cria-se ligação de falta de elétrons e
do lado oposto, com excesso de elétrons. A zona
entre os dois materiais é chamada de camada de
depleção. Da forma que a célula é montada tem
origem a um campo elétrico formando uma dife-
rença de potencial entre os polos PN formando
uma circulação de corrente. A associação de cé-
lulas em série e paralelo permite formar o mó-
dulo fotovoltaico (COELHO, 2008).
Naturalmente os módulos fotovoltaicos exi-
bem um fator de rendimento, para os painéis de
mercado a eficiência gira em torno de 20% um
índice relativamente baixo, visto que a potência
máxima é atingida em características específica
do ambiente, como, 1000 W/m² de irradiância,
temperatura de 25 graus Celsius e massa de ar de
1,5. Essas são conhecidas como condições de
STC (Standard Test Conditions). Com as diver-
sas variações de temperatura e irradiação que um
módulo fotovoltaico pode sofrer, encontrar o
ponto de máxima potência é imprescindível para
o bom aproveitamento da geração de energia.
O ponto de MPPT é uma tarefa que envolve
a modelagem do módulo fotovoltaico incluindo a
utilização de circuito conversores como Buck
Bost, apenas Buck entre outros. A modelagem
transforma o circuito elétrico de um painel fo-
tovoltaico em uma equação matemática, e essa, é
transportada comumente para um software de si-
mulação capaz de adicionar características variá-
veis de irradiação e temperatura, essa estratégia
visa traçar o ponto onde o painel fotovoltaico terá
uma resistência ôhmica capaz de entregar todo o
potencial de energia. Neste trabalho será estu-
dado as principais formas de modelagem que um
painel fotovoltaico pode sofrer, apresentando
também o estudo de dois métodos proposto pelo
professor Dr. Herverton simulados no software
PLECS.
2 Modelagem matemática do módulo
fotovoltaico
A análise matemática do painel fotovoltaico
é um trecho importante para a otimização da
energia gerada visto que as condições climáticas
estão diretamente relacionadas a produção do
módulo. Será apresentada algumas formas de
modelagem matemáticas para os painéis fotovol-
taicos
i. Fonte de tensão com resistor
equivalente
Talvez o método mais simples para traçar a
curva de potência encontrando o ponto de Mppt,
esse modelo pode ser expressado pelo seguinte
circuito elétrico
Figura 2. Esquema elétrico. Fonte de tensão com resistor
equivalente. (M. G. Villalva, T. G. Siqueira, E. Reppert. Vol-
tage Regulation of Photovoltaic Arrays: Small-Signal
Analysis and Control Design).
Conhecendo algumas características do mó-
dulo como, tensão de máxima potência (Vmp),
corrente de máxima potência (Imp) disponibili-
zada pelo datasheet do fabricante é possível de-
terminar o ponto de MPP. O equacionamento
deste modelo se dá pelo teorema Thevenin onde
o módulo é transformado em uma fonte de tensão
(Veq) e resistência equivalente (Req).
𝑉𝑒𝑞 = 2 ∗ 𝑉𝑚𝑝 (1)
𝑉𝑒𝑞
𝑅𝑒𝑞 = (2)
𝐼𝑚𝑝
Onde:
Veq: Tesão equivalente do circuito
Req: Resistência equivalente do painel
Vmp: Tensão de máxima potência
Imp: Corrente de máxima potência
Para traçar a curva e encontrar o ponto de má-
xima potência a tensão varia de 0 à Veq. O ponto
de máxima potência será o trecho mais alto da
curva parábola. Esse modelo apresentado é muito
simples e torna-se muito prático para encontrar o
ponto de MPPt, porém, como depende de infor-
mações de corrente e tensão de máxima potência
do módulo fotovoltaico, qualquer variação de ir-
radiação ou temperatura fará com que o circuito
fique fora do ponto desejado causando erros nos
valores apresentados
ii. Modelo ideal com um diodo
A modelagem matemática com um diodo torne-
se um modelo mais fidedigno a realidade apre-
sentada pois leva em consideração as variações
climáticas diretamente no equacionamento e
pode ser representada por:
𝑞𝑉
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼0[𝑒 (𝑎𝑘𝑇) − 1] (3)
Onde:
Iph: Corrente gerada pela luz incidente (direta-
mente proporcional a irradiância)
k: constante de Boltzmann (1,60217646*10-9)
𝑞𝑉
( )
ID = 𝐼0[𝑒 𝑎𝑘𝑇− 1] = equação de Shockley, que
representando o modelo do diodo.
I0: corrente de fuga do diodo.
T: Temperatura da célula em kelvin
a: constante de idealidade de diodo
q: Carga do elétron (1,60217662*10-19 C)
O modelo em questão pode ser representado pelo
seguinte circuito elétrico
Figura 3. Esquema elétrico. Modelo Ideal com um diodo (L.
F. Sauthier, A. T. Diefenthaler, P. S. Sausen, A. T. Z R. Sau-
sen e M. C. G. Walker. Modelagem Matemática de Módulo
Fotovoltaicos Empregados em Ambientes de Simulação de
Geração Distribuída).
É nítido a diferença do primeiro modelo
apresentado (i) para o (ii), apesar de ainda não ser
considerado totalmente real a característica de
módulo fotovoltaico exposto as intempéries, pos-
sui mais proximidade. Levando em conta que o
módulo fotovoltaico é formado por um conjunto
de células em série e paralelo, e por sua vez, as
células são consideradas diodos, em (3) pode-se
determinar as perdas que o painel terá em relação
a aplicação do diodo e também considerar a irra-
diação e temperatura aplicada ao módulo, então,
quando existir variações, a curva de potência le-
vará até o ponto de Mpp. Por mais melhorado que
seja em relação a (i) ainda não é considerado um
modelo real pois, com associação de células em
série paralelo formada pelo módulo fotovoltaico,
surge resistências que devem ser consideradas no
modelo deixando mais acurado.
iii. Modelo real com um diodo
Como comentado em (ii), as conexões das célu-
las em módulos fotovoltaicos comumente são as-
sociadas em série e paralelo, dessa união, surgem
resistências que devem ser incorporadas no mo-
delo matemático pois representam pequenas per-
das de potência. A equação que representa tal ca-
racterística é
𝑉+𝑅𝑠𝐼
𝑉+𝑅𝑠𝐼
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼0[𝑒 ( 𝑉𝑡𝑎
)
− 1] −
𝑅𝑝
Onde:
Iph: Corrente gerada pela luz incidente (direta-
mente proporcional a irradiância) ou corrente fo-
tovoltaica
k: constante de Boltzmann (1,60217646*10-9)
𝑞𝑉
ID = 𝐼0[𝑒 (𝑎𝑘𝑇) − 1] = equação de Shockley, que
representando o modelo do diodo.
I0: corrente de fuga do diodo.
a: constante de idealidade de diodo
q: Carga do elétron (1,60217662*10-19 C)
Vt: NskT/q = Tensão térmica do painel e Ns o nú-
mero de células em paralelo
V: Tensão em circuito aberto do módulo
I: Corrente máxima do módulo fotovoltaico
Rp: Resistência paralelo
Rs: Resistência série
Sendo amplamente utilizados pelo meio acadê-
mico, segundo modelo matemático representa
melhor o módulo fotovoltaico como um todo, in-
corporando as perdas resultantes pela resistência
série e paralelo também o número respectivo de
células, podendo ser representado pela figura 4
Figura 4. Esquema elétrico. Modelo Ideal com um diodo (L.
F. Sauthier, A. T. Diefenthaler, P. S. Sausen, A. T. Z R. Sau-
sen e M. C. G. Walker. Modelagem Matemática de Módulo
Fotovoltaicos Empregados em Ambientes de Simulação de
Geração Distribuída).
iv. Modelo real com dois diodos
Ainda que seja bem determinado o modelo
apresentado em (iii) esse possui uma caracterís-
tica sendo melhor aplicável regiões que possuem
uma incidência de irradiação maior. O modelo
(iv) que possui maior assertividade em regiões
com índices irradiância menores possuindo dois
diodos, leva em consideração o efeito da difusão
dos portadores minoritários para a camada de de-
pleção podendo ser representado pela seguinte
equação:
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼01[𝑒
(
𝑉+𝑅𝑠𝐼
𝑉𝑡𝑎1
)
− 1] − 𝐼𝑜2[𝑒
(
𝑉+𝑅𝑠𝐼
𝑉𝑡𝑎2
)
− 1] −
𝑉+𝑅𝑠𝐼
(5)
𝑅𝑠ℎ
Onde:
Iph: Corrente gerada pela luz incidente (direta-
mente proporcional a irradiância) ou corrente fo-
tovoltaica
(4) k: constante de Boltzmann (1,60217646*10-9)
𝑞𝑉
ID = 𝐼0[𝑒 (𝑎𝑘𝑇) − 1] = equação de Shockley, que
representando o modelo do diodo.
I01: corrente de fuga do diodo do primeiro diodo
I02: corrente de fuga do diodo do segundo diodo
a1: constante de idealidade do diodo
a2: constante de idealidade do segundo diodo
q: Carga do elétron (1,60217662*10-19 C)
Vt: NskT/q = Tensão térmica do painel e Ns o nú-
mero de células em paralelo
V: Tensão em circuito aberto do módulo
I: Corrente máxima do módulo fotovoltaico
Rp: Resistência paralelo
Rs: Resistência série
A modelagem em questão pode ser representada
por determinado circuito:
Figura 5. Esquema elétrico. Modelo Ideal com dois diodos
(L. F. Sauthier, A. T. Diefenthaler, P. S. Sausen, A. T. Z R.
Sausen e M. C. G. Walker. Modelagem Matemática de Mó-
dulo Fotovoltaicos Empregados em Ambientes de Simulação
de Geração Distribuída).
Como foi mostrado no modelo (iii) e (iv), a utili-
zação do diodo traz mais acurácia para e reali-
dade para a modelagem, entretendo, para sua
aplicação deve-se determinar os valores de Iph e
I0. Esses valores podem ser determinados á as
partir dos cálculos (6) e (7) apresentados detalha-
damente em [5].
𝐼𝑠𝑐,𝑛+𝐾𝑖∆𝑇
𝐼0 = exp[(𝑉𝑜𝑐,𝑛+𝐾𝑣∆𝑡)/𝑎𝑉𝑡 (6)
𝐼𝑝ℎ = (𝐼𝑝𝑣, 𝑛 + 𝐾𝑖∆𝑇)/
𝐺
(7)
𝐺𝑛
Onde: ∆𝑇 = 𝑇 − 𝑇𝑛. Sendo Tn a temperara de de
STC e T a temperatura ambiente. O valore de Ir-
radiância G representa a irradiação a qual o pai-
nel está exposto. Por sua vez Gn a irradiância de
STC.
A análise do modelo matemático deve ser deter-
minada a partir da característica e do uso apli-
cado, cada tipo trará uma característica de vanta-
gem e desvantagem. Existem modelos simples
que são aplicáveis para funções práticas e rápidas
de modelagem como presentado em (i), porém
outras, mais complexas são aplicáveis em mais
situação considerando características impostas
pelo ambiente como o modelo (iv). No próximo
tópico será apresentado dois modelos matemáti-
cos simulados no software PLECS evidenciando
cada característica.
3 Modelagem sistema PLECS deter-
minando a curva característica
do módulo fotovoltaico
O painel fotovoltaico possui variações
acerca da potência de saída quando exposto a ca-
racterísticas ambiente específicas, desta forma,
para determinar curva de saída é preciso modelar
o painel em softwares específicos, existem vários
modelos, porém, para esse estudo será simulado
utilizado o PLECS. Essa ferramenta possui um
nível simples de modelagem pois toda programa-
ção acontece em blocos pré-configurados.
a) Inserção de valores no software
Para a primeira parte do processo deve-se
levantar os dados de datasheet, tais como: Potên-
cia máxima (Pmax), tensão de máxima potência
(Vmpp), corrente de máxima potência (Impp),
tensão em circuito aberto (Voc), corrente de
curto (Iscn), número de células em série (Ns), co-
eficiente de variação de corrente (ki) e o coefici-
ente de variação de tensão (Kv). Para o estudo
será utilizado o módulo do fabricante Canadian
monocristalino de 665wp. Para o módulo em
questão tem-se:
Pmax = 665;
Vmpp = 39.5;
Impp = 17.8;
Vocn = 46.6;
Iscn = 18.51;
Ns = 132;
ki = 9.255e-3;
kv = -118e-3;
Inicialmente, definiu-se valores de STC para a
modelagem do painel, sendo irradiação de
1000w/m² (G) e temperatura de 25° C (T)
Com os dados do datasheet devidamente separa-
dos, deve-se determinar os valores da resistência
série (Rs), resistência em paralelo (Rp) e o valor
de idealidade do diodo (a), o cálculo detalhado
destes valores pode ser encontrado em [5]. Para
o painel em questão tem-se:
Rs = 0.001000;
Rp = 55.234926;
a = 0.517714;
Os dados levantados serão inseridos no sof-
tware na aba simulation parameters, toda a vez
que o programa for inicializado, os dados estarão
disponíveis para aplicação dos cálculos além de
facilitar durante a montagem da modelagem
dessa forma o valor fica atribuído a uma variável.
Feito a atribuição dos valores, pode-se executar
montagem da modelagem.
 Para o estudo proposto neste trabalho, será
simulado duas modelagens diferente, sendo o
item (i) e (iii), posteriormente, apresentados os
resultados no tópico seguinte.
b) Modelagem no software PLECS
modelo (iii)
A montagem da modelagem segue exata-
mente os valores previamente mencionados na
fórmula (4). Para facilitar a montagem, desmem-
brou-se os valores em blocos:
Corrente fotovoltaica (Iph)
Figura 6 - Valores de Iph - Modelagem (iii). Fonte: Autor
Corrente de fuga do diodo (I0)
Figura 7 - Valores de I0 - Modelagem (iii). Fonte: Autor
Variação de temperatura (∆𝑇)
Figura 8 - Valores de I0 - Modelagem (iii). Fonte: Autor
Os blocos previamente montados servem de dado
de entrada para a fórmula matemática principal
apresentada em (4), seguindo a determinada
montagem:
Figura 9 - Fórmula (4). Modelagem (iii). Fonte: Autor
As montagens dos valores apresentados devem
convergir para um circuito elétrico que repre-
sente o módulo fotovoltaico assim como mos-
trado na figura 4. No ambiente PLECS, tem-se:
Figura 10 – Circuito elétricos módulo fotovoltaico. Modela-
gem (iii). Fonte: autor
O valor de Iout=Iph representando a cor-
rente de entrada do circuito. O ambiente PLECS
permite simular os gráficos de tensão e contente
(V x I) e potência por tensão (P x V) formando
assim as curvas características do módulo fo-
tovoltaico a ser analisado.
c) Modelagem no software PLECS
modelo (i)
Como comentando anteriormente, a pri-
meira modelagem apresentada em (i) tem um ní-
vel de complexidade baixa, com índice de restri-
ções alta sendo preciso apenas no ponto de
MPPT, fora dele, torna-se impossível simular
sem as referências de Veq e Req. A montagem
PLECS segue a determinado layout:
Figura 11 - Circuito elétricos módulo fotovoltaico. Modela-
gem (i). Fonte: autor
Para a modelagem no ponto de MPPT do
painel Canadian de 665wp Veq e Req são:
𝑉𝑒𝑞 = 2 ∗ 𝑉𝑚𝑝𝑝 = 2 ∗ 39,5 = 79 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑠 (8)
𝑉𝑒𝑞 70
𝑅𝑒𝑞 = = = 3,932 Ω (9)
𝐼𝑚𝑝 17,8
Essa modelagem só foi aplicada por que se tem
os valores de datasheet e considera-se que o pai-
nel está operando com característica de STC
dessa forma, a curva característica do painel pode
ser traçada.
 5 Resultados
Durante todo trabalho apresentou-se formas
diferentes de modelar o painel fotovoltaico mos-
trando algumas características de cada modelo.
Neste capítulo será apresentado dos resultados
das modelagens bem como uma comparação en-
tre os modelos apresentados no capítulo anterior.
[1] Curva característica V x I e P x V pai-
nel fotovoltaico em STC método (iii)
Para o modelo em questão, a curva característica
tem um formato muito comum, exatamente como
apresentado no datasheets dos fabricantes:
Figura 13 - Curva característica V x I módulo em STC. Fonte
Autor.
Figura 14 - Curva característica P x V módulo em STC. Fonte
Autor.
É possível identificar que o painel atinge os va-
lores prometidos de catálogo do fabricante, com-
provando que modelagem funciona correta-
mente.
[2] Curva característica de máxima potên-
cia painel fotovoltaico em STC método
(i)
Diferente do método (iii), esse modelo apre-
sentado apenas a curva P x V sendo uma parábola
onde a interseção do ponto médio da tensão
(39,5) representa MPPT, como o valor atingido é
exatamente igual ao método (iii) sendo compatí-
vel também com o dado de catálogo, o método é
funcional.
Figura 15 - Curva característica P x I método (i) em STC.
Fonte: autor
[3] Comparações dos métodos (i) e (iii)
com irradiação fixa (1000W/m²) e tem-
peratura variável.
Dada as limitações do método (i), para que fosse
possível variar a temperatura realizou-se a simu-
lação primeiramente no método (iii) coletando os
valores de Vmpp e Impp de cada curva, desta
forma, traçou-se a curva no método (i). O gráfico
a baixo representa a influência da temperatura em
T=15°C, T=25°C, T=35°C e T=45°C:
Figura 16 - Comparação método (i) e (iii) para irradiância
1000W/m² e Temperatura variável. Fonte: Autor
Pout representa a potência máxima de saída do
módulo fotovoltaico.
É possível identificar que em temperaturas mais
altas, a potência de saída do módulo apresenta
um valor menor. Como a diferencia de potência
foi muito próxima considera-se que os métodos
ficaram em equivalência.
[4] Comparações dos métodos (i) e (iii)
com irradiação variável e temperatura
fixa (T=25°C)
Da mesma forma como comentado em (c), para
encontrar os valores de Veq e Req tem-se que si-
mular o método (iii) e posteriormente, o (i). A va-
riação de irradiação foi realizada para: G=1000
W/m², G=800 W/m², G=600 W/m² e G=400
W/m². Dessa forma, tem-se:

Figura 17 - Comparação método (i) e (iii) para irradiância va-

riável e temperatura 25°C. Fonte: Autor

A comparação revelou que em irradiância maio-

res, a potência de saída é acompanhada o cresci-
mento. A potência de catálogo se dá em irradiân-
cia 1000W/m² e temperatura de 25°C. Como os
valores de potência de saída para os métodos (i)
e (iii) são muito parecidos, pode se dizer que os
valores estão corretos.

6 Conclusões

A modelagem de um painel fotovoltaicos se

provou extremamente importante para a melhoria
da eficiência da potência de saída do sistema fo-
tovoltaico, já que sua modelagem atrelada em
software de simulação pode traçar a curva carac-
terística encontrando o ponto de MPPT em con-
siderações de irradiação e temperatura diferente.
A análise matemática de cada modelo compro-
vou a existência de grande diferença entre eles
sendo necessário avaliar a aplicação antes de es-
colher o método, dessa forma, a sua acurácia é
maior.
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