8.

Semicondutores
8.1 - Desenvolvimentos históricos e propriedades básicas

8.2 - Éxcitons

8.3 – Estatística de portadores em semicondutores intrínsecos

8.4 – Doadores e aceitadores

8.5 – Junções p-n e outros dispositivos

8.6 – Crescimento epitaxial, heteroestruturas, engenharia de gap

 “Ninguém deve trabalhar em semicondutores, são
uma bagunça. Ninguém sabe realmente se
semicondutores existem ou não!”
(Wolfgang Pauli, 1931)

Física Fundamental Física Aplicada

(exemplo: metrologia) (exemplo: chip)

hc
 1   137.035988  0.000 02
e2

Efeito Hall Quântico:

Prêmio Nobel (1985)
Prêmio Nobel (2000)
 Desenvolvimentos Históricos
-1731 – Stephen Gray: Condução de eletricidade em sólidos e líquidos
Pilha de Volta

Volta (1745-1827)

-1782 – Alessandro Volta: “Materiais de

natureza semicondutora”
-1821 – Humphry Davy: “Poder de condução” dos metais
diminui com o aumento da temperatura

-1833 – Michael Faraday: Comportamento oposto ao

de metais em diversos compostos

Davy (1778-1829)

-1851 – J. W. Hittorf:
Medida de  vs. T em Cu2S
e Ag2S
Faraday (1791-1867)

Condutividade
   0e c / T
1000/T
-1879 – Edwin Hall: Efeito Hall. Quem são os portadores?

Campo
Força magnético
magnética em
portadores
positivos

Força elétrica
devido ao
acúmulo de
cargas
Efeito Hall para B para
Sentido da corrente
portadores de carga dentro, I para
convencional
positivos cima

-1897 – J. J. Thomson: Descoberta

Fm  qv  B
do elétron Força de Lorentz

Thomson (1856-1940)
-1899-1900 – Riecke e Drude: Modelo de condução
eletrônica por metais

Modelo de Drude  D  ne 2

m

Drude (1863-1906)
-1906 – Koenigsberger: Teoria de “dissociação”.
Elétrons se dissociariam dos íons para participar na n  n0e Q / T
condução

-1924 – Gudden: Comportamento não

reprodutível seria devido à presença não
controlada de impurezas

Exemplo: Cu2O 1000/T

-1926 – Mecânica quântica: Equação de Schrödinger

 h 2 2 
  V (r ) (r )  E (r )
 2m 

Schrödinger (1887-1961)

-1928 – Felix Bloch: Equação de Schrödinger em um potencial periódico

Teorema de Bloch:  nk (r)  eikr unk (r)

-1930 – Alan Wilson: Teoria de bandas para semicondutores “intrínsecos”

e “extrínsecos”. Impurezas doadoras e aceitadoras

- Década de 40: Estudo em silício e germânio, melhores amostras

- 23/12/1947 – Bardeen, Shockley e Brattain:
Descoberta do transistor

Deu no New York Times: “A device called a transistor,

which has several applications in radio where a vacuum tube
ordinarily is employed, was demonstrated for the first time
yesterday at Bell Telephone Laboratories, 463 West Street, where
it was invented.”
Bardeen (1908-1991)
Prêmio Nobel em 1956 Shockley (1910-1989)
Brattain (1902-1987)

- 1954 – Bell Labs – Invenção

O primeiro transistor da célula solar de silício
- 1958 – Joyce e Kilby – Invenção do circuito integrado
Prêmio Nobel em 2000

- 1965 – Lei de
Moore:
miniaturização
- 1958 – Leo Esaki – Aplicação do tunelamento quântico:
invenção do diodo-túnel
Prêmio Nobel em 1973
- 1963 – Alferov e Kroemer – Proposta do laser de
heteroestruturas semicondutoras, construído em 1969 por
Alferov
Esaki (1925- )
Prêmio Nobel em 2000
- Década de 70 – Crescimento epitaxial e “engenharia de gap”
Laser azul de InGaN (1998)
- 1980 – Klaus von Klitzing – Efeito Hall Quântico
Prêmio Nobel em 1985
h2
RH  2
ie
- 1982-83 – Störmer, Tsui e
Laughlin – Efeito Hall Quântico
fracionário
Prêmio Nobel em 1998
- 1981 – Binnig e Rohrer –
Invenção do STM (scanning
tunneling microscope)
Prêmio Nobel em 1986
 Propriedades Básicas
Estrutura Cristalina

• Desde Séc. XVIII, regularidade e

perfeição geométrica sugeriam arranjo
periódico
• Séc. XX: difração de raios-X (Bragg,
Bragg e von Laue)

Exemplo: R R = 2a1 + 2a2

a2
Rede de Bravais a1

R  n1a1  n2 a 2  n3a 3 ni inteiros, ai vetores primitivos (não coplanares)

 Exemplo: Rede quadrada
Célula de Wigner-Seitz
A B
Região do espaço mais próxima de um dado
ponto da rede de Bravais do que de qualquer
outro. Gera o espaço todo por translações C E
dos vetores R
A, B, C, D, E: células unitárias D
A, B, C: células primitivas
C: célula de Wigner-Seitz

Estrutura cristalina
Definida por uma rede de Bravais + base (posições e tipos dos átomos)
Estruturas do diamante e zincblende:
Rede fcc + base de 2 átomos
Cristal a(Å) Cristal a(Å)
C 3,57 GaP 5,45
Si 5,43 GaAs 5,65
Ge 5,66 InP 5,87
InAs 6,04
SiC 4,35
 Coesão Cristalina
Hibridização sp3 e ligações covalentes
Semicondutores heteropolares:
ligações parcialmente iônicas e
parcialmente covalentes

Exemplo: SiC

Cristal Ionicidade
Si 0,00
SiC 0,18
http://www.sst.nrel.gov/research/cdn.html GaAs 0,31
NaCl 0,94
Bandas de energia

1a Zona de Brillouin da rede fcc

Cálculos de estrutura de bandas

Gap Gap
Metais Semicondutores Isolantes

10-6 10-3 109 1022

Resistividade a T ambiente(.cm)
Propriedades elétricas
Ge, com diferentes
concentrações de impurezas
 Modelo de Drude  D  ne 2

m E
e-

• n: densidade eletrônica
Elétron sofre colisões
• : tempo de relaxação
• m: massa do elétron

Qual a densidade eletrônica?

• Sódio tem 11 elétrons por átomo, mas apenas 1 parece participar da
condução: apenas elétrons de valência contribuem?
• Silício tem 4 elétrons de valência, mas condutividade menor que a do sódio

Bandas totalmente ocupadas não

contribuem para a condução
Semicondutores intrínsecos (puros)

 E g 2 k BT
n(T )  e Para Eg ~ 1 eV, T = Eg/2kB ~ 6000 K


Distribuição de
Fermi-Dirac
elétrons
Cristal Eg (eV)
Si 1,17
0,744


Ge
GaAs 1,52 buracos
1
f()
Qual a massa do elétron?
• Modelo de Drude assume elétron livre, ignora potencial cristalino
• Em Mecânica Quântica, um elétron livre (onda plana) teria energia h2k 2
2m
• Elétrons no fundo da banda de condução e buracos no topo da banda de
valência têm relação de dispersão aproximadamente parabólica
Semicondutores intrínsecos (puros)

 E g 2 k BT
n(T )  e Para Eg ~ 1 eV, T = Eg/2kB ~ 6000 K


Distribuição de
Fermi-Dirac
elétrons
Cristal Eg (eV)
Si 1,17
0.744


Ge
GaAs 1,52 buracos
1
f()
Qual a massa do elétron?
• Modelo de Drude assume elétron livre, ignora potencial cristalino
• Em Mecânica Quântica, um elétron livre (onda plana) teria energia h2k 2
2m
• Elétrons no fundo da banda de condução e buracos no topo da banda de
valência têm relação de dispersão aproximadamente parabólica

h2k 2
m* => massa efetiva
2m 
• Efeito do potencial efetivo é “alterar a massa” do elétron: elétron
responderia aos campos externos como se tivesse uma massa m*
(aproximação de massa efetiva)
Cristal m*/m
(elétron)
InSb 0,015
GaAs 0,066
InP 0,073
 Propriedades óticas
Semicondutores podem ter gap direto ou indireto
E E

BC BC
Gap direto Gap indireto
BV BV
Ex.: GaAs, InAs, InP Ex.: Si, Ge, AlAs

k k GaAs
Absorção de luz
• Se h < Eg: não há
absorção (transparência!)
Eg • Se h > Eg: há absorção
h
(criação de par e-b)
• Conservação do momento cristalino: kfóton = kelétron
• Tipicamente, h = 1 eV => kfóton = 106 m-1 Transição
vertical
• Dimensões da 1a ZB ~ 1/a => kZB ~ 1010 m-1

Gap indireto
Transição indireta pode se dar (com
menor probabilidade) através da
absorção ou emissão de um fônon
emissão EMISSÃO DE LUZ  GAP DIRETO
E0
absorção
Eg


Eg E0 h
8.2 - Éxcitons

O que são estes picos no

coeficiente de absorção???
ÉXCITONS

• Eg é energia para formar

elétron e buraco “distantes”
• Par e-b pode se ligar por
atração eletrostática: ÉXCITON

Eexc
Energia de ligação
do éxciton
Como calcular?
 Modelo de Mott-Wannier (éxcitons estendidos)
• Elétron e buraco interagem através de potencial coulombiano
e2
U (r )     constante dielétrica do material
r
me 4 13,6
Lembrando do átomo de hidrogênio En   2
  2 eV
2hn n

Para o éxciton: m   (massa reduzida); e2  e2 /

1 1 1
 
 me mb

 1 13,6 Valores típicos:  ~ 10,  /m ~ 0,1-1,0

E exc
   2  2 eV
m 
n
n Eexc ~ 0,01-0,1 eV
8.3 – Estatística de portadores em
semicondutores intrínsecos

(Cálculo da densidade de elétrons e buracos como função da

temperatura, no quadro negro)

   Ec 
3/ 2
m k T 
n(T )  2 e B2  exp  Ec
 2   k BT 
μ
Ev
 Ev   
3/ 2
m k T 
p(T )  2 b B2  exp 
 2   k BT 

  Eg 
3
 k BT 
np  4 2 
me mb  exp
32
 “Lei de Ação das Massas”
 2    k BT 
Para semicondutores intrínsecos:

  Eg 
3/ 2
kT 
n  p  np  2 B 2  me mb 3 4 exp 
1/ 2

 2   2k BT 

1 3  mb 
 (T )  Ev  E g  k BT ln 
2 4  me 
 8.4 – Doadores e aceitadores

• Para semicondutores puros, n ~ exp (-Eg/2kBT)

• Se Eg ~ 1 eV, a T ambiente temos exp (-Eg/2kBT) ~ e-20 ~
10-9: semicondutores intrínsecos têm condutividade
muito baixa a T ambiente
• Pode-se aumentar  drasticamente por impurezas
(“dopagem”)
• Exemplo: 1 B para 105 Si aumenta  por um fator de
1000!
Ge dopado com Sb
 Impurezas doadoras e aceitadoras

Doadores: por exemplo, Aceitadores: por exemplo,

átomo do grupo V em um átomo do grupo III em um
cristal do grupo IV => 1 cristal do grupo IV => 1
elétron a mais elétron a menos (1 buraco
a mais)
e- b+
Si Si Si Si Si Si Si Si

Si + Si Si - Si
As B
Si Si Si Si Si Si Si Si
Energia de ligação: modelo hidrogenóide
me 4
• Novamente, átomo de hidrogênio: E   2  13,6 eV
2
• m  m* ; e2  e2/
m*
Elig   (13,6 eV) BC
m 2

ED
Energia de ligação (meV)
(doadores)
EA
P As Sb Teoria
BV
Si 45 49 39 30
Torna-se muito mais fácil ionizar
Ge 12,0 12,7 9,6 9,1 termicamente as impurezas e
preencher com elétrons a BC ou
com buracos a BV
• Impurezas doadoras: material tipo-n, condutividade devido aos elétrons
• Impurezas aceitadoras: material tipo-p, condutividade devido aos buracos
“Raio de Bohr” do estado de impureza

• Hidrogênio: 2
a0  2
 0,53 angstrons
me
m
• Novamente, m  m* ; e2  e2/ a*    50  100 angstrons
m*

Impureza doadora em GaAs:

cálculo tight-binding com 106
átomos
• Outros tipos de impurezas: níveis profundos
• Estados mais localizados, com energia de ligação
maior
• Podem ser nocivos às propriedades elétricas

Oxigênio e hidrogênio em Si: cálculos

ab initio
 8.5 – Junções p-n e outros dispositivos

Junção pn

Polarização Polarização
direta reversa
V V V
V0 V-
V+

z z
z
barreira menor, camada de depleção
corrente alta (10-1000 nm) barreira maior,
corrente baixa

(cálculo detalhado de I(V) no quadro-negro)

Curva I-V Junção
pn pode ser usada
como diodo
(retificador de
corrente)
 Fabricação da junção pn

1100 oC
 LED (light-emitting diode)
Diodo formado por materiais de gap direto, operando
em polarização direta

- +

luz

• Cor da luz depende da energia do gap: GaP, GaAsP, GaN, etc

• Infravermelho (telecomunicações em 1,55 m): InGaAsP
 Laser de Semicondutor
Laser de homojunção
Estrutura básica do
diodo, com maior
dopagem e cavidade
ótica

Laser de heteroestruturas
 Células solares
Transformação de luz em corrente elétrica pela criação
de par elétron-buraco na camada de depleção => gera
corrente reversa
I

luz
Silício, silício amorfo, GaAs, CdS,
polímeros
 MOSFET
(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)
contatos
Fonte Dreno metálicos
Porta
óxido
n canal n
p
IFD

Curva I-V
VP

VFD
Lei de Moore
8.6 – Crescimento epitaxial, heteroestruturas,
engenharia de gap
Combinando materiais: ligas
 5. Crescimento Epitaxial,
Heteroestruturas e Engenharia
de Gap
Crescimento epitaxial

MBE (molecular beam epitaxy)

MOCVD (metalorganic
chemical vapor
deposition)
 Heteroestruturas: poços quânticos e super-redes

Confinamento quântico em duas dimensões

BC
Poço quântico Eg (GaAs)
Eg (AlAs)
GaAs/InGaAs/GaAs
BV
AlAs GaAs AlAs

direção do crescimento

Super-rede: BC
periodicidade
artificial BV
 Heteroestruturas: pontos quânticos

• Confinamento quântico em 0 dimensões

• Alguns pontos quânticos são auto-formados (InAs
em GaAs)

InAs
GaAs