Nao Lineares

Caderno Universitrio
1 semestre de 2008
Eletroeletrnica Industrial I
Circuitos no-lineares
Por
Joo Carlos Vernetti dos Santos
CONTEDO 1 2 INTRODUO..........................................................................................................................6 CIRCUITOS NO LINEARES................................................................................................7 2.1 Diodos semicondutores .............................................................................................. 7 2.1.1 Aspectos construtivos ..................................................................................................8 2.1.2 Polarizao direta.........................................................................................................9 2.1.3 Polarizao reversa ....................................................................................................10 2.1.4 Curva caracterstica do diodo.....................................................................................11 2.1.5 Tipos de diodos ..........................................................................................................11 2.1.6 Reta de carga..............................................................................................................12 2.1.7 Aproximaes do diodo .............................................................................................14 2.1.8 Diodo emissor de luz (LED) ......................................................................................17 2.1.9 Fotodiodo ...................................................................................................................18 2.1.10 Retificadores ..............................................................................................................19 2.1.11 Diodo Zener e estabilizao de tenso.......................................................................24 2.1.12 Exerccios...................................................................................................................27 2.2 Transistores de juno bipolares (TJB).................................................................... 29 2.2.1 TJB - Aspectos construtivos ......................................................................................29 2.2.2 TJB - Princpio de funcionamento e curva caracterstica ..........................................30 2.2.3 TJB - Configuraes bsicas......................................................................................32 2.2.4 TJB - Polarizao .......................................................................................................33 2.2.5 TJB - Outras caractersticas .......................................................................................35 2.2.6 Exerccios...................................................................................................................36 2.3 Transistores de efeito de campo............................................................................... 38 2.3.1 JFET - Aspectos construtivos ....................................................................................38 2.3.2 JFET - Curva caracterstica e funo de transferncia...............................................40 2.3.3 MOSFET Aspectos construtivos.............................................................................44 2.3.4 MOSFET tipo depleo Curvas caractersticas e curva de transferncia ...............46 2.3.5 MOSFET tipo intensificao Aspectos construtivos ..............................................48 2.3.6 MOSFET tipo intensificao Curvas caractersticas e curva de transferncia .......49 2.3.7 JFET Polarizao ....................................................................................................53 2.3.8 Exerccios...................................................................................................................57 2.4 Amplificadores operacionais.................................................................................... 60 2.4.1 Amplificador no-inversor.........................................................................................61 2.4.2 Amplificador inversor ................................................................................................62 2.4.3 Amplificador diferena ..............................................................................................63 2.4.4 Amplificador somador inversor .................................................................................64 2.4.5 Amplificador somador no-inversor ..........................................................................66 2.4.6 Seguidor de tenso .....................................................................................................66 2.4.7 Fontes Controladas.....................................................................................................67 2.4.8 Exerccios...................................................................................................................68 CONSIDERAES FINAIS ..........................................................................................................71 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS...........................................................................................72
ELETROELETRNICA INDUSTRIAL I
Prof. Joo Carlos Vernetti dos Santos
NDICE DE FIGURAS Figura 2.1 - Diagrama simplificado do cristal do silcio......................................................................7 Figura 2.2 - Silcio tipo N. ...................................................................................................................8 Figura 2.3 - Silcio tipo P. ....................................................................................................................8 Figura 2.4 Juno PN. ........................................................................................................................9 Figura 2.5 Smbolo do diodo. ...........................................................................................................9 Figura 2.6 Diodo (juno PN) com polarizao direta. ..................................................................10 Figura 2.7 - Diodo (juno PN) com polarizao reversa..................................................................10 Figura 2.8 - Curva caracterstica do diodo.........................................................................................11 Figura 2.9 - Tipos de diodos e simbologia.........................................................................................12 Figura 2.10 - Circuito com diodo para determinao da reta de carga. .............................................13 Figura 2.11 - Pontos de saturao e de corte para um diodo. ............................................................13 Figura 2.12 Primeira aproximao do diodo...................................................................................15 Figura 2.13 Segunda aproximao do diodo...................................................................................15 Figura 2.14 Terceira aproximao do diodo. ..................................................................................15 Figura 2.15 - Circuito de polarizao de LED. ..................................................................................17 Figura 2.16 Aspecto fsico de LED.................................................................................................18 Figura 2.17 Retificador de meia onda.............................................................................................19 Figura 2.18 Formas de onda do retificador de meia onda...............................................................20 Figura 2.19 Retificador de meia onda com capacitor. ....................................................................20 Figura 2.20 Forma de onda da tenso de sada do retificador de meia onda com filtro. ................21 Figura 2.21 Retificador de onda completa com dois diodos...........................................................21 Figura 2.22 Formas de onda do retificador de onda completa com dois diodos.............................22 Figura 2.23 Retificador de onda completa com quatro diodos em ponte. ......................................22 Figura 2.24 - Formas de onda do retificador de onda completa com quatro diodos..........................23 Figura 2.25 Retificadores de onda completa com filtro..................................................................23 Figura 2.26 Forma de onda da tenso de sada de retificadores de onda completa com filtro. ......24 Figura 2.27 Curva caracterstica de um diodo Zener. .....................................................................25 Figura 2.28 Fonte estabilizada. .......................................................................................................26 Figura 2.29 Estgio regulador de uma fonte estabilizada. ..............................................................26 Figura 2.30 Smbolo do transistor...................................................................................................30 Figura 2.31 - Curva IC em de VCE traada com IB constante. ............................................................31 Figura 2.32 Regies de corte e saturao de um transistor.............................................................32 Figura 2.33 Dados selecionados de transistores BD 135, 137 e 139 da Motorola..........................33 Figura 2.34 - Transistor representado como dois diodos contrapostos..............................................33 Figura 2.35 - Um transistor PNP polarizado adequadamente............................................................34 Figura 2.36 Um transistor NPN polarizado com uma nica fonte de tenso..................................34 Figura 2.37 Diferena bsica entre transistores TJB e FET............................................................38 Figura 2.38 - Esquema simplificado de um transistor de efeito de campo. .......................................39 Figura 2.39 - JFET de canal n submetido a uma tenso positiva entre dreno e fonte........................39 Figura 2.40 - Smbolo do transistor JFET..........................................................................................40 Figura 2.41 - Curva da corrente de dreno em funo da tenso VDS. ................................................40 Figura 2.42 - JFET de canal n com tenso negativa entre porta e fonte. ...........................................41 Figura 2.43 - Exemplo de curvas caractersticas de um JFET de canal n..........................................41 Figura 2.44 - Ilustrao do mtodo grfico para obteno da curva de transferncia do JFET.........42 Figura 2.45 - Regio de operao de uma configurao de amplificao linear com JFET..............44 Figura 2.46 - Esquema bsico do MOSFET tipo depleo de canal n...............................................45 Figura 2.47 - Esquema bsico do MOSFET tipo depleo de canal n...............................................45 Figura 2.48 - Smbolo de MOSFET de depleo de (a) canal n e (b) canal p. ..................................46 Figura 2.49 - MOSFET tipo depleo de canal n com VDS positiva e VGS = 0 V. ............................46
Figura 2.50 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo depleo de canal n. ....................................................................................................................................................47 Figura 2.51 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo depleo de canal p. ....................................................................................................................................................48 Figura 2.52 - Esquema bsico do MOSFET tipo intensificao de canal n.......................................49 Figura 2.53 - Smbolo de MOSFET de intensificao de (a) canal n e (b) canal p. ..........................49 Figura 2.54 - Formao do canal no MOSFET tipo intensificao de canal n. .................................50 Figura 2.55 - Curvas caractersticas de um MOSFET tipo intensificao de canal n........................50 Figura 2.56 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo intensificao de canal n. .......................................................................................................................................52 Figura 2.57 - Polarizao fixa: (a) circuito completo; (b) circuito para anlise dc............................54 Figura 2.58 Determinao do ponto de operao de um JFET com polarizao fixa. ...................54 Figura 2.59 - Autopolarizao: (a) circuito completo; (b) circuito para anlise dc. ..........................55 Figura 2.60 - Determinao do ponto de operao de um JFET com autopolarizao. ....................56 Figura 2.61 O amplificador operacional ideal. ..................................................................................60 Figura 2.62 Amplificador no-inversor. .........................................................................................61 Figura 2.63 - Amplificador inversor. .................................................................................................62 Figura 2.64 - Amplificador diferena. ...............................................................................................64 Figura 2.65 - Amplificador somador inversor ...................................................................................65 Figura 2.66 - Amplificador somador no-inversor. ...........................................................................66 Figura 2.67 - Amplificador de ganho unitrio ...................................................................................66 Figura 2.68 - Fonte de corrente controlada por tenso. .....................................................................67 Figura 2.69 - Fonte de tenso controlada por corrente. .....................................................................67
NDICE DE TABELAS Tabela 2.1 - Exemplos de especificaes tcnicas de LEDs..............................................................18
FUNDAMENTOS DE ELETROELETRNICA I Prof. Joo Carlos Vernetti dos Santos
1 INTRODUO
Este caderno universitrio apresenta uma breve reviso terica de tpicos selecionados da Engenharia Eltrica, algumas tarefas para prticas de laboratrio e listas de exerccios aplicados na disciplina de Eletroeletrnica Industrial I. Este material objetiva complementar o contedo da disciplina apresentado em aula, orientar experimentos de laboratrio e recomendar bibliografias adequadas para esta disciplina. Para o bom desempenho nesta disciplina, recomenda-se alm da resoluo das tarefas e exerccios aqui propostos, o acompanhamento das aulas tericas e de laboratrio, bem como o imprescindvel estudo do contedo dos livros indicados na referncia bibliogrfica.
2 CIRCUITOS NO LINEARES
A maioria dos equipamentos eletrnicos utiliza componentes baseados semicondutores, os quais apresentam, via de regra, comportamento no linear, sendo caracterizados como dispositivos no lineares, como o diodo e o transistor. A seguir, so brevemente descritos alguns dos componentes usualmente empregados em sistemas eletroeletrnicos.
2.1 Diodos semicondutores

Grande parte dos componentes eletrnicos construda a partir de algum material semicondutor. Os materiais semicondutores possuem caractersticas intermedirias entre os materiais condutores e isolantes. O elemento qumico mais utilizado para formar semicondutores o silcio (Si), o qual possui quatro eltrons na camada de valncia (camada externa do tomo), sendo por isso chamado de elemento tetravalente. Um material formado apenas por silcio denominado semicondutor intrnseco e apresenta uma estrutura cristalina. Os tomos de silcio ficam ligados entre si atravs de ligaes covalentes (Figura 2.1). temperatura de zero Kelvin (273 C), no h eltrons livres e, por isso, o semicondutor intrnseco se comporta como um material isolante. medida que aumenta a temperatura, o semicondutor recebe energia trmica do meio, a qual provoca uma agitao trmica na estrutura do material, provocando igualmente o rompimento de algumas ligaes covalentes, originando o surgimento de eltrons livres (que no esto sujeitos fora de atrao do ncleo do tomo). Os tomos que perderam eltrons tornam-se ons. Os espaos vazios antes ocupados por eltrons so denominados lacunas ou buracos.
Figura 2.1 - Diagrama simplificado do cristal do silcio O semicondutor intrnseco utilizado para formar materiais do tipo N ou do tipo P, adicionando impurezas, ou seja, materiais de outros elementos qumicos. Este processo denominado dopagem. O semicondutor dopado chamado semicondutor extrnseco. O material do tipo N obtido atravs da adio de impurezas pentavalentes (elementos qumicos com 5 eltrons na camada de valncia) ao cristal de silcio. A Figura 2.2 ilustra a estrutura simplificada de um material tipo N dopado com o fsforo (P). Nesta figura, observa-se que o fsforo se acomoda perfeitamente na estrutura cristalina. Para cada tomo adicionado resultam quatro ligaes completas, um eltron livre e um on positivo (P+) fixado estrutura do cristal. O material passa a ter caractersticas doadoras, ou seja, tende a doar o eltron livre para ficar estvel. No material tipo N, os eltrons livres so os portadores de carga em maior nmero. Por isso, so chamados portadores majoritrios. As lacunas so portadores minoritrios.
Figura 2.2 - Silcio tipo N. O material do tipo P obtido adicionando-se impurezas trivalentes (elementos qumicos com trs eltrons na camada de valncia) ao cristal de silcio. A Figura 2.3 mostra a estrutura de um material tipo P, dopado com alumnio (Al). Como se observa, o alumnio tambm se acomoda bem na estrutura do cristal. Neste caso, resultam trs ligaes qumicas completas e uma quarta incompleta, a qual origina uma lacuna e um on negativo (P-) fixado na estrutura do cristal. O material passa a ter caractersticas receptoras, ou seja, tende a atrair eltrons para completar a quarta ligao. No material tipo P, as lacunas sero em maior nmero, sendo denominadas de portadores majoritrios. Alguns eltrons podero tornar-se livres a partir do fornecimento de energia externa, como a energia trmica do meio ambiente, possibilitando o rompimento de ligaes covalentes. Estes eltrons livres so denominados portadores minoritrios.
Figura 2.3 - Silcio tipo P.
2.1.1 Aspectos construtivos

A fabricao de componentes eletrnicos baseados em semicondutores requer a unio de materiais tipo P e tipo N, formando a chamada juno PN, como ilustra a Figura 2.4. Colocando terminais condutores em cada lado da juno PN e encapsulando o conjunto devidamente, forma-se o componente eletrnico conhecido como diodo de juno, ou simplesmente diodo.
ons negativos
ons positivos
+ + + + + + + + + + + + + + + +
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Barreira de juno
Figura 2.4 Juno PN. A Figura 2.5 mostra a simbologia do diodo e um exemplo de componente fsico. O terminal do lado P denominado nodo e o terminal do lado N, ctodo. O componente fsico possui uma tarja no lado N, indicando o terminal do ctodo.
Smbolo do diodo: P N nodo ctodo
Componente fsico: A K
Figura 2.5 Smbolo do diodo. No momento em que formada a juno PN, h um deslocamento de eltrons da regio N para a regio e, de modo similar, um deslocamento de lacunas da regio P para a regio N. Este processo origina uma corrente eltrica denominada corrente de difuso. Durante este processo, na regio prxima juno, eltrons e lacunas recombinam-se, tornando a regio neutra, sem carga eltrica. A regio de carga neutra passa a dificultar a passagem da corrente de difuso, de modo que a corrente cessa. Esta regio denominada barreira de potencial. A barreira vai aumentando, medida que vai ocorrendo a recombinao de eltrons e lacunas, at atingir um ponto de equilbrio, isolando os materiais P e N. A juno PN pode ser alimentada com uma tenso externa de dois modos: polarizao direta e polarizao reversa. A seguir, ambos os casos so brevemente descritos.
2.1.2 Polarizao direta

Na polarizao direta, a juno PN ou o diodo alimentado por uma bateria em que o plo positivo ligado ao lado P (nodo) e o plo negativo ligado ao lado N, conforme mostra a Figura 2.6. Neste caso, o plo positivo da fonte atrai os eltrons livres do lado N, cedendo energia suficiente para que eles venam a barreira de potencial, surgindo uma corrente de eltrons do plo
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negativo para o plo positivo. Para explicar o funcionamento de dispositivos semicondutores teoricamente, diz-se que criada simultaneamente uma corrente de lacunas do lado P para o lado N, vencendo igualmente a barreira de potencial. A juno PN assim polarizada apresenta caracterstica de condutor, com uma baixa resistncia hmica, da ordem de dezenas de ohms. Entre os terminais externos do dispositivo semicondutor surge uma diferena de potencial que, no caso de semicondutor de silcio, est situada entre 0,5 e 0,8 V.
+ + + + + + + + + + + + + + + +
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Figura 2.6 Diodo (juno PN) com polarizao direta.
2.1.3 Polarizao reversa

Na polarizao reversa, o terminal do lado P alimentado com o plo negativo de uma fonte de alimentao e o terminal do lado N conectado ao plo positivo da fonte, como indica a Figura 2.7. O plo positivo da fonte atrai os eltrons e o plo negativo, as lacunas. Como conseqncia, a barreira de potencial aumentada, impedindo a circulao de corrente de portadores majoritrios. Nesta configurao, o diodo no conduz, atuando como isolante devido alta resistncia hmica. Na verdade, h uma corrente de portadores minoritrios, denominada corrente de fuga, a qual pode ser desprezada na maioria das aplicaes, por ser muito pequena, da ordem de nanoamperes. Portanto, um diodo polarizado diretamente conduz corrente eltrica (baixa resistncia hmica) e com polarizao reversa no conduz (alta resistncia hmica).
+ + + + + + + + + + + + + + + +
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _
Figura 2.7 - Diodo (juno PN) com polarizao reversa.
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2.1.4 Curva caracterstica do diodo

A Figura 2.8 mostra a curva caracterstica de um diodo, da corrente em funo da tenso. O lado direito do eixo das correntes mostra o diodo operando com polarizao direta, em que s h conduo de corrente quando a tenso for superior barreira de potencial, denominada tenso de polarizao direta (VD). Para o diodo de silcio, o valor de VD de cerca de 0,7V. No lado esquerdo do eixo das correntes, a corrente praticamente nula at que determinado valor de tenso seja atingido (VRM). A partir da, a corrente de portadores minoritrios aumenta expressivamente at um valor limite, em um processo denominado avalanche. A tenso permanece praticamente constante. Este comportamento denominado efeito Zener. Esta propriedade dos diodos utilizada na estabilizao de tenso. Alguns diodos so especialmente fabricados para trabalharem com polarizao reversa na estabilizao de tenso, sendo denominados diodos Zener.
i(mA)
joelho da curva VRM VD tenso de ruptura v(V)
Figura 2.8 - Curva caracterstica do diodo. Os diodos, assim como todos os demais componentes eltricos e eletrnicos, possuem especificaes tcnicas que indicam valores limites de operao, tais como corrente direta mxima (IDM) e a tenso reversa mxima (VRM), as quais so fundamentais no dimensionamento de diodos em projetos de circuitos. No se deve ultrapassar a potncia mxima especificada pelo fabricante, pois provoca o aquecimento excessivo que danifica permanentemente diodo. Usualmente, a potncia mxima ou a corrente mxima especificada pelo fabricante. Os diodos so fabricados para aplicaes com pequenos sinais (potncia inferior a 0,5W) e diodos retificadores (potncias acima de 0,5W).
2.1.5 Tipos de diodos

Existem diferentes tipos de diodos que possuem caractersticas eltricas adaptadas execuo de determinadas funes. A Figura 2.9 apresenta os smbolos dos diferentes tipos de diodos. O dodo retificador normalmente utilizado para retificao (transformao de corrente bidirecional em corrente unidirecional) sendo muito utilizado para o processamento de sinais.O diodo Zener funciona na zona de avalanche e utilizado como referncia de tenso (a tenso varia pouco com a corrente nessa zona). Varistores, como j mencionado no item 2.1.1, possuem uma resistncia que varia fortemente com a tenso aplicada. So usados em osciladores cuja freqncia controlada por tenso. Os fotodiodos usam uma propriedade da juno pn comum a todos dispositivos semicondutores: quando a zona da juno recebe luz, formam-se pares de portadores de carga (eltron-lacuna) que geram uma tenso ou uma corrente no dispositivo. Existe, assim, uma converso optoeletrnica. Estes dispositivos so utilizados como detectores de luz, nas mais
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diversas aplicaes. Para certos tipos de materiais semicondutores, quando injetada uma corrente na juno do diodo, gerada radiao eletromagntica na faixa visvel do espectro ou regio do infravermelho, caracterizando uma converso eletro-ptica (uma converso ao contrrio daquela para fotodiodos). Alguns destes tipos de diodos so descritos com mais detalhes mais adiante. diodo retificador diodo Zener
diodo VARICAP
diodo tnel
diodo Schottky
diodo com caracterstica dependente da temperatura
fotodiodo
diodo emissor de luz (LED)
Figura 2.9 - Tipos de diodos e simbologia.
2.1.6 Reta de carga

A variao da corrente do diodo em funo da tenso em seus terminais tem uma forma quase exponencial. A expresso analtica da equao representa uma aproximao da corrente I do diodo,
V V e T 1 I = Is
(2.1)
em que Is a corrente de saturao (supe-se geralmente constante), V a tenso nos terminais do diodo e VT dada pela Equao 2.2:
VT = kT q
(2.2)
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em que q a carga do eltron, k a constante de Boltzman e T a temperatura absoluta. temperatura ambiente (300 K), VT igual cerca de 25mV. A expresso 2.1 uma equao transcendental, a qual no possui soluo analtica. Isto porque a tenso V funo da corrente I, ou seja, a incgnita I est presente em ambos os lados da equao. O comportamento no linear pode ser aproximado em certas aplicaes, conforme descrito mais adiante, no item 2.1.6. A determinao do ponto de operao (ou seja, os valores de tenso e corrente no diodo) pode ser obtida a partir de um procedimento que se assemelha obteno da equao de uma reta. O procedimento conhecido como reta de carga. Para compreender este procedimento, considere-se o circuito da Figura 2.10.
RS + VF ID + VD -
Figura 2.10 - Circuito com diodo para determinao da reta de carga. A corrente na malha pode ser calculada como
VR VF VD VF 1 = = VD RS RS RS RS
I=
(2.3)
A Equao 2.3 a equao de uma reta. No circuito, a corrente a mesma no resistor e no diodo. O valor mximo da corrente, denominado ponto de saturao, ocorre quando VD = 0 V. O valor mnimo de corrente que circula atravs do resistor e do diodo zero e denominado ponto de corte, quando VD a tenso de corte. Assim, possvel determinar o ponto de operao a partir da sobreposio da curva do diodo e a curva da reta de carga, como indica a Figura 2.11. Fazendo isso, obtm-se os valores de operao para o diodo: ID e VD. O ponto de operao tambm denominado ponto quiescente.
I corrente de saturao
ponto de opera o: (ID , VD) tens o de corte
ID VD
Figura 2.11 - Pontos de saturao e de corte para um diodo.
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EXEMPLO 2.1 Determinar o ponto de operao (ID, VD) para o diodo no circuito abaixo, cuja curva caracterstica aquela indicada ao lado do circuito.
I(mA)
RS = 100 + VF = 2V 20 12 0,78 2 V(V)
+ VD -
SOLUO: A corrente na malha pode ser calculada como
I=
VR VF VD VF 1 = = VD RS RS RS RS
No circuito, a corrente a mesma no resistor e no diodo. Para os dados do circuito, a corrente tem a seguinte expresso analtica:
I=
2 VD = 20mA 0,01 VD 100
O valor mximo da corrente, denominado ponto de saturao, ocorre quando VD = 0 V e vale 20mA. O valor mnimo de corrente que circula atravs do resistor e do diodo zero e 2 V. Assim, possvel determinar o ponto de operao a partir da sobreposio da curva do diodo e a curva da reta de carga, como indica a figura acima. Fazendo isso, obtm-se os seguintes valores de operao para o diodo: 12 mA e 0,78 V.
2.1.7 Aproximaes do diodo

A curva caracterstica do diodo necessria para analisar e projetar circuitos. No entanto, possvel utilizar aproximaes para simplificar os clculos. Existem trs aproximaes: (a) a primeira aproximao considera o diodo ideal, o qual se comporta como curtocircuito em polarizao direta e como circuito aberto em polarizao reversa (Figura 2.12); (b) a segunda aproximao leva em conta o fato que o diodo real apresenta uma queda de tenso de 0,7 V (Si) e 0,3 V (Ge), quando polarizado diretamente. Neste caso, o diodo substitudo por uma chave em srie com uma bateria de 0,7 V (Figura 2.13). (c) a terceira aproximao inclui a resistncia interna do diodo (RD), alm da chave em srie com uma bateria de 0,7 V (Figura 2.14).
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i sentido direto sentido reverso v Figura 2.12 Primeira aproximao do diodo. i
0,7V sentido direto sentido reverso 0,7V
v Figura 2.13 Segunda aproximao do diodo. i 0,7V
sentido direto
D
R 0,7V
sentido reverso
v Figura 2.14 Terceira aproximao do diodo.
EXEMPLO 2.2 No circuito abaixo, determinar se o diodo est conduzindo. Considerar a primeira aproximao do diodo.
5 + 12V + vD 12 + 10V -
10
SOLUO: Para determinar a condio do diodo ideal, considere-se inicialmente que o diodo no conduz. O circuito abaixo representa est situao, em que o diodo substitudo por um circuito aberto:
5 + 12V + 8V + vD -

12 + 10V -
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10
Nesta condio, como no circula corrente na malha direita, pode-se calcular a tenso no resistor de 10 aplicando divisor de tenso, resultando 8V, como indicado na figura acima. Aplicando LKV na malha direita, resulta a seguinte expresso (como no circula corrente, a tenso sobre o resistor de 12 zero):
8 + v D + 10 = 0
Assim, a tenso sobre o diodo vD = -2V. Como vD < 0, o diodo no conduz. importante observar que este resultado tambm obtido, se a suposio inicial for que o diodo est conduzindo.
EXEMPLO 2.3 Utilizar a segunda aproximao para determinar a corrente do diodo no circuito abaixo.
RS 5k + 10V -
SOLUO: Como o diodo est polarizado diretamente, funciona como se fosse uma chave fechada em srie com a fonte de tenso, como mostra o circuito abaixo.
RS 5k + 10V + 0, 7V -
Assim, a corrente do diodo pode ser calculada como segue: I D = I RS = VF VD 10 0,7 = = 1,86mA RS 5k
EXEMPLO 2.4 No circuito abaixo, determinar o valor de VF para o qual o diodo comea a conduzir. Usar a segunda aproximao do diodo.
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1,2k + VF + 2V -
600
SOLUO: A figura abaixo mostra o circuito com o modelo do diodo.

+ V D - +0,7V- 1, 2k + VF + 2V -
600
Quando o valor de VF negativo ou menor do que zero, seguro supor que o diodo no conduz. Supondo que o diodo est aberto inicialmente, obtm-se a seguinte expresso aplicando LKT malha esquerda:
V F + 0,7 + 2 + V D = 0
Ou seja, VD = VF 2,7, ou seja, VF 2,7V.
2.1.8 Diodo emissor de luz (LED)

O diodo emissor de luz ou LED (da expresso inglesa lighting emitter diode) um diodo que emite luz visvel ou infravermelha, quando polarizado diretamente. Este tipo de diodo feito a partir de materiais como arseneto de glio (LED infravermelho), fosforeto de glio (LED verde ou amarelo) e fosfoarseneto de glio (LED vermelho). Requer baixa tenso de acionamento e apresenta resposta relativamente rpida em circuitos de chaveamento. A Figura 2.15 mostra um LED em srie com um resistor que serve para limitar a corrente, a qual calculada como
ID = VF VD R
R + VF -
+ VD -
Figura 2.15 - Circuito de polarizao de LED.
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Valores tpicos de diferena de potencial no LED variam de 1,5V a 3,0 V, para correntes entre 10mA e 100mA. A Figura 2.16 mostra exemplos de LEDs coloridos.
Figura 2.16 Aspecto fsico de LED. A tabela 3.1 apresenta algumas especificaes tcnicas de LEDs como os mostrados na Figura 2.16. Tabela 2.1 - Exemplos de especificaes tcnicas de LEDs. Cor IF max. VF tpica VFmax max. VR max. Intensidade Luminosa para 10mA (mcd) Vermelho Amarelo Verde 30mA 30mA 25mA 1.7V 2.1V 2.2V 2.1V 2.5V 2.5V 5V 5V 5V 5 32 32 60 60 60 660nm 590nm 565nm ngulo de visualizao Comprimento de onda
Os LEDs so utilizados como elementos indicadores em calculadoras, aparelhos de medida, indicadores numricos de receptores de rdio, acopladores ticos, entre outras aplicaes.
2.1.9 Fotodiodo
O fotodiodo um diodo de juno construdo de forma especial, para possibilitar a utilizao da luz como fator de controle da corrente eltrica. um dispositivo semicondutor de juno pn cuja regio de operao limitada pela regio de polarizao reversa. Sem iluminao, o fotodiodo com polarizao reversa circula uma corrente muito pequena, denominada corrente de saturao reversa. A incidncia de luz sobre a juno resulta em transferncia de energia dos ftons para a estrutura atmica, resultando em um aumento do nmero de portadores minoritrios e um aumento do nvel da corrente reversa. O fotodiodo um dispositivo que converte a luz recebida em uma determinada quantidade de corrente eltrica. Quanto maior for a intensidade da luz incidente, tanto maior ser a corrente reversa.
19
O fotodiodo encontra muitas aplicaes, como nos dispositivos de foco automtico de filmadoras, na unidade tica de CD players e como sensor crepuscular nas redes de iluminao pblica.
2.1.10
Retificadores
A maioria dos dispositivos semicondutores opera com tenses contnuas. Como a tenso da rede alternada, preciso retific-la (convert-la em tenso contnua) para possibilitar a alimentao de circuitos em tenso contnua. Circuitos retificadores, os quais utilizam diodos de silcio, so comumente utilizados para esta finalidade. No entanto, a tenso retificada no perfeitamente contnua, mas sim, pulsante. Para reduzir a ondulao da onda retificada (pulsante), emprega-se um filtro (usualmente, um capacitor eletroltico de alta capacitncia). Na entrada do retificador, por outro lado, freqentemente necessrio utilizar-se um transformador para reduzir a tenso da rede a nveis compatveis com a tenso contnua de alimentao requerida. Os circuitos retificadores podem ser classificados como retificadores de meia onda e de onda completa, os quais so a seguir brevemente descritos.
RETIFICADOR DE MEIA ONDA
A Figura 2.17 apresenta o circuito de um retificador de meia onda. Durante o semiciclo positivo da tenso do secundrio do transformador, o diodo est diretamente polarizado e, portanto, conduz corrente. A corrente circula tambm atravs do resistor de carga, produzindo uma tenso sobre o mesmo. Isto ocorre durante todo o semiciclo positivo.
Rede 60 Hz
vD vS vL
Figura 2.17 Retificador de meia onda. A Figura 2.18 apresenta as formas de onda da tenso vS do secundrio do transformador, da tenso vL no resistor de carga RL e da tenso vD no diodo. A tenso vD, de acordo com a LKT, a diferena entre vS e vL. No caso de um diodo ideal, quando o mesmo est diretamente polarizado, supe-se que a sua tenso nula. Na prtica, no entanto, haver uma queda de tenso diferente de zero (situada entre 0,5 e 0,8 V). No semiciclo negativo da tenso vS, o diodo est inversamente polarizado e, portanto, no conduz corrente (diz-se tambm que o diodo est bloqueado). Assim, a tenso sobre o resistor ser nula. Como o diodo se comporta como um circuito aberto, a tenso do secundrio ser aplicada inteiramente sobre o diodo, como indica a Figura 2.18.
vS Vp
20
-Vp
vL Vp
vD t
-Vp
Figura 2.18 Formas de onda do retificador de meia onda. A forma de onda da tenso na resistncia de carga pulsante. O valor eficaz desta tenso (em retificadores tambm chamado de nvel DC da tenso) dado pela seguinte expresso:
VL ef = 1 T 2 v L (t ) dt T 0
(2.4)
Supondo o diodo ideal, o valor mximo da onda pulsante na carga igual amplitude da tenso senoidal no secundrio do transformador. Assim, se Vp a amplitude da onda da tenso vS, o valor eficaz da tenso da carga VLef (ou seja, da sada do retificador) obtida atravs da equao (3.5).
Vp
VL ef =
(2.5)
O valor eficaz da tenso de sada do retificador pode ser aumentado atravs da utilizao de um capacitor em paralelo com a carga, como mostra a Figura 2.19. Neste caso, durante o semiciclo positivo, o capacitor acumula a tenso vS at a mesma alcanar o valor de pico. A partir deste instante, a tenso vS comea a diminuir, ficando menor que a tenso acumulada no capacitor. Portanto, o diodo fica polarizado inversamente e o capacitor comea a descarregar-se atravs do resistor de carga. Este processo continua at que um novo semiciclo positivo inicie, fazendo com que o diodo volte a ser polarizado diretamente (quando o potencial no anodo maior que no catodo), isto , quando a tenso vS voltar a ser maior que a tenso no capacitor.
Rede 60 Hz
vD
+
vS
vL
Figura 2.19 Retificador de meia onda com capacitor. A Figura 2.20 mostra o efeito do capacitor sobre a forma de onda da tenso de sada. Como a ondulao da onda substancialmente reduzida, aumenta o valor eficaz. A diferena entre os valores mnimo e mximo da ondulao remanescente denominada tenso de ripple. Quanto
21
menor for a tenso de ripple, maior ser o valor eficaz, ou seja, melhor ser a converso de tenso alternada em tenso contnua. Portanto, a tenso de ripple um indicador da eficincia do retificador. Este valor depende da combinao dos valores de capacitncia e resistncia da carga. Para reduzir a ondulao, a descarga do capacitor deveria ser a mais lenta possvel. Isto obtido aumentando a constante RC do circuito. Como a resistncia da carga pode ser varivel, o procedimento usual utilizar a maior capacitncia possvel para obter uma tenso de ripple pequena.
vL Vp Vripple
Figura 2.20 Forma de onda da tenso de sada do retificador de meia onda com filtro.
RETIFICADORES DE ONDA COMPLETA
No retificador de meia onda, o semiciclo negativo da tenso de alimentao no utilizado. Para aproveit-lo, utiliza-se retificao de onda completa, a qual pode ser obtida atravs de dois circuitos: um circuito que utiliza um transformador com derivao central e dois diodos e outro que utiliza transformador sem derivao com quatro diodos conectados em ponte. Segue uma breve descrio dos dois circuitos. A Figura 2.21 mostra um retificador de onda completa com dois diodos. Como o secundrio do transformador usa uma bobina enrolada em um nico sentido, as tenses de alimentao dos dois diodos so defasadas de 180. Durante o semiciclo positivo de v1, o diodo D1 est polarizado diretamente e o diodo D2 est bloqueado. Desse modo, circula uma corrente na carga RL atravs de D1. Supondo o diodo ideal (sem queda de tenso quando conduz), a tenso na carga ser exatamente igual a v1. No semiciclo negativo de v1, o diodo D1 fica bloqueado e o diodo D2, polarizado diretamente atravs do semiciclo positivo de v2. Assim, circula uma corrente na carga RL atravs de D2. Novamente, supondo o diodo ideal, a tenso na carga ser exatamente igual ao semiciclo positivo de v2.
v1 Rede 60 Hz v2
D1 RL D2
Figura 2.21 Retificador de onda completa com dois diodos. A Figura 2.22 apresenta as formas de onda das tenses v1, v2 e da tenso na carga vL. Na figura aparecem tambm as formas de onda das tenses a que so submetidos os dois diodos quando esto bloqueados. No semiciclo positivo de v1, a tenso no diodo D1 nula j que o mesmo est conduzindo. No entanto, como D2 est aberto durante este semiciclo, a tenso total do enrolamento secundrio aplicada sobre D2. De modo similar, durante o semiciclo positivo de v2, a tenso no diodo D2 nula por estar conduzindo, fazendo com que a tenso total do enrolamento secundrio recaia sobre o diodo D1, como evidencia a Figura 2.22. Como conseqncia, os dois diodos sero
22
submetidos a tenses reversas com valor mximo VRM = -2Vp. Esta informao muito importante e tem que ser considerada em um projeto de retificadores deste tipo.
v1 Vp
-Vp v2 Vp
-Vp vL Vp
0 vD1 0
-2Vp vD2 0 t
-2Vp
Figura 2.22 Formas de onda do retificador de onda completa com dois diodos. A Figura 2.23 apresenta o circuito de um retificador de onda completa com quatro diodos. No semiciclo positivo da tenso vS o n a est mais positivo que o n b, polarizando diretamente o diodo D1. O n c est mais negativo que o n d, polarizando diretamente tambm o diodo D3. Os outros dois diodos esto com polarizao reversa e, portanto, esto bloqueados. Portanto, flui uma corrente atravs de D1 (de a para b), passando pela carga RL e retornando ao enrolamento atravs de D3 (de c para b). Supondo o caso ideal, no h queda de tenso nos diodos D1 e D3. Portanto, a tenso na carga igual vS. No semiciclo negativo de vS, os diodos D2 e D4 conduzem corrente e os outros dois diodos ficam bloqueados. Circula uma corrente atravs de D2 (de c para d), passando pela carga e retornando ao enrolamento atravs de D4 (de d para a). No caso ideal, no semiciclo negativo de vS, a tenso na carga tambm igual vS.
a Rede 60 Hz vS D4 d D3 c D1 b D2
RL
Figura 2.23 Retificador de onda completa com quatro diodos em ponte.
23
A Figura 2.24 apresenta as formas de onda resultantes nos componentes do circuito da Figura 2.23. No caso do retificador de onda completa com quatro diodos, observa-se que a tenso mxima reversa em cada diodo bloqueado ser menor que no caso anterior. Isto, porque a tenso total do enrolamento secundrio aplicada sobre dois diodos bloqueados, distribuindo-se igualmente sobre os dois. Assim, a tenso mxima reversa em cada diodo ser igual tenso de pico Vp do enrolamento secundrio.
vS Vp
-Vp vL Vp
0 vD1 vD3 0
-Vp vD2 vD4 0 t
-Vp
Figura 2.24 - Formas de onda do retificador de onda completa com quatro diodos Em ambos os retificadores de onda completa, a tenso eficaz da carga expressa pela equao (3.6), pois h uma tenso pulsante positiva em todos os semiciclos.
2 V p
VL ef =
(2.6)
O nvel DC de tenso (VLef) pode ser aumentado atravs de um filtro capacitivo, de modo similar ao que foi feito com o retificador de meia onda. A Figura 2.25 mostra os dois retificadores de onda completa com filtro.
a
v1 Rede 60 Hz v2 D1 RL
Rede 60 Hz
vS
D4 d D3 c
D1 b D2 C
+
D2
RL
Figura 2.25 Retificadores de onda completa com filtro. A Figura 2.26 mostra a forma de onda da tenso de sada de retificadores de onda completa com filtro. Como reduz a ondulao da onda (a tenso de ripple menor), h um aumento expressivo do nvel de tenso DC na sada. Com um bom filtro (alta capacitncia) possvel obterse um nvel de tenso DC na sada aproximadamente igual tenso de pico de alimentao.
vL Vp
24
Vripple
Figura 2.26 Forma de onda da tenso de sada de retificadores de onda completa com filtro. O dimensionamento de um retificador envolve a especificao do transformador, dos diodos e do capacitor. Para dimensionar um retificador de onda completa com tenso contnua de sada de 12 V, adota-se como tenso de pico do secundrio a prpria tenso de 12 V, pois com um bom filtro possvel fazer VDC Vp. Assim, a tenso eficaz no secundrio do transformador ser
VSef = Vp 2 = 12 = 8,49Vrms 2
Como especificao, adotar-se-ia neste caso tenso de 9 Vrms no secundrio do transformador. No caso de retificao completa com dois diodos, os diodos deveriam suportar uma tenso reversa maior ou igual a 2Vp. No caso com diodos em ponte, a tenso reversa deveria ser maior ou igual Vp. Os diodos deveriam tambm ter especificao de corrente mxima no sentido de polarizao direta, valor que depende da potncia de sada desejada. O capacitor deve ter elevada capacitncia. Na prtica, adotam-se valores acima de 1000 F.
2.1.11
Diodo Zener e estabilizao de tenso
Toda fonte de tenso apresenta variaes da tenso por ela fornecida, em funo da corrente solicitada pela carga e devido a variaes da tenso de alimentao da prpria fonte. Para minimizar estas variaes, as fontes so projetadas com um estgio adicional na sada para estabilizar a sua tenso de sada, mantendo-a constante dentro de uma faixa de corrente de carga estabelecida no projeto. Isto vale tambm para o caso de haver variao da tenso de alimentao da fonte. Uma fonte de tenso contnua com circuito retificador pode ser transformada em uma fonte estabilizada acrescentando um estgio regulador de tenso com diodo Zener. A seguir, algumas caractersticas do diodo Zener e de fontes estabilizadas so brevemente descritas. O diodo Zener fabricado para operar em polarizao reversa, apresentando nestas circunstncias uma tenso constante para determinada faixa de corrente. O efeito Zener ocorre quando o diodo opera na regio de avalanche, como mostra a Figura 2.27. Nesta situao, o diodo Zener deve ser inserido em um circuito de modo que circule atravs dele correntes situadas entre dois limites, isto , entre um valor mnimo IZmin e um valor mximo IZmax, como evidencia a Figura 2.27.
25
Smbolo: VZ
I ZminVD
A v(V)
I Zmax
Figura 2.27 Curva caracterstica de um diodo Zener. O smbolo do diodo Zener (Figura 2.27) difere do diodo retificador por ter dois traos inclinados no ctodo. Como ele trabalha em polarizao reversa, o potencial positivo deve ser aplicado no ctodo. O diodo Zener especificado tecnicamente atravs da sua tenso Zener (VZ) e atravs da mxima potncia de operao (PZmax). Com estas especificaes, possvel determinar a mxima corrente de operao, conforme a equao (3.7).
I Z max =
PZ max VZ
(2.7)
Para fins de projeto, o valor de IZmin estimado atravs da equao (3.8).
I Z min =
I Z max 10
(2.8)
Assim, um diodo Zener de 5,6 V e 0,5 W deveria operar com valores de corrente compreendidos entre 8,9 mA e 89 mA. importante observar que o limite mximo de corrente deveria ser inferior ao valor mximo calculado para que o diodo no seja submetido a condies limites de operao.
EXEMPLO 2.5 Se um diodo Zener de 12V tem uma especificao de potncia mxima de 400mW, qual ser a corrente mxima permitida? SOLUO: A corrente mxima permitida calculada como segue:
I ZMAX =
400mW = 33,33mA 12V
26
O circuito da Figura 2.28 mostra um retificador de onda completa com dois diodos, filtro e um estgio regulador formado por uma resistncia em srie RS e um diodo Zener em paralelo com os terminais de sada, onde pode ser ligada uma carga.
D1 Rede 60 Hz D2
+
RS
DZ
Figura 2.28 Fonte estabilizada. Para analisar a fonte estabilizada da Figura 2.28, considere-se apenas o estgio regulador reproduzido na Figura 2.29, em que a tenso de entrada do regulador VE e a carga conectada sada RL. A tenso em RL a tenso do diodo Zener, a qual mantm-se inalterada para uma determinada faixa de variao da tenso de entrada (VE). Como a corrente na carga constante para um determinado valor de RL, qualquer variao da corrente I ser compensada pela corrente IZ, a qual deve ser mantida dentro da faixa de variao entre IZmin e IZmax. Qualquer variao da carga RL deveria tambm ser compensada pela corrente de Zener, limitada pela mesma faixa.
RS + V V E
iL + RL VL -
DZ
Figura 2.29 Estgio regulador de uma fonte estabilizada. O resistor RS utilizado para limitar a corrente no diodo Zener. A pior situao ocorre quando no h carga, quando toda a corrente circula pelo Zener. Nesta situao, dimensiona-se o valor mnimo de RS para que circule IZmax. Assim, conforme a equao (3.9), isto ocorre com h a mxima variao da tenso de entrada (VEmax = VE + VE).
RS min = VE max VZ I Z max
(2.9)
Na prtica, adota-se um valor acima, mas prximo, de RSmin, para obter um maior rendimento. O valor comercial de RS no deve ser maior que RSmax, o qual determinado conforme a equao (3.10).
RS max =
VE min VZ I Z min
(2.10)
A especificao de potncia de RS obtida atravs da equao (3.11).
2 PRS = RS I Z max
27 (2.11)
Estando estabelecido o valor de RS, determina-se a mxima corrente ILmax que a fonte poder fornecer, a qual dada pela equao (3.12).
I L max =
VE min VZ I Z min RS
(2.12)
Para uma carga RL especfica e conhecendo-se a tenso de sada da fonte (VL), obtm-se a corrente nominal da fonte, isto , IL = VS/RL. Assim, possvel estabelecer a mxima variao de tenso que a alimentao da fonte pode ter para assegurar o bom funcionamento da fonte, como indicam as equaes (3.13) e (3.14).
VE min = RS (I Z min + I L ) + VZ VE max = RS (I Z max + I L ) + VZ
(2.13)
(2.14)
2.1.12
Exerccios
1 Formular um procedimento para identificar os terminais de um diodo com um ohmmetro. 2 Um determinado diodo usado apresenta baixa resistncia tanto no sentido direto como reversamente. Explicar o que pode ter acontecido com o diodo. 3 Supor que VF 5V e que a tenso sobre o diodo seja 5V. O diodo est aberto ou em curtocircuito?
RS
+ VF -
4 Determinar o ponto de trabalho do diodo no circuito abaixo, utilizando a sua curva caracterstica mostrada ao lado.
28
i(mA)
100
22 2V
80 60 40 20 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 2,0
v(V)
5 Determinar o ponto de operao do diodo no circuito abaixo utilizando a sua curva caracterstica mostrada ao lado e a potncia fornecida pela fonte.
50 20 + 12V 50
i(mA)
10 20
40 20
0,66
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
2,0 v(V)
Resp.: 40mA; 0,66V; 80mW 6 Descrever o funcionamento do circuito abaixo.
V1 Rede 60 Hz VF
D1 D2
D3 +
+
V2
D4
C1
+
C2 _
7 Dimensionar um retificador de onda completa para fornecer com 9 VDC e corrente mxima de 2 A.
29
2.2 Transistores de juno bipolares (TJB)

O transistor um dispositivo de trs terminais tido como o principal responsvel pela revoluo da eletrnica a partir da dcada de 1960. utilizado principalmente para amplificao e chaveamento de sinais eltricos. O transistor foi inventado nos Laboratrios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain e inicialmente demonstrado em 23 de dezembro de 1947 por Bardeen, Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o prmio Nobel da Fsica em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma amplificao da corrente no ponto de contacto do transistor. Esse evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de juno bipolar (TJB). O objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as vlvulas termoinicas usadas nos sistemas telefnicos da poca. O termo transistor oriundo da expresso usada pelos seus inventores para identific-lo (em ingls, transfer resistor). O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia de acordo com a polarizao pr-estabelecida. Assim, a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito. Esta variao obtida a partir da variao de tenso num dos terminais (chamado base), que causa o processo de amplificao de sinal, ou seja, transforma o sinal eltrico mais fraco em um sinal mais forte. Um exemplo a amplificao do sinal eltrico de baixa intensidade gerado por um microfone. O sinal amplificado mantm as mesmas caractersticas, mas com potncia suficiente para excitar um alto-falante. O processo de amplificao tambm identificado como ganho do sinal eltrico. O transistor considerado uma das maiores invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. O seu uso em larga escala se deve possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando em preos muito baixos. Atualmente, praticamente impossvel encontrar circuitos integrados que no possuam internamente centenas, milhares ou mesmo milhes de transistores, juntamente com outros componentes como resistncias e capacitores. Por exemplo, o microprocessador Pentium 4 da Intel tem 42 milhes de transistores, usando uma arquitetura de fabricao de 130 nanmetros, ou seja, cada transistor fica distanciado dos outros de 130 milionsimos de um milmetro. O seu baixo custo permitiu que se transformasse em um componente quase universal para tarefas no mecnicas. Os transistores hoje em dia tm substitudo quase todos os dispositivos eletromecnicos, a maioria dos sistemas de controle e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva eletrnica desde os computadores at os carros.
2.2.1 TJB - Aspectos construtivos

Os materiais mais utilizados na fabricao do transistor incluem Silcio (Si), Germnio (Ge), Glio (Ga) e alguns xidos. O transistor de germnio no mais usado, tendo sido substitudo pelo de silcio. Para fabricar os diodos, transistores e outros dispositivos semicondutores, o silcio deve possuir um grau de pureza elevado, chamado grau de pureza eletrnico, o que significa uma
30
concentrao de cerca de 99,9998% de silcio puro. O silcio purificado passando por um processo que forma uma estrutura cristalina em seus tomos. O material cortado em finos discos, que a seguir so submetidos a um processo chamado de dopagem, onde so introduzidas quantidades rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as ligaes dos tomos de silcio, roubando ou doando eltrons aos tomos, produzindo um material dopado de silcio tipo P ou tipo N, conforme ele seja positivo (tenha falta de eltrons) ou negativo (tenha excesso de eltrons). Se a impureza tiver um eltron a mais (elemento pentavalente), um eltron fica sobrando na estrutura cristalina. Se tiver um eltron a menos (elemento trivalente), fica faltando um eltron, o que produz uma lacuna (que funciona como se fosse um buraco mvel na estrutura cristalina). Como resultado, obtm-se no final do processo um material semicondutor extrnseco. O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora se for NPN (Figura 2.30).
C iB
+ NPN V CE B + V BE iE E (a) NPN
iC
C iB B +
iC
PNP
V
BE
+ V CE -
iE
(b) PNP
Figura 2.30 Smbolo do transistor.
2.2.2 TJB - Princpio de funcionamento e curva caracterstica

No transistor de juno bipolar, o controle da corrente entre coletor e emissor feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base polarizada reversamente e a juno base-emissor, polarizada diretamente (Figura 2.30). Aplicando LKC em qualquer um dos dois transistores polarizados da Figura 2.30, resulta a seguinte relao entre as correntes
i E = i B + iC
em que iE, iB e iC so, respectivamente, corrente do emissor, da base e do coletor.
(2.15)
Uma pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de coletor e emissor. Esta corrente ser tanto maior quanto maior for a corrente de base. O fator de amplicao da corrente na base (iB), denominado ganho de corrente e simbolizado como ou hfe, dado pela Equao 2.16.
iC iB
(2.16)
31
Tipicamente, o ganho de corrente varia entre 50 e 300, dependendo do ponto de operao, do tipo de TJB, da aplicao e da temperatura. A razo entre a corrente iC e a corrente iE (Equao 2.17) situa-se, na maioria das vezes, entre 95% e 99%. Para efeito de anlise, pode ser adotado o valor 1 para , ou seja, iC = iE.
iC iE
(2.17)
A Figura 2.31.b apresenta a curva que mostra a variao da corrente IC com a tenso aplicada entre o colector e o emissor, VCE. Para isso, admite-se que, por um processo qualquer, se injeta na base uma corrente constante IB, como mostra a seo de circuito da Figura 2.31.a. A curva construda plotando-se os valores de IC e VCE medida que VCE varia.
(a) (b) Figura 2.31 - Curva IC em de VCE traada com IB constante. A curva linear e crescente para valores de VCE prximos de zero, evoluindo depois para um regime de saturao (deixa de crescer com VCE) permanecendo em um valor constante. Esta curva conserva esta forma para diversos valores de IB, desde zero at valores arbitrariamente elevados e positivos de IB. Todos os transistores so caracterizados atravs de uma famlia de curvas de IC(VCE) para vrios valores equidistantes de IB. Conforme a polarizao, um transistor pode atuar em trs regies distintas: regio de corte, regio ativa e regio de saturao. Na regio ativa, o transistor opera como amplificador e nas regies de corte e saturao, o transistor atua como uma chave, ou seja, conduzindo ou no (comutao). A Figura 2.32 mostra uma famlia de curvas indicando simultaneamente as regies de corte e de saturao de um transistor. Se a tenso entre a base e o emissor for inferior tenso de conduo desta juno (para um transistor de Silcio, VBE tipicamente 0,7V), o transistor estar em corte. Neste caso, a corrente de coletor ser igualmente zero, e VCE = VC. A verificao da situao de saturao um pouco menos intuitiva. Dependendo da configuraao do circuito transistorizado e dos valores dos componentes, calcula-se o valor de VCE. Se este valor for inferior ao valor VCE de saturao (caracterstico do transistor, sendo aproximadamente igual a 0,3V para o Silcio), o transistor estar em saturao e VCE ser na realidade igual a VCE de saturao.
32
O transistor opera na regio de corte se a corrente de base for menor ou igual a zero, quando a corrente de coletor ser nula. Por outro lado, se operar com uma corrente de base entre zero e a corrente de saturao (IBSAT), estar funcionando na regio ativa. Para uma corrente de base acima de IBSAT, o transistor operar na regio de saturao, ou seja, circular pelo coletor uma corrente limite (ICCSAT), imposta de acordo com a polarizao.
Figura 2.32 Regies de corte e saturao de um transistor.
2.2.3 TJB - Configuraes bsicas

Existem 3 configuraes bsicas , as quais possuem as seguintes vantagens e desvantagens.
Base comum: possui baixa impedncia de entrada, alta impedncia de sada, no h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada, e a amplificao de corrente igual a um. Coletor comum: possui alta impedncia de entrada, baixa impedncia de sada, no h defasagem entre o sinal de sada e o de entrada, e a amplificao de tenso igual a um. Emissor comum: possui mdia impedncia de entrada, alta impedncia de sada, h uma defasagem de 180 graus entre o sinal de sada e o de entrada, e pode amplificar tenso e corrente at centenas de vezes.
Os transistores bipolares de juno apresentam trs pinos para controle. Dependendo do tipo de encapsulamento, a localizao dos contatos distinta. Os transstores apresentam diversas especificaes que podem ser consultadas nos datasheets dos fabricantes, como as seguintes (a Figura 2.33 apresenta algumas destas especificaes para transistores da Motorola): Tipo: o nome do transistor. Pol: polarizao; N quer dizer NPN e P significa PNP. VCEO: tenso entre coletor e emissor com a base aberta. VCER: tenso entre coletor e emissor com resistor no emissor. IC: corrente mxima do emissor. PTOT: a mxima potncia que o transistor pode dissipar Hfe: ganho de corrente (). Ft: freqncia mxima. Encapsulamento: A maneira como o transistor encapsulado pelo fabricante fornece a identificao dos terminais.
33
Figura 2.33 Dados selecionados de transistores BD 135, 137 e 139 da Motorola.
2.2.4 TJB - Polarizao

Assim como o diodo, o transistor requer alimentao externa para poder operar corretamente, ou seja, precisa ser polarizado. Sem a tenso de polarizao adequada, um transistor no pode amplificar sinais de corrente alternada adequadamente. Embora o transistor no tenha junes simtricas, e por isto a sua operao no pode ser explicado assim, ele pode ser representado como dois diodos contrapostos, como indica a Figura 2.34. As junes emissor-base (EB) e coletor-base (CB) diferem eletricamente na maioria dos transistores. Geralmente, as duas junes so polarizadas de modo diferente: a juno EB polarizada diretamente e a juno CB, reversamente.
Figura 2.34 - Transistor representado como dois diodos contrapostos. Um transistor pode operar em trs modos: em corte (bloqueado), saturado ou ativo. Podem ser polarizados adequadamente de mais de uma maneira. Com corrente de base negativa ou igual a
34
zero, o transistor opera como uma chave aberta (bloqueado). Quando o transistor entra na regio de saturao, ele age como uma chave fechada. Para o transistor NPN operar no modo ativo, a juno BE deve ser polarizada diretamente atravs de VBE, sendo que a juno CB fica polarizada reversamente por VCE. Assim, as correntes IB e IC so positivas. No transistor PNP, na regio ativa, as tenses VBE e VCE so negativas, assim como as correntes IB e IC. A Figura 2.35 mostra uma configurao para um transistor PNP. Uma fonte de tenso conectada entre o emissor e a base fornece a polaridade adequada para as condies de polarizao direta. Uma outra fonte de tenso fornece a polarizao coletor-base e se conecta entre o emissor e o coletor. Com as fontes de tenso conectadas s junes, a base deve estar em torno de 0,7V negativo em relao ao emissor. O coletor est polarizado com tenso negativa em relao ao emissor. Com o coletor mais negativo que a base, a juno base-coletor fica polarizada reversamente.
Figura 2.35 - Um transistor PNP polarizado adequadamente. A Figura 2.36 mostra um transistor NPN polarizado com uma nica fonte de tenso. O emissor do transistor e o terminal negativo da fonte de tenso conectam-se diretamente ao terra. Acrescentando-se um resistor RB entre a base do transistor e o terminal positivo da fonte, polarizase diretamente a juno emissor-base. Alm da queda de tenso sobre o resistor, fica um potencial suficiente na base para criar a condio necessria de polarizao de 0,7V. O resistor RC permite a polarizao da juno base-coletor. O resistor RC conectado entre o coletor e o terminal positivo da fonte de tenso.
Figura 2.36 Um transistor NPN polarizado com uma nica fonte de tenso.
35
2.2.5 TJB - Outras caractersticas

importante salientar que o ganho do transistor varia medida que a temperatura varia. Aumentando a temperatura, aumenta . Para uma corrente de base fixa, se aumenta, aumenta a corrente de coletor, que provoca aumento de temperatura no transistor. Este auto-aquecimento aumenta e assim, o ciclo se repete, com o transistor ficando cada vez mais quente. Este ciclo denominado disparo trmico e se no for controlado, ele pode danificar o transistor. O coletor do transistor geralmente tomado como sada de circuitos transistorizados e projetado para dissipar calor rapidamente. A maior dissipao de potncia em um transistor, usada para fins de dimensionamento, calculada atravs da Equao 2.18.
PMAX = VCE I E
(2.18)
EXEMPLO 2.6 Determinar a potncia mxima dissipada pelo transistor no circuito abaixo.
56k
220
+
10V b=100
2,2k
SOLUO: Aplicando LKT na malha externa do circuito resulta

VE VBE I B 56k + 10 = 0
Substituindo IB pela relao entre e IC, obtm-se
I C (2,2k ) 0,7
IC 56k + 10 = 0 100
Resolvendo-se para IC, obtm-se

IC = 10 0,7 = 3,37mA 56k + 2,2k 100
A tenso VCE pode ser obtida aplicando LKT na malha da direita, resultando
36
VCE = 10 I C (220) I C (2,2k ) = 1,84V
Assim, a potncia mxima dissipada no transistor

PMAX = VCE I E = 1,84 3,37 10 3 = 6,2mW
2.2.6 Exerccios
1 Para o circuito abaixo, calcular as correntes iC, iB e iE, e as tenses vC, vB, vE e vCE
RC iC iB + V1 RB
N PN
100mA
1mA
iE
+ V2 -
2 Para o circuito abaixo, calcular as correntes iC, iB e iE, e a tenso vCE

+12V
470 100k = 100
Para o circuito abaixo, calcular as correntes iC, iB e iE, a tenso vCE, e a potncia mnima que o transistor deve suportar.
+15V 1 k 50 k
= 100
+ 5V -
1 k
Para o circuito abaixo, calcular as correntes iC, iB e iE, a tenso vCE, e a potncia mnima que o transistor deve suportar.

+15V 2,2 k VC 500 k VB = 100 VE
37
+ 10 V -
5 k
Para o circuito abaixo, calcular as correntes iC, iB e iE, as tenses vC, vB, vE e vCE, e a potncia mnima que o transistor deve suportar.
1 k 100k = 100 + 10 V -
38
2.3 Transistores de efeito de campo

O transistor de efeito de campo (abreviatura FET, da expresso inglesa Field Effect Transistor), um dispositivo de trs terminais, utilizado em muitas aplicaes, similarmente ao TJB. Os transistores TJB e FET possuem uma diferena fundamental: o transistor TJB um dispositivo controlado por corrente; o transistor FET controlado por tenso (Figura 2.37).
IC IB TJB (corrente de controle) + (tenso de controle) VGS -
ID
FET
Figura 2.37 Diferena bsica entre transistores TJB e FET. Assim como existem transistores TJB npn e pnp, existem transistores FET de canal n e canal
p.
Uma das caractersticas mais importantes do FET sua alta impedncia de entrada, a qual varia de 1M at centenas de megaohms, sendo consideravelmente maior que a impedncia de entrada de configuraes com o TJB. Por outro lado, a variao de corrente de sada tipicamente maior para um TJB do que para um FET, para a mesma variao no sinal de entrada. Por isso, o ganho de tenso maior em amplificadores com TJB do que o ganho de tenso em amplificadores com FET. Em geral, o FET menos sensvel variao de temperatura e tem menores dimenses que o TJB. Existem dois tipos bsicos de transistores FET: o transistor de juno por efeito de campo (JFET) e o transistor de efeito de campo metal-xido-semicondutor (abreviatura MOSFET, da expresso Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). O JFET pode ser de canal n e canal p. O MOSFET um dispositivo muito utilizado no projeto e construo de circuitos integrados e de dois tipos: de depleo e de intensificao. Alm destes tipos, existem outros como o transistor CMOS (complementary MOSFET), que um arranjo complementar de MOSFET constitudo de um MOSFET de canal p e um de canal n no mesmo substrato. So empregados em circuitos de lgica digital e na eletrnica integrada de alta densidade.
2.3.1 JFET - Aspectos construtivos

O transistor de efeito de campo (FET) um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal, cuja espessura controlada por regies de depleo, nas quais no existem portadores. Como o controle feito por diferena de potencial (por campo eltrico), no existe a injeo de portadores, aumentando a impedncia de entrada do dispositivo.
39
A Figura 2.38 apresenta o esquema bsico de um JFET de canal n. O substrato de material tipo n, formando um canal entre as camadas de material tipo p. Nas extremidades do canal n esto dois terminais conectados atravs de contatos hmicos: o terminal dreno (abreviatura D, da expresso drain) e o terminal fonte (abreviatura S, da expresso source). As duas camadas tipo p esto ligadas entre si e ao terminal denominado porta (abreviatura G, da expresso gate).
Figura 2.38 - Esquema simplificado de um transistor de efeito de campo. Como se observa na Figura 2.38, o dispositivo possui duas junes pn. Sem potencial externo aplicado, existe uma regio de depleo em cada juno. A porta G controla o fluxo de eltrons do terminal fonte para o terminal dreno, por meio de um potencial aplicado porta. A corrente de eltrons flui da fonte para o dreno atravs de um canal, sendo que a espessura deste canal, e consequentemente sua resistncia, depende da regio de depleo formada entre a porta e a fonte. Esta regio de depleo depende do campo eltrico formado e, conseqentemente, da tenso aplicada entre a porta e a fonte (VGS). A Figura 2.39 apresenta um JFET de canal n submetido a uma tenso positiva VDS entre dreno e fonte, mantendo a porta G conectada diretamente fonte S, fazendo com que VGS = 0 V. A regio de depleo em cada camada p se modifica, sendo que a porta G no conduz corrente eltrica. Em funo disso, a corrente estabelecida entre os terminais S e D ID = IS. Essa corrente limitada apenas pelo canal n. A diferena entre as partes superior e inferior da regio de depleo nas camadas p ocorre porque a regio superior fica polarizada reversamente com 1,5 V e a inferior com 0,5 V.
Figura 2.39 - JFET de canal n submetido a uma tenso positiva entre dreno e fonte.
40
A Figura 2.40 mostra o smbolo do JFET de canal n e canal p, em que a porta G identificada por uma seta apontando para dentro do JFET de canal n e para fora no de canal p.
Figura 2.40 - Smbolo do transistor JFET.
2.3.2 JFET - Curva caracterstica e funo de transferncia

A Figura 2.41 mostra o grfico de ID versus VDS para VGS = 0 V. Como se observa na curva, para baixos valores de VDS, a resistncia praticamente constante. Quando VDS aumenta e se aproxima de VP, as regies de depleo se alargam, provocando um aumento da resistncia do canal n (quanto mais horizontal a curva, maior a resistncia). A condio em que VDS = VP denominada pinch-off, a qual assinala o valor de VDS a partir do qual ID atinge a saturao, ou seja, ID = IDSS. Portanto, para a condio VDS > VP, o JFET se comporta como fonte de corrente. importante observar que para VDS > VP, a corrente ID = IDSS constante, mas a tenso VDS determinada pela carga. A corrente de saturao IDSS a corrente mxima de dreno para um JFET e definida pela condio VGS = 0 V e VDS > |VP|.
Figura 2.41 - Curva da corrente de dreno em funo da tenso VDS. A tenso que controle o JFET VGS. possvel construir curvas de ID em funo de VDS para diferentes valores de VGS, semelhante s curvas de IC versus VCE para diferentes valores de IB no TJB. Para o JFET de canal n, a tenso VGS tem que ser mais negativa, a partir de VGS = 0 V. A porta G fica com potencial cada vez menor com relao ao potencial do terminal S.
41
Figura 2.42 - JFET de canal n com tenso negativa entre porta e fonte. A Figura 2.42 mostra um JFET de canal n com uma tenso VGS aplicada de -1 V. Nessa condio, obtm-se regies de depleo semelhantes quelas obtidas para VGS = 0 V. No entanto, a saturao atingida com valores menores de VDS, como ilustra a Figura 2.43 para diferentes valores de VGS. Esta figura apresenta tambm o lugar geomtrico da tenso VP. Quando VGS alcana o valor igual a VP, ID = 0 A e o dispositivo pode ser considerado desligado. Para JFET de canal p, este valor seria +VP. A regio direita de VP na Figura 2.43 usada para amplificadores lineares.
Figura 2.43 - Exemplo de curvas caractersticas de um JFET de canal n. A relao entre ID e VGS em um JFET definida pela equao de Shockley (Equao 2.19):
I D = I DSS
V 1 GS VP
(2.19)
Esta equao vale para um JFET em qualquer configurao de circuito. A anlise de circuitos em corrente contnua (anlise cc) com JFET pode ser feita empregando um mtodo grfico, o qual requer o traado da Equao 2.19 e o traado da equao do circuito relacionando as mesmas variveis. A soluo o ponto de interseco das duas curvas.
42
A Figura 2.20 ilustra este mtodo grfico. A curva direita relaciona ID e VDS e a curva esquerda, ID e VGS. Quando VGS = 0 V, ID = IDSS. Quando VGS = VP = -4 V, ID = 0 A, definindo outro ponto da curva. No grfico da esquerda, para VGS = -1 V no eixo das abscissas, encontra-se ID = 4,5 mA. Variando os valores de VGS na abscissa consegue-se completar a curva de transferncia.
Figura 2.44 - Ilustrao do mtodo grfico para obteno da curva de transferncia do JFET. Esta curva de transferncia pode ser obtida atravs da aplicao direta da equao de Shockley. Os valores de IDSS e VP so normalmente fornecidos nas folhas de especificaes tcnicas do JFET.
EXEMPLO 2.7 Usar a equao de Shockley para calcular o valor de ID para cada um dos valores de VGS dados, sabendo que IDSS = 8mA e VP = -4V. Dados: 0V, -1 V, -2V, -3V e -4V. SOLUO: Usando a Equao 2.19, obtm-se os seguintes valores para a corrente de dreno ID:
VGS = 0V: I D = I DSS
V 1 GS VP
2
0 = 8 1 mA = 8mA 4
1 VGS = -1V: I D = 8 1 mA = 4,5mA 4
2 VGS = -2V: I D = 8 1 mA = 2mA 4

3 VGS = -3V: I D = 8 1 mA = 0,5mA 4 4 VGS = -4V: I D = 8 1 mA = 0mA 4 A Equao 2.20 a equao de Shockley resolvida para VGS, ou seja, fornece valores de VGS para valores correspondentes de ID, sendo VP e IDSS conhecidos.
2
2
43 (2.20)
ID VGS = V P 1 I DSS
EXEMPLO 2.8 Calcular o valor de VGS para cada um dos valores de ID dados, sabendo que IDSS = 8mA e VP = -4V. Dados: 8mA, 4,5mA, 2mA e 0mA. SOLUO: Usando a Equao 2.20, obtm-se os seguintes valores para a tenso entre porta e fonte VGS:
ID = ( 4 ) 1 8 = 0 V ID = 8mA: VGS = V P 1 I DSS 8 4,5 = 1V ID = 4,5mA: VGS = ( 4 ) 1 8 2 = 2V ID = 2mA: VGS = ( 4) 1 8 0 = 4V ID = 0mA: VGS = ( 4) 1 8
EXEMPLO 2.9 Fazer um esboo da curva de transferncia de um JFET com IDSS = 8mA e VP = -4V. SOLUO: Dois pontos da curva so (VGS, ID) = (0V, IDSS) e (VP, 0A), os quais esto identificados na curva abaixo. Apenas dois outros dois so suficientes para um esboo aproximado da curva de transferncia: (VP/2, ID) e (VGS, IDSS/2). Assim, obtm-se os dois outros pontos tambm identificados na curva
2 VP/2 = -2V: I D = 8 1 mA = 2mA 4 4 1,2V IDSS/2 = 4mA: VGS = ( 4) 1 8

ID(mA)
10 9
(0; 8)
8 7 6 5
IDSS
(-1, 2; 4) (-2; 2) (-4; 0) VG S(V)

-5 -4 -3 -2 -1 0
4 3 2 1 0
ID = 0 mA, VGS = VP
No exemplo 3.9, se fosse um JFET de canal p, a equao de Shockley pode tambm ser usada do mesmo modo. Neste caso, tanto VP como VGS seriam positivos e a curva seria no primeiro quadrante do plano ID x VGS.
44
A potncia mxima PD que um JFET pode dissipar sob condies normais de operao dada pela Equao 2.21: PD = V DS I D (2.21)
A Figura 2. ilustra a regio de operao de uma configurao de amplificao linear, indicando os valores limites de VDS e ID. A regio sombreada a regio de operao normal.
Figura 2.45 - Regio de operao de uma configurao de amplificao linear com JFET.
2.3.3 MOSFET Aspectos construtivos

Como mencionado anteriormente, h dois tipos de transistores de efeito de campo: JFET e MOSFET. Os transistores MOSFET so tambm conhecidos como transistores de efeito de campo de porta isolada (abreviatura IGFet, da expresso insulated-gate FET) e recebem esse nome em virtude da porta ser uma pelcula de alumnio isolada eletricamente do canal semicondutor atravs de uma camada delgada de xido de silcio. O transistor MOSFET pode ser do tipo depleo e do tipo intensificao. Estes termos se relacionam com os modos de operao de cada um. A Figura 2.46 mostra o aspecto construtivo bsico do MOSFET tipo depleo de canal n (NDMOS). Assim como o JFET, o MOSFET um dispositivo de trs terminais: porta (G), dreno (D) e fonte (S). O dispositivo construdo a partir de um substrato de material p, no qual h duas regies de material dopado tipo n, ligadas entre si por um canal n (Figura 2.46). A porta G ligada a uma superfcie metlica isolada do canal n por meio de uma camada delgada de dixido de silcio (SiO2), ou seja, no h contato eltrico direto entre a porta G e o canal n. Esta camada isolante de SiO2 que proporciona uma alta impedncia de entrada do MOSFET. Assim, no h corrente na porta G. Os terminais de dreno e fonte so ligados por meio de contatos metlicos s regies de material dopado tipo n. Em muitos dispositivos discretos h um quarto terminal ligado camada p atravs de contato metlico, formando neste caso um dispositivo de quatro terminais.
45
Figura 2.46 - Esquema bsico do MOSFET tipo depleo de canal n. O aspecto construtivo de um MOSFET tipo depleo de canal p mostrado na Figura 2.47. Como se observa, existe um substrato tipo n e um canal tipo p (a construo oposta a da Figura 2.46). Os terminais so os mesmos, porm todos os sentidos das correntes e polaridades das tenses so invertidos.
Figura 2.47 - Esquema bsico do MOSFET tipo depleo de canal n. A Figura 2.48 mostra os smbolos de MOSFET tipo depleo de canal n e canal p, incluindo tambm os smbolos para o caso de quatro terminais comentado acima.
canal n D G S G S

canal p D
46
D G S (a) SS G
D SS S (b)
Figura 2.48 - Smbolo de MOSFET de depleo de (a) canal n e (b) canal p.
2.3.4 MOSFET tipo depleo Curvas caractersticas e curva de transferncia

A Figura 2.49 mostra um MOSFET de depleo de canal n polarizado com uma tenso VDS positiva e com VGS = 0 V. De modo semelhante ao que ocorre com o canal do JFET, o potencial positivo no terminal D atrai eltrons livres do canal n, estabelecendo uma corrente ID, a qual igual a IDSS para VGS = 0 V.
Figura 2.49 - MOSFET tipo depleo de canal n com VDS positiva e VGS = 0 V. Se VGS for negativa, o potencial negativo fora os eltrons na direo do substrato p e, simultaneamente, atrai lacunas do substrato p. Dependendo da amplitude da polarizao negativa, haver recombinao de eltrons e lacunas, reduzindo o nmero de eltrons livres no canal n. Quanto mais negativa for VGS, maior ser a taxa de recombinao, reduzindo o valor de ID, como se observa na Figura 2.50.
47
Figura 2.50 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo depleo de canal n. Diferentemente do JFET, para valores positivos de VGS, o potencial da porta arrasta eltrons do substrato p, aumentando a quantidade de eltrons no canal n, aumentando a corrente ID. Deve-se ter cuidado com valores positivos de VGS, pois como mostra a Figura 2.50, a corrente ID cresce rapidamente podendo, eventualmente, danificar o dispositivo. O valor mximo de ID uma especificao importante de projeto. Como a aplicao de um valor positivo de VGS intensifica o nmero de portadores no canal, denomina-se a regio de tenses positivas de regio de intensificao. A regio entre o nvel de corte e saturao denominada regio de depleo. A equao de Shockley vlida para MOSFET de depleo, como mostra o exemplo a seguir.
EXEMPLO 2.10 Fazer um esboo da curva de transferncia para um MOSFET tipo depleo de canal n com VP = -4 V e IDSS = 10 mA. SOLUO: De modo semelhante ao caso da curva de transferncia para JFET, aqui tambm bastam quatro pontos para traar a curva. Os pontos so os seguintes:
Para VGS = 0 V, ID = IDSS = 10 mA Para VGS = VP = -4 V, ID = 0 A V Para VGS = VP/2 = -2 V, I D = 10 10 1 GS = 2,5mA VP ID = 1,2V Para ID = IDSS/2 = 5mA, VGS = V P 1 I DSS
3 2
A curva resultante mostrada abaixo, a qual inclui um ponto adicional, para VGS = +1,0 V que resulta da equao de Shockley ID = 15,63 mA.
48
As curvas caractersticas de ID de um MOSFET tipo depleo de canal p so mostradas na Figura 2.51. A inverso de polaridade de VGS resulta em uma curva de transferncia semelhante quela da Figura 2.50, mas refletida em relao ao eixo de ID. A equao de Shockley vlida aqui tambm.
Figura 2.51 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo depleo de canal p.
2.3.5 MOSFET tipo intensificao Aspectos construtivos

De modo semelhante ao MOSFET tipo depleo de canal n, o MOSFET tipo intensificao de canal n montado em um substrato tipo p com regies dopadas tipo n, contatos metlicos e uma camada isolante de SiO2. No entanto, no h um canal como um componente do dispositivo, entre os terminais de dreno e fonte (Figura 2.52).
49
Figura 2.52 - Esquema bsico do MOSFET tipo intensificao de canal n. Existem algumas diferenas entre MOSFET tipo depleo e tipo intensificao: (a) a curva de transferncia no definida pela equao de Shockley; (b) a corrente de dreno cortada antes de VGS atingir um determinado valor; (c) no MOSFET tipo depleo de canal n, o controle de corrente feito por tenses negativas, enquanto que no MOSFET tipo intensificao de canal n, o controle de corrente feito por tenses positivas de VGS. A Figura 2.53 mostra os smbolos de MOSFET tipo intensificao de canal n e canal p, incluindo tambm os smbolos para o caso de quatro terminais.
canal n D G S G S canal p D
D G S (a) SS G
D SS S (b)
Figura 2.53 - Smbolo de MOSFET de intensificao de (a) canal n e (b) canal p.
2.3.6 MOSFET tipo intensificao Curvas caractersticas e curva de transferncia

Diferentemente do JFET e MOSFET tipo depleo, se for aplicada uma tenso VDS positiva e VGS for igual a 0 V, a ausncia do canal faz com que ID seja igual a 0A. Na figura 5.54, tanto VDS como VGS so positivas. O potencial positivo de VGS atrai eltrons livres minoritrios do substrato p para a regio de depleo prxima camada de SiO2. Aumentando VGS, aumenta a concentrao de eltrons livres at que se forma uma regio tipo n que possa suportar um fluxo de portadores entre o
50
dreno e a fonte. O valor de VGS que produz um aumento significativo de ID denominado tenso limiar VT.
Figura 2.54 - Formao do canal no MOSFET tipo intensificao de canal n. Um exemplo das curvas caractersticas de dreno de um MOSFET tipo intensificao de canal n com VT = 2V so mostradas na Figura 2.55. A tenso VDS a partir da qual ID satura (VDSSAT) se relaciona VGS atravs de VT, como indica a Equao 2.22. VDS SAT = VGS VT (2.22)
Figura 2.55 - Curvas caractersticas de um MOSFET tipo intensificao de canal n. (Dados: VT = 2V e k = 0,278.10-3 A/V2) Como se observa na Figura 2.55, mantendo VT fixo e aumentando VGS, aumenta VDSSAT. A figura indica o lugar geomtrico dos valores de VDSSAT para diferentes valores de VGS. O valor de
51
VGS igual tenso limiar de 2 V (VGS = VT) o valor para o qual ID igual a zero. Para valores menores (VGS < VT), tambm no circula corrente, ou seja, ID = 0A. Para VGS > VT, a corrente de dreno expressa atravs da seguinte expresso no-linear:
I D = k (VGS VT )
2
(2.23)
O valor de k uma constante que depende do dispositivo. Conhecendo as curvas caractersticas de dreno do dispositivo, possvel determinar k a partir de pontos de particulares das curvas, aplicados seguinte expresso: I D op
k=
(V
GS op
VT
(2.24)
EXEMPLO 2.11 Encontrar o valor de k para um MOSFET tipo intensificao de canal n com as caractersticas das curvas da Figura 2.55. SOLUO: Tomando os valores VGSop = 8V e IDop = 10mA, obtm-se
k=
10 10 3
(8 2)
= 0,278 10 3 A / V 2
Da mesma forma, poderiam ser tomados os valores VGSop = 7V e IDop = 7mA, obtendo-se k= 7 10 3 = 0,28 10 3 A / V 2 2 (7 2)
ou poderiam ser tomados os valores VGSop = 6V e IDop = 4,5mA, obtendo-se k= 4,5 10 3 = 0,281 10 3 A / V 2
(6 2)2
Ou, ainda, poderiam ser tomados os valores VGSop = 5V e IDop = 2,5mA, obtendo-se k= 2,5 10 3 = 0,278 10 3 A / V 2 (5 2)2
EXEMPLO 2.12 Com o valor de k = 0,278.10-3 A/V2 e VT = 2V, calcular ID para os seguintes valores de VGS: 2V, 3V, 4V, 5V e 8V. SOLUO: Aplicando a Equao 2.23, obtm-se

2
52
Para VGS = 2V, I D = 0,278 10 3 (2 2 ) = 0 A Para VGS = 3V, I D = 0,278 10 3 (3 2 ) = 0,278mA

2
Para VGS = 4V, I D = 0,278 10 3 (4 2) = 1,11mA

2
Para VGS = 5V, I D = 0,278 10 3 (5 2) = 2,5mA

2
Para VGS = 8V, I D = 0,278 10 3 (8 2) = 10,01mA

2
A Figura 2.56 mostra o esboo da curva de transferncia de um MOSFET tipo intensificao de canal n a partir das curvas de dreno. O procedimento de transferncia de uma curva para a outra semelhante ao descrito para o JFET e o MOSFET tipo depleo. Neste caso, a corrente de dreno zero para valores de VGS menores ou iguais a VT. Como so plotados na curva de transferncia apenas os pontos de ID saturada, a regio de operao limitada a valores de VDS maiores que VDSSAT.
Figura 2.56 - Curvas de dreno e curva de transferncia para um MOSFET tipo intensificao de canal n.
53
2.3.7 JFET Polarizao

A relao entre entrada e sada para um transistor FET no-linear devido ao termo quadrtico da equao de Shockley. Geralmente, para analisar circuitos com amplificadores a FET so utilizadas as seguintes expresses: I G = 0 A e ID=IS (2.25)
Para o JFET e o MOSFET tipo depleo, emprega-se a equao de Shockley, aqui repetida nas suas duas formas:
V 1 GS VP
2
I D = I DSS
(2.26)
e
ID VGS = VP 1 I DSS
(2.27)
Para o MOSFET tipo intensificao, aplica-se a seguinte equao: I D = k (VGS VT )

2
(2.28)
As equaes 3.25 at 3.28 dependem apenas do dispositivo empregado, sendo vlidas para qualquer configurao. Com o transistor operando na regio ativa, o circuito s estabelece os valores de corrente e tenso no ponto de operao, atravs das equaes do circuito. Assim, a anlise dc de circuitos com TJB e FET tem como resposta a soluo simultnea das equaes estabelecidas pelo transistor e pelo circuito. A soluo pode ser obtida por mtodo matemtico ou grfico, como demonstrado a seguir. A Figura 2.57.a apresenta um circuito com JFET de canal n com dois capacitores de acoplamento. Para a anlise dc, os capacitores so considerados como circuitos abertos (e para a anlise ac, so considerados curto-circuitos). Como no h corrente no terminal G, no h queda de tenso em RG. Assim, aplicando LKT na malha formada pela fonte de tenso VA e os terminais G e S, obtm-se a seguinte expresso: + V A + VGS = 0 e, portanto, VGS = V A (2.29)
+VB RD D C1 Vi RG VA + (a) S G C2 V0

+VB ID G VA + + VG S S RD D + VDS (ID SS, VP )
54
(b)
Figura 2.57 - Polarizao fixa: (a) circuito completo; (b) circuito para anlise dc. Como VA uma fonte de tenso fixa, este tipo de configurao conhecido como polarizao fixa. Com o valor de VGS conhecido, a corrente ID pode ser obtida da equao de Shockley. Este um dos poucos casos em que a soluo matemtica pode ser aplicada diretamente. A figura 2.58.a mostra um traado da equao de Shockley (curva de transferncia) com trs pontos, os quais so suficientes para fazer um esboo da curva. A figura 2.58.b repete a curva de transferncia do FET incluindo a curva da equao do circuito (Equao 2.29) sobreposta. O ponto de interseco entre as duas curvas o ponto de operao (ou ponto quiescente Q). Na prtica, o ponto de operao pode ser medido: a corrente IDQ a corrente atravs de RD e a tenso VGSQ a diferena de potencial entre os terminais G e S do JFET.
(a) (b) Figura 2.58 Determinao do ponto de operao de um JFET com polarizao fixa. A tenso VDS pode ser determinada aplicando LKT, ou seja, VDS I D RD + VB = 0 e VDS = VB I D RD (2.30)
55
No circuito da figura 2.57.b, como o terminal S est aterrado (VS = 0V), a diferena de potencial entre D e S VDS = VD VS, ou seja, VDS = VD. Pelo mesmo motivo, a tenso VGS = VG. Na configurao de polarizao fixa so necessrias duas fontes de tenso. Uma alternativa que elimina a necessidade de duas fontes mostrada na figura 2.59.a, a qual denominada autopolarizao. Na figura 2.59.b est o circuito correspondente para a anlise dc. O resistor RG substitudo por um curto-circuito, tendo em mente que a tenso nele nula porque IG = 0A. Como IS igual a ID, a tenso no resistor RS VRS = I D RS
+VB ID C1 Vi S RG RS RD D G C2 V0 G + VG S S ID +VB RD D + VDS (ID SS, VP )
(2.31)
+ V RS RS - I S (b)
(a)
Figura 2.59 - Autopolarizao: (a) circuito completo; (b) circuito para anlise dc. Aplicando LKT, obtm-se a tenso VGS, ou seja, + VGS + VRS = 0 , ou seja, VGS = VRS e VGS = I D RS (2.32)
Como VGS depende de ID, a soluo matemtica para obteno do ponto de operao feita relacionando a equao 2.32 e a equao de Shockley:
I R I D = I DSS 1 + D S VP
2
(2.33)
Resolvendo a equao 2.33 para ID, obtm-se uma equao de segundo grau da forma ID2 + k1ID + k2 = 0, cuja soluo obtida das razes da equao. O mtodo grfico requer o traado da curva de transferncia do JFET, como indica a figura 2.60.a, a qual repetida na figura 2.60.b com a sobreposio da curva da equao 2.32 do circuito resolvida para ID. Como antes, a interseco das duas curvas determina o ponto quiescente Q.
56
Figura 2.60 - Determinao do ponto de operao de um JFET com autopolarizao. A tenso VDS obtida aplicando LKT ao circuito da figura 2.59.b, sabendo que IS = ID, ou seja, I D RS VDS I D RD + VB = 0 e VDS = VB I D (RS RD ) (2.34)
A tenso VS obtida por lei de Ohm, ou seja, VS = IDRS. E, finalmente, VG = 0V e VD = VDS + VS.
57
2.3.8 Exerccios
1 Desenhar a construo bsica de um JFET de canal p. Aplicar, ento, a polarizao apropriada entre dreno e fonte e esboar a regio de depleo para VGS = 0 V. 2 Usar a equao de Shockley para calcular o valor de ID para cada um dos valores de VGS dados, sabendo que IDSS = 12mA e VP = -6V. Dados: 0V, -3 V e -6V. Resp.: (-6; 0), (-3; 3m), (0; 12m) 3 Calcular o valor de VGS para cada um dos valores de ID dados, sabendo que VP = -6V e IDSS = 12mA. Dados: 12mA, 6mA, e 0mA. Resp.: (0; 12m), (-1,8; 6m), (-6; 0) 4 Calcular VGS para ID = 4,5mA, IDSS = 8mA e VP = -4V. 5 Fazer um esboo da curva de transferncia de um JFET com IDSS = 12mA e VP = -6V. 6 Um JFET de canal p apresenta os seguintes parmetros: IDSS = 7,5mA e VP = 4V. Esboar a curva de transferncia. 7 Fazer o esboo da construo bsica de um MOSFET tipo depleo de canal p. 8 Sob que aspecto a construo de um MOSFET tipo depleo semelhante de um JFET? E sob qual aspecto diferente? 9 Fazer o esboo da curva de transferncia e as curvas de dreno para um MOSFET tipo depleo de canal n com IDSS = 12mA e VP = -8V, para VGS = -VP at VGS = 1V. 10 Dado ID = 4mA em VGS = -2V, determinar IDSS se VP = -5V. 11 Descrever a principal diferena entre a construo de um MOSFET tipo intensificao e um MOSFET tipo depleo. 12 Descrever resumidamente a operao bsica de um MOSFET tipo intensificao. 13 Fazer o esboo da curva de transferncia e as curvas de dreno de um MOSFET tipo intensificao para VT = 3,5 V e k = 0,4.10-3 A/V2.
58
14 Dada a curva de transferncia abaixo, determinar VT e k, e escrever uma equao geral para ID.
ID (mA)
16 14 12 10 8 6 4 2 0 0 2 4 6 8 10
VGS (V)
15 Para o circuito abaixo, determinar os valores de VGSQ, IDQ, VDS, VD, VG e VS.
+20V 2k D
1M 2V +
+ VGS - S
I DSS = 10mA V P = -8V
Resp.: -2V; 5,6mA; 4,8V; 4,8V; -2V;0V 16 Para o circuito abaixo, determinar os valores de VGSQ, IDQ, VDS, VD, VG e VS.
+20V ID 3,3 k D G + V GS1 M S 1 k IDSS = 8 mA VP = -6 V
Resp.: -4V; 2,6mA; 8,82V; 2,6V; 0V; 11,42V
59
17 Para o circuito abaixo, determinar os valores de VGSQ, IDQ, VD, VS , VDS e VDG.
+16 V 2,1 M 2,4 k V0 Vi 5 F 270 k 1, 5 k 10 F IDSS = 8 mA VP = -4 V
20 F
Resp.: -1,8V; 2,4mA; 10,24V; 3,6V; 6,64V; 6,64V; 8,42V
60
2.4 Amplificadores operacionais

O amplificador operacional, cujo smbolo mostrado na Figura 2.57.a, um importante bloco construtivo para gerar fontes dependentes. Ele tem duas portas de entrada: uma localizada entre o terminal negativo (terminal 1) e terra e outra, entre o terminal positivo (terminal 2) e terra. Possui uma porta de sada, cuja tenso designada por V0. O smbolo colocado no amplificador para indicar que ele tem ganho infinito. As fontes de tenso contnua, Vc e Vd, so necessrias para estabelecer condies apropriadas de operao, sendo tipicamente de +15V e 15V. Desta forma, a tenso na sada do operacional pode ser positiva ou negativa em relao ao ponto de referncia (terra). Para efeito de anlise de circuitos, os terminais 4 e 5 so desconsiderados.
Vd 5 4 Vc Ia = 0 1 3
+ + -
3 V0
I1 = 0 1 2
+ - Va=0
1
+ +
3 Va=0
-
V0
-
I2 = 0
V0 2
2 (c) Circuito equivalente 2
(a) Smbolo do amp. op.
(b) Circuito equivalente 1
Figura 2.61 O amplificador operacional ideal. Quando opera na regio linear, o amplificador operacional ideal apresenta as seguintes caractersticas: Resistncia infinita em ambas as portas de entrada; assim, os terminais 1 e 2 no drenam corrente (I1 = I2 = 0). Ganho infinito. Conseqentemente, a tenso entre o terminal negativo e o positivo, Va, zero. Resistncia de sada igual a zero; assim, a tenso de sada, V0, independente da corrente drenada na sada.
Estas trs propriedades so expressas por ambos os circuitos equivalentes mostrados nas figuras 3.57.b e 3.57.c. O circuito da Figura 2.57.b desenhado com um curto-circuito entre os terminais de entrada, satisfazendo assim a condio Va = 0 (IMPORTANTE: A restrio Ia = 0 indicada no circuito para mostrar que nenhuma das duas portas de entrada drena corrente, apesar da existncia de um curto-circuito entre elas). O circuito da figura 1.c desenhado com um circuito aberto entre os terminais de entrada, satisfazendo assim a condio de que nenhum terminal de entrada consome corrente. A restrio Va = 0 indicada no circuito para mostrar que a diferena de potencial entre os dois terminais de entrada zero. Deste ponto em diante, o amplificador operacional ideal ser desenhado como na Figura 2.57.a, sem as marcas de corrente e tenso iguais a zero, sendo estas condies subentendidas. Um circuito com amplificador operacional (abreviadamente, amp. op.) caracterizado usualmente pela relao entre a tenso de entrada e a tenso de sada, sendo a expresso analtica resultante denominada funo de transferncia. Para fazer a anlise de um circuito com amplificador operacional, os smbolos de cada amp. op. podem ser removidos e substitudos pelo circuito equivalente da Figura 2.57.b ou 3.57.c. Ento, a razo sada/entrada desejada pode ser determinada atravs de tcnicas usuais de anlise de circuitos. Porm, com um pouco de prtica, as equaes de
61
rede podem ser escritas diretamente sem fazer a substituio do smbolo do amp. op. pelo circuito equivalente. O amplificador operacional assim denominado porque operaes como inverso, soma, integrao e outras podem ser realizadas quando estes amplificadores so usados com redes RC. O amplificador operacional muito utilizado com realimentao resistiva do terminal de sada para o terminal negativo de entrada. Dependendo de onde os sinais de entrada so aplicados, a rede resultante usada para amplificar um sinal, amplificar e inverter um sinal ou para tomar a diferena entre dois sinais e amplific-la. A amplificao pode ser maior do que a unidade ou pode ser igual unitria, sendo neste caso a baixa resistncia de sada a principal propriedade do circuito (idealmente zero). tambm possvel obter ganhos menores do que a unidade.
2.4.1 Amplificador no-inversor

O amplificador no-inversor mostrado na Figura 2.58. A sada, V0, realimentada para o terminal negativo (inversor) do amp. op. atravs da rede R2R1. A entrada aplicada ao terminal positivo (no-inversor).
+ V0 R1 R2
+ Vi -
Figura 2.62 Amplificador no-inversor. Para calcular a funo de transferncia, V0/Vi, o amplificador operacional pode ser substitudo pelo modelo dado na Figura 2.57.b ou 3.57.c. Ambos os circuitos podem ser usados para obter-se V0/Vi. No entanto, a anlise de ns pode tambm ser usada, observando que nos terminais inversor (V+) e no-inversor (V-) no h corrente e que V+ - V- = 0V. Adicionalmente, como no circula corrente no terminal V+, os dois resistores esto eletricamente em srie, formando um divisor de tenso com a tenso de sada V0. Assim, pode-se dizer que
V + = V0 R1 R1 + R2
(2.35)
Por outro lado, como V+ = V- e V- = Vi, pode-se substituir V+ = Vi na Equao 2.26, resultando
R1 R1 + R2
Vi = V0
(2.36)
Resolvendo a Equao 2.26 para a funo de transferncia, obtm-se
62
V0 R1 + R2 R = = 1+ 2 Vi R1 R1
A razo entre a tenso de sada e a de entrada denominada ganho do amplificador noinversor e dada pela Equao 2.27. V0 R = 1+ 2 . Vi R1
Ganho =
( 2.37)
Algumas observaes importantes podem ser feitas sobre o amplificador no-inversor, com referncia Equao 2.27 e Figura 2.58: O ganho positivo (por isso, o nome amplificador no-inversor); O ganho igual ou maior que um; O ganho unitrio obtido fazendo R2 = 0 ou R1 = . Estas condies so satisfeitas curtocircuitando a sada diretamente ao terminal negativo. O ganho depende da razo dos dois resistores. Portanto, pode ser fixado precisamente. O ganho no depende de qualquer resistncia que a fonte possa ter, pois o terminal positivo de entrada no drena corrente. Alternativamente, pode-se dizer que a fonte Vi enxerga uma resistncia de entrada infinita. A resistncia de sada zero. Portanto, o ganho independente de qualquer carga conectada sada. Contudo, o amplificador operacional deve ser capaz de fornecer a corrente de sada demandada pela rede de realimentao [V0/(R1 + R2)] e pela carga (V0/RL).
O ganho do amplificador no-inversor torna-se dependente da freqncia, se elementos reativos forem utilizados.
2.4.2 Amplificador inversor

O amplificador inversor mostrado na Figura 2.59. A sada V0 realimentada para o terminal negativo do amplificador operacional atravs do resistor R2. A entrada conectada a R1 enquanto o terminal positivo do amp. op. aterrado.
R2
R1 + Vi + V0 -
Figura 2.63 - Amplificador inversor. Para calcular a funo de transferncia, o amplificador operacional pode ser substitudo pelo modelo dado na Figura 2.57.b ou 3.57.c. Alternativamente, mantendo em mente as restries Ia = 0 e Va = 0, a anlise de ns pode tambm ser usada, atravs do equacionamento do n V-, resultando na Equao 2.28.
63
1 (V ) R
1 R2
Vi
1 1 V0 R R 1 2
=0
(2.38)
Como V+=0 e V- = V+, o termo com V- pode ser cancelado, resultando

1 1 Vi V0 R R 1 2 =0
(2.39)
Resolvendo a Equao 2.29 para a funo de transferncia, obtm-se o ganho do amplificador inversor, ou seja, V0 R = 2 Vi R1
Ganho =
( 2.40)
Diversas observaes importantes podem ser feitas, com referncia Equao 2.30 e Figura 2.59: O ganho negativo (por isso, o nome amplificador inversor). A magnitude do ganho pode ser tornada menor do que a unidade (R2 < R1), igual unidade (R2 = R1) ou maior que um (R2 > R1). O ganho depende da razo dos dois resistores. Portanto, pode ser fixado precisamente. A fonte Vi v uma resistncia de valor R1. Portanto, ela precisa ser capaz de fornecer uma corrente igual a Vi/R1. Quando a fonte contm uma resistncia interna Rs, ento Vi pode ser tomada como o valor da fonte em circuito aberto e Rs tratada como parte de R1. A resistncia de sada zero. Portanto, uma carga RL no entraria na expresso para o ganho. Contudo, o amplificador operacional deve ser capaz de fornecer a corrente de sada demandada pela rede de realimentao (V0/R2) e por uma eventual carga (V0/RL).
O ganho do amplificador inversor torna-se dependente da freqncia, se elementos reativos forem utilizados.
2.4.3 Amplificador diferena

Para obter-se a diferena entre dois sinais, V1 e V2, o circuito mostrado na Figura 2.60 pode ser usado.
R2 R1 R1 R2
64
+ V1 -
+ V2 -
+ V0 -
Figura 2.64 - Amplificador diferena. Como nos casos anteriores, a realimentao aplicada de V0 para o terminal negativo do amplificador. Aplicando LKC no terminal V-, obtm-se
1 1 1 1 V + R R V1 R V0 R 2 1 1 2 =0
(2.41)
Aplicando LKC no terminal V+, obtm-se

1 1 1 V + + R R V2 R 2 1 2 =0
(2.42)
A tenso V+ obtida da Equao 2.32 e substituda na Equao 2.31, j que V- = V+, ou seja,
R2 V2 R +R 2 1 1 1 1 1 + R R V1 R V0 R 2 1 1 2 =0
(2.43)
Resolvendo a Equao 2.33 para V0, obtm-se a Equao 2.34. Para obter-se na sada a diferena entre os dois sinais de entrada, basta fazer R1 igual a R2.
R2 (V2 V1 ) R1
V0 =
(2.44)
2.4.4 Amplificador somador inversor

Para somar dois ou mais sinais, o circuito mostrado na Figura 2.61 pode ser utilizado, no qual so aplicados trs sinais de entrada. Se apenas um sinal de entrada fosse aplicado, o circuito se tornaria o amplificador inversor. Aplicando LKC no n V- do circuito da Figura 2.61, obtm-se
R1 + V1 R2 + V2 + V3 R3

Rf
65
+ V0 -
Figura 2.65 - Amplificador somador inversor 1 (V ) R
1 1 1 1 V1 V2 + R R R2 R3 1 2
1 1 V3 V0 R R 3 f
=0
(2.45)
Como V- = V+ e V+ = 0, ento o termo com V- pode ser anulado na Equao 2.35, a qual resolvida para V0 resulta
V V V V0 = R f 1 + 2 + 3 R R R3 2 1
(2.46)
Os sinais das fontes no interagem: V1 fornece uma corrente dependente somente de V1 (V1/R1), V2 fornece uma corrente dependente de V2 (V2/R2) e V3, uma corrente dependente apenas de V3 (V3/R3). A Equao 2.36 poderia ter sido escrita diretamente aplicando o ganho inversor para cada fonte independentemente. importante notar que, quando V1 est ativa e V2 est desligada, nenhuma corrente flui atravs de R2, j que a tenso nos seus terminais zero (igual tenso entre os terminais de entrada do amplificador). Portanto, R2 no tem efeito sobre o ganho associado com as fontes V1 e V3. O mesmo pode ser dito para R1 e R3. Assim, R1 no tem efeito sobre o ganho associado com as fontes V2 e V3, e R3 no tem efeito sobre o ganho associado com as fontes V1 e V 2. Se R1 = R2 = R3 = Rf, a Equao 2.36 fornece o valor negativo da soma dos sinais aplicados, ou seja, V0 = (V1 + V2 + V3 ) . Se R1 = R2 = R3 = 3Rf, a Equao 2.36 fornece o valor negativo da mdia aritmtica dos sinais aplicados, ou seja,
V0 =
(V1 + V2 + V3 )
3
66
2.4.5 Amplificador somador no-inversor

O circuito da Figura 2.62 forma um amplificador somador no-inversor.
R1 + V1 R2 + V2 + V3 R3 R Rf + V0 -
Figura 2.66 - Amplificador somador no-inversor. Aplicando LKC ao n V+ e divisor de tenso ao n V-, obtm-se a tenso de sada dada pela Equao 2.37:
V1 V2 V3 + + R f R1 R2 R3 1 + V0 = 1 1 R 1 + + R1 R2 R3
(2.47)
Fazendo R1 = R2 = R3 e Rf = 0, obtm-se a mdia aritmtica dos sinais de entrada, ou seja, V0 =
(V1 + V2 + V3 )
3
2.4.6 Seguidor de tenso

O circuito seguidor de tenso fornece um modo de isolar o sinal de entrada de uma carga, por meio de um estgio de ganho unitrio (buffer), mostrado na Figura 2.63.
Vi
V0
Figura 2.67 - Amplificador de ganho unitrio Este circuito no inverte a polaridade, agindo como um circuito ideal com impedncia de entrada muito alta e baixa impedncia de sada.
67
2.4.7 Fontes Controladas

Amplificadores operacionais so utilizados tambm para converter tenso em corrente e viceversa. Por exemplo, o amplificador inversor (Figura 2.59) pode ser considerado uma fonte de tenso controlada por tenso, em que a tenso de sada considerada dependente da tenso de entrada, ou seja, igual ao produto de um fator de escala k pela tenso de entrada. A mesma suposio vale para a configurao no-inversora (Figura 2.58). Um conversor de tenso para corrente (tambm chamado de amplificador de transadmitncia) mostrado na Figura 2.64. A corrente de entrada Vi/Ri. Como no h corrente no terminal inversor, a corrente atravs do resistor RL igual corrente de entrada. Portanto, a corrente de sada I0 atravs da carga RL independe de RL (Equao 2.38). Assim, a tenso de entrada Vi convertida na corrente Vi/Ri, a qual ento usada para alimentar RL. Alternativamente, RL enxerga uma fonte de corrente cujo valor determinado pelo sinal de entrada e pela resistncia de entrada. Observar que nenhum dos dois terminais da carga aterrado.
Vi = kVi Ri
RL R1 + V1 I1 IL V0
I0 =
(2.48)
Figura 2.68 - Fonte de corrente controlada por tenso. Um conversor de corrente para tenso (tambm chamado de amplificador de transimpedncia) mostrado na Figura 2.65. A corrente atravs do resistor de carga RL igual corrente de entrada Ii. A tenso de sada -IiRL. Portanto, a fonte de corrente Ii convertida na fonte de tenso V0 = IiR. Esta fonte ento usada para alimentar a carga RL. I 0 = I i RL = kI i
RL IL I1 V0
(2.49)
Figura 2.69 - Fonte de tenso controlada por corrente.
68
Todas as aplicaes apresentadas aqui so baseadas na suposio de que o amplificador operacional est operando na faixa linear. Contudo, amplificadores operacionais no operam sempre na faixa linear, no modo ativo. Algumas vezes eles oscilam. Outras vezes, eles podem tornar-se saturados, isto , a sada mantm-se em um determinado nvel fixo de tenso positiva ou negativa. Neste caso, a sada do circuito equivalente do amplificador operacional no uma fonte de tenso dependente V0, mas sim uma fonte de tenso contnua fixa. Uma questo pode ser levantada: como se pode saber se o amplificador operacional est no modo ativo ou saturado? Uma resposta certa e bvia a esta questo obtida montando o circuito e testando-o. Se o circuito trabalha como esperado, ento o amplificador est operando como assumido. Por exemplo, se o amplificador conectado no modo inversor (figura 5.3.a) e assumido que opera linearmente, ento a relao sada/entrada precisa obedecer a seguinte expresso: V0 R = 2 . Vi R1 Por outro lado, em outro arranjo de realimentao, se a sada esperada baseada no comportamento linear uma senide, mas uma tenso cc observada, ento o amplificador est saturado e a suposio de que ele est operando no modo ativo no vlida. Esta aparente discrepncia entre teoria e prtica resolvida, se um modelo mais realista que o ideal for usado para representar o amplificador operacional. Ainda assim, deve-se manter em mente que o teste final deveria ser a verificao do circuito real para se ter certeza que ele trabalha como esperado. O modelo ideal do amplificador operacional freqentemente usado, pois possibilita simplicidade de anlise e interpretao. Contudo, para providenciar melhor concordncia entre teoria e prtica, um modelo mais apurado e, conseqentemente mais complicado, necessrio. Isto particularmente verdadeiro, se o amplificador usado em aplicaes com freqncia maior do que zero.
2.4.8 Exerccios
1 Calcular a tenso de sada do circuito abaixo.
250k 20k + Vi + V0 -
69
2 Calcular a tenso de entrada para que a tenso de sada seja 2V.

250M 20k + Vi + V0 -

+ V0 36 0k 12k
+ -0,3 V -

33k + +0,2 V 22k + -0,5 V 12k + +0, 8V + V0 330k
5 No circuito abaixo, determinar a tenso V0 e a corrente I0.

12k 3k + 2V I0 + V0 -
4k
Resp.: -8V; -2,67mA
70
6 No circuito abaixo, determinar a tenso V0 e a corrente I0.

9k 3k + 4V + 2V I0 + V0 -
4k
Resp.: -4V; -1,67mA 7 No circuito abaixo, determinar a tenso V0 e a corrente I0.

4k 6k + 4V 12 k I0 + V0 -
+ 10V -
10 k
Resp.: 8V; 1,47mA 8 No circuito abaixo, determinar a tenso V0.

6k 12k 4k + 2V 5k + V0 -
10k
15k
Resp.: -4V
71
Consideraes finais
Para a elaborao do contedo deste caderno universitrio, a reviso terica, as prticas de laboratrio e as listas de exerccios foram organizadas de forma a conter parte da estrutura proposta da disciplina, com o objetivo de apoiar o aluno em seus estudos. Este material, contudo, no abrange todo o contedo necessrio para esta disciplina. O aluno dever se aprofundar sobre os diversos assuntos tratados aqui e em sala de aula atravs dos livros. Portanto, este caderno universitrio no substitui os livros em hiptese alguma.
72
Referncias bibliogrficas
BOYLESTAD, Robert l.. Introduo Anlise de Circuitos. Prentice-Hall do Brasil, 1998 BOYLESTAD e NASHELSKY. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 1a. Edio. Prentice-Hall do Brasil Ltda. Rio de Janeiro, 2004 - ISBN 85-879-1822-2 BUDAK, Aram. Passive and Active Network Analysis and Synthesis. Waveland Press, Inc. Illinois, 1991 CAPUANO, Francisco Gabriel e MARINO, Maria Aparecida Mendes. Laboratrio de Eletricidade e Eletrnica. Editora rica Ltda., 1999 CHEN, Wai-Kai. Passive and Active Filters. John Wiley & Sons. New York, 1986 GUSSOW, Milton. Eletricidade Bsica. Pearson Education do Brasil Ltda., 1997 IRWIN, J. David. Anlise de Circuitos Eltricos em Engenharia. 1a. Makron Books. So Paulo, 2000 ISBN 85-346-0693-5 LALONDE, David E. e ROSS, John A. Princpios de Dispositivos e Circuitos Eletrnicos 1a. Edio. Makron Books, So Paulo, 1999 ISBN 85-346-0898-9 MALVINO, ALBERT PAUL. Eletrnica - Vol. 1. Makron Books, 4 Edio. So Paulo, 2001 ISBN 8534603782 MALVINO, ALBERT PAUL. Eletrnica - Vol. 2. Makron Books, 4 Edio. So Paulo, 1997 ISBN 853460455X MILLMAN & HALKIAS. Eletrnica - Vol. 1. Editora McGraw-Hill 2. Edio. So Paulo, 1981. 472p MILLMAN & HALKIAS. Eletrnica - Vol. 2. Editora McGraw-Hill 2. Edio. So Paulo, 1981. pginas 413-878 SANTOS, Joo Carlos Vernetti dos Santos. Fenmenos Eletromagnticos. Caderno Universitrio 188. Editora da ULBRA. Canoas, 2004 SANTOS, Joo Carlos Vernetti dos Santos. Fundamentos de Eletroeletrnica I. Caderno Universitrio 352. Editora da ULBRA. Canoas, 2006 SARMA, Mulukutla - Introduction to Electrical Engineering - Ed IE-Oxford ISBN 0195136047 2000 TOCCI , R. J., WIDMER, Neal. Sistemas Digitais: Princpios e Aplicaes. Editora Livros tcnicos e cientficos, Rio de Janeiro, 2000 WIRTH, Almir. Eletricidade e Eletrnica Bsica. Alta Books, Rio de Janeiro, 2007. ISBN 85-7608141-8

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NDICE DE TABELAS Tabela 2.1 - Exemplos de especificaes tcnicas de LEDs..............................................................18

FUNDAMENTOS DE ELETROELETRNICA I Prof. Joo Carlos Vernetti dos Santos

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2.1 Diodos semicondutores

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Figura 2.3 - Silcio tipo P.

2.1.1 Aspectos construtivos

Prof. Joo Carlos Vernetti dos Santos

Smbolo do diodo: P N nodo ctodo

2.1.2 Polarizao direta

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Figura 2.6 Diodo (juno PN) com polarizao direta.

2.1.3 Polarizao reversa

Figura 2.7 - Diodo (juno PN) com polarizao reversa.

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2.1.4 Curva caracterstica do diodo

joelho da curva VRM VD tenso de ruptura v(V)

2.1.5 Tipos de diodos

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diodo com caracterstica dependente da temperatura

diodo emissor de luz (LED)

Figura 2.9 - Tipos de diodos e simbologia.

2.1.6 Reta de carga

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ponto de opera o: (ID , VD) tens o de corte

Figura 2.11 - Pontos de saturao e de corte para um diodo.

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RS = 100 + VF = 2V 20 12 0,78 2 V(V)

SOLUO: A corrente na malha pode ser calculada como

2 VD = 20mA 0,01 VD 100

2.1.7 Aproximaes do diodo

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i sentido direto sentido reverso v Figura 2.12 Primeira aproximao do diodo. i

0,7V sentido direto sentido reverso 0,7V

v Figura 2.13 Segunda aproximao do diodo. i 0,7V

v Figura 2.14 Terceira aproximao do diodo.

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SOLUO: A figura abaixo mostra o circuito com o modelo do diodo.

Ou seja, VD = VF 2,7, ou seja, VF 2,7V.

2.1.8 Diodo emissor de luz (LED)

Figura 2.15 - Circuito de polarizao de LED.

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Figura 2.23 Retificador de onda completa com quatro diodos em ponte.

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-Vp vD2 vD4 0 t

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Diodo Zener e estabilizao de tenso

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Para fins de projeto, o valor de IZmin estimado atravs da equao (3.8).

400mW = 33,33mA 12V

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A especificao de potncia de RS obtida atravs da equao (3.11).

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VE min = RS (I Z min + I L ) + VZ VE max = RS (I Z max + I L ) + VZ