Materiais Eltricos Prof.

Wanir Medeiros

Eletrnica: cincia do movimento de cargas eltricas num gs, vcuo ou semicondutor;

Dispositivos semicondutores:
Transistores e diodos; Termistores, fotocondutores, varistores; Tiristores, TRIAC e FET; Circuitos integrados (estado slido).

Semicondutor: material com concentrao de portadores livres entre a dos condutores e a dos isolantes.
Semicondutores mais comuns:
Germnio (Ge); Silcio (Si); Arsenieto de Glio (GaAs).

Estrutura de um cristal de silcio:

Possui 4 eltrons na camada de valncia;

Comporta-se como isolante a -273C:

Ligao estvel:
(8 eltrons na camada de valncia)
CRISTAL DE SILCIO

Semicondutor Intrnseco:
Recebendo calor e temperatura ambiente (20C) alguns eltrons deixam a ligao covalente (criando as lacunas) e passando a existir eltrons livres. n de eltrons = n de lacunas: n = p
CRISTAL DE SILCIO INTRNSECO

Em metais n no varia com T

Em metais qualquer perturbao faz as cargas se deslocarem Em semicondutores n varia com T Em semicondutores os portadores precisam ser criados com gasto finito de energia

Isolantes e semicondutores ( aumento do nmero de portadores )

portadores constante com T )

Temperatura

Metais ( nmero de

Gerao de pares eltron-lacuna:

Calor; Feixe de luz sobre a superfcie.

Semicondutor extrnseco: quando so introduzidas impurezas num cristal semicondutor, que produza predomnio de portador de carga (dopagem).

Impurezas:
Pentavalente (impurezas doadoras ou tipo N):
Produzem eltrons na banda de conduo. Arsnio (As), Antimnio(Sb) e o fsforo(P).

Trivalente (impurezas aceitadoras ou tipo P):

Produzem lacunas na banda de valncia. Alumnio(Al), Boro(B), ndio(In) e o Glio(Ga).

Semicondutor tipo N:
Portadores majoritrios: eltrons Portadores minoritrios: lacunas

Eltron livre do Arsnio

Semicondutor tipo P:
Portadores majoritrios: lacunas Portadores minoritrios: eltrons

Movimento dos eltrons e das lacunas nos semicondutores tipo N:

Eltrons

Eltrons

Lei da Ao de Massa:
Intrnseco: n = p = ni -> ni^2 = n x p Extrnseco: n p (predominncia de um portador n ou p)
n = nmero de eltrons p = nmero de lacunas ni = nmero de portadores do mat. intrnseco

Efeito Hall:
Aparecimento de um campo eltrico E quando um metal ou semicondutor, conduzindo uma corrente I, imerso em um campo magntico B uniforme e transversal corrente; Pode-se determinar se o material do tipo N ou P;

SEMICONDUTOR TIPO P

So semicondutores que se comportam como resistores variveis com a temperatura; Tipo:

NTC Coeficiente de temperatura negativo:
T R

PTC Coeficiente de temperatura positivo:

T R

PTC

NTC

Fotorresistores ou fotocondutores:
So semicondutores que diminuem sua resistividade com a incidncia de luz;

LDR Light Dependent Resistor

Corrente de difuso ocorre devido a uma concentrao no uniforme de portadores de carga num material. Devido diferena de concentrao de lacunas, ocorre um transporte resultante de lacunas no sentido positivo de X, chamada de corrente de difuso.

Juno de um substrato tipo P e outro tipo N. A diferena de concentraes de portadores provoca uma diferena de potencial (Barreira de potencial).