Not as de aula

Dif r ao de Raios- X
Aula 1
1. Hist r ico
2. Pr oduo de r adiao
3. As t r s equaes de von Laue
4. Equao de Br agg da dif r ao
Aula 2
1. Rede r ecpr oca
2. Esf er a de r ef lexo (esf er a de Ewald)
3. Espalhament o por um nico elt r on (J . J . Thomson)
4. Fat or de espalhament o at mico
Aula 3
1. Disper so anmala
2. Dif r ao de r aios- X por cr ist ais ideais (t eor ia cinemt ica)
3. Fat or de est r ut ur a
Aula 4
1. Lar gur a do pico de dif r ao
2. Ef eit o da Temper at ur a
3. Pot ncia Ref let ida I nt egr ada
4. Dif r ao por um agr egado policr ist alino
Aula 5
1. Absor o de r aios- X
Esse arquivo contm as notas de aula da disciplina de difrao de raios-X
em materiais (do curso de ps-graduao em Engenharia dos Materiais), que
foram ministradas, no semestre de 2002.1, para os alunos de ps-graduao
de engenharia mecnica e qumica.
Janeiro 2008 Prof. Jos Marcos Sasaki
Revisado por Maxwell A.M. Nogueira
2
Aula 1
1. Hist r ico
A descober t a de Wilhelm Conr ad Rnt gen
No final do sculo XIX, foi estabelecido que os raios provenientes do
ctodo eram absorvidos pela matria, e que sua absoro era inversamente
relacionada com a voltagem de acelerao. Em certos cristais, ao se incidir
tal raio, ocorria emisso de luz visvel, a que se denominou fluorescncia.
Em 1896, J.J. Thomson demonstrou que os raios de ctodos eram
compostos de pequenas partculas carregadas negativamente, cuja massa
era de aproximadamente 1/1800 da massa do menor tomo (hidrognio), as
quais foram denominadas eltrons. Em 1910 Robert Millikan, na
Universidade de Chicago, mediu a carga absoluta do eltron, 1,601x10
-19
C.
No vero de 1895, na Universidade de Wurzburg, Bavaria, Wilhelm C.
Rntgen construiu um tubo de raios catdicos, envolveu-o em uma caixa e,
no final da primeira semana de novembro, observou que toda uma tela de
cristal de platinocianidro de Brio, distante do tubo, fluorescia. Ele achou
que tal fluorescncia no era devida presena de raios catdicos, visto que
estes deveriam ser absorvidos pelo vidro, pela caixa, e pelo ar da sala.
Observou, ento, que os raios provenientes do tubo viajavam em linha reta,
aos quais, incgnitos, denominou raios-X.
Rntgen fez a sua primeira radiografia de uma mo humana. Foram
feitas vrias tentativas que visavam atestar se os raios-X poderiam
refletir, refratar ou difratar, mas todas mal-sucedidas. Essa nova
descoberta de Rntgen foi rapidamente divulgada. A partir da, a principal
aplicao de raios-X, a radiografia, passou a ser utilizada por hospitais e,
mais tarde, por indstrias em todo o mundo.
Em suas pesquisas, verificou que o anodo de um metal pesado, como a
platina, emite raios-X mais penetrantes que os originados de um elemento
leve, tal como o alumnio. A penetrabilidade, ou dureza dos raios-X,
aumenta com o aumento da voltagem no tubo. Em 1901, Rntgen foi, ento,
laureado com o primeiro prmio Nobel de Fsica.
Barkla descobriu a presena de uma forte componente nos raios-X
emitidos; tal componente era caracterstica do metal alvo empregado.
Foram, assim, sugeridas duas linhas de emisso, K e L, do espectro, o que
estava em concordncia com o modelo atmico tratado por Niels Bohr. Em
1917, Barkla recebeu o prmio Nobel por esta contribuio.
Em janeiro de 1912, P.P. Ewald, juntamente com Laue, discutira as
concluses de sua anlise terica da propagao de luz atravs de um
cristal, as quais o mesmo utilizou na escrita de sua tese de doutorado. Laue
estava mais interessado no fato de que Ewald usou, como modelo de
3
cristal, pequenos osciladores periodicamente espaados em trs dimenses,
distanciados de 10
-8
cm; Laue conhecia, a partir dos experimentos de
Rntgen, que o comprimento de onda dos raios-X era da ordem de 10
-8
cm.
Ou seja, ele suspeitou que um cristal serviria como uma grade ideal para
difrao de raios-X. A partir da, apresentou suas idias a Sommerfeld, mas
encontrou diversas objees. Laue, ento, convenceu W. Friedrich e P.
Knipping a fazer um experimento. Ambos tiveram sucesso ao obter o
primeiro diagrama de difrao do cristal de sulfato de cobre, na primavera
de 1912. Laue, enfim, aplicou seus conhecimentos da teoria de difrao da
luz por grades de uma e de duas dimenses, para o problema de difrao por
um cristal, que possui uma grade tridimensional. Em 1914 ganhou o prmio
Nobel por sua teoria de difrao formulada em 1912.
Espect met r o de Br agg
Durante o vero de 1912, W.H. e W.L. Bragg fizeram uma anlise do
trabalho de Laue sobre difrao de raios-X, com o uso de esfarelita
(Zincblend), ZnS. Tentaram, assim, explicar os pontos de difrao
observados como sendo produzidos por raios-X corpusculares que passam
atravs de tneis formados por linhas no cristal. Mais tarde, W.L. Bragg
convenceu-se da autenticidade do postulado de Laue da natureza dos raios-
X. Ento, C.T.R. Wilson sugeriu que W.L. Bragg refletisse raios-X por uma
face de clivagem do cristal de esfarelita. O sucesso da reflexo fez com
que W.H. Bragg construsse um espectrmetro de raios-X, o qual permite
uma medida quantitativa das intensidades de raios-X.
2. Pr oduo de r aios- X
Os raios-X so produzidos quando a matria irradiada por um feixe
partcula ou fton de alta energia. Quando bombardeado por eltrons, o
espectro obtido mostrado na figura abaixo:
Espectro caracterstico
produzido por um tubo
de raios-X.
4
O espectro consiste de uma banda larga de radiao contnua
(bremstrahlung ou radiao branca). A radiao contnua produzida pela
desacelerao dos eltrons de alta energia pelos eltrons do tomo do
elemento alvo. Existe um comprimento de onda mnimo,
min
, para um mximo
potencial de acelerao V dos eltrons incidentes; ou seja:
). (
398 . 12
min
o
A
V V
hc
= =
No espectro aparecem algumas linhas estreitas sobrepostas as do
espectro contnuo. Tais linhas foram denominadas, por Moseley, de
comprimento de onda caracterstico, e diferem de alvo para alvo. A
intensidade destas linhas dependente da corrente do tubo de raios-X e da
voltagem aplicada.
min
corresponde ao comprimento de onda mnimo (energia
mxima) que um eltron pode perder numa nica coliso. Podemos, ento,
perguntar o seguinte: o que acontece com o eltron do catodo quando atinge
o metal alvo?
1. o eltron defletido pelo campo do tomo alvo sem perda de energia;
2. ou defletido com perda de energia.
O comprimento de onda mnimo
min
no depende do nmero Z, sendo uma
funo somente da voltagem aplicada.
A produo da radiao est baseada na interao entre os eltrons
do tomo alvo e a partcula incidente. Partculas do tomo alvo podem ser
removidas da sua posio atmica, e deixar o tomo em estado ionizado. O
eltron livre , ento, denominado fton-eltron, e que sair do tomo com
energia cintica:
e
E o
onde E a energia do fton incidente e o
e
a energia do eltron ligado.
Quando um eltron da camada L transferido para a camada K, passando a
ocupar uma vacncia do nvel, ocorre um efeito de produo de ftons com
energia da por
L K
o o ;
5
tais ftons so denominados ftons de raios-X K
o
. A energia desta radiao

v
hc
h E = = ,
onde h a constante de Planck, e c a velocidade da luz. A regio do espectro
eletromagntico de raios-X est no intervalo 0.1-100, ou seja, entre a
regio dos raios- e a de raios ultravioleta. Em energia, tal intervalo
corresponde 0.1keV e 100keV.
3. As t r s equaes de Laue
Consideremos uma linha peridica de tomos espaados de a, um feixe
incidente de raios-X dado pelo vetor unitrio
o
S

, e um feixe de raios
espalhados pela linha de tomos na direo do vetor unitrio S

. A
diferena de caminho dos dois feixes deve ser igual a um nmero inteiro de
comprimento de onda (figura ?),
h S S a S a S a
o o
= = ) (

onde h um nmero inteiro, e

o
S a

e S a

so os caminhos que o feixe

percorre, a tomar por referncia as respectivas frentes de ondas normais a
ambos os feixes de raios-X. S

e
o
S

no so necessariamente coplanares;
podemos imaginar que S

forma um cone na linha atmica, para uma

determinada direo do feixe incidente
o
S

.
Representao da difrao para uma rede
unidimensional e bidimensional.
6
Numa rede peridica, tendo trs translaes no coplanares, a

, b

e
c

, tal que haja espalhamento em fase, trs condies devem ser satisfeitas
simultaneamente:
. ) (
) (
) (

l S S c
k S S b
h S S a
o
o
o
=
=
=

Estas equaes so denominadas as trs equaes de Laue.

Estas trs equaes podem ser relacionadas com a rede recproca,
pelo uso de algumas propriedades da rede. Qualquer vetor da rede pode ser
expresso em termos dos trs eixos da rede.
3 2 1
b l b k b h H

+ + = ,
onde h, k e l so inteiros. Supondo que R

representa a diferena entre S

e
o
S

, multiplicado por 1/, temos, ento,

)/ S - S ( H R
o

= .
7
Aula 2
1. Rede r ecpr oca
Um cristal uma repetio tridimensional de alguma unidade de
tomos ou molculas. A sua representao bidimensional representada na
figura abaixo:
Dois diferentes tipos de tomos ou molculas so representados por
crculos e tringulos identicamente repetidos. A repetio definida por
trs vetores
3 2 1
a a a

que so chamados de eixos cristalinos. O paraleleppedo
definido pelos trs eixos,
3 2 1
a a a

, o menor volume a se repetir em todo o
cristal. Tal volume chamado de clula unitria. Logo, o volume da clula
unitria definido em funo dos trs eixos cristalinos, e dado por:
) (
3 2 2
a a a V

= .
Vamos supor que os diferentes tomos dentro da clula unitria so
numerados por 1, 2, 3 ..., n, e que as posies dos tomos relativos a origem
da clula unitria so representadas pelos vetores
1
r

,
2
r

,
3
r

, ...,
n
r

.
Definimos diferentes clulas por trs valores inteiros m
1
, m
2
, m
3
, tal que a
clula m
1
m
2
m
3
est deslocada da origem por
3 3 2 2 1 1
a m a m a m

+ + . Portanto, as
posies dos tomos do tipo n, na clula unitria m
1
m
2
m
3,
so dados pelo
vetor:
n
n
m
r a m a m a m R

+ + + =
3 3 2 2 1 1
.
A partir do uso da equao de Bragg, consideramos a difrao em
Representao bidimensional das propriedades de
um cristal
8
termos de um conjunto de planos cristalogrficos hkl. Pelo conjunto de
planos cristalogrficos, queremos dizer um conjunto de planos eqidistantes
e paralelos, que passam pela origem, e o mais prximo intercepta em a
1
/h,
a
2
/k, a
3
/l os trs eixos cristalogrficos. Os ndices inteiros hkl so
denominados ndices de Miller.
De acordo com a lei de Bragg, duas propriedades so dadas a um
conjunto de planos hkl: a orientao dos planos e seus espaamentos. Uma
simples representao dessas duas propriedades obtida introduzindo um
vetor
hkl
H

, o qual perpendicular aos planos hkl e possui magnitude igual ao

recproco do espaamento. Vamos, primeiramente, definir um conjunto de
vetores recproco,
3 2 1
b b b

, em termos desses vetores
hkl
H

.
Em termos dos trs eixos cristalinos
3 2 1
a a a

, podemos definir o
conjunto de vetores recprocos,
3 2 1
b b b

:
.
) (
,
) (
,
) (
3 2 1
2 1
3
3 2 1
1 3
2
3 2 1
3 2
1
a a a
a a
b
a a a
a a
b
a a a
a a
b

=


=


=
Tais definies so facilmente relembradas pelo fato de que os
ndices do vetor recproco e dos dois eixos cristalinos no numerador
ocorrem ciclicamente. Uma importante relao entre os dois conjuntos de
vetores expressada pelos produtos escalares. Se os ndices so os
mesmos,
. 1
) (
3 2 1
3 2
1 1 1
=


=
a a a
a a
a b a

Se os ndices so diferentes,
, 0
) (
3 2 1
1 3
1 2 1
=


=
a a a
a a
a b a

desde que o vetor

1 3
a a

um vetor perpendicular ao vetor
1
a

, e o produto
escalar de
1
a

e
1 3
a a

envolver cos 90
o
. Esses resultados podem ser
generalizados da seguinte forma:
9

=
=
=
. , 0
, , 1
j i
j i
b a
j i

Portanto, definimos o vetor

hkl
H

em termos dos trs vetores recprocos e

dos ndices de Miller:
.
3 2 1
b l b k b h H
hkl

+ + =
Deste modo, podemos expressar a lei de Bragg na forma vetorial pelo uso do
vetor
hkl
H

. Se
o
S

e S

so vetores unitrios na direo dos vetores

incidente e difratado, construmos os vetores /
o
S

e / S

formando um
ngulo u com os planos difratantes, conforme ilustra a figura abaixo:
A lei de Bragg na forma vetorial ento escrita da seguinte forma:
.
hkl
o
H
S S


=

Para que possamos ver que a equao acima equivalente equao de

Bragg, devemos notar que duas condies devem ser satisfeitas:
i) os vetores de ambos lados devem ser paralelos e
ii) a magnitude de ambos lados devem ser iguais.
A primeira condio determina que os feixes difratados e incidentes
formam um ngulo com os planos difratantes. A segunda condio exige que:
Lei de Bragg envolvendo os
vetores de onda incidente e
difratado
10
hkl
hkl
o
d
H
sin S S 1 2
= = =

e esta equao equivalente forma usual da lei de Bragg =2d

hkl
sinu.
Podemos ver, assim, que o espao recproco nos d uma representao
grfica da lei de Bragg. Para um conjunto dado de planos hkl, temos um
vetor
hkl
H

para o ponto hkl do espao recproco.

2. Esf er a de r ef lexo (esf er a de Ewald)
Uma maneira mais simples e fcil de visualizar a lei de Bragg
atravs da esfera de reflexo (denominada esfera de Ewald). A rede
reciproca mostrada esquematicamente, em duas dimenses, na figura
abaixo. A direo do feixe incidente mostrada pelo vetor /
o
S

, que
corresponde a um vetor de comprimento 1/ que termina na origem da rede
recproca, e que passa pela origem da esfera de reflexo. Qualquer ponto
hkl recproco (ou n da rede) que caia sobre a superfcie da esfera,
representa um conjunto de planos hkl na qual a lei de Bragg satisfeita.
Fica bem evidente que a relao dos trs vetores /
o
S

, / S

e
hkl
H

mostrados na figura, expressa muito bem a lei de Bragg. A direo do feixe

difratado dada pelo vetor / S

, que passa pelo centro da esfera e termina

no ponto hkl. Ou seja, a lei de Bragg satisfeita, para um conjunto de
planos hkl, pelo simples fato de que os pontos hkl da rede recproca tocam a
superfcie da esfera de reflexo.
Fr mula da dist ncia d
hkl
Representao bidimensional da esfera de reflexo
no espao recproco.
11
Para o uso da equao de Bragg, precisamos calcular a distncia
interplanar d
hkl
. Assumindo que conhecemos os comprimentos dos trs eixos
cristalinos, e os ngulos entre eles, podemos chegar a uma relao do tipo:
) , , , , , , , , (
31 23 12 3 2 1
l k h a a a f d
hkl
o o o = .
Iniciemos pela seguinte equao:
. 2 2 2
) ( ) (
1
1 3 3 2 2 1 3 3
2
2 2
2
1 1
2
3 2 1 3 2 1
2
2
b b lk b b kl b b hk b b l b b k b b h
b l b k b h b l b k b h
d
H
hkl
hkl


+ + + + + =
+ + + + = =
Usando a definio dos vetores recprocos
3 2 1
b b b

em funo dos
vetores cristalinos
3 2 1
a a a

, e usando a equao
,
), cos cos (cos
) ( ) (
2 2 2
2
2
2
ij j i j i
ik jk ij k j i
j k i k j j i k j j i
sin a a a a
a a a
a a a a a a a a a a a
o
o o o
=
=
=


chegamos seguinte relao:
( ) ( ) ( ) . cos cos cos
2
cos cos cos
2
cos cos cos
2
1
31 23 12
1 3
23 12 31
3 2
12 31 23
2 1
2
3
12
2 2
2
2
31
2 2
2
1
23
2 2
2
2
3
2
2
2
1
2
)
`

+ + +
+

+ =
o o o o o o o o o
o o o
a a
lh
a a
kl
a a
hk
a
sin l
a
sin k
a
sin h
V
a a a
d
hkl
O quadrado do produto triplo escalar pode ser convenientemente
expressado na forma do determinante em termos do produto escalar
simples entre os eixos cristalinos:
( )
( ). cos cos cos cos cos cos 2 1
31
2
23
2
12
2
31 23 12
2
3
2
2
2
1
3 3 2 3 1 3
3 2 2 2 1 2
3 1 2 1 1 1
2
3 2 1
2
o o o o o o + =



= =
a a a
a a a a a a
a a a a a a
a a a a a a
a a a V




.
Para confirmar a notao cristalogrfica usual, devemos tomar as
seguintes igualdades:
12
. ,
, ,
, ,
12 3
31 2
23 1
o
| o
o o
= =
= =
= =
c a
b a
a a

Combinando as equaes, e mudando para a notao cristalogrfica,
obtemos a frmula do espaamento interplanar para o caso mais geral de um
cristal triclnico.
( )
( )
( ) ( ) . cos cos cos
2
cos cos cos
2
cos cos cos
2
cos cos cos cos cos cos 2 1
1 1
2
2 2
2
2 2
2
2 2
2 2 2 2
)
`

+ +
+ +

+
+
=
| o o |
| o
| o
| o | o
ac
lh
bc
kl
ab
hk
c
sin l
b
sin k
a
sin h
d
hkl
3. Espalhament o por um nico elt r on (J . J . Thomson)
Consideremos inicialmente que um eltron de carga e, e massa m,
mantido na origem por uma pequena fora restauradora. Uma onda plana
constituda por um feixe de raios-X monocromtico, pode ser representada
pelo campo eltrico incidente
] 2 exp[ r S i t i E
o o o

t e ,
que atuar sobre esse eltron. Nesta expresso,
o
E

o vetor campo
eltrico incidente,
o
S

o vetor de onda da onda incidente,

o o
tv e 2 = , onde
o
v a freqncia. Vamos assumir, por simplicidade, que a freqncia natural
do eltron pequena comparada com a freqncia do campo eltrico
incidente de raios-X.
A fora externa atuante no eltron expressada por:
t i
o
o
e eE
e
.
Desde que a fora restauradora seja pequena, a fora imprimida no eltron
13
ser igual a:
t i
o
o
e eE
dt
x d
m
e
=
2
2
,
onde x o deslocamento mdio do eltron. A soluo da equao diferencial
do movimento :
t i
o
o
o
e E
m
e
x
e
e

2
= .
O momento do eltron ex; ou seja,
t i
e
o
e p x e
e

= ,
o
o
e
E
m
e
p

2
2
e
= .
A polarizabilidade o
e
, , por definio, o momento de dipolo induzido por um
campo unitrio
2
2
o
e
m
e
e
o = .
De acordo com a teoria eletromagntica, um oscilador ou dipolo oscilante
t i
e
o
e p
e
produz um campo eletromagntico. Deste modo, os campos
magnticos e eltricos produzidos por este dipolo, para grandes distncias,
e quando comparado com o comprimento de onda, so dados por:
] 2 exp[ ) (
] 2 exp[
2
2
2
2
R S i t i
R c
u p u E e
R S i t i
R c
p u H e
o
o
e e
t i
o
o
e e
t i
o
o

=
=
t e
e
t e
e
e
e
,
onde u R R

= a distncia entre o vetor dipolo e o ponto de observao, e

u S

1
= . Estas equaes representam ondas esfricas originadas pelo
dipolo. A intensidade mdia no ponto de observao R

dada por:
Raios-X espalhados por
um nico eltron.
14
2
8
e e
E
c
I

t
= ,
enquanto que a intensidade da onda incidente
2
8
o o
E
c
I

t
= .
Substituindo o vetor de onda incidente e espalhado pelo eltron nas
expresses da intensidade, chegamos seguinte expresso:
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
sin ] 2 exp[ sin ] 2 exp[ ) (
|
|
.
|

\
|
= =
R c
p R S i t i
R c
p u R S i t i
R c
u p u
o
e o
o
e o
o
e
e
o t e
e
m t e
e




.
Como:
o
o
e
E
m
e
p

2
2
e
=
temos que
o e
I
R mc
e
I
2
2
2
sin
|
|
.
|

\
|
= o .
Se a onda no polarizada, o ngulo o torna-se indeterminado e o termo
sin
2
o deve ser trocado pelo seu valor mdio; ou seja,
( )
( )
,
2
) 2 ( cos 1
) 2 ( cos 1
2
1
1
2 sin cos 1
2
2
cos cos 1 cos 1 sin
2
2
2 2
2 2 2 2
u
u
u v
u
t
v o o
+
=
=
=
|
.
|

\
|
= =
onde 2u o ngulo de espalhamento, ou seja, o ngulo entre a direo do
feixe incidente e a direo do feixe espalhado. Portanto, a intensidade de
espalhamento fica reduzida seguinte expresso:
,
2
) 2 ( cos 1
2
2
2
2
|
|
.
|

\
| +
|
|
.
|

\
|
=
u
R mc
e
I I
o e
15
onde
2
) 2 ( cos 1
2
u +
o fator de polarizao da onda espalhada por um eltron.
Esta expresso nos mostra que a intensidade de espalhamento por um nico
eltron independente da freqncia de raios-X.
4. Fat or de espalhament o at mico
Denotemos o fator de espalhamento atmico pela razo entre as
amplitudes de espalhamento por um nico tomo E
a
e pelo eltron isolado E
e
:
.
e
a
E
E
f =
Quando os eltrons espalham em fase um com outro, o valor mximo
de f igual ao nmero atmico Z, que corresponde ao nmero de eltrons no
tomo.
A quantidade de carga que contm num dado elemento de volume dV
do tomo
. ) ( dV r dq

p =
Assim, a razo entre a amplitude da onda espalhada por este
elemento de volume, dE
a
, e a amplitude da onda espalhada por um eltron na
mesma direo a mesma entre as suas cargas
.
) (
e
dV r
e
dq
E
dE
df
e
a

p
= = =
Somando sobre toda contribuio de diferentes elementos de volume,
preciso levar em considerao a diferena de caminho em cada ponto do
tomo:
dV e
e
r
df
r S S i
o

t
p

=
) ( 2
) (
,
Espalhamento de um
tomo isolado com
densidade de carga
radialmente simtrico.
16
onde a exponencial representa a relao de fase entre as diferentes partes
do tomo.
A contribuio total obtida pela integrao sobre todo o volume, ou
seja:
. sin
4
, sin 2 ) )( sin 2 (
2
u

t
m m t m m t
=
= =
k
dr d r dr rd r dV
Como:
, 2 u sin S S
o
=

a partir de uma anlise grfica, obtemos que
( ) ; sin cos 2 cos u m m r r S S r S S
o o
= =

substituindo na expresso em df e integrando, chegamos a:
. 2 ) (
1
2
0 0
cos
dr d sin r e r
e
f
r
r
ikr
m m t p
t m
m
m

=
=
=
=
=
A seguinte integral j conhecida na literatura:
,
2
2
2 1
0
cos
0
cos
kr
sinkr
i
e e
kr
e
ikr
d sin e
ikr ikr
ikr ikr
=

= =

=
=

t
m
t m
m
m
m m
logo o fator de espalhamento atmico fica reduzido seguinte expresso:
. ) (
4
0
2
dr
kr
sinkr
r r
e
f
r
r
p
t

=
=
=
Esta expresso correta quando a distribuio de carga
Elemento de volume anular
de raio rsinm e largura rdm.
17
esfericamente simtrica, e a energia dos raios-X no prxima a que est
associada borda de absoro do tomo.
Vamos deduzir o fator de espalhamento atmico para o tomo mais
simples, o tomo de hidrognio.
De acordo com a mecnica Quntica, a funo de onda para o tomo
de hidrognio, que satisfaz a equao de Schrdinger, dada por:
.
1
3
B
a
r
B
H
e
a

=
t
v
Esta a soluo exata para o tomo de hidrognio, que tem um
eltron que se move esfericamente simtrico em torno do seu ncleo, onde
a
B
=0.53 o raio de Bohr do hidrognio.
A densidade de probabilidade calculada em funo do mdulo
quadrado da funo de onda:
.
3
/ 2
2
B
a r
H
a
e
B
t
v

=
Desde que
2
) (
H
e r v p =

,
temos que:
.
4
4
0
/ 2
3
0
3
/ 2 2
sinkrdr re
k a
dr
kr
sinkr
a
e r
f
r
r
a r
B
r
r
B
a r
H
B
B

=
=

=
=

= =
t
t
A integral acima pode ser resolvida da seguinte forma:
( )
;
2
sin
0
2
2 2

=
=

+
=
r
r
ax
b a
ab
bxdx xe
portanto, encontramos o fator de espalhamento atmico para o tomo de
hidrognio, dado por:
18
.
2
1
1
2
1
1
2
2
2
2

|
.
|

\
|
+
=

|
.
|

\
|
+
=

u t sin a k a
f
B B
H
Podemos notar que o fator de espalhamento atmico para o tomo de
hidrognio depende nica e exclusivamente de sinu/=d
hkl
/2; ou seja, de
acordo com a lei de Bragg, o fator de espalhamento independe do
comprimento de onda e constante para cada plano de espalhamento.
19
Aula 3
1. Disper so anmala
Nos captulos anteriores no aplicamos raios-x com freqncias
prximas freqncia eletrnica do eltron do tomo. Nesta seo vamos
estudar o caso onde as foras de ligao so levadas em considerao.
Se introduzirmos uma fora de ligao do eltron,
j j
x m
2
e , e um
termo de amortecimento,
dt
dx
mk
j
j
, a equao de movimento do j-simo
eltron de massa m, e carga e, sob a ao de um campo eltrico alternado
t i
o
e E
e
da onda incidente, torna-se:
,
. 2
2
2
2
j o
r iS t i
o j j
j
j
j
e E
m
e
x
dt
dx
k
dt
x d
t e
e

= + +
onde e
j
a freqncia natural de vibrao do j-simo eltron,
dt
dx
k
j
termo
de amortecimento, resultado de emisso da radiao pelas vibraes da
partcula. A soluo dessa equao diferencial tem a forma:
.
1
) (
. 2
2 2
j o
r iS t i
o
j j
e E
ik m
e
t x
t e
e e e

+
=
A polarizabilidade de cada dipolo dada pela carga multiplicada pelo
deslocamento:
). ( ) ( t ex t = o
A susceptibilidade eltrica de N dipolos acoplados, com e
j
=e
o
, k
j
=,
definida por:
.
1 ) (
2 2
2
. 2
e e e
;
t e
j
o
r iS t i
o
e
ik m
Ne
e E
t Nex
j o
+
= =

Agora, escrevamos a susceptibilidade com partes real e imaginria:
( ) ( )
.
2 2
2
2 2 2 2
2
2 2
2 2 2
, , ,
|
|
.
|

\
|
+

+

= =
e e e
e
e e e
e e
; ; ;
o o
o
i
m
Ne
i
Para e=e
o
a parte real vai para zero e a parte imaginria tem o seu
20
valor mximo; logo, ocorre a chamada ressonncia de absoro.
A parte real da susceptibilidade fortemente dependente da freqncia de
ressonncia, e prxima a esta freqncia ocorre mudana em seu sinal. Este
o fenmeno de disperso anmala.
O campo eltrico produzido pelo dipolo oscilante a uma distncia R
tem a sua magnitude dada por:
.
/
) ( ) ( ) (
2 2
2 2 2
2
2
2
2
t i
o
o
e
i
R mc E e
t ex
R c
t
R c
t E
e
e e e
e e
o
e
+
= = =
A expresso da amplitude de espalhamento para um eltron livre (=0
e e
o
=0) dada pela seguinte forma:
. ) (
2
2
2 2
, t i
o
e
R mc
E e
t E
e
e
e

=
Logo, o fator de espalhamento para um eltron fica ento sendo
definido por:
( )
( ) e e e
e
e e e
e
i i livre eltron t E
ligado eltron t E
f
o o
e

=
+

= =
2 2
2
2 2
2
,
) (
) (
.
Separando a parte imaginria da parte real do fator de espalhamento
atmico, temos que:
( ) ( )
.
) (
2 2
2
2 2
3
2 2
2
2 2
2 2 2
, , ,
e e e
e
e e e
e e e
+
+
+

= + =
o o
o
e e e
i if f f
Nota-se, a partir desta ltima equao, que o termo imaginrio
Susceptibilidade
eltrica complexa
prxima da
freqncia de
ressonncia.
21
sempre positivo, enquanto que o termo real torna-se negativo, quando e<e
o
e
positivo quando e>e
o
. Ento, para energias associadas com freqncias
maiores que a freqncia natural de absoro, o espalhamento est sempre
fora de fase em relao ao feixe de radiao incidente. De fato, quando
e>>e
o
, f
e

tende ao valor unitrio, enquanto f

e

vai para zero (isto notado

desde que <<e, tal que o termo imaginrio pode ser desprezado, exceto
quando e~e
o
). Isto significa que, quando a radiao incidente tem energia
alta, os eltrons espalham de acordo com o Modelo de Thomson. Quando
e<<e
o
, ento f
e

torna-se negativo, com a magnitude proporcional a e

2
/e
o
2
, e
o tomo espalha em fase com a radiao incidente. Esta a base do
espalhamento anmalo para freqncia prxima freqncia natural, onde
no somente a magnitude do fator de espalhamento muda, mas a fase
tambm. A parte imaginria ainda pode ser desprezada, exceto prximo de
e
o.
Fisicamente, o termo imaginrio corresponde a ejeo de um eltron
mais interno, tal que o mesmo nulo para energias muito baixas para a
retirada de um eltron ligado, que o caso onde e<e
o,
e tem magnitude
diferente de zero para e>e
o
.
2. Dif r ao de r aios- X por cr ist ais ideais (t eor ia cinemt ica)
Vamos, primeiramente, representar a posio de qualquer tomo no
cristal por um vetor que tenha uma origem em comum por
n
m
R

:
n
n
m
r c m b m a m R

+ + + =
3 2 1
,
onde c m b m a m

3 2 1
+ + define o vetor de origem na m-sima clula de
dimenses m
1
m
2
m
3
e
n
r

o vetor de origem no n-simo tomo dentro da

clula unitria.
22
Suponha que o feixe de raios-X monocromtico incidente tenha um
comprimento de onda . e a forma de uma onda plana na origem do cristal.
Esta onda atinge o tomo, tocando no final do vetor
n
m
R

, que se desloca de
x
1
, tal que o valor do campo eltrico neste ponto :
,
1
2 exp
1

|
.
|

\
|
= x t
c
i E E
o o

t
onde E
o
a amplitude do campo eltrico do feixe incidente.
O tomo espalha o campo incidente na direo do vetor S

, de tal
modo que o seu valor, quando atinge o ponto P, a uma distncia x
2
do tomo
que est sendo considerado, :
( ) ,
1
2 exp
2 1
2
2

|
.
|

\
|
+ = x x t
c
i
R mc
E
e f E
o
n P

t
onde x
1
, x
2
e x
1
+x
2
podem ser obtidos geometricamente:
), (
2 1
2
1
o
n
m
n
m
o
n
m
S S R R x x
S R R x
S R x



= +
=
=
logo o campo eltrico no ponto P dado por:
( ) , ) (
1
2 exp
2
2

|
.
|

\
|
=
o
n
m
o
n P
S S R R t
c
i
R mc
E
e f E


t
Esta a expresso para o campo eltrico espalhado por cada tomo.
De acordo com a definio de
n
m
R

, devemos fazer a soma sobre todos os

tomos n e ento adicion-los a todas as contribuies da clula no cristal
pela soma sobre m
1
, m
2
e m
3
da seguinte forma:
( ) . ) ( ) (
1
2 exp
3 2 1
3 2 1
2
2

|
.
|

\
|
+ + + =
m
o n n
m m n
o
P
S S r c m b m a m R t
c
i f
R mc
E
e E

t
O fator de estrutura para somente uma clula unitria definido por:
23
( )
. 2 exp

=
n
n
o
n
r
S S
i f F

t
Reagrupando os termos, obtemos:
. ) (
2
exp ) (
2
exp ) (
2
exp
3 2 1
3 2 1
) ( 2
2
2

=

m
o
m
o
m
o
R ct i
o
P
S S c m
i
S S b m
i
S S a m
i
Fe
R mc
E
e E

t
De acordo com o modelo de cristal, o nmero total de clula unitria
dado por:
3 2 1
M M M M = .
Cada soma pode ser escrita em termos de uma srie geomtrica:
,
1
...
1 2
1
0

= + + + + =

r
a ar
ar ar ar a ar
M
M
M
m
m
usando esta expresso, obtemos o campo eltrico no ponto P:
.
1 ) (
2
exp
1 ) (
2
exp
1 ) (
2
exp
1 ) (
2
exp
1 ) (
2
exp
1 ) (
2
exp
3 2 1
) ( 2
2
2

=

o
o
o
o
o
o
R ct i
o
P
S S c
i
S S c M
i
S S b
i
S S b M
i
S S a
i
S S a M
i
Fe
R mc
E
e E

t
Como a intensidade em P proporcional ao quadrado da amplitude do
campo eltrico,
,
2
) 2 cos 1 (
8 2
) 2 cos 1 (
8 2
) 2 cos 1 (
8
2
*
2
2
2
2
u
t
u
t
u
t
+
=
+
=
+
=
P P P P P
E E
c
E
c
E
c
I
e
24
,
2 / sin
2 / sin
1
1
1
1
1
1
1
1
2
2
2 2
2 2
2 2
2 2
2
2
2
2
x
Mx
e e
e e
e e
e e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
e
ix ix
Mx
i
Mx
i
ix ix
Mx
i
Mx
i
ix
iMx
ix
iMx
ix
iMx
ix
iMx
ix
iMx
ix
iMx
=
|
|
|
.
|

\
|

|
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|

|
|
.
|

\
|

temos que:
,
) (
) (
) (
) (
) (
) (
2
3
2
2
2
2
2
1
2
2
c S S sin
c M S S sin
b S S sin
b M S S sin
a S S sin
a M S S sin
F I I
o
o
o
o
o
o
e P

t
onde I
e
a intensidade espalhada por um nico eltron. A funo
x sin
Mx sin
2
2

zero em qualquer ponto, exceto para x=qt, onde q qualquer inteiro
incluindo o zero, e seu valor mximo M
2
.
Logo a intensidade dada por:
,
2 2
M F I I
e P
=
onde M o nmero mximo e total de clulas unitrias no cristal:
.
2
3
2
2
2
1
2
M M M M =
Podemos, ento, notar que a intensidade que atinge o ponto P proporcional
ao quadrado do nmero total de clulas unitrias no cristal, e ao quadrado
da magnitude do fator de estrutura. A intensidade do feixe difratado pode
ser usada para determinar a magnitude do fator de estrutura, que depende
do arranjo atmico dentro da clula unitria.
3. Fat or de est r ut ur a cr ist alino
Quando as trs equaes de Laue so satisfeitas, o vetor

o
S S

coincide com o vetor da rede recproca

hkl
H

. Logo, podemos escrever

o fator de estrutura como:
( )
| |. 2 exp
2 exp
n hkl
n
n
n
n
o
n
r H i f
r
S S
i f F

t

t
25
O vetor
n
r

do n-simo tomo dentro da clula unitria definido por

, c z b y a x r
n n n n

+ + =
onde x
n
, y
n
e z
n
so as coordenadas fracionrias da origem da clula unitria,
e a

, b

e c

so os eixos cristalinos. Sabemos, ainda, que o vetor da rede

recproca definido por
.
3 2 1
b l b h b h H
hkl

+ + =
Logo,
( ) | |. 2 exp

+ + =
N
n
n n n n hkl
lz ky hx i f F t .
Esta expresso mostra que a magnitude depende somente da
disposio relativa dos N tomos na clula unitria, e de seus respectivos
fatores de espalhamento f
n
.
Por exemplo, para um cristal que contenha N=4 tomos, podemos
representar o fator de estrutura no plano complexo e notar que o fator de
estrutura normalmente uma quantidade complexa tendo uma magnitude e
um ngulo de fase. Como a intensidade difratada proporcional a F
2
=FF
*
,
experimentalmente possvel determinar a amplitude F do fator de
estrutura, mas no a fase.
1. Clula de Base Centrada
Dois tomos do mesmo tipo, com as respectivas clulas unitrias
localizadas em 0 0 0 e 1/2 1/2 0.
( ) | |
( )
| |
k h i
k h
i
i
n n n
e f fe fe
lz ky hx i f F
+
|
.
|

\
|
+
+ = + =
+ + =

t
t
t
t
1
2 exp
2 2
2
0 2
.
Se h e k so ambos pares ou ambos mpares, ou seja, no "misturados",
ento a soma h+k, sempre par; logo,
( ) k h i
e
+ t
tem valor 1.
f F 2 = para h e k no misturados
26
Se h e k so pares ou mpares, i.e., misturados, a soma h+k sempre mpar e
( ) k h i
e
+ t
tem valor -1. Assim,
0 = F para h e k misturados
Note que o valor do ndice l no tem efeito sobre o fator de estrutura. Por
exemplo, para as reflexes 111, 112, 113 e 021, 022, 023 ocorre o mesmo
valor de F, igual a 2f. No entanto, para reflexes em 011, 012, 013 e 101,
102 e 103, o fator de estrutura igual a zero.
2. Clula Cbica Simples
( ) | |
f fe
lz ky hx i f F
i
n n n
= =
+ + =

0 2
2 exp
t
t
Aqui, F independente de h, k e l, e o mesmo para todas as reflexes.
3. Clula de Corpo Centrado
Esta clula tem dois tomos do mesmo tipo localizados em 0 0 0 e 1/2
1/2 1/2.
( ) | |
( )
| |
l k h i
l k h
i
i
n n n
e f fe fe
lz ky hx i f F
+ +
|
.
|

\
|
+ +
+ = + =
+ + =

t
t
t
t
1
2 exp
2 2 2
2
0 2
f F 2 = para (h+k+l) = par
0 = F para (h+k+l) = mpar
Podemos concluir, a partir de consideraes geomtricas, que a clula
de base centrada produziria uma reflexo 001, o que no ocorreria a uma
clula de corpo centrado. Este resultado est de acordo com o fator de
estrutura dessas duas clulas.
4. Clula de Face Centrada
Vamos tomar 4 tomos do mesmo tipo, localizados, respectivamente,
em 0 0 0, 1/2 1/2 0, 1/2 0 1/2 e 0 1/2 1/2.
27
( ) | |
( ) ( ) ( )
| |
l k i l h i k h i
l k
i
l h
i
k h
i
i
n n n
e e e f fe fe fe fe
lz ky hx i f F
+ + +
|
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+
+ + + = + + + =
+ + =

t t t
t t t
t
t
1
2 exp
2 2
2
2 2
2
2 2
2
0 2
Se h, k e l so ndices no misturados, ento todas as trs somas,
(h+k), (h+l) e (k+l), so pares e cada termo ter um valor 1 de tal forma que:
f F 4 = para ndices no misturados
Se h, k e l so misturados, a soma de todas as trs exponenciais vale -
1; ou, ento, dois dos ndices so mpares ou dois so pares. Suponhamos, por
exemplo, 012, h e l so pares e k mpar; logo,
0 ) 1 1 1 1 ( = + = f F para ndices misturados
Portanto, ocorrero reflexes para planos tais como (111), (200) e
(220), mas no para os planos (100), (210), (112), etc.
Estes exemplos mostram que o fator de estrutura independente da
forma e tamanho da clula unitria.
Seja, por exemplo, o cristal de diamante, que tem a rede cbica de
face centrada, mas contm 8 carbonos por clula unitria. Todas as
reflexes tm ndices no misturados, mas reflexes tais como 200, 222,
420, etc, so chamadas de reflexes proibidas por apresentarem
intensidades nulas experimentalmente.
Vamos ilustrar o exemplo de um cristal que apresenta dois tomos
diferentes na clula unitria, que o caso do cristal de NaCl. Este cristal
tem a rede cbica com 4 Na e 4 Cl, por clula unitria, com suas respectivas
localizaes dadas abaixo:
Na 0 0 0 1/2 1/2 0 1/2 0 1/2 0 1/2 1/2
Cl 1/2 1/2 1/2 0 0 1/2 0 1/2 0 1/2 0 0
Neste caso, o fator de espalhamento para cada tomo deve ser
inserido na equao do fator de estrutura.
28
( ) | |
( ) ( ) ( )
| |
( )
| |
( ) ( ) ( )
| |
( ) ( ) ( ) ( )
| |
l k i l h i k h i l k h i
Cl
l k i l h i k h i
Na
ih ik il l k h i
Cl
l k i l h i k h i
Na
h
i
k
i
l
i
l k h
i
Cl
l k
i
l h
i
k h
i
i
Na
n n n
e e e e f e e e f
e e e e f e e e f
e e e e f
e e e e f
lz ky hx i f F
+ + + + + + + +
+ + + + +
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
|
.
|

\
|
+ +
|
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+
+ + + + + + + =
+ + + + + + + =

+ + + +

+ + + =
+ + =

t t t t t t t
t t t t t t t
t t t t
t t t
t
t
1 1
1
2 exp
2
2
2
2
2
2
2 2 2
2
2 2
2
2 2
2
2 2
2
0 2
Como
i n i n
e e
t t
= , para qualquer n inteiro, temos que:
( )
| |
( ) ( ) ( )
| |
l k i l h i k h i l k h i
Cl Na
e e e e f f F
+ + + + +
+ + + + ==
t t t t
1
Podemos, assim, notar que os termos que correspondem translao
de face centrada aparece no segundo fator, com o seu valor igual a zero
para ndices misturados, e igual a 4 para ndices no misturados. Isto
mostra que o NaCl tm a rede de face centrada, e que:
0 = F para ndices misturados
Para ndices no misturados:
( )
| |
| |
Cl Na
l k h i
Cl Na
f f
e f f F
+ =
+ =
+ +
4
4
t
para h+k+l = par
| |
Cl Na
f f F = 4 para h+k+l = mpar
Neste caso, h mais que 4 tomos por clula unitria, mas a rede
cbica de face centrada. A introduo de tomos adicionais no elimina
qualquer reflexo presente no caso da clula de 4 tomos, mas isto
decrescer algumas reflexes na intensidade. Por exemplo, a reflexo 111
que envolve a diferena, e no a soma, da potncia espalhada dos dois
tomos.
Outro exemplo do clculo do fator de estrutura dado abaixo. A
clula hexagonal "close-packed" tem 2 tomos de mesmo tipo localizados,
respectivamente, em 0 0 0 e 1/3 2/3 1/2.
29
( ) | |
( )
. 1
2 exp
2 3
2
2
2 3
2
3
2
0 2

+ =

+ =
+ + =
|
.
|

\
|
+
+
|
.
|

\
|
+ +

l k h
i
l k h
i
i
n n n
e f
e e f
lz ky hx i f F
t
t
t
t
Escrevendo a forma
( )
g
l k h
= +
+
2 3
2
| |
ig
e f F
t 2
1+ =
Desde que g pode ter valores fracionrios, tais como 1/3, 2/3, 5/3, etc,
esta expresso complexa. Multiplicando-a pelo complexo conjugado,
obtemos:
| || | | | | |
( ) ( ) | |

|
.
|

\
|
+
+
=
= + =
+ = + + = + + =

2 3
2
cos 4
cos 4 1 cos 2 2 2
2 cos 2 2 2 1 1
2 2
2 2 2 2
2 2 2 2 2 2 2 2
l k h
f
g f g f
g f e e f e e f F
ig ig ig ig
t
t t
t
t t t t
onde 0
2
= F , se (h+2k) um mltiplo de 3 e l mpar.
As reflexes que no so encontradas so 111, 113, 221, 223, que na
estrutura hexagonal reconhecida como sendo "close-packed". Nem todas
as reflexes presentes tm o mesmo fator de estrutura. Por exemplo, se
(h+2k) um mltiplo de 3 e l par, ento
n
l k h
= +
+
2 3
2
, onde n um
inteiro,
1 cos
, 1 cos
2
=
=
t
t
n
n
Logo, temos que
2 2
4 f F =
Quando todos os ndices hkl so considerados, o resultado pode ser
listado conforme a tabela abaixo:
30
h+2k l F
2
3n mpar 0
3n par 4f
2
3n1 mpar 3f
2
3n1 par f
2
Fator de estrutura para o cristal de GaAs
Ga 000 0 0 0
As
( ) | |
( ) ( ) ( )
| |
( ) ( ) ( ) ( )
| |
( ) ( ) ( )
| |
( ) ( ) ( ) ( )
| |
( )
( )
( ) ( ) ( )
| |
l k i l h i k h i l k h i
As Ga
l k i l h i k h i l k h i
As
l k i l h i k h i
Ga
l k h i l k h i l k h i l k h i
As
l k i l h i k h i
Ga
l k h
i
l k h
i
l k h
i
l k h
i
As
l k
i
l h
i
k h
i
i
Ga
n n n
e e e e f f
e e e e f
e e e f
e e e e f
e e e f
e e e e f
e e e e f
lz ky hx i f F
+ + + + +
+ + + + +
+ + +
+ + + + + + + +
+ + +
|
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|
+ + |
.
|

\
|
+ +
|
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+ |
.
|

\
|
+
+ + + + =
+ + +
+ + + + =
+ + + +
+ + + =

+ + + +

+ + + =
+ + =

t t t t
t t t t
t t t
t t t t
t t t
t t t t
t t t
t
t
1
1
1
1
2 exp
2 /
2 /
2 / 3 3 2 / 3 3 2 / 3 3 2 /
4
3
4
3
4
2
4
3
4 4
3
2
4 4
3
4
3
2
4 4 4
2
2 2
2
2 2
2
2 2
2
0 2
Para casos onde h,k,l sejam ndices pares, o fator de estrutura torna-se:
( )
As Ga
f f F = 4
Para os casos onde h,k,l so ndices mpares:
( )
As Ga
if f F = 4
e para os casos onde h,k,0, onde h,k sejam pares
31
Aula 4
1. Lar gur a do pico de dif r ao
Quando as trs equaes de Laue so satisfeitas, podemos afirmar
que a seguinte relao vlida:
hkl o
S S o


= .
De acordo com a equao:
,
) (
) (
) (
) (
) (
) (
2
3
2
2
2
2
2
1
2
2
c S S sin
c M S S sin
b S S sin
b M S S sin
a S S sin
a M S S sin
F I I
o
o
o
o
o
o
e P

t
a intensidade cai rapidamente para zero quando a equao acima violada.
Para estimar o intervalo onde a intensidade ainda possui uma magnitude
aprecivel, vamos desviar ligeiramente a direo do feixe difratado de 2u,
por um pequeno angulo c como ilustra a figura acima. As novas direes do
feixe difratado podem ser representadas pelo vetor unitrio
'
S

, enquanto o
vetor diferena deslocado de S

A , tal que
S S S S S S
hkl o o

A + = A + = o ) ( ) (
'
.
Substituindo
) (
'
o
S S

na equao para a intensidade Ip, obtemos que

,
) (
) (
) (
) (
) (
) (
2
3
2
2
2
2
2
1
2
2
c S S sin
c M S S sin
b S S sin
b M S S sin
a S S sin
a M S S sin
F I I
o
o
o
o
o
o
e P

t
os termos do seno nos trs quocientes toma a seguinte forma:
Geometria de
espalhamento para
dois vetores de ondas
espalhados S e S
deslocados de AS
32
( ) ( )
|
.
|

\
|
A + = A + = a M S h M sin a M S sin a M S S sin
o

1 1
2
1
2
1
' 2

t
t o

t
,
onde o termo direita da equao pode ser expandido de acordo com a
seguinte relao trigonomtrica:
A B B A B A cos sin cos sin ) sin( + = +
o que resultar em
|
.
|

\
|
A = |
.
|

\
|
A + a M S sin a M S h M sin

1
2
1 1
2

t
t ,
visto que 0
1
= h M sint , desde de que M e h so nmeros inteiros, e
1 cos
1
= h M t pela mesma razo.
Com isto possvel reescrever a intensidade I
P
como
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
=
c S sin
c M S sin
b S sin
b M S sin
a S sin
a M S sin
F I I
e p

t
2
3
2
2
2
2
2
1
2
2
;
Podemos, ainda, usar a aproximao:
t 4 / 2
2
2
2 2
2
1
2
1
x M
e M
x sin
Mx sin

~ ,
onde
a S x

A =

t 2
deduzindo o valor mximo da seguinte expresso (para c muito pequeno):
| |
u c u u
c c
u u
c u
cos 2 cos
2
2
2
cos 2 2
2
2
2
0 cos .
'
a a sin sin sin a sin sin
a S S S S a S a S
o o
o
=

+ =

|
.
|

\
| +
=
= A = A

33
onde:
u
c u
sin S S
sin S S
o
o
2
2
2
2
'
=
|
.
|

\
| +
=


podem ser extradas diretamente da esfera de Ewald.
Assim, a expresso geral da intensidade torna-se
( )
u c

t
u c

t
t
2 2 2
2
cos
2 2
2 2
3
2 2
2
2 2
1
2 2
2
2
2 2
cos
4
4
1
exp
D
e
e p
e M F I
c M b M a M M F I I

+ +
|
|
.
|

\
|
~
onde
3 2 1
M M M M = o nmero total de clulas, e ( )
2 / 1
2 2
3
2 2
2
2 2
1
c M b M a M D + + =
o valor mdio da dimenso da diagonal no cristal.
Conforme j notamos, a intensidade Ip tem o seu valor mximo em
c=0; ou seja,
2 2
0
) ( ) ( M F I I I
e p mximo p
= =
= c
.
A medida da largura de um pico de difrao no ponto onde a
intensidade cai para a metade de seu valor mximo chamada de half-
maximum width, ou simplesmente de half width c
1/2
. Calculando a relao
da intensidade nos pontos onde c=c
1/2
e c=0, podemos obter uma relao
entre a largura meia altura e o tamanho de partcula D,

~ =
=
=
u c

t
c
c c
2 2 2
2 / 1
2
0
cos exp
2
1
) (
) (
2 / 1
D
I
I
p
p
.
Logo, a largura a meia altura dada por
Largura de
um pico de
difrao.
34
u

t
c
cos 2
1
cos
2 ln
2 / 1
2 / 1
D D
~
|
.
|

\
|
~ .
Mesmo que isto seja somente uma estimativa da real largura meia
altura do pico de difrao, claramente pode ser mostrado que os picos so
muitos finos para valores razoavelmente grandes do dimetro D.
2. Ef eit o da Temper at ur a
Os efeitos induzidos termicamente pelas vibraes dos tomos
produzem mudanas na difrao de raios-X, e isto foi inicialmente analisado
por Debye em 1913. Neste estudo, ele assume que cada tomo oscila numa
posio mdia no cristal, como um oscilador harmnico, e que cada um pode
vibrar independentemente de todos os outros. Uma forma mais simples
desta teoria, que extrada da teoria original de Debye, apresentada
nesta seo.
Consideremos uma estrutura cbica que consiste de um tomo por
ponto da rede de uma rede cbica primitiva. O vetor para qualquer tomo
neste cristal ento, simplesmente, o vetor para o ponto da rede m
1
, m
2
, m
3,
3 3 2 2 1 1
a m a m a m R
m

+ + = ,
onde as trs bordas da clula tem todas o mesmo comprimento a. Vamos
supor que o deslocamento instantneo de um tomo deste ponto da rede,
devido a agitao trmica, denotado por Am. Ento, a sua nova posio no
cristal dada por:
m R m a m a m a m R
m m

A + = A + + + =
3 3 2 2 1 1
'
.
As intensidades dos raios-X espalhadas por tais estruturas,
expressada em unidades de eltrons, so dadas por:
( ) ( )

=
n
n
o
n
m
m
o
m
R
S S
i f R
S S
i f I
' '
2 exp 2 exp

t ,
onde m e n so ndices que representam os vrios ndices triplos dos pontos
da rede cristalina. Desde que esta estrutura simples contm somente um
tipo de tomo, f
m
=f
n
, podemos, ento, simplificar:
35
( )
. ) ( 2 exp
' ' 2

=
n
n m
o
m
R R
S S
i f I

t
Substituindo
'
m
R

e
'
n
R

, logo aps a agitao trmica, obtemos que

( ) ( )

A A

=

) ( 2 exp . ) ( 2 exp
2
n m
S S
i R R
S S
i f I
o
n
n m
o
m

t .
Notemos que nenhuma suposio tem sido feito at ento com relao
a natureza ou causa do deslocamento atmico.
conveniente relacionar o deslocamento instantneo das vibraes
atmicas com o vetor difrao ) (
o
S S

, notando que o ngulo m formado
com o vetor deslocamento Am. De acordo com o produto escalar da equao
acima:
( )
m
u sin m o S S m o S S u m 2 cos = A = A

,
onde m cos m u
m
A = a projeo do deslocamento do m-simo tomo na
direo do vetor difrao. Usando a seguinte expresso

u tsin
k
4
= ,
a intensidade pode ser escrita como:
( )
) ( 2
. ) ( 2 exp
n m
u u ik
n
n m
o
m
e R R
S S
i f I

t ,
onde u
m
e u
n
so os deslocamentos instantneos projetados dos tomos m e
n respectivamente. Note que estes deslocamentos so medidos ao
Projeo do vetor
deslocamento ao longo do
vetor da rede recproca
) (
o
S S

.
36
longo da direo normal aos planos refletores, porque os deslocamentos
paralelos no afetam a coerncia da fase para o espalhamento de raios-X
por sucessivos planos paralelos.
A primeira parte da equao independe do tempo, enquanto o ltimo
termo muda porque o deslocamento individual muda com o tempo. As
intensidades medidas so feitas sobre um longo intervalo de tempo
comparado com as oscilaes induzidas pela temperatura, tal que isto
somente tem significado se falarmos do tempo mdio destes termos.
Tomando ) (
n m
u u k = n , poderemos escrever o ltimo termo da
equao acima como:
...
2
1 ...
6 2
1 .
2 3 2
) (
+ = + + = =

n n n
n
n
i i e e
i u u ik
n m
,
desde que a mdia sobre as potncias mpares tende a zero. Note que
sobraro somente termos de potncias pares na equao, que constitui a
expanso de
2
2
1
n
e . Logo,
| | ) ( exp ) 2 (
2
1
exp ) (
2
1
exp .
2 2 2 2 2 2 2 ) (
n m n m n m n m
u u ik
u u u k u u u u k u u k e
n m
=

+ =

=

desde que os tomos nos pontos da rede denotados por m e n so
equivalentes, e tem o mesmo deslocamento quadrado mdio
2
u (
2 2
n m
u u = ).
Logo, a expresso geral para a intensidade difratada torna-se
( )
) ( 2
2 2
. ) ( 2 exp
n m
u u u k
n
n m
o
m
e R R
S S
i f I

t .
Introduzindo a seguinte notao
M u k
e e
2
2 2

=
( ) 1 1
2 2
+ =
n m n m
u u k u u k
e e ,
a expresso da intensidade dada por
37
( )
( )
( ) 1 ) ( 2 exp
. ) ( 2 exp
2
2
2 2

=



n m
u u k
n
n m
o
m
M
n
n m
o
m
e R R
S S
i f
e R R
S S
i f I

t
O primeiro termo dessa expresso representa a reflexo cristalina
fixa, reduzindo a intensidade pelo fator
M
e
2
, conhecido como fator de
Debye.
A partir da equao
2
2
2
2
2 2
) 16 ( 2

u
t
sin
B
sin
u M = = ,
pode-se demonstrar que a queda da intensidade torna-se mais pronunciada
para altas temperaturas, onde
2
u grande, e para reflexes a altos valores
do sinu/.
O segundo termo representa a contribuio difusa, e chamado de
espalhamento difuso trmico (TDS).
O efeito do aumento de B sobre f descrito, ento, por

=
2
2
exp

u sin
B f f
o
.
A figura mostra o efeito do movimento trmico sobre o fator de
espalhamento para vrios valores de B. Se ao redor do tomo encontrarmos
uma simetria cbica, o fator de temperatura B o mesmo para todas
direes de vibrao de um tomo, e, portanto, chamado de fator de
temperatura isotrpica. Para um movimento propriamente anisotrpico de
um tomo, seis termos do tensor de segundo-rank so necessrios para
transformar o movimento dentro do sistema de coordenadas
cristalogrficas.
Note que o termo
2
2

u sin
pode ser escrito simplesmente como
4
2
2
2
H sin
=

u
,
onde H
2
pode ser definido em termos de seus componentes vetoriais. B
pode ser escrito por seis termos anisotrpicos B
ij
.
38
*
23 23
*
13 13
*
12 12
* *
23
* *
13
* *
12
2
* 2
33
2
* 2
22
2
* 2
11
2
cos
cos
cos
)] 2 2 2
(
4
1
exp[
4
exp
o
|

B B
B B
B B
c klb B c hla B b hka B
c l B b k B a h B f
H
B f f
o
o
=
=
=
+ +
+ + + =

=
A outra forma de expressar a equao acima pela troca dos B
ij
s
pelas componentes da amplitude mdia quadrada da vibrao:
)] 2 2 2
( 2 exp[
* *
23
* *
13
* *
12
2
* 2
33
2
* 2
22
2
* 2
11
2
c klb U c hla U b hka U
c l U b k U a h U f f
o
+ +
+ + + = t
39
3. Pot ncia Ref let ida I nt egr ada
A largura finita do feixe difratado tratada como um srio problema
na tentativa de medir a magnitude do fator de estrutura diretamente da
intensidade mxima. A largura do pico de difrao da ordem de segundos
de arco em cristais ideais; uma fenda bem estreita seria necessria para
transmitir somente a intensidade (I
p
)
mxima,
que dada na equao ( ), desde
que as trs equaes de Laue sejam satisfeitas. O problema experimental
demais complicado na prtica, visto que o feixe incidente est desviado de
o
S

. Alm disso, o cristal real normalmente contm imperfeies e,

consequentemente, tomos em diferentes partes do cristal tornam-se
ligeiramente deslocados da rede idealmente perfeita. Estas imperfeies
podem ocasionar efeitos de envergamento, desvio angular nos planos
refletores, tal que os planos individuais no se encontrem perfeitamente
paralelos em todo o cristal. Para desviar-se destas dificuldades, mede-se a
energia total difratada pelo cristal durante algum intervalo de tempo. Ser
mostrado mais adiante que esta quantidade pode ser teoricamente obtida a
partir da integrao da intensidade difratada em um intervalo do desvio
angular, em torno do ngulo de Bragg, incluindo toda a regio prxima da
rede recproca, onde a intensidade tem valores diferentes de zero. Por esta
razo, esta chamada de intensidade integrada.
Um simples arranjo experimental consiste em medir a intensidade
integrada utilizando um feixe paralelo monocromtico. O cristal
ligeiramente girado, com uma velocidade angular e. sobre uma linha que
paralela aos planos refletores e perpendiculares aos planos contendo os
feixes incidente e difratado. Durante esta rotao, a intensidade do feixe
difratado atinge continuamente o detetor, que se encontra aberto o
suficiente para interceptar todo o feixe difratado.
Os planos refletores do cristal so conjuntos paralelos de eixos em
coordenadas cartesianas X e Y. O vetor S

representa a direo do feixe

difratado. Ambos, S

e
o
S

, tocam o plano XZ. A superfcie do detetor

normal ao vetor S

, e distante R da origem do cristal O. A direo paralela

a Y sobre a superfcie do detetor Y, enquanto a terceira direo de
coordenada, perpendicular a S

e Y, Z. Ao invs de girar o cristal com uma

velocidade angular em torno do eixo Y, fazemos com que a direo do feixe
incidente
o
S

se mova no plano XZ por um ngulo o para uma nova direo do

vetor
'
o
S

.
Finalmente, levamos em conta o no paralelismo do feixe incidente
(
'
o
S

no tocando no plano XZ) e o possvel no paralelismo nos planos

refletores; o feixe difratado est deslocado do plano XZ para uma
40
direo marcada pelo vetor unitrio
'
S

. Este deslocamento pode ser

traado sobre o detetor, em termos dos ngulos | e ao longo das direes
mutuamente ortogonais indicadas direita da figura.
Definindo que a intensidade a medida da energia que atravessa uma
rea por unidade de tempo, possvel calcular a energia total que passa pelo
detetor em YZ, desde que seja integrada a intensidade na superfcie, com
o tempo e sobre toda a rea da superfcie do detetor. A intensidade
integrada de um conjunto de planos (hkl), dada por

= dtdA I I
P khl
.
O tempo tomado pelo vetor incidente
'
o
S

, que se move de o at
o+do; ou seja,
e
o d
dt = ,
onde e a velocidade angular da amostra em torno do eixo Y.
O elemento de rea dA sobre a superfcie do detetor pode ser
41
expressado em termos do deslocamento
'
S

durante este tempo:

o |d d R dZ dY dA
2
' ' = = .
Logo, a partir de dt e dA dados acima, temos que
| o
e
d d d
R
I I
p hkl

=
2
.
Durante o intervalo de tempo dt, o vetor
'
o
S S

deslocado por uma
quantidade S

A como mostra a figura, tal que

( )
S
S S S S S
hkl
o o

A + =
A + =
+
o
' '
Logo, a partir da expresso da intensidade, chegamos seguinte expresso:
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
|
.
|

\
|
A
=
c S sin
c M S sin
b S sin
b M S sin
a S sin
a M S sin
F I I
e p

t
2
3
2
2
2
2
2
1
2
2
.
O deslocamento S

A um vetor no espao recproco, tal que podemos

express-lo em termos dos trs eixos da rede recproca:
( )
3 3 2 2 1 1
b p b p b p S

+ + = A ,
onde os trs coeficientes p
1
, p
2
e p
3
so no especificados, exceto que eles
so vetores pequenos, desde que os desvios dos vetores S

e
o
S

sejam
muitos pequenos.
Substituindo S

A nas expresses que contm termos em seno,

obtemos que
( ) ( )
1 1
2
1 3 3 2 2 1 1
2
1
2
M p sin a M b p b p b p sin a M S sin t

t
= |
.
|

\
|
+ + = |
.
|

\
|
A

devido a ortogonalidade entre os eixos cristalinos com os eixos da rede

reciproca.
42
Podemos notar que o deslocamento de
o
S

durante o tempo dt
o
S

A ,
enquanto que o deslocamento de S

pode ser melhor descrito pelos

pequenos vetores
|
S

A e

A , ao longo das duas direes mutuamente

ortogonais, e tocando a superfcie do detetor tal que
|
S S S S

A + A =
'
.
As magnitudes desses trs vetores so claramente dados por:

| |
o o

|
o
d d S S
d d S S
d d S S
o
= = A
= = A
= = A
'



desde que 1 = S

.
O vetor deslocamento dado por:
( ) ( ) ( ) ( )
o |
S S S
S S S S S S S S S
o o o o


A A + A
= = = A
' ' '
Esses trs vetores tambm definem um
pequeno elemento de volume:
u u t
o | o o | o | o
2 ) 2 ( sin S S S sin S S S S S S V

A A A = A A A = A A A = A
conforme pode ser visto transportando o eixo X e Y num eixo comum no
centro de coordenada X e Y.
Pela substituio dessas trs magnitudes, o elemento de volume
dado por:
43
( ) | o u d d d sin V 2 = A .
Esta relao mostra que uma pequena mudana angular, do, d| e d.
tem o efeito de causar uma reverso do ponto terminal do vetor
deslocamento S

A para o elemento de volume AV no espao recproco.

Fazendo uso do vetor deslocamento representado no espao
recproco, possvel expressar o movimento S

A em termos das pequenas

mudanas nos trs coeficientes dp
1
, dp
2
e dp
3:
( ) ( )
3 2 1
* 3
3 2 1 3 2 1
3
3 3 2 2 1 1
dp dp dp V
b b b dp dp dp b dp b dp b dp V

=
= = A

igualando o elemento de volume na clula unitria,
( )
3 2 1
3
2 dp dp dp
V
d d d sin

| o u =
chegamos a
( )
3 2 1
3
2
dp dp dp
Vsin
d d d
u

| o =
Por substituio desta na expresso da intensidade integrada,
obtemos que
( )
( )
( )
( )
( )
( )
3 2 1
3
2
3 3
2
2
2
2 2
2
1
2
1 1
2
2
3 2
2
sin
sin
sin
sin
sin
sin
) 2 sin(
dp dp dp
p
M p
p
M p
p
M p
F
V
R I
d d d
R
I I
e
p hkl

= =
t
t
t
t
t
t
u e

| o
e
Como o valor mximo ocorre para p=0, ou ento sin(tp) ~ tp.
( )
1 1
2
1
1 1
2
M dp
p
p M sin
=

+

t
t
logo,
3 2 1
2
3 2
) 2 (
M M M F
Vsin
R I
I
e
hkl
u e

=
multiplicando por V/V e tomando MV=oV, oV ir corresponder ao volume
irradiado no cristal:
44
( )
V
sin V
F
c m
e I
I
o
hkl
o
u
u
e
|
|
.
|

\
| +
=
2 2
2 cos 1
2
2
3
2
4 2
4
.
Definindo a potncia refletida por elemento de volume irradiado
como:
( )
|
|
.
|

\
| +

u
u
2 2
2 cos 1
2
2
3
2
4 2
4
sin V
F
c m
e
Q .
A quantidade mais usada pode ser chamada de potncia refletida
integrada, que dada por:
V Q
I
I
R
o
hkl
hkl
o
e
= = .
A potncia refletida integrada s depende do volume do cristal
irradiado e da sua potncia refletida, assumindo que o cristal possua a
forma de um paraleleppedo. Uma omisso verificada na expresso deduzida
logo acima a absoro sofrida pelo feixe de raios-X quando este atravessa
o cristal. A absoro no mencionada, ou seja, essa expresso vlida
quando a absoro desprezvel, na prtica uma condio que raramente
satisfeita em monocristais. Um modo de minimizar a absoro diminuindo o
tamanho do cristal.
4. Dif r ao por um agr egado policr ist alino
Suponha que temos um total de N cristalitos distribuidos
aleatoriamente em um agregado, cada um com volume V o , e que a amostra
ainda suficientemente pequena tal que a absoro possa ser desprezada.
Calculemos a potncia refletida integrada para tal agregado policristalino.
Vamos considerar um conjunto de planos (hkl) orientados aleatoriamente
como mostrado na esfera da rede recproca (Esfera de Ewald). Todos os
planos, com vetor
hkl
o

da rede recproca, formam um ngulo de u

t

2
com a
direo do feixe incidente, satisfazendo a condio de reflexo. Os pontos
terminais deste vetor tocam ao longo de um crculo, formando uma
interseo da esfera hkl com a esfera de reflexo, ao longo da curva
45
pontilhada. Para uma pequena divergncia do feixe, o vetor da rede
recproca pode satisfazer a condio de difrao mesmo quando eles
desviam de um pequeno ngulo o da orientao original. A frao de
cristalitos orientados para refletir o feixe monocromtico incidente,
N
dN
,
pode ser determinada considerando a frao do vetor recproco entre
( ) o u t 2 / e ( ) o u t d + 2 / . Isto corresponde razo da rea do anel
anular pela rea total da superfcie da esfera da rede recproca hkl:
( )
o u
to
o o o u to
d
d
N
dN
cos
2
1
4
cos 2
2
=

=
onde ( ) ( ) o u o u t = cos 2 / sin , considerando o ngulo o muito pequeno.
Geralmente, cada cristalito pode ter mais que um plano sobre essa
esfera, o que sempre verdade para planos( ) hkl e ( ) l k h . Devemos, portanto,
multiplicar pelo nmero de tais planos equivalentes, j, chamado de
multiplicidade. Ento, o nmero correto de planos, a partir do que o vetor da
rede recproca toca a regio o u
t
d |
.
|

\
|

2
,
o ud
jN
dN cos
2
= .
46
Para obter a potncia total do feixe difratado em todo o cristal,
necessrio calcular a integral tripla

| o d d d I
p
sobre todas as possveis orientaes, aps multiplicar isto pelo nmero (N)
de cristais na posio para difratar o feixe incidente:
( )

= = V Q I jN d d d I jN P
o p
o u | o u cos
2
1
cos
2
1
fazendo NoV=V
s
, volume total da amostra, temos que:
s
o
V jQ
I
P
u cos
2
1
= .
A potncia P a energia difratada, por segundo, pelo agregado
policristalino dentro do cone de difrao. Normalmente, medimos somente
uma poro P da potncia total. Suponhamos que a superfcie do detetor
tenha uma fenda de comprimento l paralela circunferncia do cone, e
usada para medir a energia difratada por segundo ao longo do cone. Se a
distncia da amostra at o detetor R, ento, a energia detectada por
segundo dada por
u t
u u
t
u
u
t
u
Rsin
jlQV
sin
l
R
V jQ
sin
l
R
V jQ
I
P
s s s
o
8
cos 2
2
cos
2
1
2
2
cos
2
1
'
= = =
O significado completo desta expresso pode ser entendido melhor
substituindo Q, e combinando em termos:
( )
|
|
.
|

\
| +
=
u u
u
t

sin sin V
jF V
c Rm
l e
I
P
s
o
2
2 cos 1
16
2
2
2
4 2
3 4 '
.
O primeiro termo constante para um experimento particular, o
segundo caracterstico da amostra, e o terceiro funo somente do
ngulo de reflexo. O numerador do ltimo termo expressa o fator de
polarizao de Thomson, enquanto que o denominador
u u sin sin ) 2 (
1
chamado
de fator de Lorentz para o mtodo de p. Desde que os fatores de
47
polarizao e Lorentz dependem de u, podemos combin-los e escrev-los
em funo de somente um fator L
P
, chamado de fator de Lorentz-
polarizao.
48
Aula 5
1. Absoro de raios-X
Quando um feixe de raios-X atinge um absorvedor, alguns processos
podem ocorrer. Por exemplo, consideremos que um feixe monocromtico de
radiao de comprimento de onda . e intensidade I
o,
seja incidido sobre um
absorvedor de espessura t e densidade p. Uma certa parcela da intensidade
da radiao pode passar pelo absorvedor. A Intensidade transmitida I()
dada por:

= t I I
o
p
p
u
exp ) ( ) ( ,
onde
p
u
o coeficiente de atenuao mssica do absorvedor para o
comprimento de onda e densidade p. O valor do coeficiente de atenuao
mssica uma funo da absoro fotoeltrica t e do espalhamento o:
) ( ) ( o t
p
u
f f + = ;
f(o) contm contribuio do espalhamento coerente e incoerente.
Em geral, t(absoro fotoeltrica) maior que o(espalhamento) de tal
forma que ) (t
p
u
f ~ . Por esta razo, o coeficiente de atenuao
geralmente conhecido como coeficiente de absoro.
O coeficiente de atenuao mssica no depende do estado fsico da
Processos de absoro para Raios-X
49
matria (i.e. slido, lquido ou gs), depende somente do comprimento de
onda da radiao incidente. Tal dependncia aproximadamente
proporcional ao cubo de .
A relao emprica
3 4

p
u
kZ =
conhecida como lei de Bragg-Pierce, sendo Z o numero atmico e k uma
constante emprica que diferente para cada borda de absoro.
A diferena entre I e I
o,
para um comprimento de onda fixo,
dependente da espessura e do coeficiente de absoro linear u, na qual
uma constante relacionada com o material absorvedor.
O coeficiente de absoro de um determinado material depende dos
tipos dos tomos presentes, da densidade do material, e como o efeito
ocorre em cada nvel de energia atmica, o coeficiente de absoro total
fotoeltrica t(total) determinado pela soma de cada absoro individual:
) ( ... ) ( ) ( ) ( ) ( n M L K total t t t t t + + + + = .
Quando a amostra composta por n elementos, o coeficiente de
atenuao mssica da amostra u
s
dado por:
i
n i
i
s
e
p
u
p
u

=
=
|
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
1
,
onde e
i
o peso da frao do elemento i.
Curva de Absoro para o Brio
50
Tabela. 1 Fator de multiplicidade j para o mtodo de p.
hkl Cubico Tetragonal Hexagonal Ortorrmbico Monoclnico Triclnico
h00 2 2 2
0k0
4 6
2 2 2
00l
6
2 2 2 2 2
hh0 4 6 4 2 2
h0h 4 4 2
0hh
12 8 12
4 4 2
hhh 8 8 12 8 4 2
hk0 8 12 4 2 2
h0l 12 4 4 2
0kl
24 16
12 4 4 2
hhl 8 12 8 4 2
hlh 8 4 2
lhh
24 16 24
8 4 2
hkl 48 16 24 8 4 2
Bibliografia
Ron Jenkins and Robert L. Snyder, Introduction Powder Diffractometry,
Volume 138 in Chemical Analysis, John Wiley & Sons, Inc. (1996)
Leonid V. Azroff, Elements of X-ray crystallography, McGraw-Hill Book
Company (1968)
Warren, B.E. "X-ray Diffraction", Dover Publications, INC., New York
(1990)
J.D. Jackson, "Classical Electrodynamics", Wiley, New York, (1962)
William H Zachariasen, "Theory of X-ray Diffraction in Crystals", Dover
Publications, INC., New York (1994)