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I CIRCUITO DE POLARIZAO DE TRANSISTORES - REVISO I.1 A RETA DE CARGA DE UM TRANSISTOR II FONTE DE TENSO ESTABILIZADA UTILIZANDO TRANSISTORES III - O TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA III.1 - CORRENTE DE BASE IV CONEXO DARLINGTON IV.1 CONEXO DARLINGTON NPN IV.2 GANHO DE CORRENTE TOTAL (t) V.1 JFET V.2 POLARIZAO DE UM JFET V.3 - CURVA CARACTERSTICA DE DRENO V.4 CURVA DE TRANSCONDUTNCIA V.5 AUTOPOLARIZAO V.6 - RETA DE AUTO POLARIZAO V.7 - SELEO DO RS V.8 - TRANSCONDUTNCIA V.9 - TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR VI - MOSFET VI.1 - MOSFET DE MODO DEPLEO VI.2 - MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO VII AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE B E CLASSE A-B VII.1 AMPLIFICADORES CLASSE B VII.3 - RETA DE CARGA CA VII.2 AMPLIFICADORES CLASSE AB VIII - OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA IX - OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE X - FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO X.1 FOTOTRANSISTOR X.2 - ACOPLADOR PTICO XI AMPLIFICADORES OPERACIONAIS XI.1 AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL XI.2 MONTAGEM BSICA XI.3 - MONTAGEM INVERSORA XI.4 - MONTAGEM NO INVERSORA XI.5 SEGUIDOR DE TENSO XI.6 SOMADOR INVERSOR XI.6 AMPLIFICADOR INVERSOR XII ELETRNICA DE POTNCIA: UJT - SCR DIAC TRIAC XII.1 TRANSISTOR UNIJUNO UNIJUNCTION TRANSISTOR (UJT) XII.2 ESTRUTURA INTERNA XII.3 SMBOLO ELETRNICO DO UJT E CIRCUITO EQUIVALENTE XII.4 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS E POLARIZAO DE UJT XII.5 CURVA CARACTERSITCA DO UJT XIII TIRISTORES RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO SCR XIII.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM SCR XIII.2 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UM SCR XIII.3 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS E POLARIZAO DE SCR XIII.4 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO SCR XIV TIRISTORES DIODO DE CORRENTE ALTERNATIVA - DIAC XIV.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM DIAC XV TIRISTORES DIODO DE CORRENTE ALTERNATIVA - TRIAC XVI.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM TRIAC XVII EXERCCIOS XVIII - BIBLIOGRAFIA

Sumrio

02 02 04 04 05 06 06 06 07 07 08 08 08 09 10 10 11 11 11 12 14 14 14 15 16 16 17 17 18 19 19 20 20 22 22 23 24 25 25 25 26 26 27 27 28 28 28 29 30 30 31 32 33 36

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I CIRCUITO DE POLARIZAO DE TRANSISTORES - REVISO

Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes, e os transistores para cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Por esse motivo, o entendimento de como polarizar um transistor se faz importante para utiliza-lo nos circuitos que estudaremos nesta apostila. I.1 A RETA DE CARGA DE UM TRANSISTOR A Figura A-1 mostra um circuito com polarizao de base de um transistor. O problema consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. A reta de carga estabelece esses valores.

Figura A - 1 O conceito de reta de carga, estudado em diodos, tambm se aplica a transistores. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece a corrente IC: IC = (VCC - VCE )/ RC (E1) Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga. Observe as duas situaes abaixo, que representam, respectivamente, os pontos superior e inferior em relao equao E1: Para VCE = 0 IC = VCC / RC Para IC = 0 VCE = VCC A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. Exemplo 1.1 Vamos supor o valor de RB=500, no circuito da Figura A-1. Construindo-se a linha de carga no grfico da Figura A-2 e medindo-se a corrente IC e VCE de operao, teremos os pontos de reta de carga da seguinte maneira: VCE = 0 <=> IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA no ponto superior IC = 0 <=> VCE = VCC = 15V no ponto inferior

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Obs: A corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB :

Figura A-2 Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5,5V. Este o ponto de
operao do circuito (ponto Q- ponto quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte conforme mostra a prxima ilustrao. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0, conhecido como corte. Nesse ponto a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO). A interseo da reta de carga e a curva IB= IBn(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima.

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II FONTE DE TENSO ESTABILIZADA UTILIZANDO TRANSISTORES

Muitas fontes de alimentao, apesar de garantir o funcionamento dos dispositivos eletro eletrnicos, no conseguem fornecer uma tenso estvel, comprometendo a funcionalidade dos sistemas. Dessa forma, o transistor usado como regulador de tenso no circuito, permite a ampliao da faixa de corrente do circuito. Abaixo temos um circuito utilizando um diodo zener, ligado base do transistor, fornece uma tenso de referncia. A tenso no resistor R4 ser dada pela expresso: VR4 = VD-VBE, onde VD tenso no diodo zener e VBE tenso base emissor no transistor Q3.Podemos considerar as tenses VD e VBE, praticamente constante, o que garantir a estabilidade da tenso na carga R4.

Essa primeira anlise, que reflete o comportamento do zener no circuito, pode nos fazer pensar que a tenso de sada fica estabilizada em funo do diodo, mas em um circuito de tenso estabilizada, temos que equacionar as malhas de tenses de entrada, tenses no transistor e tenso na carga do circuito. Logo teremos: - Malha de entrada: V3=VR5+VD (Eq.1) - Transistor: VCB=VCE-VBE (Eq.2) - Malha de sada: VR4=V3-VCE (Eq.3) Na Eq.1 a tenso em VR5 ir aumentar, se aumentarmos a tenso em V3. Isso ocorrer porque VD constante. Em relao ao transistor, teremos a tenso base coletor (VCB) variando igual a tenso em R5. Se VCB aumenta, pela Eq.2 teremos um aumento de VCE j que VBE constante. Dessa forma podemos concluir que se aumentarmos a tenso de entrada, provocaremos um aumento na tenso VCE (Eq.3), ou seja o controle da tenso de entrada e feito pelo transistor Q3, mantendo R4 imune s variaes de que possam ocorrer.

III - O TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA

A forma mais simples de se usar um transistor como uma chave, significando uma operao na saturao ou no corte e em nenhum outro lugar ao longo da reta de carga. Quando o transistor est saturado, como se houvesse uma chave fechada do coletor para o emissor. Quando o transistor est cortado, como uma chave aberta.

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III.1 - CORRENTE DE BASE A corrente de base controla a posio da chave. Se IB for zero, a corrente de coletor prxima de zero e o transistor est em corte. Se IB for IB(SAT) ou maior, a corrente de coletor mxima e o transistor satura. Saturao fraca significa que o transistor est levemente saturado, isto , a corrente de base apenas suficiente para operar o transistor na extremidade superior da reta de carga. No aconselhvel a produo em massa de saturao fraca devido variao de cc e em IB(SAT). Saturao forte significa dispor de corrente da base suficiente para saturar o transistor para todas as variaes de valores de cc. No pior caso de temperatura e corrente, a maioria dos transistores de silcio de pequeno sinal tem um cc maior do que 10. Portanto, uma boa orientao de projeto para a saturao forte de considerar um cc (SAT)=10, ou seja, dispor de uma corrente de base que seja de aproximadamente um dcimo do valor saturado da corrente de coletor. A Figura A-4 mostra um circuito de chaveamento com transistor acionado por uma tenso em degrau. Qual a tenso de sada? SOL.: Quando a tenso de entrada for zero, o transistor est em corte. Neste caso, ele se comporta como uma chave aberta. Sem corrente pelo resistor de coletor, a tenso de sada iguala-se a +5V.

Figura A-4

Quando a tenso de entrada for de +5V, a corrente de base ser: IB=5-0,7 / 3 K = 1,43 mA Supondo o transistor com um curto entre coletor e o emissor (totalmente saturado). A tenso de sada vai a zero e a corrente de saturao ser: Ic (sat) = 5 / 330 = 15,2 mA Isto aproximadamente 10 vezes o valor da corrente de base, ou seja, certamente h uma saturao forte no circuito. No circuito analisado, uma tenso de entrada de 0V produz uma sada de 5V e uma tenso de entrada de 5V, uma sada de 0V. Em circuitos digitais este circuito chamado de porta inversora e tem a representao abaixo:

Exerccio de fixao: Recalcular os resistores Rb e Rc no circuito da Figura A-4 para um IC=10mA. Soluo: - Clculo de IB: Se IC =10mA ! IB (sat) = IC / cc (SAT) = 10m /10 = 1,0mA - Clculo de RC:

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Ao considerar o transistor saturado, o VCE de saturao prximo de zero. RC = VCC / IC = 5 /10mA = 500 Clculo de RB: RB = VE - VBE / IB = 5 - 0.7 / 1mA = 4k3

IV CONEXO DARLINGTON
Em alguns circuitos eletro eletrnicos se faz necessrio um aumento no ganho de corrente. Para que isso acontea, os transistores so interligados comportando-se como se fosse um nico componente. Essa interligao chamada de CONEXO DARLINGTON. Essa conexo pode ser feita utilizando-se transistores NPN e PNP

IV.1 CONEXO DARLINGTON NPN

O desenho mostra a configurao Darlington para transistores tipo NPN. Para efeito de anlise do circuito, consideramos apenas um transistor, mas com seus parmetros alterados em relao aos de cada transistor. Na conexo Darlington no se utilizam resistores de polarizao entre os terminais internos dos transistores interligados. Apesar da conexo, cada transistor tem seu ganho de corrente () especfico. Analisando as correntes do circuito podemos afirmar que no transistor equivalente, o qual chamaremos de Te, a corrente de base igual a corrente de base de T1, a corrente de coletor ser igual a soma das correntes dos coletores de T1 e T2 e a corrente de emissor ser a corrente de emissor de T2. J o ganho de corrente total ser dado pelos respectivos ganhos individuais de corrente ou seja: t= Ic / Ib

IC=Ic1 + Ic2
IB t1 t2

Ic1 Ic2
NPN

Ie1 = Ib2 IE = Ie2

Para transistores tipo PNP, fazemos a mesma anlise para a conexo Darlington, onde o transistor equivalente tambm ter seus parmetros alterados e a configurao mostrada na figura abaixo:

IV.2 GANHO DE CORRENTE TOTAL (t)

Matematicamente, podemos demonstrar o porque o ganho de corrente total da conexo Darlington dado pela expresso: T=t1. t2. Tomemos a configurao de transistores NPN como referencial para nossa anlise, baseando-se nas caractersticas definidas anteriormente.Dessa forma teremos: 6

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IC = Ic1+Ic2 A corrente de coletor a soma das correntes de coletor de t1 e t2 Ic1 = 1.IB e Ic2 = 2.Ib2=2.Ie1=2.( 1+1).IB IC = 1.IB + 2(1+1).IB IC = 1.IB + 1. 2.IB +2. IB Logo, BT = IC/IB = 1 + 1. 2 + 2 = 1. 2 em funo de que 1. 2 ser maior que 1 e 2

V - TRANSISTORES ESPECIAIS
At agora, foram estudados os transistores bipolares, que se baseiam em dois tipos de cargas: lacunas e eltrons, e so utilizados amplamente em circuitos lineares. No entanto existem aplicaes nos quais os transistores unipolares com a sua alta impedncia de entrada so uma alternativa melhor. Este tipo de transistor depende de um s tipo de carga, da o nome unipolar. H dois tipos bsicos: os transistores de efeito de campo de juno (JFET - Junction Field Effect transistor) e os transistores de efeito de campo de xido metlico (MOSFET). V.1 JFET Na Figura A-5, mostrada a estrutura e smbolo de um transistor de efeito de campo de juno ou JFET

Figura A-5

A conduo se d pela passagem de portadores de carga da fonte (S - Source) para o dreno (D), atravs do canal entre os elementos da porta (G - Gate). O transistor pode ser um dispositivo com canal n (conduo por eltrons) ou com canal p (conduo por lacunas). Tudo que for dito sobre o dispositivo com canal n se aplica ao com canal p com sinais opostos de tenso e corrente. V.2 POLARIZAO DE UM JFET A Figura A-6 mostra a polarizao convencional de um JFET com canal n. Uma alimentao positiva VDD ligada entre o dreno e a fonte, estabelecendo um fluxo de corrente atravs do canal. Esta corrente tambm depende da largura do canal. Uma ligao negativa VGG ligada entre a porta e a fonte. Com isto a porta fica com uma polarizao reversa, circulando apenas uma corrente de fuga e, portanto, uma alta impedncia entre a porta e a fonte. A polarizao reversa cria camadas de depleo em volta das regies p e isto estreita o canal condutor (D-S). Quanto mais negativa a tenso VGG, mais estreito torna-se o canal. Para um dado VGG , as camadas de depleo tocam-se e o canal condutor (D-S) desaparece. Neste caso, a corrente de dreno est cortada. A tenso VGG que produz o corte simbolizada por VGS(Off) .

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V.3 - CURVA CARACTERSTICA DE DRENO Para um valor constante de VGs, o JFET age como um dispositivo resistivo linear (na regio hmica) at atingir a condio de pinamento ou estrangulamento. Acima da condio de estrangulamento e antes da ruptura por avalanche, a corrente de dreno permanece aproximadamente constante. Os ndices IDSS referem-se a corrente do dreno para a fonte com a porta em curto (VGS=0V). IDSS a corrente de dreno mxima que um JFET pode produzir. Quando o JFET est saturado (na regio hmica), VDS situa-se entre 0 e 4V, dependendo da reta de carga. A tenso de saturao mais alta (4V) igual intensidade da tenso de corte da portafonte (VGS(Off) = -4V). Esta uma propriedade inerente a todos os JFETs.

Figura A-6

Para polarizar um transistor JFET necessrio saber a funo do estgio, isto , se o mesmo ir trabalhar como amplificador ou como resistor controlado por tenso. Como amplificador, a regio de trabalho o trecho da curva, aps a condio de pinamento e esquerda da regio de tenso VDS de ruptura. Se for como resistor controlado por tenso a regio de trabalho entre VDS igual a zero e antes de atingir a condio de pinamento.

V.4 CURVA DE TRANSCONDUTNCIA A curva de transcondutncia de um JFET um grfico da corrente de sada em funo da tenso de entrada, ID em funo de VGS. A sua equao :

V.5 - AUTOPOLARIZAO A polarizao de um transistor JFET se faz de maneira semelhante polarizao de transistor bipolar comum. Em outras palavras, usa-se o transistor JFET como se fosse um transistor bipolar. Para um JFET funcionar corretamente devemos lembrar que, primeiramente, o mesmo deve estar reversamente polarizado entre porta e a 8

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fonte. Na Figura mostrada a seguir vemos um JFET polarizado, ou seja, com resistores ligados ao terminais para limitar tenses e correntes convenientemente, como visto na polarizao de transistores bipolares.

Esse o tipo de polarizao mais comum e se chama autopolarizao por derivao de corrente, pois o VGS aparece devido corrente de dreno sobre RS, o que resulta em VRS. Essa tenso, distribui-se entre RG e a juno reversa, que possui uma alta resistncia. Assim aparecem VRG e VGS que somadas perfazem VRS. VRG = VRS + VGS (Eq. 1) O diodo porta-fonte est reversamente polarizado e a corrente IG uma pequena corrente de fuga aproximadamente igual a zero. Logo, teremos: VRG = IGRG 0 (Eq. 2) Ao relacionarmos as duas equaes, acharemos a expresso abaixo: VRS = -VGS = RS.IS (Eq. 3) A corrente de fonte a soma da corrente de dreno e de porta. Naturalmente a corrente de dreno muito maior que a de porta. Dessa forma teremos a seguinte relao: ID IS Analisando a malha do lado direito do circuito, teremos a seguinte expresso: VDD = ID(RD + RS) + VDS V.6 - RETA DE AUTO POLARIZAO Para a polarizao do JFET, uma alternativa o uso da curva de transcondutncia para encontrar o ponto Q de operao. Seja a curva da Figura A-10 a base para encontrar o ponto Q. A corrente de dreno mxima de 13,5mA, e a tenso de corte da porta-fonte de -4V. Isso significa que a tenso da porta tem de estar entre 0 e -4V. Para descobrir este valor, pode-se fazer o grfico da Figura A-10 e ver onde ela intercepta a curva de transcondutncia. Exerccio de fixao (EF1): Usando o grfico da figura seguinte, e considerando o resistor da fonte de um circuito de auto polarizao no valor de 300, qual ser o ponto Q.

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A expresso que usaremos ser a do clculo de VGS que dada por: VGS= Idx300 Para traar a reta, basta considerar ID = 0 e ID = IDSS. Para ID nulo, VGS=0 e para o outro valor de ID, VGS= 13,5mAx300=-4V. Aplicando na curva, o ponto Q : VGS= -1,5V e ID =5mA V.7 - SELEO DO RS O ponto Q varia conforme o valor de RS. O ideal escolher um RS em que o ponto Q fique no na regio central, como no exerccio de fixao EF1. O mtodo mais simples para escolher um valor para RS : RS = VGS (off) / IDSS Este valor de RS no produz um ponto Q exatamente no centro da curva, mas aceitvel para a maioria dos circuitos. V.8 - TRANSCONDUTNCIA Grandeza designada por gm e dada pela expresso abaixo (Eq. 1):

gm a inclinao da curva de transcondutncia para cada pequena variao de VGS. Em outras palavras, uma medida de como a tenso de entrada controla efetivamente a corrente de sada. A unidade o mho, (razo entre a corrente e a tenso - 1/Ohm). A Figura A-11 mostra o circuito equivalente ca simples para um JFET vlida para baixas freqncias. H uma resistncia RGS muito alta entre a porta e a fonte. Esse valor est na faixa de centenas de M . O dreno do JFET funciona como uma fonte de corrente com um valor de gm VGS. 10

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Figura A-11

A expresso a seguir (Eq. 2) mostra como obter VGS(Off) a partir da corrente mxima de dreno e da transcondutncia para VGS= 0V (gmo ).

O valor de gm para um dado VGS ser: gm = gm0 ( 1 Vgs / Vgs (off) ) V.9 - TRANSCONDUTNCIA DE UM TRANSISTOR BIPOLAR O conceito de transcondutncia pode ser usado em transistores bipolares. Ela definida como para os JFETs. Com base na Eq. 1, mostrada no tpico V.8, teremos:

como re = vbe / ie, resultar na expresso:

VI - MOSFET
O FET de xido de semicondutor e metal , MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno. A diferena bsica para o JFET porta isolada eletricamente do canal. Por isso, a corrente de porta extremamente pequena, para qualquer tenso positiva ou negativa. VI.1 - MOSFET DE MODO DEPLEO A Figura a seguir mostra um MOSFET de modo depleo canal n e o seu smbolo. O substrato em geral conectado a fonte (pelo fabricante), Em algumas aplicaes utiliza-se o substrato para controlar tambm a corrente de dreno. Neste caso o encapsulamento tem quatro terminais. Os eltrons livres podem fluir da fonte para o dreno atravs do material n. A regio p chamada de substrato, e ela cria um estreitamento para a passagem dos eltrons livres da fonte ao dreno.

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A fina camada de dixido de silcio (SiO2), que um isolante, impede a passagem de corrente da porta para o material n.

A Figura acima, mostra o MOSFET de modo depleo com uma tenso de porta negativa. A tenso VDD fora os eltrons livres a fluir atravs do material n. Como no JFET a tenso de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tenso, menor a corrente de dreno. At um momento que a camada de depleo fecha o canal e impede fluxo dos eltrons livres. Com VGS negativo o funcionamento similar ao JFET. Como a porta est isolada eletricamente do canal, pode-se aplicar uma tenso positiva na porta (inverso de polaridade bateria VGG do circuito da Figura 7-12). A tenso positiva na porta aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal. Quanto maior a tenso, maior a corrente de dreno. Isto que a diferencia de um JFET.

VI.2 - MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAO O MOSFET de modo crescimento ou intensificao uma evoluo do MOSFET de modo depleo e de uso generalizado na industria eletrnica em especial nos circuitos digitais.

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A Figura anterior mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu smbolo. O substrato estende-se por todo caminho at o dixido de silcio. No existe mais um canal n ligando a fonte e o dreno. Quando a tenso da porta zero, a alimentao VDD fora a ida dos eltrons livres da fonte para o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos eltrons livres produzidos termicamente. Assim, quando a tenso da porta zero, o MOSFET fica no estado desligado (Off). Isto totalmente diferente dos dispositivos JFET e MOSFET de modo depleo. Quando a porta positiva, ela atrai eltrons livres na regio p. Os eltrons livres recombinam-se com as lacunas na regio prxima ao dixido de silcio. Quando a tenso suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dixido de silcio so preenchidas e eltrons livres comeam a fluir da fonte para o dreno. O efeito o mesmo que a criao de uma fina camada de material tipo n prximo ao dixido de silcio. Essa camada chamada de camada de inverso tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os eltrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mnimo que cria a camada de inverso tipo n chamado tenso de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS menor que VGS(th), a corrente de dreno zero. Mas quando VGS maior VGS(th), uma camada de inverso tipo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno alta. VGS(th) pode variar de menos de 1V at mais de 5V dependendo do MOSFET. As Figuras a seguir mostram as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificao e reta de carga tpica. No grfico ID x VDS, a curva mais baixa para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno controlada pela tenso da porta. Neste estgio o MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (regio hmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, a curva de transcondutncia e uma curva quadrtica. O incio da parbola est em VGS(th). Ela

onde k uma constante que depende do MOSFET em particular. O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Ento rescrevendo a frmula: ID = KID(on), onde: K = (VGS VGS (th) / VGS(on) VGS(th) )2

VI.3 - TENSO PORTA-FONTE MXIMA Os MOSFET tm uma fina camada de dixido de silcio, um isolante que impede a circulao de corrente de porta tanto para tenses positivas como negativas. Essa camada isolante mantida to fina quanto possvel para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno. Como a camada muito fina, fcil destru-la com uma tenso porta fonte excessiva. Alm da aplicao direta de tenso excessiva entre a porta fonte, pode-se destruir a camada isolante devido a transientes de tenso causados por retirada/colocao do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estticas suficiente que exceda a especificao de VGS mximo. Alguns MOSFET so protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedncia de entrada. 13

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VII AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE B E CLASSE A-B

VII.1 AMPLIFICADORES CLASSE B Geralmente os amplificadores de potncia classe B e classe AB utilizam dois transistores de potncia num montagem denominada push-pull. A configurao push-pull significa que quando um dos transistores est conduzindo, o outro est em corte e vice-versa. No amplificador classe B, cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de operao situado na regio de corte do transistor, isto , VBEQ =0. Desta maneira, a corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de 180, ou seja, a cada semiciclo do sinal de entrada VBE. A Figura abaixo uma forma de conectar um seguidor de emissor push-pull classe B. Foi conectado um seguidor de emissor npn e um seguidor de emissor pnp. O projetista escolhe os resistores de polarizao para situar o ponto de operao no corte. Isso polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0,6V e 0,7V. Dessa forma, teremos ICQ=0 Como os resistores de polarizao so iguais, cada diodo emissor polarizado com a mesma tenso. Como resultado, metade da tenso de alimentao sofre uma queda entre os terminais coletor e emissor de cada transistor. Isto , VCEQ = VCC / 2

VII.2 - RETA DE CARGA CC

como no h resistncia cc no circuito do coletor ou do emissor da Figura 5-3, a corrente de saturao infinita, ou seja, a reta vertical, (Figura 5-4). muito difcil encontrar um ponto de operao estvel na regio de corte num amplificador push-pull. Qualquer diminuio significativa de VBE com a temperatura pode deslocar o ponto de operao para cima da reta de carga cc a valores muito altos de correntes.

VII.3 - RETA DE CARGA CA A Figura abaixo, mostra a reta de carga ca. Quando um dos transistores est conduzindo, seu ponto de operao move-se para cima ao longo da reta de carga ca. O ponto do outro transistor permanece no corte. A oscilao de tenso do transistor em conduo pode seguir todo o percurso desde o corte saturao. No semiciclo oposto, o outro transistor faz a mesma coisa. Isso significa que a tenso de pico a pico mxima (MPP) no ceifada do sinal de sada igual a VCC. Isto o dobro de tenso que de um amplificador classe A sob mesma tenso de alimentao. Em termos de eficincia . mxima terica ser de 78,5%. 14

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A Figura seguinte, mostra o equivalente ca do transistor em conduo. Isso praticamente idntico ao seguidor de emissor classe A. O ganho de tenso com carga : Ay = RL / RL + re, e A impedncia de entrada da base com carga : Zent (base) = (RL + Re)

VII.2 AMPLIFICADORES CLASSE AB Os amplificadores de potncia AB tambm utilizam dois transistores de potncia numa configurao push-pull. A diferena para a classe B, que cada um dos transistores de sada polarizado num ponto de operao situado um pouco acima da regio de corte do transistor, (VBEQ>0). Isto significa que cada um dos transistores est conduzindo um pequena corrente de base e, consequentemente, uma corrente de coletor proporcional a ela. A corrente de coletor de cada transistor, circula durante um ngulo de conduo de 180, porm, menor que 360. A eficincia terica fica entre 50% e 78,5%. A grande vantagem a eliminao da distoro por crossover.

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VIII - OSCILADOR DE BAIXA FREQNCIA

A Figura abaixo mostra o diagrama de blocos bsico de um circuito oscilador.

A sada do amplificador de ganho A, realimenta a entrada do prprio amplificador, por meio do circuito de realimentao que possui um ganho B, tambm chamado de rede de realimentao. Esta forma, o sinal realimentado VR somado, ou seja, aplicado em fase com o sinal de entrada VE. Este sinal VE no um sinal externo, mas um sinal qualquer de referncia, que existe na entrada do amplificador. Portanto, com a aplicao do sinal realimentador VR na entrada do amplificador, este torna-se instvel e comea a oscilar. O circuito de realimentao deve, portanto, defasar ou no o sinal de amostragem VA, de tal modo que o sinal VR fornecido entrada esteja sempre em fase com o sinal de referncia VE. A defasagem a ser feita no sinal VA depende da defasagem imposta pelo amplificador e, portanto, do sinal de sada VS. Por exemplo, se um amplificador possuir uma montagem emissor comum, ento o sinal de sada VS estar defasado de 180 em relao ao sinal de entrada VE e o circuito de realimentao dever, neste caso, provocar uma defasagem de 180, para que o sinal VRfique novamente em fase com o sinal VE. Se a montagem do amplificador for em base comum VS estar em fase com VE e, nesse caso, o circuito ou rede de realimentao no dever provocar defasagem e assim, o sinal VR j estar em fase com o sinal VE. Um outro critrio muito importante para que haja oscilao que o ganho total do oscilador, dado por A+B (A- ganho do amplificador, B- ganho da rede de realimentao), deve ser maior que um.

IX - OSCILADOR POR DESLOCAMENTO DE FASE

A Figura a seguir, mostra o circuito de um oscilador por deslocamento de fase. Ele utilizado para gerar sinais na faixa de freqncias de udio.

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O amplificador est na montagem emissor comum e portanto, sua tenso de sada VS est defasada de 180 em relao a tenso de entrada VE. O sinal de sada aplicado no circuito de realimentao, formado com resistores R e R3 e os capacitores C, que provoca uma defasagem adicional de 180, de modo que uma parcela do sinal de sada novamente aplicada na entrada, mas em fase com o sinal de entrada VE. Ao ligar o circuito ser provocado uma instabilidade na base do transistor Q1. Isto o suficiente para o circuito iniciar a sua oscilao, pois o transistor Q1 amplifica e posteriormente reamplifica o sinal presente em sua base.

X - FOTOTRANSISTOR E ACOPLADOR PTICO

X.1 FOTOTRANSISTOR Os foto transistores so constitudos basicamente de duas junes, havendo uma janela que permite a incidncia de a luz sobre a juno base emissor, aumentando a condutividade deste diodo emissor, com o conseqente aumento da corrente de coletor.

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A ilustrao abaixo, mostra um exemplo de curva IC x VCE.

Sempre que houver luz incidindo sobre a base, haver uma corrente de base e, portanto, o transistor deixa ser aberto. Abaixo, a representao de um fototransistor: Um fotodiodo uma alternativa ao foto transistor. A diferena que a luz incidindo no fotodiodo gera a corrente que atravessa o diodo, enquanto no foto transistor, esta mesma luz produz uma corrente de base e por sua vez uma corrente de coletor que vezes maior que no foto diodo. A maior sensibilidade do foto ransistor traz como desvantagem uma reduo na velocidade de chaveamento. X..2 - ACOPLADOR PTICO A Figura a seguir mostra um acoplador ptico. Consiste de um LED prximo a um fototransistor, ambos encapsulados em um mesmo invlucro. Ele muito mais sensvel que um LED e fotodiodo devido ao ganho . O funcionamento simples, qualquer variao em VS produz uma variao na corrente do LED, que faz variar a emisso de luz e, portanto, a corrente no fototransistor. Isso por sua vez, produz uma variao na tenso dos terminais coletor-emissor. Em suma, um sinal de tenso acoplado do circuito de entrada para o circuito de sada.

A grande vantagem de um acoplador ptico o isolamento eltrico entre os circuitos de entrada e de sada. No existe nenhuma relao entre os terras de entrada e sada.

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XI AMPLIFICADORES OPERACIONAIS
Os modelos a seguir, se referem a modelos eltricos simplificados para os amplificadores de tenso e de corrente sem realimentao. Os modelos consideram trs elementos apenas: duas impedncias, uma de entrada e outra de sada, e uma fonte de tenso dependente.

A ligao de um amplificador a uma fonte de sinal e a uma carga envolve dois divisores de tenso que reduzem o ganho mximo obtenvel (Figura 1.a). Referindo ao esquema eltrico da Figura 1.b, verifica-se que a construo de uma cadeia de amplificao otimizada passa pelo recurso de amplificadores de tenso que gozem, pelo menos, das seguintes duas propriedades: impedncia de entrada infinita, e impedncia de sada nula. Se a estas duas propriedades se juntarem um ganho de tenso infinito, a no dependncia do mesmo com a frequncia e a possibilidade de aplicar na entrada e obter na sada quaisquer valores de tenso, ento obtm-se aquilo que vulgarmente se designa por amplificador operacional ideal, ou Amplificador operacional. Apesar deste conjunto idealizado de propriedades, um fato que o Amplificador operacional ideal constitui uma boa aproximao do desempenho eltrico de uma vasta gama de circuitos integrados utilizados na prtica. Com efeito, existem no mercado Amplificador operacional cujo ganho ascende a 106, e cujas resistncias de entrada e de sada so, respectivamente, vrias dezenas a centenas de MW e algumas unidades ou dcimas de ohm. Os elevados ganho e resistncia de entrada do Amplificador operacional esto na origem do curto-circuito virtual, que em alguns casos particulares implementa uma massa virtual. Este operador possibilita a realizao de amplificadores de tenso cujo ganho depende apenas do cociente entre duas resistncias, amplificadores soma e diferena de sinais, circuitos integradores e diferenciadores de sinal, filtros, conversores corrente-tenso e tenso-corrente, conversores de impedncias, circuitos retificadores de sinal, comparadores de tenso, etc.. No exagero afirmar que, na atualidade, o Amplificador operacional constituiu o paradigma dominante no projeto de circuitos eletrnicos analgicos. Os amplificadores operacionais so constitudos por mltiplos componentes eletrnicos, nomeadamente transistores, resistncias e capacitores. No entanto, neste texto limitamos o estudo do Amplificador operacional identificao e utilizao prtica das propriedades dos seus terminais de acesso. XI.1 AMPLIFICADOR OPERACIONAL IDEAL O AmpOp ideal constitui um modelo simplificado de um amplo conjunto de amplificadores de tenso atualmente existentes no mercado. Caracteriza-se pelas seguintes quatro propriedades: (i) impedncia de entrada infinita; (ii) impedncia de sada nula; (iii) ganho de tenso infinito; (iv) ausncia de qualquer limitao em freqncia e em amplitude. 19

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A principal conseqncia do conjunto de propriedades apenas enunciado , na prtica, a possibilidade de estabelecer um curto-circuito virtual entre os dois terminais de entrada do Amplificador operacional. Com efeito, a existncia de uma tenso finita na sada s compatvel com um ganho infinito desde que a diferena de potencial entre os dois terminais de entrada seja nula. A natureza virtual deste curto-circuito deve-se coexistncia de uma igualdade entre tenses sem ligao fsica entre terminais. Na Figura abaixo, mostrado o significado prtico de um

curto-circuito virtual. XI.2 MONTAGEM BSICA O amplificador operacional normalmente utilizado em duas configuraes bsicas: a montagem inversora e a montagem no-inversora. Os circuitos que veremos neste tpico, constituem essas duas montagens, as suas variaes ou as combinaes que podem ser feitas com essas duas configuraes bsicas. No que diz respeito s metodologias de anlise de circuitos com amplificador operacional, existem basicamente duas alternativas: Uma que assume a presena de um curto-circuito virtual entre os dois terminais de entrada do amplificador operacional (em conjunto com correntes nulas de entrada); E outra que considera o amplificador operacional como uma fonte de tenso controlada por tenso e utiliza as metodologias convencionais de anlise de circuitos. Entretanto, a primeira metodologia de mais simples aplicao aos circuitos com amplificador operacional ideais, ao contrrio da segunda, que se destina essencialmente anlise de circuitos com amplificador operacional reais, neste caso com limitaes em ganho, freqncia, e impedncias de entrada e de sada. XI.3 - MONTAGEM INVERSORA Considere-se na seguinte, o esquema eltrico da montagem inversora do amplificador operacional.

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Tendo em conta o fato da existncia de um curto-circuito virtual entre os dois terminais de entrada, o que implica a igualdade v+=v-=0, e ainda o fato de as correntes nos ns de entrada serem nulas, i-=i+=0, verifica-se ento que:

e que, portanto, teremos:

Como tal, o ganho de tenso da montagem dado por:

o qual apenas funo do cociente entre os valores das resistncias R2 e R1. O mtodo alternativo de anlise consiste em substituir o amplificador operacional por uma fonte de tenso dependente com ganho finito (Figura b). Neste caso trata-se de aplicar um dos mtodos de anlise introduzidos ao longo desta apostilha, por exemplo resolver o sistema de equaes

que eqivale a

de cuja resoluo resulta o seguinte ganho: 21

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cujo limite quando o ganho do amplificador operacional tende para infinito :

XI.4 - MONTAGEM NO INVERSORA Os circuitos abaixo mostram a estrutura de uma montagem de amplificador operacional no inversor.

A existncia de um curto-circuito virtual entre os ns de entrada do amplificador permite escrever a igualdade entre as trs tenses.

que em conjunto com a equao do divisor resistivo na sada conduz a relao de ganho:

As duas equaes redundam na seguinte expresso:

XI.5 SEGUIDOR DE TENSO O circuito seguidor de tenso constitui uma das aplicaes mais comuns do amplificador operacional e tambm conhecido como buffer que implementa um ganho unitrio. Vejamos a expresso a seguir:

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As ilustraes abaixo mostram dois circuitos que mostram na prtica a utilidade do seguidor de tenso: em (a) a carga encontra-se ligada diretamente fonte, cuja resistncia interna introduz um divisor resistivo. J no circuito (b), a fonte e a carga so intercaladas de um seguidor de tenso.

Temos as seguintes diferenas entre estes dois circuitos: no primeiro caso a tenso na carga inferior quela disponibilizada pela fonte, e a fonte de sinal quem fornece a potncia carga. Pelo contrrio, no caso do circuito em (b) verifica-se a igualdade designadamente como resultado do ganho infinito e das impedncias de entrada infinita e de sada nula do amplificador operacional. Para alm do mais, neste caso o amplificador operacional e no a fonte de sinal quem fornece potncia carga. Estas caractersticas justificam os ttulos de circuito seguidor de tenso, isolador ou tampo. O circuito seguidor de tenso pode ser encarado como caso limite da montagem no inversora estudada anteriormente. Com efeito, e como se indica na Figura 6.b, os dois circuitos coincidemquando a resistncia R1 feita tender para infinito, situao durante a qual o valor da resistncia R2 irrelevante, exceto quando infinito, dado ser nula a corrente respectiva. XI.6 SOMADOR INVERSOR A montagem inversora pode ser utilizada para implementar a soma pesada de sinais eltricos

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A massa virtual do AmpOp implementa a soma das correntes fornecidas por cada uma das fontes de sinal, e a resistncia R converte-as na tenso. Uma das aplicaes mais interessantes do somador a realizao de um conversor digital-analgico. Com efeito, se se admitir que as fontes de sinal assumem nveis iguais a 1 V ou 0 V consoante o valor lgico dos bit de uma palavra digital, e as resistncias Ri se encontram pesadas binariamente em funo da ordem do bit na palavra, por exemplo R1=R, R2=R/2, R3=R/4... Rk=R/2k-1, ento a expresso da tenso na sada do amplificador operacional :

Por exemplo, as palavras digitais 10011 e 00001 (em decimal 19 e 1, respectivamente) conduzem aos valores da tenso na sada respectivamente. Naturalmente que se pode sempre dimensionar o valor da resistncia R de modo a redefinir a escala de amplitudes da tenso na sada. XI.6 AMPLIFICADOR INVERSOR Na prtica, uma das limitaes da montagem inversora simples a dificuldade de construir amplificadores com, simultaneamente, elevados ganho e resistncia de entrada. Na montagem inversora simples, a especificao de um ganho de tenso elevado, - R2/R1, convida a estabelecer um valor nominal relativamente pequeno para a resistncia R1, ao passo que a exigncia de uma elevada resistncia de entrada, dada por recomenda exatamente o oposto. Um modo de obviar a esta limitao a utilizao do circuito representado na Figura 15.9, cuja anlise se pode efetuar nos seguintes passos:

- Determinao da corrente que incide na massa virtual

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- Determinao da tenso vx

- Obteno da expresso da corrente nas resistncias R3 e R4,

- Determinao da tenso no n de sada do amplificador operacional.

Finalmente teremos o ganho de montagem atravs da seguinte expresso:

XII ELETRNICA DE POTNCIA: UJT - SCR DIAC TRIAC

XII.1 TRANSISTOR UNIJUNO UNIJUNCTION TRANSISTOR (UJT) O UJT um componente eletrnico que, em funo de suas caractersticas eltricas, possibilita a elaborao de circuitos eletrnicos de controle, reduzindo a quantidade de componentes auxiliares. A figura abaixo ilustra a estrutura interna de um UJT: Base 1 Emissor

Base 2 XII.2 ESTRUTURA INTERNA Sua estrutura interna, consiste de uma barra de silcio TIPO N com poucos eltrons, levemente dopada, e uma pequena quantidade de material TIPO P com bastantes lacunas (devemos lembrar da constituio do diodo 25

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semicondutor), denominada de pastilha. A barra de silcio recebe dois terminais que sero denominados de BASE1 E BASE2 e na pastilha teremos e terminal denominado EMISSOR. A pastilha tipo P est localizada prxima ao terminal da BASE2, fazendo surgir uma nica juno, ao contrrio do transistor BIPOLAR. Di o nome UNIJUNO. XII.3 SMBOLO ELETRNICO DO UJT E CIRCUITO EQUIVALENTE Em eletrnica, todos os componentes possuem um determinado smbolo, que o identifica em um circuito, bem como um circuito equivalente. As ilustraes a seguir representam, respectivamente o smbolo e o circuito equivalente de um UJT. B2 E B1

Observe que o circuito equivalente e dotado de um diodo semicondutor, ligado ao emissor e duas resistncias logadas s bases B1 e B2, sendo a resistncia de B1 aparentemente varivel. Essas resistncias so RB2 e RB1, onde RB2 representa a resistncia da barra entre B2 e o emissor do UJT. Obs. Na prtica no podemos utilizar dois resistores comuns e um diodo para obtermos um UJT. XII.4 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS E POLARIZAO DE UJT Na prtica, podemos identificar os terminais de um UJT, medindo os valores de resistncia entre esses terminais. Entre os terminais de B1 e B2 deveremos encontrar um valor de resistncia dentro de uma faixa entre 4K e 10K, sem levar em considerao a polarizao aplicada aos terminais. Dessa forma, ao identificarmos B1 e B2, saberemos quem o emissor do UJT. Vale ressaltar que, em relao ao emissor, a resistncia RB1 ser sempre maior que a resistncia RB2, em funo da proximidade da pastilha P. O circuito abaixo mostram a polarizao do UJT.

E V1

B2 VB B

B1

O funcionamento do UJT depende do surgimento de uma corrente no emissor. A fonte de alimentao VBB polariza os terminais de RB1 e RB2, dando origem a uma corrente IBB. Essa condio no garante o funcionamento do UJT, 26

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j que necessria uma corrente IE no emissor. Se a tenso na fonte V1 for zero, teremos o diodo polarizado reversamente, pois a fonte VBB ir fazer surgir uma tenso VRB1( O potencial na catodo estar mais positivo que no anodo do diodo). Matematicamente, a corrente IE ir surgir e disparar o UJT se o potencial aplicado ao emissor for igual ou maior do VD + VRB1. Da teremos: VE VD + VRB1 (A), onde:

VE = Tenso aplicada no emissor VD = Tenso de juno no diodo VRB1 = Tenso em RB1 Agora vamos analisar o efeito da corrente: Se a tenso VBB faz surgir um corrente IBB em RBB, teremos: VRB1 = RB1xIBB (B) IBB = VBB / RBB (C), dessa forma podemos substituir C em B, o que resultar em: VRB1 = RB1 x VBB / RBB (D). Substituindo agora D em A: VE VD + RB1 x VBB / RBB ou seja:

VE VD + RB1 / VBB x VBB. O termo em destaque chamado de (ta), que a relao intrnseca de corte do UJT e estabelecido pelo fabricante. A expresso ser: VE VD + x VBB

O disparo do UJT ocorre quando o diodo que representa a juno fica polarizado diretamente, permitindo o fluxo de corrente do emissor para a base do componente. O valor de est definido em uma faixa entre 0,51 e 0,82. O aumento da corrente far com que a RB1 diminua de valor e por esse motivo ele representado como um resistor varivel.

XII.5 CURVA CARACTERSITCA DO UJT Esse componente possui trs regies que representam a sua curva: - Regio de corte - Regio de resistncia negativa ( RNN) - Regio de saturao O UJT encontra-se na regio de corte quando a juno no atingiu a polarizao direta no diodo representativo, suficiente para ele conduzir. Ou seja, VE < VD + x VBB. Em funcionamento, a resistncia RB1 atinge um valor bem menor, estabelecendo a regio da curva de RNN. E a regio de saturao aquela onde a resistncia RB1 permanecer constante, pois o aumento de corrente do emissor IE, ser controlado pelo aumento da tenso VE.

XIII TIRISTORES RETIFICADOR CONTROLADO DE SILCIO - SCR

Em eletrnica, denominamos de tiristores, todo dispositivo semicondutor que possua quatro ou mais camadas semicondutoras. Os tiristores operam como chaves de acionamento e podem ter a corrente circulando em sentido unidirecional e bidirecional. . O SCR um tipo de tiristor, onde o fluxo de corrente ocorre em um sentido. Inicialmente 27

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o tiristior foi desenvolvido para substituir um tipo de vlvula chamado Thyratron. Entretanto as vantagens operacionais do SCR so bem maiores do que s de uma vlvula. XIII.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM SCR O SCR possui quatro camadas condutoras semicondutoras. As ilustraes abaixo mostram, respectivamente, a estrutura interna e o smbolo de um SCR: ANODO P N P N CATODO GATE

XIII.2 CIRCUITOS EQUIVALENTES DE UM SCR Ao contrrio do UJT, o SCR pode ser representado por circuitos equivalentes a diodos e transistores, conforme as

respectivas figuras abaixo (pg. 21) ANODO ANODO GATE

T1 T2

GATE CATODO

CATODO

XIII.3 IDENTIFICAO DOS TERMINAIS E POLARIZAO DE SCR Um SCR pode ser testado da mesma forma que se fossemos testar os diodos representados no circuito equivalente mostrado anteriormente. Na juno entre o GATE e o CATODO, encontraremos uma baixa resistncia no circuito com polarizao direta. Em casos de sinais de interferncia no circuito e nesse caso termos duas baixas 28

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resistncias GATE-CATODO E ANODO-CATODO e o terminal comum encontrado ser o CATODO. Com o uso de um multiteste, podemos atestar o efeito do disparo por rudo, basta que coloquemos uma ponteira em um dos terminais de baixa resistncia e a outra no CATODO em curto com o outro terminal. Se a resistncia for ALTA, o curto foi feito entre o GATE e o CATODO. Alguns SCR possuem uma resistncia entre o GATE e o CATODO, para diminuir a sensibilidade, evitando disparos indesejveis. Obs. O mesmo pode ser feito com o circuito equivalente transistor, onde o curto feito entre o GATE-CATODO, que a juno BASE-EMISSOR do transistor T2 XIII.4 PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO DO SCR - POLARIZAO DIRETA ANODO-CATODO E GATE ABERTO (BREAKOVER) Vejamos que, acordo com o circuito abaixo, o SCR comear a conduzir quando aumentarmos o valor da tenso fornecida por V1, observando que no temos nenhum sinal no GATE e a corrente de fuga no coletor do transistor T1 ser injetada na base do transistor T2. Observe que a corrente de base de T1 surgira tambm da corrente de fuga no coletor de T2. Esse processo chamado de realimentao positiva, pois as correntes aumentam de intensidade a proporo que os transistores so polarizados em suas bases. Obs. A tenso ANODO-CATODO tem que ser muito alta para gerar o processo de realimentao. - POLARIZAO REVERSA ANODO-CATODO E GATE ABERTO (BKEAK DOWN) Nessa configurao, os transistores esto polarizados reversamente, existindo apenas uma corrente de fuga circulando. A tenso reversa pode danificar o componente. Na prtica o SCR usado reversamente, mas submetido a uma tenso reversa limitada. Os circuitos a seguir mostram a polarizao reversa do SCR com GATE aberto (pg. 24). - POLARIZAO DIRETA ANODO-CATODO E POLARIZAO DIRETA GATE-CATODO Ao aplicarmos uma tenso no GATE, utilizando um resistor de polarizao, teremos uma corrente circulando para a base de T2, que gera uma corrente de coletor. Essa corrente polariza a base de T1 que tambm ir conduzir e sua corrente de coletor ser a corrente de base de T2. A vantagem que a corrente do GATE, injetada na base de T1, dispensa um valor de tenso V1 muito alta, para que a realimentao do circuito possa ocorrer. Dessa forma podemos retirar o pulso de tenso no GATE j que o SCR j esta em funcionamento ou seja j foi disparado. O valor da tenso ANODO-CATODO, quando o SCR conduz na ordem de 0,7Vv a 2,0V. Nesse estado a carga RL tem a mesma queda de tenso da fonte V1. Obs1: O sinal no GATE permite que o SCR conduza com valores de tenso bem menores entre ANODO-CATODO. Em corrente alternada essa caracterstica influencia ainda mais na aplicao de um menor valor de tenso entre esses terminais. Obs2: Os circuitos que utilizam SRC, possuem duas etapas: Etapa de disparo e etapa de potncia, que so atribudas respectivamente ao GATE e a juno ANODO-CATODO. - MTODOS DE DISPARO DO SCR: - Disparo por tenso de BREAKOVER - Disparo atravs de sinal aplicado ao GATE - Disparo por rudo - Disparo por efeito DV / dt 29

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- Disparo por temperatura - Disparo pela luz

XIV TIRISTORES DIODO DE CORRENTE ALTERNATIVA - DIAC

Os DIACs so componentes utilizados em aplicaes eletro eletrnicas com o objetivo de fazer o disparo do componente TRIAC, que ser o tema do nosso prximo captulo. O DIAC chamado de Diodo de Corrente Alternada. XIV.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM DIAC A constituio interna de um DIAC assemelha-se a um transistor bipolar, onde existem trs camadas semicondutoras. Vejamos a estrutura e o smbolo desse componente, respestivamente : T1 P N P T2 T2 T1

A diferena do DIAC para o transistor bipolar est na concentrao de dopagem em torno das duas junes PNP que so iguais e na quantidade de terminais que so apenas dois. Esses terminais esto ligados nas camadas externas tipo P, conforme mostra a ilustrao. Sua estrutura fsica pode assemelhar-se a um diodo comum ou a um transistor convencional com dois terminais. Podemos testar um DIAC utilizando um multiteste e deveremos encontrar uma alta resistncia entre os seus terminais T1 e T2. Logicamente se a resistncia encontrada for baixa, o componente no estar em perfeito estado. No circuito, o DIAC deve comear a conduzir quando a tenso aplicada aos seus terminais atingir de 25V a 35V aproximadamente. Uma outra caracterstica do DIAC que podemos polariza-lo bilateralmente, ou seja T1 e T1 podem estar submetidos a polaridades diferentes , sem provocar o comportamento do componente. Dessa forma, na curva caracterstica do DIAC poderemos observar um valor de tenso denominado de VALOR MXIMO DA TENSO DE ASSIMETRIA, que explicaremos em sala de aula. Algumas aplicaes do DIAC: - Proteo contra sobre tenso: A figura abaixo mostra a aplicao do DIAC como proteo. Podemos observar que, a tenso na carga aumentar, o DIAC ir conduzir.

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R1

DIAC CARGA

- Gerador dente de serra: O circuito assemelha-se a um oscilador, onde a carga e a descarga do capacitor provoca o corte e saturao do transistor. Claro que so circuitos diferentes, mas ambos tm na sada uma forma de onda semelhante. A ilustrao mostra a configurao do DIAC:

R1

P1 DIAC C1

XV TIRISTORES DIODO DE CORRENTE ALTERNATIVA - TRIAC

Vimos anteriormente que o SCR um dispositivo que tem a finalidade de controlar o fluxo de corrente em um circuito. Entretanto, isso acontece de forma unidirecional, conforme j estudamos. Agora vamos imaginar um circuito em CA (Corrente Alternada), onde ser necessrio o uso de dois SCRs? Para essas necessidades surgiu o TRIAC, que um componente capaz de controlar o fluxo de corrente de um circuito, de forma bidirecional, e possui as mesmas caractersticas bsicas de comutao do SRC.

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XVI.1 ESTRUTURA INTERNA E SMBOLO DE UM TRIAC As ilustraes abaixo mostram, respectivamente, a estrutura interna de um TRIAC e o smbolo eletrnico. Se observamos com ateno, veremos uma similaridade com dois SCRs em antiparalelo com os seus GATES interligados: ANODO 1 / MT1

GATE

ANODO 2 / MT2

SMBOLO DO TRIAC

Obs: Veremos em sala de aula a estrutura das camadas P e N de um TRIAC, em perspectiva, onde teremos um melhor entendimento sobre sua constituio. Ressaltamos que, na maioria das vezes, a carcaa de um TRIAC o prprio terminal MT2. Dessa forma os outros terminais so o terminal MT1 e o GATE, que podem ser identificados atravs do manual. Para testarmos o componentes, identificados o GATE e MT1, deveremos achar uma baixa resistncia nos dois sentidos de polarizao do multiteste. Isso ocorre porque estamos medindo a resistncia da pastilha P que comum esses terminais. - CURVA CARACTERSTICA DE UM TRIAC: A curva caracterstica de um TRIAC mostra claramente as caractersticas funcionais de um SCR nas dois sentidos de polarizao. Entretanto no TRIAC, quando a corrente no GATE aumentada, a tenso do disparo diminuda. O SCR s admite uma tenso de GATE positiva, enquanto que o TRIAC responde a uma tenso negativa ou positiva no GATE. Dessa forma podemos reduzir o disparo fazendo com que o MT1 seja usado como terminal de referncia, em funo da negatividade ou positividade do GATE.

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XVI - EXERCCIOS:
Ex. 1) No circuito da Figura abaixo, calcule ID , RS e RD . Dados: RD+RS=12k, VDD=20V, VDS=8V e VGS=-1,2V.

Ex. 2) Dados: VDD = +12V, VGSQ=-0,5V (tenso de operao de VGS) e ID = 8mA (paraVDS= 0V). Calcule RD , RS e RG (suponha IG=5 A), para o circuito de autopolarizao. Utilize o mtodo da reta de carga e a curva a seguir.

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Ex. 3) No circuito da figura abaixo calcule AV e ZENT . Dados: gm=3000 mho, RG=2M2, RS=1k, RD=4k7 e VDD=18V.

Ex. 4) No circuito seguidor de fonte, com RG = 1M e RS= 3k , calcule o ganho de tenso, sabendo que: VDD=+9V, VGSQ = -4V, IDQ =1,6mA, IDSS = 16mA e VGS(OFF)= -5V. Ex. 5) Um 2N5457 tem IDSS=5mA e gmo=5.000 mho. Qual ID para VGS=-1v? Qual o valor de gm para essa corrente de dreno? Ex. 6) Se gm=3.000!mho na figura 3. Qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent=100k, RG=10M, RS=270, RD=1k, RL=10ke VDD =+15V

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Ex. 7) O amplificador JFET da figura abaixo, tem VGS(OFF)= -4V e IDSS =12mA. Nesse caso qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=2mV, Rent = 100k, RG = 10M, RS= 270, RD = 1k, RL=10k e VDD = +15V.

Ex. 8) Se o seguidor de fonte da figura abaixo tem gm = 2.000 mho, qual a tenso c.a. de sada? Dados: vent=5mV, Rent =100k, RG=10M, RS=3900, RL=1k e VDD=+15V.

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XVII BIBLIOGRAFIA
- Eletrnica Industrial Anlise de dispositivos e suas aplicaes - Andrade, Edna A. NovoTipo - Eletrnica Bsica - Bertoli, Roberto ngelo - Unicamp - Sistemas Analgicos Circuitos com diodos de transistores - Markus, Otvio Editora rica