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Um pouco sobre MOSFET !!

O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico), , de longe, o tipo mais comum de transstores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analgicos. A palavra "metal" no nome um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips modernos usam comportas de polissilcio, mas ainda so chamados de MOSFETs. Um MOSFET composto de um canal de material semicondutor de tipo N ou de tipo P e chamado respectivamente de NMOSFET ou PMOSFET. Geralmente o semicondutor escolhido o silcio, mas alguns fabricantes, principalmente a IBM, comearam a usar uma mistura de silcio e germnio (SiGe) nos canais dos MOSFETs. Infelizmente muitos semicondutores com melhores propriedades eltricas do que o silcio, tais como o arsenieto de glio, no formam bons xidos nas comportas e portanto no so adequados para os MOSFETs. O IGFET um termo relacionado que significa Insulated-Gate Field Effect Transistor, e quase sinnimo de MOSFET, embora ele possa se referir a um FET com comporta isolada por um isolante no xido.

Corte transversal de um MOSFET tipo N (NMOS). O terminal de comporta uma camada de polissilcio (slicio policristalino) colocada sobre o canal, mas separada do canal por uma fina camada de dixido de silcio isolante. Quando uma tenso aplicada entre os terminais comporta (gate) e fonte (source), o campo eltrico gerado penetra atravs do xido e cria uma espcie de "canal invertido" no canal original abaixo dele. O canal invertido do mesmo tipo P ou tipo N, como o da fonte ou do dreno, assim, ele cria um condutor atravs do qual a corrente eltrica possa passar.

Variando-se a tenso entre a comporta e a fonte se modula a condutividade dessa camada e torna possvel se controlar o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte. TESTE DE TRANSSTOR MOSFET Coloque o multitester em X10K, e verifique se o gate (G) conduz com algum dos terminais restantes dreno (D) e source (S). Se o gate conduzir com algum dos outros terminais, o MOSFET est em curto. Abaixo observamos o teste:

Observe como aplicando a ponta preta no gate, o MOSFET dispara, ou seja, passa a conduzir nos dois sentidos entre dreno e source. Aplicando a ponta vermelha no gate, o MOSFET volta a sua condio inicial, ou seja, s conduz num sentido entre dreno e source (devido a um diodo interno).

FONTE EM PARALELO COM TRANSISTOR MOSFET

Esta a fonte que vem sendo usada pelos televisores mais modernos devido sua simplicidade e um menor consumo de energia. Veja um exemplo abaixo:

O transistor chaveador desta fonte um MOSFET que consome menos energia que um transistor comum para esta mesma finalidade. O oscilador e o controle da fonte esto dentro do IC1, um CI de 8 pinos. Ao ligar o TV, os pinos 2 e 6 recebem uma tenso inicial de disparo e a fonte comea a oscilar. O MOSFET recebe 150 V no dreno (D) e o sinal PWM no gate (G). O source (S) vai ligado no terra. Assim ele chaveia o primrio do chopper que transfere a tenso para os secundrios originando os +B da fonte. O pino 1 monitora os +B e ajusta a frequncia do CI para efetuar a correo da fonte quando necessria. Tambm possvel mudar a frequncia da fonte e o valor dos +B manualmente atravs de um trimpot ligado neste mesmo pino

O diodo D2 e os componentes associados a ele formam um circuito chamado snubber com duas funes: eliminar os rudos gerados pela oscilao do MOSFET e impedir que os pulsos de tenso negativa induzidos no chopper voltem para a ponte retificadora e queimem estes diodos. Veja abaixo a estrutura da fonte em paralelo usando CI e transistor MOSFET:

MOSFET canal estrutura e formao

Seo transversal de um canal formado sem NMOS: OFF estado

Seo transversal de um canal formado NMOS com: ON estado Um metal-xido-semicondutor-campo (MOSFET) baseada na modulao da concentrao de carga por uma capacitncia MOS entre um corpo eletrodo e um porto eletrodo localizado acima do corpo e isolado de todas as regies de outro aparelho por uma camada dieltrica porto que, no caso de um MOSFET um xido, como dixido de silcio. Se dieltricos que no seja um xido, como dixido de silcio (muitas vezes referido como xido) so empregados o dispositivo pode ser referido como um metal-isolantesemicondutor FET (MISFET). Comparado ao capacitor MOS, o MOSFET inclui dois terminais adicionais (fonte e dreno), Ligado a cada indivduo regies altamente dopadas que so separados por regio do corpo. Estas regies podem ser do tipo p ou n, mas ambos devem ser do mesmo tipo, e do tipo oposto regio do corpo. A fonte e dreno (ao contrrio do corpo) so altamente dopado identificado por um sinal "+" aps o tipo de doping.

Se o IC um N-FET canal ou nMOS, ento a fonte eo dreno so 'n +' e regies do corpo uma regio 'p'. Como descrito acima, com porto de voltagem suficiente, acima de um Tenso de limiar valor, os eltrons da fonte (e possivelmente tambm drenar a) entrar na camada de inverso ou N-Channel na interface entre a regio P e do xido. Este canal de conduo se estende entre a fonte eo dreno, ea corrente conduzida por ele, quando uma voltagem aplicada entre fonte e dreno. Para tenses porto abaixo do valor limite, o canal pouco populoso, e apenas uma pequena fuga subliminares a corrente pode fluir entre a fonte eo dreno. Se o IC um canal p-FET ou PMOS, ento a fonte eo dreno so 'p +' e regies do corpo uma regio 'n'. Quando uma porta-negativa da fonte de voltagem (fonte positiva-gate) aplicado, ele cria uma P-canal na superfcie da regio n, anlogo ao n-caso do canal, mas com polaridades opostas de encargos e tenses. Quando uma tenso menos negativo do que o valor limiar (de uma tenso negativa para p-channel) aplicado entre porta e fonte, o canal desaparece e apenas uma subliminar muito pequena corrente pode fluir entre a fonte eo dreno. A fonte assim chamado porque a fonte dos portadores de carga (eltrons para a N-canal, os furos para p-channel) que fluem atravs do canal, similarmente, a fuga o lugar onde os portadores de carga deixar o canal. O dispositivo pode incluir um dispositivo Silicon on Insulator (SOI), no qual um Buried Oxide (BOX) formada abaixo de uma camada fina de semicondutores. Se a regio do canal entre a porta dieltrica e uma regio Buried Oxide (BOX) muito fina, a regio do canal muito fino referido como um Thin Ultra Channel (UTC) com a regio de origem e regies de drenagem formada em ambos os lados e em seu / ou acima da camada de semicondutores fina. Alternativamente, o dispositivo pode incluir um dispositivo na Insulator Semiconductor (SEMOI), em que outros semicondutores de silcio so empregadas. Muitos materiais semicondutores alternativas podem ser empregadas. Quando a origem e as regies de drenagem so formadas acima do canal, no todo ou em parte, eles so referidos como fonte Raised / Drain (RSD) regies.

Estes conceitos citados acima constituem os fundamentos para o entendimento do transistor MOSFET ou simplesmente MOS. O princpio bsico do transistor MOS na verdade bem simples e foi proposto e patenteado j em 1928, por Lilienfeld, um homem muito frente do seu tempo. Dizemos frente do seu tempo, pois a realizao fsica do transistor MOS no foi possvel na poca, pela no maturidade tecnolgica. Fig. 1 ilustra um desenho esquemtico do transistor, como apresentado, limitao tecnolgica da poca refere-se ao no controle e alta densidade de estados e cargas de superfcie do semicondutor. Esta alta densidade de estados de superfcie produzia uma blindagem do semicondutor, impedindo assim uma modulao da densidade de portadores, portanto, da condutncia entre os contatos de fonte e dreno, pela tenso de porta. Finalmente, apenas em 1960, obteve-se sucesso na fabricao do transistor MOS, na Bell Labs, por D. Kahng e M. Atalla. A Fig. 2 mostra um desenho esquemtico do transistor MOS tipo nMOS (substrato p). O transistor MOS um dispositivo de 4 terminais, sendo estes: fonte, dreno, porta e substrato. O transistor pMOS complementar ao nMOS, ou seja, formado por substrato tipo n e regies de fonte e dreno tipo p.

Fig. 1 Desenho esquemtico do transistor MOSFET como apresentado por Lilienfeld, em 1928.

Fig 2 Desenho esquemtico da estrutura moderna do transistor MOSFET em perspectiva, corte em seco transversal e o smbolo do transistor nMOS.