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Caractersticas
O LED um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado emite luz visvel por isso LED (Diodo Emissor de Luz). A luz no monocromtica (como em um laser), mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita e produzida pelas interaes energticas do eltron (portugus brasileiro). O processo de emisso de luz pela aplicao de uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia. Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro da estrutura, prximo juno, ocorrem recombinaes de lacunas e eltrons. Essa recombinao exige que a energia possuda eltrons, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz. No silcio e no germnio, que so os elementos bsicos dos diodos e transistores, entre outros componentes eletrnicos, a maior parte da energia liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido opacidade do material), e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente chegam a precisar de dissipadores para ajudar na manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel. J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de glio (GaP), o nmero de ftons de luz emitido suficiente para constituir fontes de luz bastante eficientes. A forma simplificada de uma juno P-N de um led demonstra seu processo de eletroluminescncia. O material dopante de uma rea do semicondutor contm tomos com um eltron a menos na banda de valncia em relao ao material semicondutor. Na ligao, os ons desse material dopante removem eltrons de valncia do semicondutor, deixando "lacunas" (ou buracos), portanto, o semicondutor torna-se do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o material dopante contm tomos com um eltron a mais do que o semicondutor puro em sua faixa de valncia. Portanto, na ligao esse eltron fica disponvel sob a forma de eltron livre, formando o semicondutor do tipo N. Os semicondutores tambm podem ser do tipo compensados, isto , possuem ambos os dopantes (P e N). Neste caso, o dopante em maior concentrao determinar a que tipo pertence o semicondutor. Por exemplo, se existem mais dopantes que levariam ao P do que do tipo N, o semicondutor ser do tipo P. Isso implicar, contudo, na reduo da Mobilidade dos Portadores. A Mobilidade dos Portadores a facilidade com que cargas n e p (eltrons e buracos) atravessam a estrutura cristalina do material sem colidir com a vibrao da estrutura. Quanto maior a mobilidade dos portadores, menor ser a perda de energia, portanto mais baixa ser a resistividade. Na regio de contato das reas, eltrons e lacunas se recombinam, criando uma fina camada praticamente isenta de portadores de carga, a chamada barreira de potencial, onde temos apenas os ons "doadores" da regio N e os ons "aceitadores" da regio P, que por no apresentarem portadores de carga "isolam" as demais lacunas do material P dos outros eltrons livres do material N. Um eltron livre ou uma lacuna s pode atravessar a barreira de potencial mediante a aplicao de energia externa (polarizao direta da juno). Aqui preciso ressaltar um fato fsico do semicondutor: nesses materiais, os eltrons s podem assumir determinados nveis de energia (nveis discretos), sendo as bandas de valncia e de conduo as de maiores nveis energticas para os eltrons ocuparem. A regio compreendida entre o topo da de valncia e a parte inferior da de conduo a chamada "banda proibida". Se o material semicondutor for puro, no ter eltrons nessa
banda (da ser chamada "proibida"). A recombinao entre eltrons e lacunas, que ocorre depois de vencida a barreira de potencial, pode acontecer na banda de valncia ou na proibida. A possibilidade de essa recombinao ocorrer na banda proibida se deve criao de estados eletrnicos de energia nessa rea pela introduo de outras impurezas no material. Como a recombinao ocorre mais facilmente no nvel de energia mais prximo da banda de conduo, pode-se escolher adequadamente as impurezas para a confeco dos LEDs, de modo a exibirem bandas adequadas para a emisso da cor de luz desejada (comprimento de onda especfico).
Funcionamento
A banda colorida relativamente estreita. A cor, portanto, dependente do cristal e da impureza de dopagem com que o componente fabricado. O led que utiliza o arsenieto de glio emite radiaes infravermelhas. Dopando-se com fsforo, a emisso pode ser vermelha ou amarela, de acordo com a concentrao. Utilizando-se fosfeto de glio com dopagem de nitrognio, a luz emitida pode ser verde ou amarela. Com o uso de outros materiais, consegue-se fabricar leds que emitem luz azul, violeta e at ultravioleta. Existem tambm os leds brancos, mas esses so geralmente leds emissores de cor azul, revestidos com uma camada de fsforo do mesmo tipo usado nas lmpadas fluorescentes, que absorve a luz azul e emite a luz branca. Com o barateamento do preo, seu alto rendimento e sua grande durabilidade, esses leds tornam-se timos substitutos para as lmpadas comuns, e devem substitu-las a mdio ou longo prazo. Em geral, os leds operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo compatveis com os circuitos de estado slido. Como o led um dispositivo de juno P-N, sua caracterstica de polarizao direta semelhante de um diodo semicondutor. Sendo polarizado, a maioria dos fabricantes adota um "cdigo" de identificao para a determinao externa dos terminais A (anodo) e K (catodo) dos leds. Nos leds redondos, duas codificaes so comuns: identifica-se o terminal K como sendo aquele junto a um pequeno chanfro na lateral da base circular do seu invlucro ("corpo"), ou por ser o terminal mais curto dos dois. Existem fabricantes que adotam simultaneamente as duas formas de identificao. Nos leds retangulares, alguns fabricantes marcam o terminal K com um pequeno "alargamento" do terminal junto base do componente, ou ento deixam esse terminal mais curto. Os diodos emissores de luz so empregados tambm na construo dos displays alfanumricos. H tambm leds bi-colores, que so constitudos por duas junes de materiais diferentes em um mesmo invlucro, de modo que uma inverso na polarizao muda a cor da luz emitida de verde para vermelho, e vice-versa. Existem ainda leds bicolores com trs terminais, sendo um para acionar a juno dopada com material para produzir luz verde, outro para acionar a juno dopada com material para gerar a luz vermelha, e o terceiro comum s duas junes. O terminal comum pode corresponder interligao dos anodos das junes (leds bicolores em anodo comum) ou dos seus catodos (leds bi-colores em catodo comum). Embora normalmente seja tratado por led bicolor (vermelho+verde), esse tipo de led na realidade um "tricolor", j que alm das duas cores independentes, cada qual gerada em uma juno, essas duas junes podem ser simultaneamente polarizadas, resultando na emisso de luz alaranjada. Como o diodo, o LED no pode receber tenso diretamente entre seus terminais, uma vez que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja danificada. Assim, o uso de um resistor limitador em srie com o Led comum nos circuitos que o utilizam. Para calcular o valor do resistor usa-se a seguinte frmula: R = (Vfonte-VLED)/ILED, onde Vfonte a tenso disponvel, VLED a tenso correta para o LED em questo e ILED a corrente que ele pode suportar com segurana. Tipicamente, os LEDs grandes (de aproximadamente 5 mm de dimetro, quando redondos) trabalham com correntes da ordem de 12 a 30 mA e os pequenos (com aproximadamente 3 mm de dimetro) operam com a metade desse valor. Assim:
Adotamos I1 = 15 mA e I2 = 8 mA, Vfonte = 12 V, VLED = 2 V: R1 = (12 - 2)/0,015 = 10/0,015 = 680* R2 = (12 - 2)/0,008 = 10/0,008 = 1K2* Os LEDs no suportam tenso reversa (Vr) de valor significativo, podendo-se danificlos com apenas 5V de tenso nesse sentido. Por isso, quando alimentado por tenso C.A., o LED costuma ser acompanhado de um diodo retificador em antiparalelo (polaridade invertida em relao ao LED), com a finalidade de conduzir os semi-ciclos nos quais ele - o LED - fica no corte, limitando essa tenso reversa em torno de 0,7V (tenso direta mxima do diodo), um valor suficientemente baixo para que sua juno no se danifique. Pode-se adotar tambm uma ligao em srie entre o diodo de proteo e o LED.