Atividade 1 - Estrutura Cristalina

Questão 1 (1 pt): A densidade volumétrica de átomos em um material cristalino do tipo

bcc e com constante de rede igual a 5,2 Å é igual a

(a) 2,50 x 1023 átomos/cm3

(b) 1,42 x 1022 átomos/cm3
(c) 4,33 x 1022 átomos/cm3
(d) 2,78 x 1022 átomos/cm3
(e) NRA

Questão 2 (1 pt): A densidade volumétrica de átomos em um material cristalino do tipo

fcc e com constante de rede igual a 5,2 Å é igual a
(a) 2,84 x 1022 átomos/cm3
(b) 1,42 x 1022 átomos/cm3
(c) 5,33 x 1022 átomos/cm3
(d) 2,75 x 1022 átomos/cm3
(e) NRA

Questão 3 (1 pt): A densidade volumétrica de átomos em um material cristalino no

silício (Si), com constante de rede igual a 5,43 Å é igual a

(a) 2,84 x 1022 átomos/cm3

(b) 3,42 x 1022 átomos/cm3
(c) 5,33 x 1022 átomos/cm3
(d) 4,99 x 1022 átomos/cm3
(e) NRA

Questão 4 (1 pt): A densidade superficial de átomos no plano (1,0,0) em um material

cristalino do tipo fcc e com constante de rede igual a 5,2 Å é igual a

(a) 2,84 x 1014 átomos/cm2

(b) 1,42 x 1014 átomos/cm2
(c) 5,23 x 1014 átomos/cm2
(d) 7,39 x 1014 átomos/cm2
(e) NRA

Questão 5 (1 pt): A densidade superficial de átomos no plano (1,1,0) em um material

cristalino do tipo fcc e com constante de rede igual a 5,2 Å é igual a

(a) 2,84 x 1013 átomos/cm2

(b) 1,42 x 1014 átomos/cm2
(c) 5,23 x 1014 átomos/cm2
(d) 2,61 x 1014 átomos/cm2
(e) NRA
Questão 6 (1 pt): A distância entre os átomos vizinhos mais próximos em uma rede bbc
com constante de rede 5 Å é

(a) 4,33 x 10-8 cm

(b) 2,32 x 10-8 cm
(c) 1,53 x 10-8 cm
(d) 3,32 x 10-8 cm
(e) NRA

Questão 7 (1 pt): A distância entre os átomos vizinhos mais próximos em uma rede fcc
com constante de rede 5 Å é

(a) 2,33 x 10-8 cm

(b) 2,38 x 10-8 cm
(c) 3,53 x 10-8 cm
(d) 3,32 x 10-8 cm
(e) NRA

Questão 8 (1 pt): A ligação entre átomos que compartilham elétrons de valência é

denominada

(a) ligação metálica

(b) ligação de Van der Waals
(c) ligação covalente
(d) ligação iônica
(e) NRA

Questão 9 (1 pt): Imperfeições na rede cristalina devido a energia térmica são

denominadas,

(a) vibração da rede

(b) defeito de vacância
(c) defeito intersticial
(d) NRA

Questão 10 (1 pt): A adição de impurezas susbtitucionais de forma controlada em um

material semicondutor é denominada,

(a) defeito de vacância

(b) dopagem
(c) defeito intersticial
(d) NRA