ESTUDO DOS ELEMENTOS DE

ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA: AULA 6

TRTAC
DÍODOS E TIRÍSTORES
 INTRODUÇÃO A
ELECTRÓNICA DE PARTE 1

POTÊNCIA
DEFINIÇÃO
A Electrónica de Potência abrange toda a conversão de
energia eléctrica com o uso de dispositivos electrónicos.
Esses dispositivos, denominados Conversores Estáticos de
Potência, são baseados em dispositivo semicondutores de
potência que permitem fazer transformações de energia eléctrica.
Portanto, a eletrônica de potência pode ser considerada uma
tecnologia interdisciplinar que envolve três campos básicos: a
potência, a eletrônica e o controle.
Os circuitos em eletrônica de potência são denominados não-
lineares, pois utilizam os semicondutores como chaves, ligadas ou
desligadas.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE
POTÊNCIA

As chaves semicondutoras de potência são os elementos

mais importantes nos circuitos de electrónica de potência. Os
principais tipos de dispositivos semicondutores usados como
chaves em circuitos de electrónica de potência a serem
abordados neste módulo são:
Díodos
Tirístores SCR
GTO’s (Gate Turn-Off Transistors)
TRIAC’s
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors)
TIPOS DE CIRCUITOS DE ELECTRÓNICA
DE POTÊNCIA

Rectificadores (CA – CC) – convertem tensões CA monofásicas ou

trifásicas em tensões CC e são usados díodos ou SCR’s como
elementos de rectificação.
Choppers DC (CC – CC) – convertem tensões CC fixas em tensões CC
variáveis.
Inversores (CA – CC) – convertem tensões CC fixas em tensões
monofásicas ou trifásicas CA com frequências fixas ou variáveis.
Conversores cíclicos (CA – CA) – convertem tensões e frequências
CA fixas em tensões e frequências CA variaiveis.
Chaves estáticas (CA ou CC) – são os dispositivos electrónicos que
substituem as chaves mecânicas e eletromagnéticas tradicionais.
APLICAÇÕES DA
ELECTRÓNICA DE POTÊNCIA
Fontes chaveadas
Controle de motores
Sistemas de alimentação
Sistemas de satélite
Microgeradores
Carregadores de bateria
Etc.
 DÍODOS PARTE 2

SEMICONDUTORES
CARACTERÍSTICAS GERAIS
Díodos são dispositivos semicondutores de dois terminais
São compostos por uma junção de semicondutores com
dopagem tipo p e n (junção p-n)
Permitem a passagem da corrente eléctrica em um sentido
único
Possuem dois terminais: o ânodo (terminal positivo) e o cátodo
(terminal negativo).
Possuem uma região central chamada Zona de Depleção,
onde se concentra uma troca de electrões e protões entre os
semicondutores p e n
CONSTRUÇÃO INTERNA,
ILUSTRAÇÃO DO
COMPONENTE E
SIMBOLOGIA
POLARIZAÇÃO INVERSA DO
DÍODO
Se um potencial externo V for aplicado entre os terminais
contrários do díodo, haverá uma polarização inversa
Resulta no aparecimento de uma corrente de saturação
Se uma tensão contraria for
aplicada a polaridade normal do
díodo, não haverá passagem da
corrente eléctrica e, por sua vez,
haverá um aumento da zona de
depleção
POLARIZAÇÃO DIRECTA DO
DÍODO
Quando se aplica um potencial entre os terminais ânodo e
cátodo do díodo, haverá uma polarização directa
Haverá uma troca de protões e electrões entre os
semicondutores p e n
Implica na
diminuição da Zona
de Depleção
 TIRÍSTORES SCR
(RECTIFICADORES PARTE 3
CONTROLADOS DE
SILÍCIO)
CARACTERÍSTICAS GERAIS
Os Tirístores englobam uma família de semicondutores que
operam em regime chaveado
São dispositivos semicondutores de quatro camadas, de
estrutura p-n-p-n, tendo em conta três juncões p-n
O Tirístor mais usado é o SCR (Rectificador Controlado de
Silício), embora é simplesmente chamado de Tirístor
Possui três terminais: ânodo (A), cátodo (C) e porta (gate) [G]
A condução de corrente eléctrica, através dos terminais ânodo
e cátodo, é sujeita a uma injecção de corrente a partir da porta
(gate).
ESTRUTURA, SIMBOLOGIA,
ASPECTO FÍSICO E CIRCUITO
EQUIVALENTE COM
TRANSÍSTORES
PARÁMETROS E JUNCÕES DO
SCR
VAC – tensão que flui no ânodo e cátodo
VBO – tensão de disparo
IH – corrente de manutenção
IL – corrente de retenção
IG – corrente que flui no gate
VRI – tensão de ruptura inversa
POLARIZAÇÃO INVERSA DO
SCR
Quando a VAC = 0, o tirístor não conduz, isto é, funciona
como uma chave aberta
Existe também uma corrente de polarização inversa muito
baixa, geralmente na ordem dos nano amperes, como ocorre
nos díodos
Quando a tensão inversa atinge o valor de VRI, o SCR irá
conduzir corrente
N.B: Na polarização directa, as junções J1 e J3 estarão
inversamente polarizados e o J2 estará polarizado
inversamente (reveja a figura da pagina 13)
POLARIZAÇÃO DIRECTA SCR
Polarização directa em
bloqueio
Quando a corrente que flui
no gate for igual a zero, o
SCR permanece bloqueado
Deve-se quando a VAC for
menor que a VBO
Quando a VAC = VBO, o SCR
dispara e a corrente
aumenta, sendo limitada pela
RC, ligada em série com o
SCR.
Polarização directa com
condução
Para o SRC conduzir deve
receber uma corrente
suficiente, cujo valor mínimo
é o IL
Este valor é geralmente de
duas a três vezes a IH que,
uma vez retirada a corrente
do gate, é suficiente para
manter o estado de condução
PROPRIEDADES E
CONDIÇÕES DE DISPARO
Disparo por sobretensão
Quando o SCR tiver
polarização directa, a VAC
aumenta e as junções J1 e J2
Os portadores serão
acelerados na junção J2,
podendo atingir uma energia
muito grande que provoca o
fenómeno de avalanche
Para IG = 0, a VBO permitira
que o SCR passa para o estado
de condução
Disparo por variação de
tensão
Usa-se um Capacitor para armazenar
carga eléctrica na junção J2, que terá
polarização inversa ao polarizamos
directamente o SCR
Não havendo pulso no gate, fecha-se o
CH1 e a capacitância da juncão J2 fará
com que circule uma corrente no gate.
A corrente resultante poderá ser
suficiente para estabelecer o processo
de realimentação, fazendo com que o
tirístor entre em condução
ESQUEMA DE DISPARO POR
VARIAÇÃO DE TENSÃO DO
SCR
COMUTAÇÃO NATURAL DO
SCR
Ocorre quando IA < IH
A correte passa pelo zero em algum ponto do ciclo, levando
ao bloqueio do SCR
Portanto, o bloqueio
também ocorre quando
a tensão da rede for
zero.
COMUTAÇÃO FORÇADA DO
SCR
Bloqueio por chave
Quando fecha-se CH3, a lâmpada não
se apagara naturalmente
A CH3 curto-circuita o SCR e a
lâmpada é alimentada directamente
pela tensão da rede
A corrente da lâmpada passa pela
CH3 e IA < IH, bloqueando o SCR
Quando CH3 abre, a lâmpada se
apaga e o SCR continua bloqueado
A lâmpada acenderá novamente se
CH2 fechar novamente, provocando a
IG no SCR
Bloqueio por Capacitor
Quando fecha-se CH1, provoca a
IG, e o SCR dispara e a lâmpada
acende
Quando o SCR estiver a conduzir,
cria-se um caminho de corrente
para carregar o Capacitor
Ao fechar CH2, o Capacitor fica
em paralelo com o SCR e aplica-
se uma tensão inversa,
bloqueando o SCR
ESQUEMAS DE COMUTAÇÃO
FORÇADA DE SCR
Bloqueio por chave Bloqueio por Capacitor
 Exercícios de
Consolidação

EXERCÍCIOS DE Vamos avaliar o

CONSOLIDAÇÃO aprendizado do aluno

PARTE 1
1. Assinale com V as alternativas verdadeiras e F as falsas.
a) A Electrónica de Potencia abrange os Conversores Electrónicos
Estáticos como: Rectificadores, Transformadores, Choppers, etc.
b) Os Conversores Cíclicos transformam a tensão CC em uma
tensão CA a frequências variáveis.
c) Os díodos semicondutores e os Rectificadores Controlados de
Silício são os componentes rectificadores usados nos Circuitos
Rectificadores.
d) Um Chopper DC varia os parámetros duma tensão CC fixa.
PARTE 1
2. A eletrônica de potência pode ser considerada uma
tecnologia interdisciplinar que envolve três campos
básicos.
Quais são?

3. Porque é que os circuitos em eletrônica de potência

são denominados não-lineares?

4. Cite algumas aplicações da Electrónica de Potência.

PARTE 2
1. Assinale com V as afirmações verdadeiras e com F as
falsas:
a) Um díodo semicondutor pode conduzir a corrente eléctrica
em um sentido único.
b) Os díodos podem funcionar como chave aberta quando
forem directamente polarizados.
c) Se aplicarmos uma tensão inversa nos terminais do díodo,
implica o aumento da região de depleção
d) Os díodos conduzem a corrente como os SCR, embora
possuem características diferentes.
PARTE 2
2. Quando é que temos uma corrente de saturação no díodo
semicondutor?

3. Quais são as diferenças entre a polarização directa e

polarização inversa?

4. O díodo semicondutor pode ser aplicado como uma chave

electrónica? Explique resumidamente.
PARTE 3
1 Assinale com V as afirmações verdadeiras e com F as
falsas:
a) Os tirístores são componentes electrónicos que possuem três
semicondutores p e n.
b) Na polarização inversa, o SCR poderá conduzir corrente
quando a tensão inversa atingir o valor da ruptura inversa (VRI).
c) No disparo por variação de tensão, quando fechamos a chave
CH1, o Capacitor impedira que aja uma corrente no gate.
d) A comutação natural do SCR ocorre quando a corrente do
ânodo for maior que a corrente de manutenção.
PARTE 3
2. Em que situação estamos perante uma polarização
inversa do SCR

3. Desenhe o esquema de comutação a bloqueio por

chave.
a) Em que situações teremos o SCR bloqueado?
b) E quando teremos uma corrente a fluir pelo gate do SCR?

4. Quais são as diferenças entre o díodo e o SCR?