Eletrônica 2 – ELO120 / NE7420

Lista 01

Livro Texto: Microeletrônica, Sedra&Smith, 5ª edição, capítulo 4

Resposta em Frequência (Cap 4, pag. 198-206).

1) O amplificador da figura abaixo está polarizado em ID = 1 mA e gm = 1 mA/V. Desprezando r0,
encontre o ganho em frequências médias. Encontre o valor de CS que faz com que o polo de
baixa frequência seja em 10 Hz.

2) Um amplificador fonte comum que pode ser representado pelo circuito equivalente da figura
abaixo tem Cgs = 2 pF, Cgd = 0,1 pF, CL = 1 pF, gm = 5 mA/V e Rsig = R’L = 20 kΩ. Encontre o ganho
em frequências médias (ganho máximo), as capacitâncias de entrada Cin e saída Cout usando o
equivalente de Miller, e então uma estimativa da frequência de 3 dB para altas frequências.

3) Em um amplificador particular com MOSFET para o qual o ganho de tensão em frequências

médias entre a porta e o dreno é -27 V/V, o transistor nMOS tem Cgs = 0,3 pF e Cgd = 0,1 pF. Qual
a capacitância de entrada que você esperaria? Para qual faixa de resistências da fonte de sinal
você pode esperar que a frequência de 3 dB exceda 10 MHz? Despreze o efeito de RG.
4) Considere que seu R.A. é dado por 11.111.ABC-D

O circuito abaixo apresenta um amplificador fonte comum, cujo circuito de polarização cc é

alimentado por uma fonte VDD = 5 V.

a) Desenhe o modelo equivalente de pequenos sinais do amplificador considerando todas

as capacitâncias e determine o ganho para frequências médias (ganho máximo ou
Vout/Vin) (0,5);

b) Calcule os polos de baixa frequência e esboce o diagrama de Bode (1,0);

c) Se este for acrescentada a este circuito uma resistência RF entre porta e o dreno de
A+B+C kΩ, qual é o valor visto pela entrada do circuito? E qual o valor visto a partir da
saída? (0,5)

Considere: CS = 1,D μF, CC1 = 3,D nF, CC2 = 0,53 μF, ID = 300 μA, VGS = 1,5 V, Vtn = 1,2 V, λ = 0;
RG = 4,7 MΩ, RD = RL = A+B+C kΩ, RSig = 100 kΩ.

Respostas:
1) Cs = 18,57 μF.

2) Av = -100 V/V; Cin = 12,1 pF; fp = 658 kHz.

3) Cin = 3,1 pF; Rsig ≤ 5,1 kΩ.

4) Respostas não fornecidas