O transistor é um componente eletrônico que começou a

popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal

responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São
utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de
sinais elétricos. O termo vem de transfer resistor
(resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos
seus inventores.

O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito

analógico, significa que a impedância característica do
componente varia para cima ou para baixo da polarização pré-
estabelecida. Graças a esta função, a corrente elétrica que passa
entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados
parâmetros pré-estabelecidos pelo projetista do circuito
eletrônico. Esta variação é feita através da variação de corrente
num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificação de sinal.

Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal

elétrico mais fraco num mais forte. Um sinal elétrico de baixa
intensidade, como os sinais gerados por um microfone, é injetado
num circuito eletrônico (transistorizado por exemplo), cuja função
principal é transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em
sinais elétricos com as mesmas características, mas com potência
suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo dá-se
o nome de ganho de sinal.

Invenção

O transistor de silicio e germanio foi inventado nos Laboratórios

da Bell Telephone por Bardeen e Brattain em 1947 e,
inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John
Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley,
que foram laureados com o Nobel de Física em 1956.
Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de
campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de
1925, mas acabaram por descobrir uma amplificação da corrente
no ponto de contato do transistor. Isto evoluiu posteriormente
para converter-se no transistor de junção bipolar (BJT). O
objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato
para substituir as válvulas termoiônicas usadas nos sistemas
telefônicos da época.

Os transistores bipolares passaram, então, a ser incorporados a

diversas aplicações, tais como aparelhos auditivos, seguidos
rapidamente por rádios transistorizados. Mas a indústria norte-
americana não adotou imediatamente o transistor nos
equipamentos eletrônicos de consumo, preferindo continuar a usar
as válvulas termoiônicas, cuja tecnologia era amplamente
dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os
rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser
adotado em escala mundial. Não houve muitas mudanças até
então.

Nessa época, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect

Transistor – Transistor de Efeito de Campo formado por Metal,
Óxido e Silício) ficou em segundo plano, quase esquecido.
Problemas de interface inviabilizavam a construção dos
MOSFETs. Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs,
fabricaram e conseguiram a operação de um transistor MOS.
Nessa época, os transistores MOS eram tidos como curiosidade,
devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.

A grande vantagem dos transistores em relação às válvulas foi

demonstrada em 1958, quando Jack Kilby, da Texas Instruments,
desenvolveu o primeiro circuito integrado, consistindo de um
transistor, três resistores e um capacitor, implementando um
oscilador simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação
de circuitos mais complexos, utilizando integração de
componentes. Isto marcou uma transição na história dos
transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das
válvulas e passaram a ser encarados como dispositivos que
possibilitam a criação de circuitos complexos, integrados.

Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a

ser encarado como um dispositivo viável para circuitos digitais
integrados. Nessa época, havia muitos problemas com estados de
impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito até o fim da
década de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sódio Na como
o principal causador dos problemas de estado de superfície e
começaram a surgir soluções para tais problemas.

No início da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais

utilizados, apesar de o conceito de Complementary MOS (CMOS)
já ter sido introduzido por Weimer. O problema ainda era a
dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transistores
NMOS.

Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com

tecnologia PMOS. Em 1971, a mesma empresa lançava o
primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em
tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em
calculadoras. Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de
estado de superfície e emergia a tecnologia NMOS, que permitia
maior velocidade e maior poder de integração.

O domínio da tecnologia MOS dura até o final dos anos 70. Nessa
época, o NMOS passou a ser um problema, pois com o aumento
da densidade dos CIs, a tecnologia demonstrou-se insuficiente,
pois surgem grandes problemas com consumo de potência (que é
alta nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS
começava a ganhar espaço.

A partir da década de 80, o uso de CMOS foi intensificado,

levando a tecnologia a ser usada em 75% de toda a fabricação de
circuitos, por volta do ano 2000.

Alguns números

O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia

PMOS e tinha freqüência de 0,2 MHz. Ano de fabricação:
abril/1972 – 3500 transistores com 10 um ou 10000 nm, com uma
tensão de trabalho de 5 V;

10 anos depois, a Intel lançou o 80286, com freqüências de 6, 10

e 12 MHz, fabricado com tecnologia CMOS – 134.000
transistores 1,5 um ou 1500 nm, com uma tensão de trabalho de 5
V;

O Pentium 4, lançado em janeiro de 2002, trabalha com

freqüências de 2200 a 3000 MHz, com 55 milhões de transistores
CMOS 130 nm. A série de chips Radeon 2000, por exemplo,
atinge os 500 milhões de transistores, chegando à casa dos 40 nm.

A Placa de vídeo da AMD Radeon HD 6870, lançada em outubro

de 2010, trabalha com freqüências de 900Mhz na GPU, 4200Mhz
de frequência de Memória GDDR5 interface 256Bits, atinge os
1,7 Bilhões de transistores, com processo de fabricação de 40 nm
e um Core de 255 mm2.

Importância

O transistor é considerado por muitos uma das maiores

descobertas ou invenções da história moderna, tendo tornado
possível a revolução dos computadores e equipamentos
eletrônicos. A chave da importância do transistor na sociedade
moderna é sua possibilidade de ser produzido em enormes
quantidades usando técnicas simples, resultando preços irrisórios.

É conveniente salientar que é praticamente impossível serem

encontrados circuitos integrados que não possuam, internamente,
centenas, milhares ou mesmo milhões de transistores, juntamente
com outros componentes como resistências e condensadores. Por
exemplo, o microprocessador Cell do console Playstation 3 tem
aproximadamente 234 milhões de transistores, usando uma
arquitetura de fabricação de 45 nanômetros, ou seja, a porta de
controle de cada transistor tem apenas 45 milionésimos de um
milímetro.

Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente

quase universal para tarefas não-mecânicas. Visto que um
dispositivo comum, como um refrigerador, usaria um dispositivo
mecânico para o controle, hoje é frequente e muito mais barato
usar um microprocessador contendo alguns milhões de
transistores e um programa de computador apropriado para
realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, têm
substituído quase todos os dispositivos eletromecânicos, a maioria
dos sistemas de controle, e aparecem em grandes quantidades em
tudo que envolva eletrônica, desde os computadores aos carros.

Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para

digitalizar toda a informação. Com os computadores
transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar
rapidamente informações digitais, mais e mais esforços foram
postos em tornar toda a informação digital. Hoje, quase todos os
meios na sociedade moderna são fornecidos em formato digital,
convertidos e apresentados por computadores. Formas analógicas
comuns de informação, tais como a televisão ou os jornais,
gastam a maioria do seu tempo com informação digital, sendo
convertida no formato tradicional apenas numa pequena fração de
tempo.

Fabricação

Símbolos dos transistores bipolares

Os materiais utilizados na fabricação do transistor são

principalmente o Silício (Si), o Germânio (Ge), o Gálio (Ga) e
alguns óxidos. Na natureza, o silício é um material isolante
elétrico, devido à conformação das ligações eletrônicas de seus
átomos, gerando uma rede eletrônica altamente estável.
Atualmente, o transistor de germânio não é mais usado, tendo
sido substituído pelo de silício, que possui características muito
melhores.
O silício é purificado e passa por um processo que forma uma
estrutura cristalina em seus átomos. O material é cortado em finos
discos, que a seguir vão para um processo chamado de dopagem,
onde são introduzidas quantidades rigorosamente controladas de
materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que
transformam a estrutura eletrônica, introduzindo-se entre as
ligações dos átomos de silício. O Silício realiza ligações
covalentes de quatro elétrons. Quando adicionamos uma impureza
com 3 elétrons na última camada, faltará um elétron na ligação
covalente, formando os buracos e caracterizando a pastilha como
pastilha P. Quando adicionamos uma impureza com 5 elétrons na
última camada, vai sobrar um elétron na ligação covalente com o
silício. Esses elétrons livres têm pouca interação com seu átomo,
então qualquer energia fornecida o faz sair, sendo assim um
elétron livre (assim se forma a pastilha N, que tem esse nome por
ter maior número de elétrons livres). A pastilha P tem menos
elétrons livres e mais "buracos" e a Pastilha N tem mais elétrons
livres que buracos. Não podemos dizer que a pastilha P é positiva
nem que a pastilha N é negativa, porque a soma total de elétrons é
igual à soma total de prótons. Quando unimos a pastilha P e a
pastilha N, os elétrons livres em excesso na pastilha N migram
para a pastilha P e os buracos da pastilha P migram para a pastilha
N. Deste modo a pastilha P fica negativa e a pastilha N fica
positiva. Isto é o diodo.

O transistor é montado justapondo-se uma camada P, uma N e

outra P (unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo
PNP. O transistor do tipo NPN é obtido de modo similar. A
camada do centro é denominada base, e as outras duas são o
emissor e o coletor. No símbolo do componente, o emissor é
indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o
componente for PNP, ou para fora, se for NPN.

Cientistas portugueses do Centro de Investigação de Materiais

(Cenimat) da Faculdade de Ciências e Tecnologia da
Universidade Nova de Lisboa, conseguiram fabricar pela primeira
vez transistores com papel.[1]. Essa equipe de investigadores foi
liderada por Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.
Funcionamento

Transístor moderno de alta potência

No transistor de junção bipolar ou TJB (BJT – Bipolar Junction

Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente
coletor-emissor é feito injetando corrente na base. O efeito
transistor ocorre quando a junção coletor-base é polarizada
reversamente e a junção base-emissor é polarizada diretamente.
Uma pequena corrente de base é suficiente para estabelecer uma
corrente entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente será
tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo com o
ganho.

Características de um transistor

O fator de multiplicação da corrente na base (iB), mais conhecido

por Beta do transistor ou por hfe, que é dado pela expressão iC =
iB x ß

 iC: corrente de coletor

 iB: corrente de base
 B: beta (ganho de corrente de emissor)

Configurações básicas de um transistor:

Existem três configurações básicas (BC, CC e EC), cada uma com

suas vantagens e desvantagens.
Base comum (BC)

 Baixa impedância(Z) de entrada.

 Alta impedância(Z) de saída.
 Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
 Amplificação de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

 Alta impedância(Z) de entrada.

 Baixa impedância(Z) de saída.
 Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
 Amplificação de tensão igual a um.

Emissor comum (EC)

 Média impedância(Z) de entrada.

 Alta impedância(Z) de saída.
 Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 180°.
 Pode amplificar tensão e corrente, até centenas de vezes.

Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns

exemplos dos parâmetros mais comuns que poderão ser
consultadas nos datasheets dos fabricantes:

 Tipo: é o nome do transistor.

 Pol: polarização; negativa quer dizer NPN e positiva
significa PNP.
 VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
 VCER: tensão entre coletor e emissor com resistor no
emissor.
 IC: corrente máxima do coletor.
 PTOT: é a máxima potência que o transistor pode dissipar
 Hfe: ganho (beta).
 Ft: freqüência máxima.
 Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou
o transistor nos fornece a identificação dos terminais.
Existem também outros tipos de transistores, notadamente os de
efeito de campo (transistores FET, de Field Effect Transistor);
neste caso, o controle da corrente é feito por tensão aplicada à
porta.