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DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
4-1
ter um número máximo de elétrons e esses são Um exemplo simples de ligação
mostrados na figura 4-2. covalente é a combinação de dois átomos de
hidrogênio, como mostrado na figura 4-3.
Nº da Nº máximo
Designação
camada de elétrons
1 K 2
2 L 8
3 M 18
4 N 32
5 O 32
6 P 18
7 Q 8
4-2
condutores e a dos isolantes. Cabe ressaltar Exemplos de materiais isolantes: borracha,
agora o conceito de condutores e a dos isolantes. porcelana, vidro etc.
Um material condutor é caracterizado Dos materiais semicondutores existentes
por apresentar os elétrons de valência de seus o germânio e o silício são atualmente os mais
átomos fracamente ligados ao núcleo e, devido a empregados.
essa ligação não ser muito forte, esses elétrons Esses átomos ao se unirem entre si
podem ser considerados livres. formam uma estrutura do tipo cristalina. Uma
Sendo assim, se aplicarmos uma estrutura é dita “cristalina” quando sua forma é
diferença de potencial à esse material ele bem definida (sempre em forma de cristais). São
conduzirá facilmente uma corrente elétrica. exemplos de materiais com estrutura tipo
Exemplos de materiais condutores: cobre, ouro, cristalina: cobre, diamante, silício, germânio etc.
prata, ferro etc. Quando a forma da estrutura formada
Quando os elétrons de valência do pela união dos átomos não é bem definida esta é
átomo estão fortemente ligados ao núcleo, de tal dita “amorfa”. São exemplos de materiais com
modo que não podem ser considerados elétrons estrutura tipo amorfa: plásticos, gases, borracha
livres no material, este é dito “isolante”. Os etc.
materiais isolantes apresentam então uma forte A figura 4-5 mostra a estrutura cristalina
oposição a passagem da corrente elétrica. do germânio e do silício.
4-3
Pela figura 4-6 podemos observar que Fluxo de lacunas
com o rompimento da ligação covalente ocorre
a liberação do elétron, ficando no lugar deste Quando uma ligação perde um elétron
um buraco ou lacuna. de tal forma que exista uma lacuna, esta é fácil
Esta lacuna tem característica positiva, de ser preenchida por um elétron de valência
porque qualquer elétron próximo poderá ser que deixa uma ligação covalente de um átomo
atraído por ela. vizinho; este elétron ao sair da ligação
Elétron livre covalente, deixa outra lacuna. Assim,
efetivamente, a lacuna se move na direção
oposta à direção do elétron. Esta lacuna, nesta
nova posição, pode ser agora preenchida por um
outro elétron proveniente de outra ligação
covalente. Temos assim um mecanismo para a
Lacuna condução de eletricidade.
Um modo conveniente de ilustrar esse
movimento é mostrado na figura 4-7, em forma
de esferas.
4-4
completar sua última camada com quatro Facilmente, entendemos que a dopagem
elétrons. Este cristal é chamado de positivo ou criará, no cristal, tantos elétrons livres ou
P.. lacunas quantos forem os átomos de impurezas
Porém, se na dopagem usarmos doadoras ou aceitadoras introduzidos.
impurezas pentavalentes ou doadoras, cria-se no
cristal elétrons livres, pois para participar da Polarização do elemento N
ligação covalente o átomo da impureza doa um
elétron que estava em excesso. Este elétron Ao polarizarmos um elemento N,
pode então ser considerado livre. Este cristal é conforme a figura 4-10, teremos o aparecimento
chamado de negativo ou N. de uma corrente elétrica, cujos portadores são
Para a criação de um cristal tipo N as elétrons e cujo sentido é o indicado na figura. A
impurezas geralmente utilizadas são: fósforo, intensidade desta corrente é limitada pela
arsênio, bismuto e antimônio. resistividade do elemento N, que depende da
A figura 4-8 mostra um bloco repre- quantidade de portadores, que, por sua vez
sentativo do elemento N. depende da quantidade de átomos da impureza.
4-5
As lacunas, que são positivas, são Quando se une um elemento P a um
repelidas pelo seu positivo da fonte de tensão e elemento N, há uma combinação natural de
atraídas pelo pólo negativo da mesma. portadores ou seja, elétrons do elemento N e
Um elétron entra no cristal no lado lacunas do elemento P, em toda a estrutura das
negativo da fonte e se combina com uma lacuna, superfícies unidas.
completando a união, estes já não existem mais Porém, nem todos os elétrons e lacunas
como portadores elétricos. Em seguida a bateria se recombinam porque as primeiras
que perdeu um elétron no lado negativo da recombinações criam íons, que fazem uma
fonte, tira um elétron do cristal no lado positivo barreira ao processo de recombinação. Isto pode
da fonte, gerando assim, uma lacuna que é ser visto na figura 4-13.
imediatamente repelida pelo pólo positivo da
fonte e atraído pelo pólo negativo. Temos assim
uma corrente elétrica constante que é limitada
pela resistividade do elemento, que por sua vez,
depende do número de portadores criados na
dopagem do mesmo.
Elemento P
Figura 4-12 Concentração de portadores nos Figura 4-14 Campo eletrostático e forças de
elementos P e N repulsão na junção PN
4-6
Devido a falta de portadores de carga Assim uma corrente elétrica é estabelecida
nessa região a mesma recebe o nome de região numa junção PN.
de “depleção”. Esta corrente é denominada corrente
direta.
POLARIZAÇÃO DE UMA JUNÇÃO PN
Junção PN inversamente polarizada
De acordo com a polaridade dos
elementos P e N da junção tem-se um Diz-se que a junção PN está inver-
comportamento diferente da mesma. samente polarizada quando tem-se o positivo da
A junção PN pode ser polarizada de duas fonte de tensão no lado N e o negativo no lado
maneiras: direta ou inversa. P, como mostra a figura 4-16.
4-7
DIODO RETIFICADOR
4-8
Pelo circuito vemos que, através do maior que a da capacidade de dissipação da
potenciômetro R, fazemos com que a tensão junção.
negativa no elemento P aumente lentamente. Para uma tensão inversa constante, a
Nesta situação a corrente que flui no circuito é corrente inversa pode ser aumentada pelo efeito
desprezível, porém, se aumentarmos ainda mais térmico, o que aumenta a potência da junção.
o valor da tensão sobre o diodo atingiremos um Com o aumento dessa potência haverá também
valor em que há um aumento brusco da corrente um aumento de temperatura o que resulta num
reversa, comprometendo até mesmo a novo aumento da corrente inversa, esse aumento
integridade da junção PN. Este valor de tensão é de corrente tende a aumentar ainda mais a
denominado tensão de ruptura. potência e essa por sua vez a temperatura. E
A curva de polarização reversa do diodo assim sucessivamente até a ruptura.
semicondutor é mostrada na figura 4-21.
APLICAÇÃO DO DIODO RETIFICADOR
RUPTURA DA JUNÇÃO PN
Pelo que foi visto até aqui notamos que o
A ruptura da junção ocorre quando a diodo pode ser considerado como sendo uma
corrente reversa atinge um nível suficiente para chave eletrônica. Quando em polarização direta,
romper as ligações entre os átomos do cristal, a corrente sobre ele fica limitada somente pelos
danificando a mesma. elementos do circuito externo. Porém, quando
O valor da tensão de ruptura é de suma está polarizado inversamente, a corrente do
importância no projeto de circuitos utilizando circuito fica limitada por ele mesmo, tendo
diodos polarizados inversamente. Os diodos assim, o comportamento de um circuito aberto.
construídos com cristais de silício suportam A figura 4-22 mostra dois circuitos com diodos
maiores tensões inversas do que os diodos de polarizados direta e inversamente.
germânio.
A ruptura da junção de um diodo pode
ser causada por vários fatores como tensão
inversa (ou avalanche) e por efeito térmico.
4-9
haverá queda de tensão sobre R. Tem-se então semiciclo em que está polarizado diretamente,
toda a tensão da fonte sobre o diodo o qual pode ou seja, durante o semiciclo em que a tensão de
ser considerado um circuito aberto. anodo for maior que a de catodo, permanecendo
cortado no outro semiciclo.
DIODO EM TENSÃO ALTERNADA A figura 4-23 apresenta um circuito com
um diodo operando em tensão alternada e
Quando polarizado com tensão alternada também as formas de onda de entrada e de
o diodo retificador conduz somente durante o saída.
4-10