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MOSFET (Metal-Oxide Semicondutor FET)

Introduo

A diferena em relao ao JFET que tem a sua porta isolada do canal. Por isso, a corrente de porta ainda menor do que no JFET. Existem dois tipos: o de empobrecimento e o de enriquecimento. Apenas estudaremos este ltimo por ser o que se usa em quase todas as aplicaes. O MOSFET um componente essencial, sem o qual no teramos os computadores de hoje, tal como os conhecemos.

Ideia Bsica

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O substrato p estende-se at ao dixido de silcio. Como podemos ver no existe um canal n entre a fonte e o dreno. A figura b) mostra as tenses de polarizao normais. Funcionamento: Quando a tenso de porta nula, a corrente entre a fonte e o dreno nula, isto est ao corte. A nica forma de obter corrente aplicando uma tenso de porta positiva. Nessas condies ela atrai electres livres da regio p e estes recombinamse com as lacunas existentes na zona do dixido de silcio. Quando a tenso de porta suficientemente forte, todas as lacunas nessa zona desaparecem e os electres livres comeam a circula da fonte para o dreno. A VGS mnima que cria este caminho para os electres, chama-se tenso de limiar (VGSth), cujos valores tpicos esto entre 1 e 3 V.

Caractersticas de Sada

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A parte quase vertical corresponde zona hmica e a parte quase horizontal corresponde zona activa, pelo que o MOSFET pode actuar como resistncia ou como fonte de corrente. A figura seguinte mostra a curva de caracterstica tpica. Se VGS aumenta muito atingimos a saturao. Para alm deste ponto entramos na zona hmica. Para assegurar uma saturao forte usa-se VGS >> VGSth.

Smbolo

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Tenso Porta-Fonte Mxima

SE subimos VGS muito corremos o risco de corromper a fina camada de dixido de silcio. Por exemplo, um 2N7000 tem uma VGSmax = cerca de 20 V. Os MOSFET so dispositivos delicados e tambm se podem destruir se os tirarmos do circuito sem desligar a alimentao e por simples toque devido electricidade esttica.

A Zona hmica

Ainda que o MOSFET se possa polarizar na zona activa, no habitual faz-lo porque , principalmente, um dispositivo de comutao. A tenso de entrada tpica toma um valor baixo ou um valor alto.

Resistncia Dreno-Fonte

equivalente a uma resistncia de: RDS(on) = VDS(on) / ID(on) que medida pelo fabricante num ponto Qtest e dada no catlogo

Tabela de catlogo

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Polarizao na Zona hmica

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A corrente de dreno ser: ID(sat) = VDD / RD Vemos tambm a recta de carga para contnua entre uma corrente de saturao ID(sat) e uma tenso de corte VDD. Quando VGS=0, o ponto Q est no extremo inferior da recta. Quando VGS = VGS(on) o ponto Q est no extremo superior superior da recta. O MOSFET est na zona hmica quando Q est abaixo do Qtest, ou seja, quando: ID(sat) < ID(on) quando VGS = VGS(on)