Cerâmicas piezelétricas

• Histórico
• Efeito piezelétrico
• Aplicações
• Diferença entre cristal e cerâmica piezelétrica
• Preparação de cerâmicas piezelétricas
• Métodos de medidas piezelétricas
• Nosso trabalho
O que são materiais piezelétricos
 Histórico

• Descoberto em 1880 J. Curie e P. Curie

• 1º aplicação - sonar com quartzo 1921 Langevin

• Processos de polarização 1947

(Roberts, S. (1947). Phys. Rev. 71,890-5)
• Primeiros dispositivos – Sonotone – 1947

• Matemática 1948
(Mason, W. P. (1948) Phys. Rev. 74, 1134-47)
• Primeiros valores de coeficientes piezelétricos 1948
(Jaffe, H. (July, 1948) Eletronics 21, 128-130)
• Obtenção do PZT - Pb(Zr,Ti)O3 1954
(Jaffe, B., at al. (1954). J. appl. Phys. 25, 809-10)
• Atualmente PZT (comercial) e PMN-PT (Altos coeficientes)
 Efeito Piezelétrico

Stress
Efeito Direto “T”

Aplicando
Strain
Stress
“S”

4+ 2-
Si = 1,176 A

O = 0,604 A
SiO2
Campo
D = dT+e E
T
“E”
 Efeito Piezelétrico

Campo
Efeito Inverso “E”

Aplicando
Campo Stress
“T”
4+ 2-
Si = 1,176 A
O = 0,604 A
SiO2
S = s T+dE
E

Strain
“S”
Fundamentos de piezeletricidade

D  dT Direto

S  dE Inverso

D = Deslocamento elétrico
S = Strain (deformação)
T = Stress (tensão mecânica)
d = Coeficiente piezelétrico
Fundamentos de piezeletricidade

d
g
K 0
T  eE
E  hS

Sendo:

K S  K T 1 k 2 
E = Campo elétrico
K = Constante dielétrica
0= Permissividade no vácuo
K = Fator de acoplamento eletromecânico
d, g, e, h = Coeficientes piezelétricos
Fundamentos de piezeletricidade

As equações de estado:

D = dT + TE------------------------------------------------------------Direto

S = sET + dE----------------------------------------------------------Inverso

Sendo:
 - Permissividade no material
s – Coeficiente elástico
 E  campo
 D  Polarização
Condições 

Medidas(Cte.) T  Stress
S  Strain
Propriedades das grandezas piezelétrico

Direção do Stress e do Strain

Direção de
Polarização
3
Propriedades das grandezas piezelétrico
Caracterização do efeito Piezelétrico

Si
m
ét
ric
a
Caracterização do efeito Piezelétrico
Caracterização do efeito Piezelétrico
Caracterização do efeito Piezelétrico

Da mesma forma para:

• Orthorhombico
• Trigonal
• Hexagonal
• Isometrico

Para cerâmicas com eixos de simetria infinita, a

matriz é a mesma Hexagonal 6mm
Caracterização do efeito Piezelétrico
 Caracterização do efeito Piezelétrico

Sistema Eixo de Parâmetros ângulos Coeficiente Piezelétricos

simetria de rede
Triclinico nenhuma a≠b≠c ≠≠ l = 45, l = 27
 =  =90,
Monoclinico 1 binário a≠b≠c 2 = 25, m = 27, 2/m = 17
 ≠ 90
== 222 = 15, 2mm = 17,
Orthorhombico 3 binários a≠b≠c
=90 2/m 2/m 2/m = 12
4,4 = 13, 4/m, 422 = 9
1 ==
Tetragonal a=b≠c 4mm = 11, 42m = 10
quaternário =90
4/m 2/m 2/m = 8
6 = 11, 6 = 9, 622 = 8
 =  =90,
Hexagonal 1 cenário a=b≠c 6mm = 10, 6m2 = 8
 = 120
6/m 6/m 2/m 2/m = 7
Caracterização do efeito Piezelétrico

CerâmicasMatriz
=  mm Piezelétrica
(Simetria cilíndrica:
Padrão = 6 mm)
S11 S21S=12S12 S31S=13S13 S41 0
= S14 S51 =0S15 S61 = 0
S16 d11 0 d21 0 dd3131
S12 S22S= S
22 11
S32S=13S23 S42 0
= S24 S52 =0S25 S62 = 0
S26 d12 0 d22 0 dd3231
S13 S23S= S
23 13
S33
33
S43 0
= S34 S53 =0S35 S63 = 0
S36 d13 0 d23 0 dd3333
S014 S0
24
S034 S44 S54 =0S45 S64 = 0
S46 d14 0 d24d15 d34
0
S015 S0
25
S035 S045 S55
S55
= S44 S65 = 0
S56 d15d15 d25 0 d35
0
S016 S0
26
S036 S046 S0
56
2(S
S66
11
-S13) d16 0 d26 0 d36
0
d011 d0
12
d013 d014 dd15
15
d160 K11K1 K12 = K
0 21 K13 =0K31
d021 d0
22
d023 d15
24
d0
25
d260 K210 K22K1 K23 =0K32
d31 d
d32
31
d33
33
d034 d0
35
d360 K310 K320 KK
333
Aplicações

Acendedor de fogão
Aplicações
Aplicações

Soldas por ultra-som

Equip. médicos

Sis. de limpeza
por ultra-som

Aplicações
bélicas
 Aplicações
.
Amplificado Piezelétrico
APPLICATIONS
•Micro/Nano Positioners 
•Mirror Alignment  
•Scanning optics
•recisionValves    
•Photonics   
•Microscopes   Fiber
•Optics
•Test and Inspection  
•Tuning and Focusing   
•Embossing and Engraving
•Micro Dispensing
•Micro Machining

 
 Aplicações

Micro - posicionador Piezelétrico

 Aplicações

Transformadores
do estado sólido

1V 280V
 Monocristais vs Policristais

Materiais Vantagens Desvantagens

Monocristalinos • Altas temperaturas de Curie • Obtenção cara e
• Estabilidade térmica demorada
• Fator de qualidade mecânico • Cortes específicos

Policristalinos • Obtenção fácil e barata • Envelhecimento

• Conformação • Alta dependência
• Controle de propriedades com temperatura
frente as modificações
 Preparação de cerâmicas

Rota convencional de cerâmicas avançadas

Nosso caso:
• Moagem
• Calcinação
• Conformação
 Barra (Comprimento > largura >> altura)
 Cilindro (Altura >> diâmetro)
 Disco (Diâmetro >> altura)
• Prensagem
 Isostática
 Uniaxial
• Sinterização
 Preparação de cerâmicas

Eletrodos
• Ouro (Sputtering)

• Prata (Pintura)
 Preparação de cerâmicas

Processo de Poling

Antes Durante Depois

Medidas Piezelétricas

Escolha da direção de ressonância

• Disco
• Cilindro
• Barra

Métodos de medidas piezelétricas

• Quase estático

• Dinâmico
Medidas Piezelétricas
Medidas Piezelétricas
 Medidas Piezelétricas
Quase estático

+
--
+
Medidas Piezelétricas

Dinâmico

Impedâncimetro
Medidas Piezelétricas
Método Ressonante
Medidas Piezelétricas
Método Ressonante
Medidas Piezelétricas

Método Ressonante
 Medidas Piezelétricas

Método Ressonante

Fator de acoplamento eletromecânico

 fR    f R  f A 
k 
2
nn tan   
2 fA  2  f R 
Medidas Piezelétricas

Método Ressonante

Complacência elástica

1
S 
D
nn
4 f A l
2 2 2

Espessura

Densidade
 Medidas Piezelétricas

Método Ressonante

Coeficiente Piezelétrico

d nn  k nn  s
T E
nn nn
Permissividade Dielétrica
 Medidas Piezelétricas

Método Ressonante

Coeficiente Piezelétrico

d nn
g nn  T
 nn
 Nosso problema
1
Piezelétrico
3
2

Baixo Alto

Magnetoestritivo
 Nosso problema
Método Ressonante
3
P 3
3 2 P
1 2
P 1

2
1

 33
fR 
k33
C  C 'iC" fA
d 33
 Nosso problema

Método Ressonante

Capacitância

C = C’ + iC” Imaginaria

Real
 Nosso problema

Método Ressonante

Cte. Dielétrica

K = C’ d Espessura da amostra
3
eA
0 Área do eletrodo
Permissividade no vácuo

Fator de dissipação

D = C” d
eA
0
 Nosso problema

Método Ressonante

Permissividade dielétrica do material

e= k e
33 3
0

Fator de acoplamento eletromecânico

 Nosso problema

Método Ressonante

Coeficiente elástico

2
D 1 E D
S33 = 2 2 2 , S33 = S33 (1 K 33)
4r FA L
Espessura da amostra

Densidade
 Nosso problema

Método Ressonante

E
d33 = K33 e 33 S33

d 33
g 33  T
 33
 Bibliografia

• Jaffe B. at al, Piezoelectric Ceramics, Academic Press, London, 1971

• Mason W. P., Physical Acoustics, Academic Press, London, 1964

• Berlincourt, D (1956). IRE Trans. Ultrasonic Eng. PGUE_4, 53-65

• Cady, W. G. (1946). Piezoeletricity, McGraw-Hill, New york.