Configuraes bsicas TJB - reviso

Emissor comum (EC):

Elevados ganhos de tenso e corrente;
Resistncias de entrada de valor moderado;
Resistncias de sada de valor elevado.
Resposta em freqncia relativamente pobre.
EC com resistncia no emissor:
A resistncia de entrada R
i
aumenta de (1 + g
m
R
e
).
Para a mesma distoro no-linear, podemos aplicar um sinal
(1 + g
m
R
e
) vezes maior.
O ganho de tenso reduzido.
O ganho de tenso menos dependente do valor de |
(particularmente quando R
i
pequeno).
A resposta em altas freqncias melhorada
significativamente.
Base comum (BC):
Resistncia de entrada muito baixa.
Ganho de corrente prximo de um (buffer ou isolador
de corrente aceita um sinal de entrada de corrente em uma
resistncia de entrada baixa (r
e
) e fornece uma corrente
praticamente igual a uma alta impedncia no coletor (a
impedncia de sada desconsiderando-se R
C
infinita).
Resistncia de sada determinada por R
C
.
Ganho de tenso que depende consideravelmente da
resistncia de fonte R
S
.
Boa resposta em altas freqncias.
Configuraes bsicas TJB reviso (2)
Coletor comum (ou seguidor de emissor)
Elevada resistncia de entrada.
Baixa resistncia de sada.
Ganho de tenso que menor e muito prximo da unidade.
Ganho de corrente relativamente elevado.
A configurao CC adequada, portanto, para aplicaes nas quais uma
elevada resistncia de fonte deve ser conectada a uma carga de baixo
valor o seguidor de emissor atua como um isolador (buffer).
Sua baixa resistncia de sada torna-o til como ltimo estgio de um
amplificador de mltiplos estgios, em que o objetivo deste ltimo estgio
no aumentar o ganho de tenso, mas fornecer uma baixa resistncia de
sada.
Leiam com ateno o final do item que trata a respeito do seguidor de
emissor, em particular a questo da mxima excurso permissvel para o
sinal de sada.
Configuraes bsicas TJB reviso (3)
A regio de corte
v
I
< 0,5 V (aproximadamente) JEB conduzir uma corrente
desprezvel.
JCB est reversamente polarizada (V
CC
positivo).
O TJB estar no modo de corte. i
B
= 0; i
E
= 0; i
C
= 0; v
C
= V
CC
TJB como chave corte e saturao
A regio ativa
v
I
> 0,5 V (aproximadamente). Para ter uma corrente aprecivel
circulando v
BE
~ 0,7 V v
I
> 0,7:


Supondo que o dispositivo esteja no modo ativo: v
C
= V
CC
R
C
i
C
Verificar se v
CB
> 0 Verificar se v
C
> 0,7 (v
C
< 0,7 regio de
saturao).
| v
I
= 0 | i
B
| i
C
+ v
C
Se v
CB
< 0 (v
C
< v
B
) regio de
saturao.
TJB como chave corte e saturao (2)
;
7 , 0
B
I
B
BE I
B
R
v
R
V v
i

~

=
B C
i i | = aplica-se somente se o
dispositivo estiver no modo ativo
A regio de saturao
Saturao: quando se tenta forar uma corrente no coletor maior do
que o circuito do coletor capaz de fornecer enquanto se mantm a
operao no modo ativo.
A corrente mxima que o coletor pode exigir sem que o transistor
saia do modo ativo v
CB
= 0.


Se i
B
for aumentado acima de , i
C
aumentar e v
C
cair para um
valor abaixo da base.
Este comportamento continua at a JCB se torne diretamente
polarizada, com a tenso de polarizao direta com cerca de 0,4 a
0,6 V A JCB conduzir v
C
= ?
TJB como chave corte e saturao (3)
C
CC
C
B CC
C
R
V
R
V V
I
7 , 0

=
|
C
B
I
I

=
necessrio
I
B
BE I
B
v
R
V v
i

=
B
I

A regio de saturao (continuao)

JCB: diretamente polarizada, com a tenso de polarizao direta
com cerca de 0,4 a 0,6 V A JCB conduzir v
C
ser grampeada
em cerca de meio volt abaixo da tenso de base. (A queda de tenso
direta da juno coletor-base pequena porque a JCB tem uma rea
relativamente grande).
Saturao qualquer aumento em i
B
resultar em um aumento
muito pequeno de i
C
, correspondendo a um aumento muito pequeno
na tenso de coletor v
C
.
Na saturao, o | incremental (isto , Ai
C
/ Ai
B
) muito pequeno,
desprezvel. Qualqur corrente extra que se tentar forar no
terminal de base em sua maior parte circular atravs do terminal de
emissor. A relao entre a i
C
e i
B
de um transistor saturado no
igual a | e pode ser ajustada para qualquer valor desejado menor
do que | simplesmente forando mais corrente pela base.
TJB como chave corte e saturao (4)
A regio de saturao (continuao)
Suponha que o transistor esteja saturado. O valor de V
BE
de um
transistor saturado usualmente um pouco maior do que o do
dispositivo operando no modo ativo. No entanto, por simplicidade,
assuma que V
BE
permanea prximo de 0,7 V mesmo estando
saturado.
Saturao v
B
> v
C
em cerca de 0,4 a 0,6 V v
C
> v
E
em cerca de
0,3 a 0,1 V V
CEsat
~ 0,2 V.
TJB como chave corte e saturao (5)
A regio de saturao (continuao)
Saturao v
B
> v
C
em cerca de 0,4 a 0,6 V v
C
> v
E
em cerca de
0,3 a 0,1 V V
CEsat
~ 0,2 V. (Observao: se for forada mais
corrente pela base, o transistor ser levado a uma saturao
intensa e a polarizao direta da JCB aumentar e, portanto, V
CEsat

diminuir).
Saturao i
C
~ constante = I
Csat
I
Csat
= (V
CC
V
CEsat
) / R
C
.
A fim de garantir que o transistor seja levado saturao, deve-se
forar a corrente de base de pelo menos:


Costuma-se projetar o circuito de modo que I
B
seja maior do que
I
B(EOS)
por um fator de 2 a 10 fator de saturao forada
(overdrive factor): |
forado
= I
Csat
/ I
B
.
TJB como chave corte e saturao (6)
|
sat
) (
C
EOS B
I
I =
EOS: edge of saturation: incio de saturao.
Clculos rpidos e aproximados: V
BE
e V
CEsat
= 0 (os trs terminais
em curto-circuito).
O modelo para o TJB saturado
V
CEsat
~ 0,2 V V
BE
~ 0,7 V V
BE
~ 0,7 V
(a) npn
(b) pnp
Analise o circuito da figura 4.51 (o mesmo do exemplo 4.3) para
determinar as tenses em todos os ns e as correntes em todos os
ramos. Suponha que o | do transistor seja especificado como sendo
pelo menos igual a 50.
Exemplo 4.13
Supondo que o transistor esteja saturado: V
E

I
E
; V
C
= V
E
+ V
CEsat
; I
C
; I
B
= I
E
I
C

O transistor est operando com: |
forado
= 0,96 / 0,64 = 15 <

|
mnimo especificado
+ 6 V
+ 6 V
6 0,7 = +5,3 V
5,3/3,3 = 1,6 mA
+5,3 + 0,2 = 5,5 V 3
4 (10 - 5,5) / 4,7 = 0,96 mA
1,6 0,96 = 0,64 mA
O transistor est realmente
saturado.
O transistor da 4.52 tem como especificao um | na faixa de 50 a
150. Encontre o valor de R
B
que resulta em uma saturao com um
fator de saturao forada de pelo menos 10.
Exemplo 4.14
Transistor saturado: V
C
= V
CEsat
= 0,2 V.
I
C sat
= (+10 0,2) / 1k = 9,8 mA
I
B(EOS)
= I
C sat
/ |
min
= 9,8 / 50 = 0,196 mA
( I
B
mnimo para saturar o transistor com o menor valor de |)
Para um fator de saturao forada de 10, I
B
deve ser:
I
B
= 10 0,196 = 1,96 mA
Portanto, necessrio um valor de R
B
tal que:
R
B
= 4,3 / 1,94 = 2,2 kO
R
B
1 kO
Analise o circuito da figura 4.53 para determinar as tenses em
todos os ns e as correntes em todos os ramos. O valor mnimo
especificado para | de 30.
Exemplo 4.15
Determine todas as tenses nodais e todas as correntes nos ramos
do circuito da figura 4.54. Suponha | = 100.
Exemplo 4.16