Alan Rechamberg Ziroldo n01 Caroline Delvaz n 08 Gustavo Tiago n13 Igor Milhomens n15 3L Eletrnica-GV

O FET (Field Effect Transistor), que traduzindo para o portugus significa Transistor de Efeito de Campo (TEC), um transistor unipolar. Nos transistores unipolares para que haja controle de corrente esto envolvidas correntes de eltrons quando o mesmo do tipo canal n ou esto envolvidas correntes de lacunas quando o mesmo do tipo canal p.

impedncia de entrada elevadssima;

banda de ganho relativamente pequena; maior risco de dano quando manuseado.

relativamente radiao;

imune

produz menos rudo e possui melhor estabilidade trmica.

Vantagens

Desvantagens

A exemplo do transistor bipolar, o FET um dispositivo de trs terminais, contendo uma juno p-n bsica, podendo ser do tipo de juno (JFET) ou do tipo metalxido-semicondutor (MOSFET). A figura abaixo mostra a estrutura fsica de em FET canal n com seus respectivos terminais: D - (drain) ou dreno: de onde
os portadores majoritrios saem; S - (source) ou fonte: o terminal no qual os portadores majoritrios entram; G - (gate) ou porta: so regies fortemente dopadas em ambos os lados do canal. Quando o canal n o gate p.

VDD a tenso aplicada entre o dreno e a fonte; VGG a tenso aplicada entre o gate (porta) e a fonte; VDS a tenso medida entre o dreno e a fonte; VGS a tenso medida entre o gate (porta) e a fonte.

D - (drain) S - (source) G - (gate)

Coletor Emissor Base

Transistor FET

Transistor Bipolar (comum)

A exemplo dos transistores bipolares, so trs as configuraes bsicas para os transistores unipolares, como mostra a figura abaixo

Fonte comum = emissor comum Porta comum = base comum Dreno comum = coletor comum

O FET tambm pode ser usado como amplificador de sinal, desde que adequadamente polarizado. A grande vantagem na utilizao do mesmo est na sua impedncia muito elevada de entrada e sua quase total imunidade rudos. O FET possui uma impedncia de entrada extremamente alta, da ordem de 100M ou mais. Por ser praticamente imune a rudos muito utilizado para estgios de entrada de amplificadores de baixo nvel, mais especificamente em estgios de entrada de receptores FM de alta fidelidade.

CARACTERSTICA DE TRANSFERNCIA

IDSS : a corrente na qual o canal estrangulado quando os terminais gate e source esto em curto VGS(OFF): Tenso entre gate e source para a qual o canal drain-source estrangulado, resultando em praticamente nenhuma corrente de dreno. BVGSS : A tenso de ruptura de uma juno source-gate medida em uma corrente especificada com os terminais drain-source em curto.

Transistor de efeito de campo (FET) Prof. Edgar Zuim