ELETRNICA 1

Transistor Bipolar de Juno (TBJ)

Enes Gonalves Marra Escola de Engenharia Eltrica e de Computao UFG Engenharia de Computao

2. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNO (TBJs) 2.1. Introduo

Bibliografia: Livro Microeletrnica (autores: Sedra e Smith) 5 ed. Captulo 1 (itens 1.4, 1.5 e 1.6) e Captulo 5 TBJs um dispositivo semicondutor formado por duas junes PN e tem comportamento no-linear A linearizaro do TBJ pode ser feita atravs de um modelo de pequenos sinais Modelo de Pequenos Sinais: a soma do efeito de grandezas de polarizao (grandezas cc) com grandezas do sinal varivel (variaes incrementais, ou pequenos sinais, em torno do ponto de polarizao) As relaes entre as grandezas variveis (pequenos sinais) so lineares: circuito equivalente linear

2.2. Estrutura dos Transistores Bipolares de Juno

Transistor NPN

Transistor PNP

Modos de Operao do TBJ

Modo Corte Ativo Saturao JEB Reversa Direta Direta JCB Reversa Reversa Direta

Operao na Regio Ativa - npn

iE = iC + iB

iC = iE iB

iB = iB1 + iB 2

Operao na Regio Ativa - pnp

iE = iC + iB

iC = iE iB

iB = iB1 + iB 2

 Resumo das relaes corrente-tenso para TBJ no modo ativo

iC = I S e iC iB = = iC iE = = iC = iE

v BE / VT

IS

Para o transistor pnp, substituir vBE por vEB

v BE / VT

VT = kT / q 25 mV
temperatura ambiente (293 K)

IS

v BE / VT

iE = iC + iB

= 1

iC = iB

iE iB = (1 )iE = +1 iE = ( + 1)iB

+1

 Exemplo 1 (exemplo 5.1 Sedra/Smith 5 ed.) O TBJ da figura tem = 100 e exibe vBE = 0,7 V quando iC = 1 mA. Projetar o circuito de modo que uma corrente de 2 mA circule pelo coletor e a tenso de coletor seja +5 V. Resposta: RC = 5 k e RE = 7,07 k

 Exemplo 2 (exerccio 5.11 Sedra/Smith 5 ed.) No circuito da figura, as medies indicam VB = +1 V e VE = +1,7 V. Quais so os valores de e para este transistor? Qual o valor de VC no coletor? (obs: no h nada conectado aos pontos VE, VC e VB, alm dos medidores de tenso).
Resposta: 0,994; 165; 1,75 V.

 Conveno de notao

iC (t ) = I C + ic (t )

Grandezas instantneas totais: smbolo minsculo com ndice maisculo (iC) Grandezas em corrente contnua (cc): smbolo maisculo com ndice maisculo (IC) Grandezas incrementais (variaes): smbolo minsculo com ndice minsculo (ic(t)) Valor de pico da grandeza incremental (medido a partir do valor cc): smbolo maisculo com ndice minsculo (Ic) (valor de pico de ic(t))

Representao Grfica das Caractersticas do TBJ

vBE muda de -2 mV/oC

Efeito Early

iC = I S e

v BE / VT

vCE (1 + ) VA
1

i r0 C vCE

v BE = const .

VA rO IC

2.3. Anlise cc de Circuitos com TBJ na Regio Ativa

Normalmente aproxima-se vBE para 0,7 V Considera-se que varia pouco para grandes variaes de Em alguns casos considera-se = 1, ou seja

iC = iE

Exemplos 5.7; 5.8; 5.10 at 5.12 (Sedra/Smith 5 ed.)

2.4. Polarizao de TBJ para Projetos de Circuitos Discretos

Estabelecer uma corrente de polarizao, ICC, previsvel, calculvel, insensvel s variaes de temperatura e s grandes variaes de em transistores do mesmo tipo. Permitir a mxima excurso da sada no plano iC - vCE. Abordagem para circuitos discretos.

Polarizao Usando uma Fonte de Alimentao Simples

VBB

R2 VCC = R1 + R2

R1 R2 RB = R1 + R2 VBB VBE IE = RE + RB ( + 1)
Alimenta-se a base a partir de um divisor resistivo Conexo do resistor RE ao emissor para dar estabilidade

VBB Projeta-se para que VBB >> VBE e RE >> RB ( + 1) , assim I E RE evitando-se instabilidades produzidas por variaes trmicas de VBE e por variaes de .

2.5. Anlise Grfica do Projeto de Amplificadores com TBJ

VCC vCE iC = RC RC

iB =

VBB vBE RB RB

VCC vCE Reta de Carga: iC = RC RC VBB vBE Reta de Carga: iB = RB RB

O ponto Q deve estar no centro da regio ativa para permitir a mxima excurso do sinal

 O ponto QA corresponde a um VCE muito prximo de VCC, limitando a excurso positiva de vCE (prximo ao corte). O ponto QB corresponde a um VCE muito prximo da saturao, limitando a excurso negativa de vCE.

 Regras prticas: Alta queda em RC para permitir grande excurso da sada antes do corte; e alto valor de VCE para permitir grande excurso da sada antes da saturao (requisitos conflitantes), levando regra prtica

VBB VCE RC I C 1 3VCC

IE insensvel s variaes de requer baixo valor para RB , que, por outro lado leva a baixos valores para R1 e R2, que resulta em alta corrente drenada da fonte e baixa resistncia de entrada (requisitos conflitantes), tipicamente escolhe-se R1 e R2, tal que a corrente nestes resistores esteja entre IE e 0,1IE. Exemplo 5.13 e exerccio 5.32 (Sedra/Smith 5 ed.)

Polarizao Usando Duas Fontes de Alimentao

VEE VBE IE = RE + RB ( + 1)

Configurao mais simples, porm requer duas fontes RB pode ser eliminado na configurao base comum (base aterrada) RB necessria se a entrada for acoplada base (configuraes emissor comum ou coletor comum) Exerccio 5.33 (Sedra/Smith 5 ed.)

Arranjo Alternativo com uma Fonte de Alimentao Simples

VCC VBE IE = RC + RB ( + 1)
VCB RB = I B RB = I E +1

Arranjo simples que requer uma nica fonte Arranjo apropriado para configurao emissor comum RB produz realimentao e tem ao de estabilizao Regra: para obter IE insensvel a , faz-se Exerccio 5.34 (Sedra/Smith 5 ed.)

RB/(+1) << RC

Polarizao usando uma Fonte de Corrente

I = I REF

VCC + VEE VBE = R

Corrente de emissor, IE, independe de e de RB Q1 comporta-se como um diodo e VBE igual em Q1 e Q2, produzindo a mesma corrente de coletor nos dois transistores Idealmente, Q1 e Q2 so idnticos (mesmos parmetros) Fonte de corrente: espelho de corrente Exerccio 5.35 (Sedra/Smith 5 ed.)
Sugesto de exerccios: 5.1 at 5.4; 5.10; 5.11; 5.22 at 5.35 (Sedra/Smith 5 ed.)

2.6. Modelos de Circuitos para Amplificadores

Amplificadores de Tenso

vo Avo = vi
circuito aberto

io = 0

RL vo = Avo vi RL + Ro vo RL Av = = Avo RL + Ro vi
Av o ganho de tenso

Avo o ganho de tenso em

Ri vo RL = Avo Ri + Rs RL + Ro vs
Exemplo 1.3 (Sedra/Smith 5 ed.)

vo/ vs o ganho global de tenso

Seja o amplificador de trs estgios abaixo. Determinar o ganho de tenso total (vL/ vs), o ganho de corrente (Ai=io/ ii) e o ganho de potncia.

Modelos de Circuitos para Amplificadores

Tipo
Amplificador de tenso

Modelo do Circuito

Parmetro de ganho
Ganho de tenso em circuito aberto

Caractersticas ideais

Amplificador de corrente

Ganho de corrente em curto-circuito

Amplificador de transcondutncia Transcondutncia em curto-circuito

Amplificador de Transresistncia

Transresistncia em circuito aberto

Parmetros: Ro; Ri; Avo; Ais; Gm e Rm

Relaes entre os diversos modelos

Amplificador de tenso e amplificador de corrente:

Ro Avo = Ais ( ) Ri
Amplificador de tenso e amplificador de transcondutncia:

Avo = Gm Ro
Amplificador de tenso e amplificador de transresistncia:

Rm Avo = Ri
Todos os demais parmetros de todos os modelos de amplificadores podem ser interrelacionados atravs das equaes anteriores.
Sugesto de exerccios: exemplo 1.4; resolver exerccios 1.11 at 1.20
(Sedra/Smith 5 ed.)

2.7. O Transistor Bipolar de Juno como Amplificador

Polarizado na regio ativa com uma corrente de coletor, IC, constante Em emissor comum, considera-se o sinal de entrada como vbe, sobreposto ao valor constate de polarizao, VBE, vBE = VBE + vbe

vBE = VBE + vbe

iC = I S e
vbe VT

v BE VT

iC = I S e

VBE VT

ISe

= IC e

vbe VT

vbe IC iC I C (1 + ) = I C + vbe VT VT IC ic = vbe = g m vbe VT

iC gm = vBE
iC = I C

IC gm = VT

Aproximao vlida para gm a transcondutncia

vbe 10mV

1 IC vbe iB = = + VT iB = I B + ib gm 1 IC ib = vbe = vbe VT vbe VT r = = = ib gm I B

r a resistncia de entrada da base

iC

IC

vbe 1 1 IC re = iE = = vbe + VT ie gm gm vbe = ib r = ie re re = ( + 1)r re a resistncia de emissor iC IC

Exerccio 5.37

Ganho de Tenso
Seja o circuito da figura

vC = VCC iC RC vC = VCC ( I C + ic ) RC vC = (VCC I C RC ) ic RC vC = VC ic RC

VC a componente de polarizao e vc a componente de sinal

vc = ic RC = g m vbe RC vc = ( g m RC )vbe vc Ganho de tenso = g m RC vbe

Exerccio 5.38

Modelos de Circuitos Equivalentes para Pequenos Sinais

As tenses cc (tenses de polarizao, Vcc, VCE, VEE, VB, VC, VE) so substitudas por curto-circuitos (anuladas) As correntes cc (correntes de polarizao, Icc, IB, IC, IE) so substitudas circuitos abertos (anuladas) Apenas as componentes de sinais de tenso e de corrente (ditas componentes ca, ou de pequenos sinais ou incrementais, ic, ib, ie, vbe, vce, ve, vb, vs) so consideradas no circuito equivalente

Modelo -Hbrido Simplificado

vbe vbe ie = + g m vbe = (1 + g m r ) r r vbe r ie = (1 + ) = vbe 1+ r

g m vbe = g m (r ib ) = ( g m r )ib g m vbe = ib

vbe ie = re

r re = 1+

Modelo T

vbe vbe ib = g m vbe = re re vbe vbe (1 ) = ib = re re vbe vbe = ib = ( + 1)re r

(1 g m re ) 1 +1

g m vbe = g m (reie ) = ( g m re )ie g m vbe = ie

r = (1 + )re

Passos para Aplicao dos Modelos Equivalentes para Pequenos Sinais:

1) Determinar o ponto de operao cc, em particular IC 2) Clculo dos parmetros: g m = I C VT ; r = g m e re = VT I E = g m 1 g m 3) Eliminar as fontes cc, substituindo fontes de tenso por curtocircuito e fontes de corrente por circuito aberto 4) Substituir o TBJ pelo modelo mais conveniente, dependendo do circuito as ser analisado 5) Analisar o circuito para determinar as grandezas de interesse, como por exemplo, ganho de tenso, resistncia de entrada, ganho de corrente, resistncia de sada, rendimento, etc Exemplos 5.14 at 5.16

Figuras para o exemplo 5.15

Figuras para o exemplo 5.16

Incluso do Efeito Early no Modelo -Hbrido

rO

VA IC
v BE / VT

Efeito Early: a corrente de coletor, iC, passa a depender de vCE):

iC = I S e

vCE (1 + ) VA

vbe passa a ser denominado v , de acordo com a literatura da rea O ganho de tenso reduzido, pois tem-se vo = g m vbe ( RC // rO ) O efeito de rO pode ser desconsiderado se rO > 10 RC vbe Os modelos T tambm podem ser modificados para incluir o efeito Early, com a incluso de rO entre coletor e emissor

Parmetros do modelo para pequenos sinais do TBJ

Em termos das correntes de polarizao cc:

IC gm = ; VT

VT VT = ( ); re = IE IC

VT VT = ( ); r = IB IC

VA rO IC

Em termos de gm:

re =

gm

r =

gm 1 1 gm + = r re

Em termos de re:

gm =

re

r = ( + 1)re ;

Relaes entre e :

= ; 1

+1

1 ; +1 = 1
Exerccio 5.41

2.8. Configuraes Bsicas de Amplificadores com TBJ

Configuraes bsicas de amplificadores em estgio simples com TBJ (um nico estgio): Emissor Comum (EC) com e sem resistncia de emissor; Base Comum (BC); e Coletor Comum (CC)

Amplificador em Emissor Comum (EC)

Polarizado com fonte de corrente e um capacitor de passagem, CE, conectando o emissor terra Os capacitores de acoplamento CC1 e CC2 servem de curto-circuito para os sinais e de circuito aberto para as componentes de polarizao cc

Ri a resistncia de entrada do amplificador vb vi Ri = RB // Rib sendo Rib = ib ii Para o emissor aterrado resulta Rib = r logo Ri = RB // r = RB //( + 1)re
Geralmente escolhe-se

RB >> r assim Ri = r = ( + 1)re

v ( RB // r ) que para RB >> r resulta = vs ( RB // r ) + Rs

v r = vs r + Rs

Av = vo / vi sendo v = vi e na sada Av = g m (ro // RC // RL )

Avo o ganho de tenso em circuito aberto (Ri = )

Avo = g m (ro // RC )
O efeito Early pode ser desconsiderado na maior parte dos casos e tipicamente ro >> RC resultando Avo = g m RC

Ro a resistncia de sada (obtida pelo equivalente de Thvenin) Ro = RC // ro e para ro >> RC resulta Ro RC

possvel constatar que

RL Av = Avo RL + Ro

Gv o ganho global de tenso (vo/vs )

vo ( RB // r ) Gv = = g m (ro // RC // RL ) vs ( RB // r ) + Rs ( RC // RL // ro ) Para RB >> r resulta Gv r + Rs

ios = g m Ri Ais o ganho de corrente em curto-circuito: Ais = ii

Caractersticas da configurao EC: elevados ganhos de tenso e corrente; resistncia de entrada relativamente baixa e a resistncia de sada relativamente elevada (desvantagens da configurao EC) Exerccio 5.43

Amplificador em Emissor Comum (EC) com Re

Polarizado com fonte de corrente, um capacitor de passagem, CE, conectando o emissor terra e resistncia de emissor, Re

A resistncia de efeito Early est desconsiderada ro

vi Ri = RB // Rib ii

vi = ie (re + Re ) ie ib = (1 )ie = +1
Resistncia refletida

( RC // RL ) Av re + Re
sem carga:

Avo =

RC
re + Re

vi Rib = ( + 1)(re + Re ) ib Ri (c / Re ) ( + 1)(re + Re ) = Ri ( s / Re ) ( + 1)re Ri (c / Re ) Re = 1+ 1 + g m Re Ri ( s / Re ) re vo = ie ( RC // RL ) ( RC // RL ) vo Av = vi re + Re

RC g m RC Avo = = re 1 + Re / re 1 + Re / re g m RC Avo 1 + g m Re v re 1 = vi re + Re 1 + g m Re
A incluso de Re eleva Ri de (1+gmRe), e reduz o ganho de tenso pelo mesmo fator.

Ro a resistncia de sada (obtida Ro = RC pelo equivalente de Thvenin):

O ganho de corrente em cc, Ais, obtido de ios

= ie e ii = vi / Ri

Ri ie ( RB // Rib ) ios Ais = = ii vi re + Re ( + 1)(re + Re ) = Para RB >> r resulta Ais = re + Re vi Ri = vs Ri + Rs

Ri ( RC // RL ) vo vi Gv = Av = Rs + Ri re + Re vs vs

( RC // RL ) Gv Rs + ( + 1)(re + Re )

Caractersticas da configurao EC com Re: Resistncia de entrada, Ri, aumenta e o ganho de tenso diminui de (1+gmRe). A entrada pode ser aumentada de (1+gmRe) vezes sem distoro O ganho de tenso menos dependente de O ganho de tenso menos dependente de A resposta em freqncia melhorada Re: resistncia de degenerao de emissor (realimentao negativa) Exerccio 5.44

Amplificador em Base Comum (BC)

Amplificador com Base Comum (BC) ou com base aterrada

vi Ri = re ii

vo = ie ( RC // RL )

vi ie = re vo Av = ( RC // RL ) vi re Av = g m ( RC // RL )
sem carga:

Avo = g m RC

io ie = Ais = ii ie vi Ri re = = vs Ri + Rs Rs + re vo re g m ( RC // RL ) Gv = vs Rs + re ( RC // RL ) Gv = Rs + re

Ro (resistncia de sada por equivalente de Thvenin): Ro = RC

A ausncia de ro tem pouco efeito nos clculos Caractersticas da configurao BC: ganho de corrente igual a (prximo de 1); baixa resistncia de entrada; excelente resposta em freqncia; e aplicao como buffer para altas impedncias de sada Exerccio 5.45 e 5.46

Amplificador em Coletor Comum (CC)

ro influencia significativamente o desempenho deste amplificador

Rib = ( + 1)[re + (ro // RL )] vi Ri = RB // Rib ii vo (ro // RL ) Av = vb re + (ro // RL )

Para encontrar o ganho global, Gv, utiliza-se o equivalente de Thvinin na malha de entrada do circuito

vb ( + 1)[re + (ro // RL )] RB = vs Rs + RB Rs // RB + ( + 1)[re + (ro // RL )] vb vo Gv = Av vs vs (ro // RL ) ( + 1)[re + (ro // RL )] RB Gv = Rs + RB re + (ro // RL ) Rs // RB + ( + 1)[re + (ro // RL )] ( + 1)(ro // RL ) RB Gv = Rs + RB Rs // RB + ( + 1)[re + (ro // RL )]
que pode ser reescrito como:

RB Gv = Rs + RB

Rs // RB ( +1)

(ro // RL ) + [re + (ro // RL )]

O caso mais comum ocorre para RB >> Rs e ro >> RL , resultando em:

RL Gv = Rs ( +1) + re + RL RB O ganho global sem carga dado por: Gvo = Rs + RB

Rs // RB ( +1)

ro + re + ro

O amplificador pode ser representado pelo equivalente de Thvinin e a resistncia equivalente a resistncia de sada Ro:

Ro = ro //[

Rs // RB ( +1)

+ re ]

re+(Rs // RB)/(+1)

em geral ro >>

Ro

Rs // RB ( +1)

+ re

Mxima excurso permissvel

Vo =I RL

Vo = IRL

= IRL Vs Gv

Caractersticas da configurao CC: Elevada resistncia de entrada, Ri e baixa resistncia de sada, Ro Ganho de tenso menor e prximo da unidade ( 1) e ganho de corrente elevado A resposta em freqncia melhorada e operao linear para uma ampla faixa de excurso Seguidor de tenso atua como isolador (buffer) Freqentemente empregado como ltimo estgio de amplificadores com mltiplos estgios Exerccio 5.47

Emissor Comum (EC)

Ri = RB // r = RB //( + 1)re

Av = g m (ro // RC // RL )

Ro = RC // ro

vo ( RB // r ) Gv = = g m (ro // RC // RL ) vs ( RB // r ) + Rs Gv

( RC // RL // ro )
r + Rs

Ais = g m Ri =

Emissor Comum (EC) com resistncia de emissor (Re )

Desconsiderando se ro : Rib = RB //( + 1)(re + Re )
Ro = RC

Av =

( RC // RL )
re + Re

g m ( RC // RL ) 1 + g m Re

( RC // RL ) Gv Rs + ( + 1)(re + Re )

v 1 vi 1 + g m Re

Base Comum (BC)

Desconsiderando se ro : Rib = re
Ro = RC

Ais =

Av = g m ( RC // RL )

Gv =

( RC // RL )
Rs + re

Coletor Comum (CC) ou seguidor de emissor

Desconsiderando se ro :

Ri = RB //( + 1)[re + (ro // RL )

(ro // RL ) Av = (ro // RL ) + re

RB Gv = Rs + RB
Ais + 1

Rs // RB ( +1)

(ro // RL ) + [re + (ro // RL )]

Ro = ro //[ R(s//+R)B + re ] 1

2.9. TBJ como Chave Operao no corte e na saturao

Este tpico ser tratado com base na 4 ed. do livro Microeletrnica (Sedra/Smith) item 4.12 (captulo 4 pginas 281 at 289).

Regio de corte:

I B = 0;

I E = 0;

I C = 0; VC = VCC

A saturao ocorre quando a juno Coletor-Base polarizada diretamente com tenso VCB < 0,4 V (figura)

iC = I S e

v BE / VT

IS

e vBC / VT

Modelo do TBJ na regio de saturao

Regio de saturao:

I B (min) = I B ( EOS ) I Csat min I B ( EOS ) I Bsat = I Esat I Csat VCEsat 0,2 V I Csat VCC VC RC

VBEsat 0,7 V ; VBCsat 0,5V I Csat forado = IB

forado

o fator de saturao forada

(ou fator forado, ou overdrive factor) EOS o limiar de saturao (edge of saturation)

CARACTERSTICAS DA REGIO DE SATURAO: Adota-se VBC +0,5 V; VBE +0,7 V e VCE +0,2 V para o TBJ NPN O comportamento do TBJ aproxima-se ao de uma chave fechada A corrente de coletor iC reduzida com o aumento de vBC, reduzindo o ganho de corrente forado < min e o fator forado dado por /forado A menor corrente de base para tornar possvel a saturao IB(EOS) = ICsat/min sendo ICsat = (VCC VCEsat)/RC Na saturao IBsat = ICsat/forado Exemplos 4.13 at 4.16 (Sedra/Smith 4 ed. pg. 285 at 289)

Sugesto de Exerccios para Resolver Refazer todos os exemplos do captulo sem consultar a soluo e depois conferir os resultados e/ou a soluo Microeletrnica (Sedra ; Smith 5 ed.) Exerccios distribudos ao longo do texto: 5.1 at 5.4; 5.22 at 5.47 (polarizao e operao na regio ativa) Microeletrnica (Sedra ; Smith 4 ed.) Exerccios distribudos ao longo do texto: 4.35; 4.36 e 4.37. Problemas propostos no fim do captulo: 4.38; 4.39 e 4.40 Pginas da internet para consulta www.eee.ufg.br/~enes www.prenhall.com/sedra_br www.sedrasmith.org