FSICA APLICADA

At pouco tempo atrs, os cristais de diamante eram vistos s como pedras preciosas para a fabricao de jias. Porm, a cincia e a tecnologia esto mudando esse panorama. Cristais de diamante de alta qualidade esto sendo fabricados em laboratrios de vrios pases, inclusive do Brasil. Este artigo, partindo dos aspectos histricos que envolvem a raridade do diamante natural e do fascnio que esse cristal exerce sobre as pessoas, ressalta propriedades do diamante ainda pouco exploradas pela indstria. E prev seu uso como um novo tipo de material para as indstrias de microeletrnica e de optoeletrnica.

O futuro b diama

Vitor Baranauskas Faculdade de Engenharia Eltrica e Computao, Universidade Estadual de Campinas

O diamante conhecido desde o ano 3.000 a.C. como um cristal misterioso, indestrutvel e de brilho atraente, que esteve sempre associado a propriedades mgicas, como sorte, lealdade, amor eterno, entre outras. Em 1772, o qumico francs Antoine Lavoisier (1743-1794) foi o primeiro a desvendar sua composio. Com uma lente solar, provocou a queima do cristal, verificando que o gs resultante dessa combusto deveria ser o gs carbnico, pois turvava a gua de cal. Concluiu, acertadamente, que o diamante era composto unicamente pelo elemento qumico carbono (figura 1). As propriedades fsico-qumicas do diamante so interessantes. o slido de maior dureza, timo condutor de calor, transparente, um timo isolante eltrico, tem coeficiente de atrito muito

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rilhante dos antes sintticos

baixo e tem alto ndice de refrao, o que faz com que a luz, ao passar por ele, seja significativamente desviada de sua trajetria original, fenmeno ptico que confere ao diamante seu brilho peculiar. Alm disso, na temperatura ambiente (cerca de 20oC), resiste ao ataque de qualquer produto qumico e, em ambientes sem oxignio em geral, pode ser aquecido at 3.547oC, permanecendo inabalvel, pois o material que possui a maior temperatura de fuso. O diamante deveria ter portanto uma ampla utilizao industrial, alm de seu uso na fabricao de jias. Entretanto, duas grandes barreiras se opuseram a esse uso. A primeira a sua extrema raridade na natureza: o diamante o mais caro mineral existente, sendo o preo de pedras grandes, sem impurezas, muito elevado. 4

Figura 1. Estrutura da rede cristalina do diamante. Os tomos de carbono, representados pelas esferas, tm ligaes (do tipo covalente forte) em quatro direes igualmente distribudas no espao, como se cada tomo desse elemento ocupasse o centro de uma pirmide. Essa distribuio simtrica e compacta das ligaes qumicas a responsvel pela extrema dureza do cristal
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FOTOS CEDIDAS POLO AUTOR

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A segunda barreira era a dificuldade de sua produo artificial. Os mtodos para sua fabricao iniciaram-se na dcada de 1950 e envolviam processos que exigiam alta temperatura e presso. No entanto, os cristais obtidos eram pequenos e de baixa qualidade, devido s contaminaes e s limitaes do processo. Essas pedras de baixa qualidade, denominadas diamantes industriais, tiveram porm uma aplicao importante na fabricao de ferramentas de usinagem, por causa da extrema dureza dos cristais. No entanto, o custo para a fabricao de diamante por esses mtodos era tambm extremamente alto, sendo equivalentes aos de diamantes de baixa qualidade obtidos na lavra.

TRUQUE COM HIDROGNIO

Um dos mais importantes desenvolvimentos na obteno de diamantes sintticos foi a recente demonstrao da viabilidade de sua fabricao atravs da deposio qumica a partir da fase vapor, tcnica conhecida por sua sigla, em ingls, CVD (chemical vapor deposition). Ela foi desenvolvida pioneiramente por pesquisadores da Ucrnia e depois confirmada por japoneses.

O processo CVD j era conhecido e muito empregado para a deposio de substncias sobre superfcies de metais refratrios como o silcio materiais refratrios so substncias com ponto de fuso elevado e, por isso, capazes de suportar altas temperaturas. A vantagem dessa tcnica era a de ser feita sempre em baixa presso (de 0,05 a 0,1 atmosfera) e em temperaturas mdias (de 500o a 1.000oC). Porm, as presses e temperaturas empregadas no processo CVD mostraram-se mais propcias para a deposio de grafite (substncia tambm formada s por tomos de carbono) em vez de diamante. O truque para o obteno deste ltimo atravs dessa tcnica foi introduzir gs hidrognio (H2) em excesso nesse processo, o que forou a reao qumica a produzir o diamante (ver Diamantes so fabricados em cmara de gs). A partir dessa descoberta, vrias outras tcnicas foram sendo desenvolvidas, resultando no aumento da taxa de crescimento do cristal, bem como de sua pureza.

NOVSSIMO MATERIAL
Processos e equipamentos desenvolvidos nos laboratrios da Faculdade de Engenharia Eltrica e Com-

DIAMANTES SO FABRICADOS EM CMARA DE GS

O carbono para a fabricao de filmes de diamantes sintticos pelo mtodo CVD provm do lcool etlico, extrado da cana-de-acar. O lcool etlico levado ao interior do reator misturado a um fluxo de gs hidrognio, como mostra a figura 2A. Ao passar prximo superfcie de um filamento metlico incandescente, o lcool se decompe em radicais livres (grupo de tomos com ligaes livres muito reativas). O hidrognio molecular tambm se decompe em radicais atmicos, nesse caso tomos isolados tambm com alto poder de reao. Esses dois tipos de radicais reagem com a ajuda de um catalisador, uma substncia que acelera a reao, mas no participa dela. Na superfcie slida, no caso o substrato, comeam a surgir os depsitos atmicos de carbono e de hidrognio. No substrato, os tomos de carbono tendem a se

Figura 2. Em A), esquema bsico de um reator CVD de filamento quente para o crescimento de filmes de diamante. Em B), detalhe do reator em operao

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putao da Universidade Estadual de Campinas (Unicamp) possibilitaram a produo de diamantes de alta dureza com bastante controle. Passamos, assim, a pesquisar duas reas que prometiam ser nobres para a aplicao de diamantes artificiais: a microeletrnica e a optoeletrnica esta ltima a tecnologia para a produo de dispositivos no qual a informao tanto transmitida e processada por eltrons quanto por ftons (partculas de luz). As redes de comunicao por fibra ptica e os chamados lasers de estado slido so dois exemplos clssicos dessa rea. Hoje, quase impossvel separar a microeletrnica da optoeletrnica, pois as duas reas se encontram praticamente entrelaadas. surpreendente que, nesta era de novos materiais, voltemos nossa ateno para um dos mais antigos minerais conhecidos. Com os caminhos abertos pelo sucesso de sua sntese, passamos agora a classificar o diamante como um novssimo material (figura 3). O diamante pode ser classificado como um semicondutor, isto , material cuja resistncia passagem de corrente eltrica est situada entre a dos isolantes e a dos condutores. Essa propriedade faz do diamante um excelente candidato vaga hoje

amplamente ocupada pelo silcio, um semicondutor com imensa aplicao na fabricao de componentes eletrnicos, como os chamados circuitos integrados (ou, em ingls, chips). O circuito integrado a base de toda a indstria de informtica atual. Pode-se dizer esse componente o corao do chamado hardware, a parte fsica 4

A Figura 3. Morfologias tpicas de filmes de diamante obtidos pelo processo CVD. Em A, filme de diamante policristalino, cujos cristais tm facetas bem agudas; em B, seo transversal dos policristais; em C, com o processo CVD tambm possvel a obteno de filmes formados por monocristais; em D, seo transversal dos monocristais. A espessura total dos cristais de diamante depende s do tempo de crescimento. Em condies otimizadas, as taxas de crescimento chegam a 10 milsimos de milmetro (ou 10 mcrons) por hora
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depositar tanto na forma de grafite quanto de diamante. Ajustando os parmetros das reaes envolvidas introduzindo-se, por exemplo, hidrognio em excesso , consegue-se depositar majoritariamente s carbono na forma de diamante, enquanto, ao mesmo tempo, o carbono eventualmente depositado como grafite arrancado da superfcie e levado com os gases de exausto. O radical hidroxila (OH) e o oxignio, ambos provenientes da decomposio do lcool, tambm ajudam na remoo do grafite. Para isso, podem-se adicionar tambm outros radicais muito reativos, como o flor e o cloro. O processo de crescimento do diamante contnuo enquanto o reator estiver em operao (figura 2B). Tambm no h limite de rea para o crescimento dos cristais, a no ser aqueles impostos pelas restries de projeto do prprio reator. A dopagem do diamante feita introduzindo-se nitrognio ou boro misturados ao lcool durante o crescimento dos cristais. O substrato usado pode ser feito de silcio, slica, safira, nibio, molibdnio, tungstnio ou mesmo de diamante. O diamante produzido em condies otimizadas policristalino, isto , seus cristais tm facetas bem agudas e boa transparncia ptica, como pode ser visto na figura 3A.

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dos computadores e outros equipamentos. Sem os chips no seria possvel a fabricao de calculadoras, microcomputadores, equipamentos de telecomunicaes nem a de produtos multimdia, como televisores, cmaras de vdeo, joguinhos eletrnicos etc.

custos de produo do diamante sejam tambm moderados.

TIMO NA TRANSMISSO DE CALOR

Atualmente, os chips comerciais j embutem, por centmetro quadrado, pouco mais de 100 milhes de componentes eletrnicos. E a tendncia o aumento dessa capacidade. Quando se juntam tantos componentes em um mesmo chip apesar de a potncia dissipada por cada um desses componentes diminuir medida que seu tamanho decresce , h um aumento na potncia total consumida pelo chip e, assim, as condies de dissipao de calor tornam-se mais rigorosas. O diamante tem nesse caso duas vantagens sobre o silcio. A primeira a sua possibilidade de funcionamento eltrico em temperaturas mais elevadas; a segunda a sua excelente capacidade para dissipar calor (dissipao trmica). O diamante o melhor slido que existe para transmisso do calor, sendo que pode conduzir essa forma de energia com eficincia at cinco vezes maior que a do cobre. Prev-se que a prxima gerao de microprocessadores (Pentium IV e outros) s ser vivel se as pastilhas de silcio forem montadas sobre bases de diamante obtidos pela tcnica de CVD.

PUREZA E QUALIDADE SUPERIORES

Apesar de existirem centenas ou milhares de compostos semicondutores, os chips atuais, como dissemos, so feitos quase que exclusivamente de silcio. Isso deve-se ao fato de o silcio apresentar certas boas propriedades eletrnicas, bem como tima estabilidade mecnica e qumica. Alm disso, o silcio um semicondutor formado com tomos de apenas um tipo: os do prprio silcio. Em toda a tabela peridica dos elementos qumicos, h s mais dois elementos que apresentam propriedades semicondutoras: o germnio e o carbono (quando cristalizados na forma de diamante), tendo sido o primeiro muito usado nos primrdios da microeletrnica e substitudo pelo silcio devido sua inferioridade eletrnica e qumica, bem como sua escassez na natureza. Porm, com a recente demonstrao da viabilidade de obteno pelo processo CVD de diamantes sintticos com pureza e qualidade superiores as das gemas naturais, o uso do diamante em larga escala pela indstria passou a ser factvel. O processo CVD opera com razovel eficincia em baixas presses e em temperaturas reduzidas. Isso faz com que os

MAIS VELOZ QUE OS TRADICIONAIS

Nos semicondutores, as cargas eltricas so transportadas por cargas negativas (eltrons) ou positivas na verdade, estas ltimas so perturbaes nas

AS POSSVEIS APLICAES DO DIAMANTE SINTTICO SENSORES DE TEMPERATURA Sensores de temperatura base de diamantes seriam muito mais sensveis que os tradicionais, feitos de carbeto de silcio. Alm disso, poderiam trabalhar por sua resistncia corroso at 600oC, temperatura cerca de 50% superior quela em que atuam os sensores tradicionais. SENSORES PTICOS Os sensores pticos de diamantes tero capacidade de detectar da luz infravermelha luz ultravioleta os de silcio no tm sensibilidade nesta ltima faixa. Para a deteco de luz visvel, podero substituir, por exemplo, os de arsenieto de glio, principalmente nas comunicaes com fibras pticas. Para a captao de imagens noturnas (na faixa do infravermelho longnquo), os sensores de diamante prometem ser mais confiveis e ter maior durabilidade. SENSORES DE RADIAO Os sensores do tipo Schottky, base de silcio e usados na deteco de radiao nuclear, tm inconvenientes: devem ser refrigerados a cerca de -200oC e seu tempo de vida relativamente curto, devido aos danos provocados pela radiao. Os de diamante prometem operar temperatura ambiente, ser resistentes ao ataque radiativo e detectar partculas alfa (formadas por dois prtons e dois nutrons). MOSTRADORES E TELAS Os diamantes tambm podem ser a matria-prima para a construo de leds, aquelas lampadazinhas emissoras de luz muito usadas em painis de automveis, calculadoras e equipamentos eletrnicos. Esses componentes base de diamante emitem luz branca de alta luminosidade, o que permitiria a fabricao at mesmo de lmpadas para iluminao de ambientes. Telas coloridas de computador construdas base de diamante prometem ter definio muito superior das convencionais. TRANSISTORES E DIODOS O diamante est sendo pesquisado principalmente para a fabricao de chips, mas no ser surpresa se, em breve, ele substituir componentes eletrnicos, como transistores e diodos, largamente usados para controlar tanto mquinas e operaes de transporte (metr, trens, nibus eltricos) quanto a gerao e a transmisso de energia eltrica, pois os componentes de diamante so mais estveis e tm maior capacidade de dissipar calor que o silcio.

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ligaes qumicas entre os tomos que formam o semicondutor; no jargo tcnico, essas perturbaes so denominadas lacunas e, para fins prticos, podemos dizer que elas se comportam como cargas positivas. A velocidade de propagao dessas cargas proporcional ao campo eltrico aplicado sobre o semicondutor. D-se o nome de mobilidade razo entre a intensidade desse campo e a velocidade das cargas. Por exemplo, se o campo eltrico tiver valor constante, maior ser a mobilidade quanto maior for a velocidade das cargas. Para a indstria eletrnica, fundamental buscar materiais com alta mobilidade, j que, quanto maior ela for, mais veloz ser o funcionamento dos dispositivos eletrnicos construdos com base nesse material. A mobilidade depende principalmente do tipo de semicondutor. Como os eltrons e as lacunas so fenmenos de transporte de cargas distintos, em geral suas mobilidades so tambm diferentes. Por exemplo, a mobilidade dos eltrons no arsenieto de glio (GaAs), material tambm muito usado na indstria, bem maior que a mobilidade dos eltrons no silcio. Entretanto, a mobilidade das lacunas no silcio maior que a das lacunas no GaAs. E aqui novamente o diamante leva vantagem sobre os semicondutores tradicionais: ele tem mobilidades, tanto para eltrons quanto para lacunas, bem maiores que as do silcio ou as do GaAs. Portanto, dispositivos de diamante podero ser muito mais rpidos.

DOPADO E ATRATIVO
Para que um material possa se transformar em semicondutor, preciso mistur-lo a outros elementos qumicos. Esse processo de mistura denominado dopagem e uma etapa fundamental na fabricao dos chips. Mas no qualquer tipo de tomo que serve para essa dopagem. Trs fatores so fundamentais: a) no destruir a rede cristalina, isto , a rede de tomos que forma o material que est sendo dopado; b) ser possvel prever as propriedades eltricas que o dopante vai impor ao material dopado; c) ser possvel repetir com sucesso esse processo de dopagem. O boro e o fsforo, dois outros elementos qumicos, so os dopantes mais comuns para o silcio, transformando-o em semicondutor. A mgica por trs da indstria de microeletrnica, que fabrica bilhes de chips por ano, reside exatamente na previsibilidade das propriedades fsico-qumicas do semicondutor que se vai fabricar, bem como na possibilidade de repetio desse processo de dopagem. Por coincidncia, boro e fsforo tambm so tomos dopantes para o diamante. A dopagem repetitiva controlada do diamante com boro j foi conseguida com sucesso. Porm, a com fsforo ainda apresenta dificuldades, porque o tomo desse elemento grande para ser colocado dentro da rede de tomos de carbono que formam o diamante. No entanto, uma alternativa atraente seria a dopagem do diamante com nitrognio. Mas a intro- 4

ALTO-FALANTES O diamante o material no qual o som se propaga com maior velocidade (18.200 metros por segundo). Essa caracterstica o torna muito interessante para a fabricao de alto-falantes com maior fidelidade. Os melhores alto-falantes no mercado reproduzem sons s at 35 mil hertz (35khz). Os de diamante poderiam ir facilmente alm desse limite. DETECTORES DE ULTRA-SOM O ultra-som amplamente utilizado em diagnsticos mdicos (ultra-sonografia), bem como em terapia e controle de qualidade de peas na indstria. O uso de diamantes em componentes dos aparelhos de ultra-sonografia, por exemplo, aumentaria a definio e luminosidade das imagens. LASER Apesar de a teoria indicar que dispositivos de luz laser base de diamantes puros so infactveis, j se obteve sucesso na gerao desse tipo de luz quando os cristais so misturados (dopados) com impurezas. Os desenvolvimentos nessa rea prometem ser revolucionrios, principalmente para a comunicao ptica, j que os lasers atuais usados nessa rea tm baixa potncia de emisso de luz.

DISSIPADORES DE CALOR Os dissipadores de calor para lasers ainda so feitos de cobre, porque o custo do diamante natural ainda alto. Mas essa situao deve mudar brevemente. Com o aprimoramento da refrigerao dos lasers atravs do uso de diamantes sintticos, a intensidade de luz e a durabilidade desses dispositivos devem aumentar. FIBRAS PTICAS O diamante um material fantstico para a confeco de fibras pticas. Uma nica fibra desse material poderia substituir milhares de fibras convencionais, feitas de slica, devido alta transparncia do diamante. Porm, para que isso ocorra, novos mtodos de fabricao devem ser explorados. DISCOS RGIDOS E DISCOS PTICOS Com o desenvolvimento de processos de deposio de filmes de diamante em temperaturas bem baixas, talvez se abra a possibilidade de se fazer a cobertura de discos rgidos (w inchesters ), disquetes e CDs (c ompact discs) com diamante. Isso certamente os tornar bem mais confiveis e durveis. At agora, o recorde de temperatura de deposio de diamante est em torno de 70 oC.

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OUTRAS APLICAES
A microeletrnica do silcio encontra-se em estado industrial muito avanado e sero necessrios ainda elevados investimentos para que a microeletrnica do diamante possa se tornar competitiva com a do silcio. mais fcil prever que essas tecnologias sero complementares. O importante, porm, que o diamante vai criar novas solues, principalmente na rea de sensores e interfaces, dando a oportunidade para que surjam novos empreendimentos, principalmente para pequenas empresas de alta tecnologia (ver As possveis aplicaes do diamante sinttico). No estado atual, o diamante pode ser empregado na microeletrnica, principalmente devido s suas propriedades qumicas, pticas e trmicas, como, por exemplo: a) proteo anticorrosiva da cobertura, colocada aps o processo de fabricao nos chips, que serve para dar durabilidade e confiabilidade a esses componentes eletrnicos; b) o diamante tem uma tima transparncia para a luz ultravioleta; sendo assim, pode ser usado em certos chips, como, por exemplo, aqueles usados em videogames, nos quais a informao armazenada s pode ser apagada usando esse tipo de luz; c) por serem timos condutores trmicos, os diamantes podem ser usados para dissipar o calor gerado pelos chips durante o funcionamento; podem tambm ser um timo isolante eltrico, podendo ficar fisicamente encostados no componente que deve ser resfriado, sem o perigo de curto-circuito. bem possvel que a ltima gerao de microprocessadores (chips programveis com memria, que so o crebro dos computadores) utilizem o diamante como matria-prima.

Figura 4. Esquema de um transistor base de diamante. Regies da superfcie recebem dois tipos de dopantes (tipo p e tipo n, respectivamente). Usam-se metais diferentes para o contato na regio tipo p e tipo n, criando uma estrutura tal que o campo eltrico no contato do centro (porta) modifica drasticamente a corrente eltrica entre os outros dois terminais (fonte e dreno) duo desse elemento provoca defeitos na rede de tomos de carbono do diamante, o que diminui a mobilidade, impedindo que as cargas negativas (eltrons) se movimentem livremente. Entretanto, pesquisas promissoras mostram que o nitrognio, introduzido na superfcie do diamante, pode se estruturar de tal forma a funcionar como um excelente dopante. Uma caracterstica muito importante no diamante tambm a possibilidade de dopagem de sua superfcie com hidrognio ou oxignio. No caso da hidrogenao, certas ligaes qumicas livres do carbono da superfcie do diamante vo se ligar ao hidrognio, formando os chamados hidretos, tornando essa superfcie tima condutora de eletricidade. Ao contrrio, se a superfcie for oxigenada, as terminaes livres dos tomos de carbono se estabilizam, formando estruturas com caractersticas prprias dos materiais isolantes. Tanto a hidrogenao quanto a oxigenao afetam apenas os tomos de carbono que esto a aproximadamente milionsimos de milmetro de profundidade. Isso torna o diamante muito atrativo para tornar mais velozes certos componentes eletrnicos, os chamados transistores de efeito de campo (figura 4).

Sugestes para leitura:

BARANAUSKAS, V. Tecnologia dos Cristais de Silcio, Campinas, ed. Unicamp, 1989. CORAT, E. J.; TRAVA-AIROLDI, V. J. e BARANAUSKAS, V., Diamond Chemical Vapor Deposition: Emerging technology for tooling applications, Key Eng. Mat. 138-1 (1998) 195. BARANAUSKAS, V.; LI, B. B.; PETERLEVITZ, A. C. et al. Nitrogen-doped diamond films in Journal of Applied Physics, 85:10 (1999) 7.455.

FUTURO BRILHANTE
O futuro da microeletrnica e da optoeletrnica depende diretamente da utilizao de novos materiais. Neste trabalho, fizemos um breve relato das possveis vantagens do uso do diamante na fabricao de chips, enfocando sua velocidade, potncia, durabilidade e eficincia. Discutimos tambm questes relacionadas dopagem para a transformao do diamante em um material semicondutor, bem como chamamos a ateno para outras aplicaes do diamante na microeletrnica. No garimpo, a pedra bruta denomina-se diamante, mas, depois da lapidao e do polimento, ela passa a ser chamada brilhante. possvel dizer, com base nos sucessos at agora obtidos com a tecnologia de produo de diamantes sintticos, que tanto a indstria de microeletrnica quanto a de optoeletrnica tambm tero um futuro brilhante. s

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