DIODOS SEMICONDUTORES

Diodo ideal
As caractersticas de um diodo ideal so as de
uma chave que teria a capacidade de conduzir
corrente em um nico sentido
Diodo ideal
Resistncia do diodo ideal na regio de
operao:
0 durante a conduo
durante o corte
Diodo ideal
Se comporta como um curto-circuito na
regio de conduo.
Se comporta como um circuito aberto na
regio de no conduo
Materiais semicondutores
Condutor: qualquer material que sustenta um
grande fluxo de corrente sob a presena de
uma fonte de tenso aplicada aos seus
terminais.
Isolante: material que oferece um nvel muito
baixo de condutividade sob a presena de
uma fonte de tenso aplicada aos seus
terminais.
Materiais semicondutores
Semicondutor: material que tem um nvel de
condutividade entre os extremos de um
isolante e um condutor.
Resistncia (R): propriedade do material de
resistir ao movimento de eltrons.
R = l / A, onde a resistividade, l o
comprimento e A a rea da seo do
material.
Materiais semicondutores
= R A / l [.cm]

Materiais semicondutores
Material
Resistividade
(.cm)
prata 10
-6
condutor
silcio 50 x 10
3
semicondutor
germnio 50

semicondutor
mica 10
12
isolante
Materiais semicondutores
Por que Silcio e Germnio?
Podem ser fabricados com um alto nvel de pureza
(1 parte a cada 10bi)
Caractersticas podem ser facilmente alteradas
pela aplicao de luz e calor
Apresentam estrutura cristalina

Materiais semicondutores
Si 14 eltrons 4 eltrons de valncia
Ge 32 eltrons 4 eltrons de valncia
Materiais semicondutores
Cristal puro tomos tetravalentes.
Ligaes covalentes: estabelecida pelo
compartilhamento de eltrons.
Romper as ligaes eltrons livres:
Luz
Energia trmica
Campo eltrico
Materiais semicondutores
Aumento da temperatura do material pode
resultar em um aumento de eltrons livres.
Aumento de eltrons livres implica em
aumento da condutividade
Nveis de energia
Quanto mais longe o eltrons est do ncleo,
maior ser o estado de energia.
O eltron que deixa sua rbita apresenta um
estado de energia maior do que qualquer
outro da estrutura.
Nveis de energia
temperatura ambiente, um grande nmero
de eltrons adquire energia suficiente para
sair da banda de valncia, atravessar o gap de
energia (Eg) e entrar na banda de conduo
Materiais
Material intrnseco: material puro
Material extrnseco: material submetido ao
processo de dopagem
Dois tipos:
Material tipo p
Material tipo n
Material do tipo n
Introduo de elementos com cinco eltrons
de valncia (pentavalentes).
Antimnio, Arsnio e Fsforo essas
impurezas so chamadas de tomos
doadores.
O eltron adicional est relativamente livre
para se mover dentro do novo material tipo n.
Material tipo n
Material continua neutro
Aumenta a condutividade
Material tipo p
O cristal dopado com impurezas trivalentes
3 eltrons de valncia.
Boro, Glio, ndio chamados tomos
aceitadores.
Presena de lacunas.
Material tipo p
Eletricamente neutro.
A lacuna aceitar rapidamente um eltron
livre.
Fluxo de eltrons x lacuna
Se um eltron de valncia adquirir energia
suficiente para que a sua ligao covalente
seja quebrada, passando a ocupar uma lacuna
existente, ser criada uma nova lacuna na
ligao covalente que o eltron criou.
Portadores majoritrios e minoritrios
Material do tipo N: eltron majoritrio
Material do tipo P: lacuna majoritrio

DIODO SEMICONDUTOR
Unio dos dois tipos de materiais
Regio de depleo: formada por ons
Possibilidades de polarizao:
Sem polarizao (V
D
= 0V)
Polarizao reversa (V
D
< 0V)
Polarizao direta (V
D
> 0V)
SEM POLARIZAO
Na ausncia de uma tenso de polarizao, o
fluxo de carga em qualquer sentido para um
diodo semicondutor zero.

POLARIZAO REVERSA
A corrente existente sob condies de
polarizao reversa chamada de corrente de
saturao reversa e representada por I
S
.

POLARIZAO DIRETA
Acontece quando estabelecido a associao
do potencial positivo ao material tipo p e do
negativo ao material tipo n.

CURVA CARACTERSTICA



CURVA CARACTERSTICA
I
S
a corrente de saturao
K 11.600/ onde = 1 para Si e = 2 para Ge
Tk = Tc + 273
|
|
.
|

\
|
= 1
K
D
T
kV
S D
e I I
REGIO ZENER
O potencial mximo de polarizao reversa
que pode ser aplicado antes que o diodo entre
na regio Zener chamado de Tenso de Pico
Inversa (PIV) ou Tenso de Pico Reversa (PRV).
Si x Ge
RESISTNCIA
CC ou esttica



CA ou dinmica


D
D
D
I
V
R =
D
d
d
d
d
I
mV
r
I
V
r
26
=
A
A
=
CIRCUITOS EQUIVALENTES
CIRCUITOS EQUIVALENTES
CIRCUITOS EQUIVALENTES
TIPOS DE DIODOS
BIBLIOGRAFIA
Boylestad, R. L. e Nashelsky, L. Dispositivos
Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8. ed. So
Paulo: Pearson Prentice Hall, 2004.