Introduo aos Semicondutores

Disciplina: Eletrnica 1 Professor: Eduardo Oliveira Freire

Introduo
Apesar de que tanto o silcio como o germnio podem ser utilizados para a manufatura de dispositivos semicondutores, atualmente, quase toda a tecnologia dos circuitos integrados baseada no silcio. Um cristal de silcio puro tem uma estrutura regular onde os tomos so mantidos em suas posies por vnculos, conhecidos como vnculos Covalentes, formados por 4 eltrons de valncia associados com cada tomo de silcio. Em temperaturas suficientemente baixas todos os vnculos covalentes esto intactos e praticamente no existem eltrons livres disponveis para corrente eltrica. No entanto, temperatura ambiente, alguns dos vnculos so quebrados por ionizao trmica e alguns eltrons so liberados.

Introduo
Quando um vnculo covalente se rompe, um eltron deixa o seu tomo de origem. Isto faz com que uma carga positiva, de igual magnitude carga do eltron, seja deixada com o tomo de origem. Um eltron de um tomo vizinho pode ser atrado por esta carga positiva e deixar o seu tomo de origem. Isto ir preencher o buraco do tomo ionizado, mas criar um novo buraco em seu tomo de origem. Este processo pode se repetir com o resultado de que haver um portador de carga positiva, ou buraco, se movendo atravs da estrutura cristalina do silcio, disponvel para conduzir corrente eltrica. A carga eltrica do buraco, igual em magnitude carga eltrica do eltron.

Introduo
A ionizao trmica produz o mesmo nmero de eltrons e buracos livres, e portanto em mesmas concentraes. Estes eltrons e buracos livres se movem aleatoriamente atravs da estrutura cristalina do silcio, e neste processo, alguns eltrons podem preencher alguns dos buracos. Este processo conhecido como recombinao. O silcio conhecido como um semicondutor porque a sua condutividade, que determinada pelo nmero de portadores disponveis para conduzir a corrente eltrica, est entre aquela dos condutores (como os metais, por exemplo) e aquela dos isoladores (como o vidro, por exemplo.

Semicondutores Dopados
O cristal de silcio puro tem as mesmas concentraes de eltrons livres e buracos produzidos por ionizao trmica. Semicondutores dopados so materiais nos quais os portadores de carga de um tipo (eltrons ou buracos) predominam. O silcio dopado onde predominam eltrons so conhecidos como tipo N, e o silcio dopado onde predominam os buracos so conhecidos como tipo P. A dopagem de um cristal de silcio para que ele seja do tipo N ou P realizada introduzindo um pequeno nmero de tomos de impureza.

Semicondutores Dopados
Introduzindo tomos de impureza com 5 eltrons em sua camada de valncia, como o fsforo por exemplo, se obtm silcio tipo N. Isto ocorre porque os tomos de fsforo que substituem alguns dos tomos de silcio na estrutura cristalina possuem 5 eltrons de valncia, dos quais quatro formam vnculos com seus tomos de silcio vizinhos, e o quinto eltron fica livre. Assim, cada tomo de fsforo doa um eltron livre para o cristal de silcio. Deve ficar claro que nenhum buraco produzido neste processo, de modo que a maioria dos portadores no silcio dopado com fsforo sero eltrons.

Semicondutores Dopados
Para produzir um semicondutor tipo P, o silcio deve ser dopado com uma impureza trivalente, tal como o boro. Cada tomo de impureza de boro aceita um eltron cristal de silcio, podendo formar vnculos covalentes. Assim, cada tomo de boro produz um buraco e no silcio dopado com boro, predominam os portadores de carga positiva, ou seja, os buracos. importante salientar que tanto um pedao de silcio tipo N quanto tipo P eletricamente neutro. Isto ocorre porque a predominncia de portadores livres (eltrons no silcio tipo N e buracos no silcio tipo P) so neutralizados por vnculos carregados associados aos tomos de impureza.

A Juno PN

A Corrente de Difuso
Devido ao fato de que a concentrao de buracos maior na regio P e menor na regio N, ocorre a difuso de buracos atravs da juno do lado P para o lado N. De modo semelhante, como a concentrao de eltrons maior na regio N do que na regio P, ocorre a difuso de eltrons atravs da juno do lado N para o lado P. Estas duas componentes de corrente se somam para formar a corrente de difuso ID, cuja direo do lado P para o lado N, conforme ilustra a figura.

Regio de Esvaziamento
Os buracos que se difundem atravs da juno em direo N rapidamente se recombinam com algum dos eltrons em excesso que ai se encontram e deixam de existir. Este processo de recombinao resulta no desaparecimento de alguns dos eltrons livres do material tipo N. Dessa forma, algumas das cargas de vnculo positivas no sero mais neutralizadas por eltrons livres. Uma vez que a recombinao ocorre prximo juno, vai existir uma regio prxima juno que foi esvaziada de eltrons livres e contm cargas de vnculo positivas descobertas.

Regio de Esvaziamento
Os eltrons que se difundem atravs da juno em direo regio P rapidamente se recombinam com os buracos predominantes, e portanto deixam de existir. Isto resulta no desaparecimento de alguns dos buracos, deixando algumas cargas de vnculo negativas descobertas. Assim, em materiais tipo P, prximo juno, haver uma regio esvaziada de buracos, e contendo cargas de vnculo negativas descobertas. Assim, existir uma regio de esvaziamento de portadores em ambos os lados da juno, com o lado N dessa regio positivamente carregado e o lado P, negativamente carregado.

Regio de Esvaziamento
A carga em ambos os lados da regio de esvaziamento faz com que um campo eltrico seja estabelecido atravs da juno. Desse modo, surge uma diferena de potencial atravs da regio de esvaziamento, com o lado N com uma tenso positiva com relao ao lado P.

Regio de Esvaziamento
O campo eltrico resultante se ope difuso de buracos em direo regio N e de eltrons em direo regio P. De fato a queda de tenso atravs da regio de esvaziamento atua como uma barreira que tem que ser transposta pelos buracos para se difundirem em direo regio N e eltrons para se difundirem em direo regio P. Quanto mais larga for a barreira de tenso, menor ser o nmero de portadores que sero capazes de transpor a barreira, e menor ser a magnitude da corrente de difuso. Assim, a corrente de difuso depende fortemente da queda de tenso atravs da regio de esvaziamento.

A Deriva Trmica
Alm da componente de corrente ID devida difuso de portadores majoritrios, existe uma componente de corrente devida aos portadores minoritrios atravs da juno. Alguns dos buracos gerados por ionizao trmica se difundem atravs do material tipo N at o limite da regio de esvaziamento. Ai eles so submetidos ao campo eltrico da regio de esvaziamento, que os impulsiona atravs daquela regio em direo ao lado P. Similarmente, alguns dos eltrons gerados por ionizao trmica no material P se difundem at o limite da regio de esvaziamento e so impulsionados pelo campo eltrico em direo ao lado N.

A Deriva Trmica
Estas duas componentes de corrente se adicionam para formar a deriva trmica (drift current) Is, cuja direo do lado N para o lado P da juno, ou seja, oposta a ID. Uma vez que a deriva trmica transportada por portadores minoritrios produzidos por ionizao trmica, o seu valor depende fortemente da temperatura, porm, independente do valor da queda de tenso atravs da regio de esvaziamento. Quando a juno PN de um diodo est em circuito aberto no existe corrente externa, o que significa que as duas componentes de corrente opostas atravs da juno devem ter a mesma magnitude.
ID IS

A Deriva Trmica
Esta condio de equilbrio mantida pela barreira de tenso existente na regio de esvaziamento. Assim, se por alguma razo ID exceder IS, ento uma maior carga de vnculo ficar descoberta em ambos os lados da juno, o que far com que a regio de esvaziamento fique mais larga e a queda de tenso atravs dela aumente. Isto far com que ID diminua at que o equilbrio seja atingido, com ID = IS. Por outro lado, se IS exceder ID a quantidade de carga de vnculo descoberta ir diminuir, o que far com que a regio de esvaziamento fique mais fina e a queda de tenso atravs dela diminua. Assim ID vai crescer at atingir o equilbrio com ID = IS.

A Tenso nos Terminais

Quando os terminais da juno PN so deixados em circuito aberto, a queda de tenso medida entre eles zero. Ou seja, a diferena de tenso que existe atravs da regio de esvaziamento no aparece entre os terminais do diodo. Isto ocorre por causa das tenses de contato existentes nas junes metal-semicondutor, que anulam a diferena de potencial que existe atravs da regio de esvaziamento. Se no fosse assim, seria possvel retirar energia de uma juno PN isolada, o que violaria o princpio da conservao de energia.

A Largura da Regio de Esvaziamento

Pelo que j se viu, a regio de esvaziamento existe em tanto no material tipo N quanto no tipo P, e que quantidades de carga iguais existem em ambos os lados. No entanto, os nveis de dopagem no so iguais em materiais tipo N e tipo P, e isto faz com que a largura da regio de esvaziamento no seja igual nos dois lados. Em vez disso, do lado onde a dopagem mais suave, a regio de esvaziamento ter que se extender muito mais profundamente para descobrir a mesma quantidade de carga. Atualmente, comum que um lado da juno seja dopado de forma muito mais suave que o outro, o que faz com que a regio de esvaziamento esteja quase que inteiramente em um dos lados da juno.