Portas (Içami Tiba)

 Se você encontrar uma porta à sua frente, você pode

abri-la, ou não. Se você abrir a porta, você pode, ou
não, entrar em uma nova sala. Para entrar, você vai ter
que vencer a dúvida, o titubeio ou o medo. Se você
venceu, você dá um grande passo: nesta sala, vive-se.
Mas, também, tem um preço: são inúmeras outras
portas que você descobre.
 O GRANDE SEGREDO É SABER: QUANDO E
QUAL PORTA QUE DEVE SER ABERTA. A VIDA
NÃO É RIGOROSA: ela propicia erros e acertos. Os
erros podem ser transformados em acertos quando com
eles se aprende.
 Portas (Içami Tiba)
 NÃO EXISTE A SEGURANÇA DO ACERTO
ETERNO. A VIDA É HUMILDADE. Se a vida já
comprovou o que é ruim, para que repeti-lo? A
humildade dá a sabedoria de aprender e crescer também
com os erros alheios.
 A VIDA É GENEROSA: A cada sala em que se vive,
descobrem-se outras tantas portas. A vida enriquece a
quem se arrisca a abrir as novas portas. Ela privilegia
quem descobre seus segredos e generosamente oferece
afortunadas portas. MAS DIFERENTES
PASSAGENS...
 Portas (Içami Tiba)

 MÁS A VIDA TAMBÉM PODE SER DURA E

SEVERA: Se você não ultrapassar a porta, você terá
sempre essa mesma porta pela frente, é a repetição
perante a criação. É a monotonia monocromática
perante o arco-íris. É a estagnação da vida.
 PARA A VIDA, AS PORTAS NÃO SÃO
OBSTÁCULOS,
 MAS DIFERENTES PASSAGENS...
 Eletrônica de Potência

 Diodos Semicondutores de Potência;

 Capítulo 2, páginas 35 à 43;
 Aula 6;
 Professor: Fernando Soares dos Reis;
 Sumário Capítulo 2

 2.6 Diodos Conectados em Série;

 2.7 Diodos Conectados em Paralelo;
 2.8 Modelamento em SPICE de Diodos;
 RESUMO;
 PROBLEMAS;
 2.6 Diodos Conectados em Série
 Aumenta a capacidade de bloqueio. Ex. High Voltage
Direct Current - ITAIPU;
 O problema prático: Os diodos não são idênticos entre
si. Assim, a distribuição de tensão não será a mesma;
 2.6 Diodos Conectados em Série
 A solução para este problema consiste, em forçar
uma divisão de tensão equânime através da
conexão de um resistor em cada diodo;

VD1 VD 2
I s1   IS2 
R1 R2
 2.6 Diodos Conectados em Série
 Sob condições transitórias, bloqueio dos diodos, o
equilíbrio entre as tensões é conseguido com a
utilização de capacitores em paralelo com os diodos;
 A resistência RS limita a taxa de crescimento da tensão
de bloqueio;
trr
IF
ta

IRR tb
 2.7 Diodos Conectados em Paralelo

 Em muitas aplicações de alta potência, os diodos

são conectados em paralelo;
 A divisão de corrente dos diodos estaria de acordo
com suas respectivas quedas de tensões diretas;
 Minimiza-se este problema através da seleção...
 Utilização de resistores em serie...
 Condições dinâmicas pela conexão de indutores
acoplados. Infelizmente geram picos de tensão e
podem ser muito grandes;
2.7 Diodos Conectados em Paralelo
 2.8 Modelamento em SPICE de Diodos
 Trata-se de um programa que permite a simulação de circuitos eletro-eletrônicos;
 Cada componente pode ser representado por um modelo matemático, que pode ser +
ou - complexo;
 A sintaxe do modelamento SPICE de um diodo apresenta a seguinte forma geral;
 .MODEL DNAME D (P1=V1 P2=V2 P3=V3...PN=VN)
 2.8 Modelamento em SPICE de Diodos

dqd
Modelo
Cd  Estático
dvD
Spice

Pequeno
Sinais
qd é a carga da camada de depleção
 Estudo Dirigido
 Em grupos vamos agora responder as
questões de revisão propostas;
 Boa Sorte!
 Exemplo 2.3

 Dois diodos são conectados em série, para dividir uma tensão

total de 5kV. As correntes de fuga reversas dos dois diodos são
IS1=30mA e IS2=35mA . (a) Encontrar as tensões dos diodos se as
resistências de divisão de tensão forem iguais R1= R2= R=100
k. (b) Encontrar as resistências de divisão de tensão R1 (100 k)
e R2 se as tensões nos diodos forem iguais a VD1= VD2= VD/2.(c)
Usar o Pspice para conferir seus resultados da letra (a). Os
parâmetros o modelamento Pspice dos diodos são: BV=3 kV e
IS=30 mA para o diodo D1 e IS=35 mA para o diodo D2;
 Exemplo 2.3
 Dois diodos são conectados em série, para dividir uma tensão total de 5kV. As
correntes de fuga reversas dos dois diodos são I S1=30mA e IS2=35mA . (a)
Encontrar as tensões dos diodos se as resistências de divisão de tensão forem
iguais R1= R2= R=100 k. (b) Encontrar as resistências de divisão de tensão R 1 e
R2 se as tensões nos diodos forem iguais a V D1= VD2= VD/2.(c) Usar o Pspice para
conferir seus resultados da letra (a). Os parâmetros o modelamento Pspice dos
diodos são: BV=3 kV e IS=30 mA para o diodo D 1 e IS=35 mA para o diodo D 2.

VD1 VD 2 V  VD1  VD 2
I s1   IS2 
R1 R2
VD1  2750 V R1  100 k
VD 2  2250 V R2  125 k
 Problema 2.4 página 43
 Dois diodos são conectados em paralelo e a queda de
tensão direta sobre cada diodo é de 1,5 V. Utilize a
curva característica V-I e determine as correntes diretas
através de cada diodo.
 Problema 2.5 página 43
 Dois diodos são conectados em paralelo, com
resistências de divisão de corrente. A corrente total é IT
= 200 A, tensão sobre um diodo e sua resistência é vd =
2,5 V. Determine os valores das resistências R1 e R2 se
a corrente for dividida igualmente pelos diodos.
RESUMO

 As curvas dos diodos práticos diferem dos diodos

ideais;
 O trr tem um papel significativo, especialmente em
aplicações de alta velocidade de chaveamento;
 Diodos genéricos;
 Diodos de recuperação rápida rápida;
 Diodos Schottky;
RESUMO

 Diodos Schottky; Apesar de um diodo Schottky

comportar-se como um diodo de junção pn, não há
junção física; e como resultado o diodo Schottky é
um dispositivo de portadores majoritários. Por outro
lado, um diodo de junção pn é um dispositivo de
portadores tanto majoritários quanto minoritários;
RESUMO

 Se os diodos forem conectados em série para

aumentar a capacidade de bloqueio, são necessárias
redes de divisão de tensão sob condições de regime
permanente e transitório;
 Quando os diodos são conectados em paralelo para
aumentar a capacidade de condução de corrente,
também são necessários elementos de divisão de
corrente;