UNIVERSIDADE DO ESTADO DO AMAZONAS

ESCOLA SUPERIOR DE TECNOLOGIA

FACULDADE DE ENGENHARIA ELÉTRICA

MARIA GABRIELA LIMA DAMASCENO

Simulação Virtual N° 02: Levantamento Experimental das curvas

características do Transistor Bipolar de
Junção - TBJ

MANAUS
2021
 MARIA GABRIELA LIMA DAMASCENO

Simulação Virtual N° 02: Levantamento Experimental das curvas

características do Transistor Bipolar de
Junção - TBJ

Trabalho apresentado à Faculdade de Engenharia

Elétrica de Manaus como parte do requisitos para a
conclusão da disciplina Materiais Elétricos.
Professor: Eng. Weverson dos Santos Cirino, M.Sc

MANAUS
2021
 SUMÁRIO

1 INTRODUÇÃO………………………………………………………….. 1
2 OBJETIVOS……………………………………………………………... 2
2.1 OBJETIVOS GERAIS……………………………………………………. 2
2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS……………………………………………... 2
3 REFERENCIAL TEÓRICO ………………………………...…………. 3
3.1 FABRICAÇÃO…………..…………..…………………………………… 3
3.2 POLARIZAÇÃO…………..…………..……………………………….… 3
3.4 APLICAÇÕES…………..…………..………………………….………… 4
3.3 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM TBJ………………….…………... 4
4 PRÁTICA: SIMULAÇÃO VIRTUAL N° 02………………………………… 5
4.1 MATERIAIS E EQUIPAMENTOS UTILIZADOS…………………………... 5
4.2 ROTINA EXPERIMENTAL………………………………………………….. 5
4.3 CÁLCULOS………………………………………………………………….. 7
4.4 SIMULAÇÃO……………………………………………………………….… 7
4.5 GRÁFICOS……………………………………………………………………. 10
4.6 RESULTADOS OBTIDOS ………………………………………………….... 14
4.7 COMENTÁRIOS SOBRE OS RESULTADOS……………………………….. 15
5 CONCLUSÕES………………………………………………………………… 18
REFERÊNCIAS…………………………………………………………………... 19
 1

1 INTRODUÇÃO

A análise dos componentes eletrônicos são constantemente presentes no estudo dos

materiais, já que, estes têm seu funcionamento ligados diretamente a questões que envolvem a
engenharia e a ciência dos materiais.
O transistor surgiu com o intuito de substituir as antigas válvulas eletrônicas, que
serviam para regular o fluxo dos elétrons. O transistor bipolar de junção (TBJ) contém três
terminais, sendo a base, o coletor e o emissor e são dispositivos controlados pela corrente
elétrica, dessa forma, uma pequena corrente na base provoca um fluxo de corrente muito
maior no emissor. O objetivo desta atividade prática é levantar a curva característica do TBJ
de forma gráfica, com os dados feitos na simulação.
 2

2 OBJETIVOS

2.1 OBJETIVOS GERAIS

O experimento tem como objetivos gerais a familiarização com o ambiente de simulação

virtual e o manuseio de instrumentos virtuais, como fontes de simulação, multímetros,
transistores e resistores.
Entender o funcionamento dos transistores é essencial para o conhecimento em relação
as áreas da Engenharia de Materiais e Eletrônica, conhecimento este que é essencial para a
formação do Engenheiro Eletricista.

2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

A simulação prática tem como objetivos específicos aprender a simular circuitos

elétricos com presença de diodos, identificar os terminais de um Transistor Bipolar de Junção
(TBJ) através da medição, explicar o funcionamento de um TBJ de junção NPN e levantar a
curva característica de um transistor TBJ.
 3

3 REFERENCIAL TEÓRICO

3.1 FABRICAÇÃO

Segundo Sedra (2007, p.235), o princípio básico envolvido no dispositivo é o uso de uma
tensão entre dois terminais para controlar o fluxo de corrente no terceiro terminal. Uma das
suas principais vantagens é o fato de eficiente para operar em frequências muito altas e
capacidade de drenar altas correntes. O TBJ consiste em três regiões semicondutoras, a região
do emissor (tipo n), a região da base (tipo p) e a região do coletor (tipo n), chamado assim,
neste caso, de transistor npn.

3.2 POLARIZAÇÃO

Para Boleystad (2013, p.122), a configuração utilizada com maior frequência para o
transistor denomina-se configuração emissor comum porque o emissor é comum em relação
aos terminais de entrada e saída (nesse caso, comum aos terminais de coletor e base). A
equação de ganho de corrente em emissor comum é definida por I C = βIB onde, segundo
Sadiku (2013, p.95) β assume valores na faixa de 50 a 1.000.

Figura 3.2.1 – Polarização npn emissor comum de um transistor.

Fonte: BOYLESTAD, 2013, p. 122. Ilustração. Acesso em 04 dezembro 2021.

 4

3.3 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM TBJ

As relações entre os terminais para os transistores npn e pnp são não lineares, já que têm
a forma exponencial da equação de um diodo. As curvas mais utilizadas são as curvas
características da configuração emissor comum. A curva característica de um transistor
demonstra as zonas ativa, onde ocorre o funcionamento normal do transistor e há um limite
superior, e inferior para corrente do coletor informado pelo fabricante, e de saturação, no qual,
segundo Schilling (1993, p.92), a tensão coletor emissor (VCE) que define esta zona é pode
variar entre 0,1 V e 0,2 V. Como visto em Boleystad (2013, p.122), a região de corte da
configuração emissor comum não é tão bem definida quanto a configuração base-comum. Por
isso que IC não é igual a zero quando IB equivale a zero.

Figura 3.3.1 – Curva Característica de saída de um TBJ emissor comum.

Fonte: SCHILLING, 1993, p. 92. Ilustração. Acesso em 04 dezembro 2021.

3.4 APLICAÇÕES

Dentre as diversas aplicações dos transistores, destacam-se:

• Atuação em circuitos amplificadores;
• Interruptores em circuitos eletrônicos;
• Processamento de computadores;
• Presença em circuitos integrados.
 5

Figura 3.4.1 – Vários tipos de transistores.

Fonte: SADIKU, 1993, p. 95. Ilustração. Acesso em 04 dezembro 2021.

4 PRÁTICA: SIMULAÇÃO VIRTUAL N° 01

A atividade experimental consiste em simular o funcionamento de um circuito com o

transistor BC546 NPN, na falta do componente na série A do transistor no software Proteus,
será utilizado o transistor da série B, o BC546B - NPN.

4.1 MATERIAIS E EQUIPAMENTOS UTILIZADOS

Para o experimento, os equipamentos virtuais utilizados foram:

• 01 Fonte de alimentação digital;
• 01 Voltímetro digital;
• 01 Resistor de 100 Ω / 1/8 W;
• 01 Resistor de 100k Ω / 1/8 W;
• 01 Transistor BC546B – NPN;
• 01 Ground como terra para o circuito.

4.2 ROTINA EXPERIMENTAL

Para a realização do experimento, foi necessário seguir os seguintes passos:

 6

1 – Montar o Circuito abaixo no software Proteus.

Figura 4.2.1 – Circuito modelo para as Tabelas 1 ,2 e 3.

Fonte: Simulação no Proteus, autoria própria.

2 – Utilizando a equação (1), determinar a tensão Vbb para que a corrente de base do
transistor (Ib) seja 100 µA. Considerando Vbe igual a 0,7 V e Rb conforme o circuito 1.
VBB−VBE
IB= (1)
RB
3 – Com a ajuda do multímetro, foi ajustado o valor da primeira fonte de tensão contínua

4 – Ligar a fonte Vbb.

5 – Conectar a fonte Vcc

6 – Ajustar o voltímetro para medir a diferença de tensão Vce.

7 – Ajustar a fonte Vcc até que o valor de Vce seja o especificado na Tabela 1, e medir Ic.

8 - Preencher a Tabela 1.

9 – Utilizando a equação (2) pode-se verificar se o valor de Vcc estava aprximado ao medido.
VCC−VCE
IC= (2)
RC
 7

10 – Repetiu-se os passos de 2 a 9, agora para Ib igual a 200 µA, e foi preenchida a Tabela 2.

11 – Repetiu-se os passos de 2 a 9, agora para Ib igual a 300 µA, e foi preenchida a Tabela 3.

12 – Trace as três curvas levantadas experimentalmente (de forma separada) Vce versus Ic
para os três casos de Ib diferentes.

13 – Trace as três curvas indicadas no passo anterior, agora em um só gráfico.

14 – Faça simulações para o mesmo circuito, para diferentes valores de Ib, conforme feito
experimentalmente e plote seus gráficos Vce versus Ic.

4.3 CÁLCULOS

Calculo de VBB para Vbe = 0,7 e Ib = 100 µA:

VBB=IB×RB+VBE
VBB=100 μ A×100 k Ω+0,7 V
VBB=10,07

Calculo de VBB para Vbe = 0,7 e Ib = 200 µA:

VBB=IB×RB+VBE
VBB=200 μ A×100 k Ω+0,7 V
VBB=20,07

Calculo de VBB para Vbe = 0,7 e Ib = 300 µA:

VBB=IB×RB+VBE
VBB=300 μ A×100 k Ω+0,7 V
VBB=30,07

4.4 SIMULAÇÃO

Para Ib = 100 uA, tem-se os seguintes resultados para Ic mA e Vcc V:

 8

Tabela 1 - Valores medido da Corrente de Coletor (Ic) para Ib igual a 100 µA.

Vce (V) Vcc (V) Ic (mA)

0 0 0,03
1 3,75 27,40
2 4,80 27,80
4 6,85 28,50
6 8,95 29,20
8 11,00 30,00
10 13,20 30,07
Fonte: Dados obtidos na simulação do Proteus, autoria própria.

Figura 4.4.1 – Medições da Tabela 1.

Fonte: Simulação no Proteus, autoria própria.

Para Ib = 200 µA, tem-se os seguintes resultados para Ic mA e Vcc V:

Tabela 2 - Valores medido da Corrente de Coletor (Ic) para Ib igual a 200 µA.

Vce (V) Vcc (V) Ic (mA)

0 0 0,03
1 5,95 49,30
2 7,00 50,00
4 8,10 50,70
 9

6 11,30 52,60
8 13,40 53,90
10 15,70 55,30
Fonte: Dados obtidos na simulação do Proteus, autoria própria.

Figura 4.4.2 – Medições da Tabela 2.

Fonte: Simulação no Proteus, autoria própria.

Para Ib = 300 µA, tem-se os seguintes resultados para Ic mA e Vcc V:

Tabela 3 - Valores medido da Corrente de Coletor (Ic) para Ib igual a 300 µA.

Vce (V) Vcc (V) Ic (mA)

0 0 0,03
1 7,85 67,90
2 8,85 68,80
4 11,10 70,60
6 13,20 72,30
8 15,50 74,20
Fonte: Dados obtidos na simulação do Proteus, autoria própria.
 10

Figura 4.4.3 – Medições da Tabela 3.

Fonte: Simulação no Proteus, autoria própria.

4.5 GRÁFICOS

Para a simulação dos gráficos de Vce versus Ic, foram feitos os seguintes scripts para a
geração dos gráficos no Octave, levando em consideração as Tabelas 1,2 e 3.
Script e gráfico da Tabela 1 Ib = 100 µA:

ic = [0.03 27.4 27.8 28.5 29.20 30 30.07];

vce = [0 1 2 4 6 8 10];
plot (vce, ic, 'linewidth',3)
title('Curva característica do Transistor para Ib = 100 uA')
xlabel('Vce (V)')
ylabel('Ic (mA)')
axis([0,12,0,100])
 11

Figura 4.5.1 – Gráfico da curva característica de saída do transistor para Ib = 100 µA.

Fonte: Gráfico gerado no Octave, autoria própria.

Script e gráfico da Tabela 1 Ib = 200 µA:

ic = [0.03 49.3 50 50.7 52.6 53.9 55.3];

vce = [0 1 2 4 6 8 10];
plot (vce, ic, 'linewidth',3)
title('Curva característica do Transistor para Ib = 200 uA')
xlabel('Vce (V)')
ylabel('Ic (mA)')
axis([0,12,0,100])
 12

Figura 4.5.2 – Gráfico da curva característica de saída do transistor para Ib = 200 µA.

Fonte: Gráfico gerado no Octave, autoria própria.

Script e gráfico da Tabela 1 Ib = 300 µA:

ic = [0.03 67.90 68.80 70.60 72.30 74.20];

vce = [0 1 2 4 6 8];
plot (vce, ic, 'linewidth',3)
title('Curva característica do Transistor para Ib = 300 uA')
xlabel('Vce (V)')
ylabel('Ic (mA)')
axis([0,12,0,100])
 13

Figura 4.5.3 – Gráfico da curva característica de saída do transistor para Ib = 300 µA.

Fonte: Gráfico gerado no Octave, autoria própria.

Por fim, foi feito um script onde as três curvas ficam juntas no mesmo gráfico:

ic1 = [0.03 27.40 27.80 28.50 29.20 30.00 30.07];

ic2 = [0.03 49.30 50.00 50.70 52.60 53.90 55.30];
ic3 = [0.03 67.90 68.80 70.60 72.30 74.20];
vce = [0 1 2 4 6 8 10];
vce2 = [0 1 2 4 6 8];
P = plot (vce, ic1,'linewidth',3, vce, ic2, 'linewidth',3, vce2, ic3, 'linewidth',3)
title('Curva característica do Transistor' )
legend(P,'Ib = 100 uA','Ib = 200 uA','Ib = 300 uA');
xlabel('Vce (V)')
ylabel('Ic (mA)')
axis([0,12,0,100])
 14

Figura 4.5.4 – Gráfico da curva característica de saída do transistor para os três valores de Ib.

Fonte: Gráfico gerado no Octave, autoria própria.

4.6 RESULTADOS OBTIDOS

Por fim, foi simulado também no software proteus a curva característica do transistor
através da montagem do seguinte circuito.

Figura 4.6.1 – Circuito para geração da curva característica do transistor.

Fonte: Simulação no Proteus, autoria própria.

 15

Onde há uma fonte de corrente Ib e uma fonte de Tensão Vce, assim pode ser medido o
valor da corrente Ic e, utilizando a função Transferência do módulo de geração de gráficos,
gerar a curva característica do transistor a seguir.

Figura 4.6.2 – Gráfico da curva característica de saída do transistor.

Fonte: Gráfico gerado no Proteus, autoria própria.

4.7 COMENTÁRIOS SOBRE OS RESULTADOS

Através da simulação, é possível responder às seguintes perguntas:

Pergunta 1: Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas experimental e

simulada, explorando os seguintes tópicos: funcionamento na configuração emissor comum,
estabilidade, curvas de característica de entrada e saída, ganho de corrente e limites de
operação.

R: Através da simulação, desde o início da montagem é notório que a configuração do

transistor escolhida é a de emissor comum, o que também pode ser observado pelo fato de que
Ic nunca é exatamente zero quando Ib equivale a zero. Para cada valor de Ib foi visto que, ao
 16

aumentar o valor de Vcc para se chegar a tensão Vce escolhida o valor de Ic também
aumentava, porém, se mantinha estável em uma faixa de valores, por exemplo, para Ib = 100
µA Ic ficava entre 27 e 30 mA, para Ib = 200 µA, Ic entre 49 e 55 mA e para Ib = 300 µA, Ic
entre 67 e 75 mA. Como pode ser observado também pelos gráficos das curvas características
de saída 4.5.4 e 4.6.2, quanto menor for Ib, menor é essa faixa de variação do valor da
corrente Ic. Tomando como base o maior valor de Ic de cada tabela é possível definir que os
ganhos de corrente são, respectivamente para as tabelas 1,2 e 3: β1 = 300 , β2 = 275 e β3 =
250. Os limites de operação são os limites máximos que um transistor pode operar sem sinal
de distorção, pelo gráfico 4.6.2 é possível observar que esse limite para a corrente Ic é Ic =
100 mA.

Pergunta 2: Consultando a folha de dados (Datasheet) do TBJ utilizado na prática, comente a

respeito das principais características de operação, bem como as limitações de operação.

R: Pelo Datasheet da Fairchild, podem ser feitas comparações com os valores encontrados na
simulação. Pela curva característica do transistor do datahsheet é possível observar que, assim
como na atividade prática o valor máximo de operação de Ic é de 100 mA e que as faixas de
corrente Ic para cada corrente Ib determinada pelas tabelas 1, 2 e 3 estão condizentes do
esperado. Já através dos valores disponibilizados pelo datasheet para o β ou hFE, é visto que
para o transistor BC546B o ganho de corrente varia entre 200 e 450, demonstrando que os
valores encontrados na simulação estão dentro da faixa estabelecida.
 17

Figura 4.7.1 – Gráfico do datasheet da curva característica do transistor BC546B.

Fonte: Fairchild. Gráfico. Disponível em: www.mouser.com/datasheet/2/149/BC547-190204.pdf . Acesso em 04

dezembro 2021.

Figura 4.7.2 – Faixa de valores de β para o transistor BC546B.

Fonte: Fairchild. Tabela. Disponível em: www.mouser.com/datasheet/2/149/BC547-190204.pdf . Acesso em 04

dezembro 2021.

Pergunta 3: Pesquise a respeito de transistores de carboneto de silício e suas aplicações.

R: De acordo com Bueno (2014, p.578), com relação aos transistores de silício, o os de
carboneto silício tem o dobro da velocidade de saturação, permitindo maior manejo de
corrente e largura de banda. Dessa forma, esses transistores são bastante aplicáveis no
desenvolvimento de produtos destinados a aplicações de alta potência.
 18

5 CONCLUSÕES

Através da simulação prática foi possível comprovar conceitos bem estabelecidos dos
transistores, sendo possível constatar, utilizando o software de simulação de circuitos
elétricos, Proteus, a relação entre a corrente Ic e a tensão Vce nos transistores, relação esta
que foi expressada também em formas de tabelas e de maneira gráfica com auxílio do
software Octave.
Com a simulação foi possível constatar que na configuração do transistor utilizada, a de
emissor comum, quando se aumentava o valor da tensão Vce o valor da corrente Ic também
aumentava e se mantinha aproximadamente estável em uma determinada faixa de valores,
quanto maior a corrente Ib, mais essa faixa de valores variava.
Pelo gráfico 4.5.4 onde encontram-se as três correntes Ib juntas é constadado que,
conforme a corrente Ib é menor, os valores da corrente Ic ficam mais estáveis, o que é
demonstrado pelo fato de para Ib = 100 µA a faixa de valores de variação de Ic ser menor que
para Ib = 300 µA. A corrente Ib = 300 µA foi medida apenas até o valor de Vce = 8 V
justamente pelo fato de que, como visto no gráfico do datasheet, esse é aproximadamente o
último valor de tensão para esse corrente.
De posse de Ib e Ic foi possível estimar o ganho de corrente DC β, também chamado de
hFE pelos datasheets e, ao compará-lo com os valores de hFE no datasheet da Fairchild, foi
visto que os valores encontrados estavam na faixa esperada. Por fim, pela simulação também
foi observado, através dos gráficos das curvas características, que a corrente do coletor
máxima de operação seria Ic = 100 mA, como é demonstrado no gráfico 4.6.2, valor este que
também é encontrado no gráfico do datasheet 4.7.1.
 19

REFERÊNCIAS

LIVROS

BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos. 11. ed. São Paulo:
Pearson Education do Brasil, 2013.

CALLISTER, Willian D., RETHWISCH, David G. Ciência e Engenharia de Materiais:

uma introdução. 8. ed. Rio de Janeiro: LTC, 2012.

SADIKU, Matthew N. O. Fundamentos de Circuitos Elétricos. 5. ed. New York: AMGH,

2013.

SCHILLING, Donald L. Circuitos Eletrônicos Discretos e Integrados. 3. ed. Madri:

McGraw-Hill, 1993.

SEDRA, Adel.S. Microeletrônica. 7. ed. São Paulo: Pearson Universidades, 2007.

ARTIGOS

BUENO, Diego; SILVA, Edison. Dispositivos de Carboneto de Silício na Eletrônica de

Potência: Uma Revisão. Congresso Brasileiro de Automática, Belo Horizonte, v. 20, n. 1, p.
577-584, set. 2014. Disponível em: www.swge.inf.br/CBA2014/anais/PDF/1569936787.pdf.
Acesso em 03 dezembro 2021.

SITES

GNU OCTAVE. Disponível em: https://www.gnu.org/software/octave/index. Acesso em 03

dezembro 2021.

MOUSER. Disponível em: https://www.mouser.com/datasheet/2/149/BC547-190204.pdf .

Acesso em 04 dezembro 2021.

PROTEUS. Disponível em: https://www.labcenter.com/. Acesso em 03 dezembro 2021.

 BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor
November 2014

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features
• Switching and Amplifier
• High-Voltage: BC546, VCEO = 65 V
• Low-Noise: BC549, BC550
• Complement to BC556, BC557, BC558, BC559, and BC560
1 TO-92
1. Collector 2. Base 3. Emitter

Ordering Information
Part Number Marking Package Packing Method
BC546ABU BC546A TO-92 3L Bulk
BC546ATA BC546A TO-92 3L Ammo
BC546BTA BC546B TO-92 3L Ammo
BC546BTF BC546B TO-92 3L Tape and Reel
BC546CTA BC546C TO-92 3L Ammo
BC547ATA BC547A TO-92 3L Ammo
BC547B BC547B TO-92 3L Bulk
BC547BBU BC547B TO-92 3L Bulk
BC547BTA BC547B TO-92 3L Ammo
BC547BTF BC547B TO-92 3L Tape and Reel
BC547CBU BC547C TO-92 3L Bulk
BC547CTA BC547C TO-92 3L Ammo
BC547CTFR BC547C TO-92 3L Tape and Reel
BC548BU BC548 TO-92 3L Bulk
BC548BTA BC548B TO-92 3L Ammo
BC548CTA BC548C TO-92 3L Ammo
BC549BTA BC549B TO-92 3L Ammo
BC549BTF BC549B TO-92 3L Tape and Reel
BC549CTA BC549C TO-92 3L Ammo
BC550CBU BC550C TO-92 3L Bulk
BC550CTA BC550C TO-92 3L Ammo

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 1
 BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be opera-
ble above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended. In addi-
tion, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability. The
absolute maximum ratings are stress ratings only. Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.

Symbol Parameter Value Unit

BC546 80
VCBO Collector-Base Voltage BC547 / BC550 50 V
BC548 / BC549 30
BC546 65
VCEO Collector-Emitter Voltage BC547 / BC550 45 V
BC548 / BC549 30
BC546 / BC547 6
VEBO Emitter-Base Voltage V
BC548 / BC549 / BC550 5
IC Collector Current (DC) 100 mA
PC Collector Power Dissipation 500 mW
TJ Junction Temperature 150 °C
TSTG Storage Temperature Range -65 to +150 °C

Electrical Characteristics
Values are at TA = 25°C unless otherwise noted.

Symbol Parameter Conditions Min. Typ. Max. Unit

ICBO Collector Cut-Off Current VCB = 30 V, IE = 0 15 nA
hFE DC Current Gain VCE = 5 V, IC = 2 mA 110 800
Collector-Emitter Saturation IC = 10 mA, IB = 0.5 mA 90 250
VCE(sat) mV
Voltage IC = 100 mA, IB = 5 mA 250 600
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA 700
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage mV
IC = 100 mA, IB = 5 mA 900
VCE = 5 V, IC = 2 mA 580 660 700
VBE(on) Base-Emitter On Voltage mV
VCE = 5 V, IC = 10 mA 720
VCE = 5 V, IC = 10 mA,
fT Current Gain Bandwidth Product 300 MHz
f = 100 MHz
Cob Output Capacitance VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz 3.5 6.0 pF
Cib Input Capacitance VEB = 0.5 V, IC = 0, f = 1 MHz 9 pF
BC546 / BC547 / BC548 VCE = 5 V, IC = 200 μA, 2.0 10.0
Noise BC549 / BC550 f = 1 kHz, RG = 2 kΩ 1.2 4.0
NF dB
Figure BC549 VCE = 5 V, IC = 200 μA, 1.4 4.0
BC550 RG = 2 kΩ, f = 30 to 15000 MHz 1.4 3.0

hFE Classification
Classification A B C
hFE 110 ~ 220 200 ~ 450 420 ~ 800

© 2002 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com

BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 2
 BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor
Typical Performance Characteristics

100 100

IB = 400μA VCE = 5V

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

IC[mA], COLLECTOR CURRENT

80 IB = 350μA
IB = 300μA
10
IB = 250μA
60

IB = 200μA

40 IB = 150μA
1
IB = 100μA
20

IB = 50μA

0 0.1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2

VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VBE[V], BASE-EMITTER VOLTAGE

Figure 1. Static Characteristic Figure 2. Transfer Characteristic

VBE(sat), VCE(sat)[mV], SATURATION VOLTAGE

10000

VCE = 5V
IC = 10 IB
1000
hFE, DC CURRENT GAIN

1000 VBE(sat)

100

100
10
VCE(sat)

1
1 10 100 1000 10
1 10 100 1000

IC[mA], COLLECTOR CURRENT IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 3. DC Current Gain Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage and

Collector-Emitter Saturation Voltage

100 1000
fT, CURRENT GAIN-BANDWIDTH PRODUCT

VCE = 5V
f=1MHz
IE = 0
Cob[pF], CAPACITANCE

10 100

1 10

0.1 1
1 10 100 1000 0.1 1 10 100

VCB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE IC[mA], COLLECTOR CURRENT

Figure 5. Output Capacitance Figure 6. Current Gain Bandwidth Product

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BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 3
 BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor
Physical Dimensions

Figure 7. 3-Lead, TO-92, JEDEC TO-92 Compliant Straight Lead Configuration, Bulk Type

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BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 4
 BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 — NPN Epitaxial Silicon Transistor
Physical Dimensions (Continued)

Figure 8. 3-Lead, TO-92, Molded, 0.2 In Line Spacing Lead Form, Ammo, Tape and Reel Type

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BC546 / BC547 / BC548 / BC549 / BC550 Rev. 1.1.1 5
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