Transporte em

Nanoestruturas
 I) Transporte balístico

Um material unidimensional (confinado em duas dimensões) transporta carga

quando uma voltagem é aplicada. Entretanto tem uma condutância finita se
tivermos um canal mesmo se não houver nenhum espalhamento no fio.
Vamos considerar um fio com uma sub-banda ocupada, conectando dois
grandes reservatórios com voltagem (V) entre eles.

(1) (2)
1 2 1  2
(a)

1  2  qV
1
(b) 2
T
EF
R
 Os estados, indo para a direita, estarão populados até um potencial eletro-
químico 1 . E estados da esquerda estarão populados até  2 , onde :

1  2  qV q  e életron
q  e buraco

A corrente resultante fluindo no canal devido ao excesso de carga n movendo é:

 DR ( )qV 
I  nqv    qv
 L  x
Note que em 1D

z
y
   ij   2k 2
2m ( x, y, z)  ij ( x, y)e ikz

A relação de dispersão consiste de uma série de sub-bandas 1D, cada uma

correspondendo a diferentes estados “transversos”. A densidade de estados
total D( ) é a soma da densidade de estados das sub-bandas individualmente.
Vamos calcular a densidade de estados em 1D.

no total de estados x 2 = N
Volume ocupado por k estados

k 2 kL kL N
N 2   k 
2 2   L
L

2  2 N 2 L2
2m
 N  2 2 
2

2m L 2


1
L 12
N  ( 2 m) 2


 1
1
dN (2m) L 2 
D( )    2
d 2 

Podemos escrever em função da velocidade.

k  2k 2
v  
m 2m

1
1 2  2  2
  mv  v   
2 m

1 1
( 2 m) L  2  1
2 2

 D( )   
2   m  v
Então: 1 1
(2m) L  2  1 eV
2 2

I   ev
2   m  v L
2e 2
I v
h
Importante notar que a velocidade cancela exatamente – a corrente depende
somente da voltagem aplicada.

A condutância (G) I=GV

2e 2 1
G  R   12.906k
h G

Um canal transmissor perfeito unidimensional tem uma condutância finita,

cujo valor depende de constantes fundamentais.
G é chamado condutância quântica.
Se o canal é um condutor perfeito, escrevemos:

2e 2
G( F )  T ( F )
h

onde T ( F )  é a transmitância do sistema.

Essa equação é conhecida como fórmula de Landauer.

Para uma temperatura finita:


d  f L (  eV )  f R ( )T ( )
2e
I ( F , V , T )  
h 
II) Bloqueio Coulombiano

Vamos considerar um “quantum-dot”, sistema 0D que é relativamente isolado

eletricamente. Este sistema apresenta um número definido de carga Ne-. Cada
elétron que é colocado no ponto-quântico provoca uma variação discreta do no
de e- . Devido a repulsão coulombiana entre elétrons a diferença de energia para
NN+1 elétrons pode ser muito grande.
Um quantum-dot com N elétrons

 N 1   N 1  e   N 1  NU  eVg (**)

onde U é a interação coulombiana entre qualquer 2 e- no ponto-quântico

chamado de energia de carregar. O no adimensional  é a taxa no qual a
voltagem Vg é aplicada.
Em geral U irá variar para diferentes estados eletrônicos no dot, aqui vamos
assumir constante. Nesse caso descrevemos :

e2 Cg
U e 
C C

onde C é capacitância eletrostática total do dot e Cg é a capacitância

entre o dot e o gate.

A quantidade e C é o deslocamento do potencial quando um elétron é

adicionado.

Se o dot tem fraco contato elétrico com o reservatório metálico, os elétrons

irão tunelar no dot até o potencial eletroquímico para adicionar outro elétron
exceda o potencial químico do reservatório .

Consideremos no equilíbrio a ocupação N para o ponto-quântico. Pode-se

carregar o ponto usando uma voltagem de gate V g .
A voltagem de gate adicional V g necessária para adicionar mais um
elétron de um reservatório de um valor  será usando (**)

1  e2 
Vg    N 1   N  
e  C
A energia U depende do tamanho do quantum quantum-dot, do material
e do formato !
Em geral deve ser calculado para uma geometria específica.

Exemplo:

Considere um dot esférico de raio-R coberto por uma esfera metálica

de raio R+d. Esta camada blinda a interação coulombiana entre o
elétron e o dot.
2 R  2nm
e d e2
U d  1nm U   0,24eV
R R  d C
 1
 Para temperaturas T<(U+)/KB , a energia U e o espaçamento de níveis
 controlam o fluxo de elétrons através do quantum-dot.

O transporte através do “dot” é suprimido quando o nível de Fermi do contato

faz entre o potencial químico de N e N+1 estados de carga !

Isto é chamado de bloqueio coulombiano.

A corrente poderá fluir quando o e(N+1) está entre o nível de Fermi da

direita e esquerda dos contatos. Então o elétron pode “pular” do dot para
o eletrodo, “da esquerda para a direita”; resultando em um fluxo.
Esse processo pode se repetir conforme aumentamos V g , isto é
chamado de oscilação coulombiana na condutância. Se U >> KT, esses
picos são bem acentuados. Dispositivos mostrando oscilações coulombianas
são chamados de dispositivos de um elétron (SET).