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Eletrnica
Transistores.
Transistor (transference resistor) um componente constitudo de uma pastilha monocristalina de material semicondutor (Germnio ou Silcio) com regies dopadas com impurezas do tipo N e do Tipo P. Os transistores dependendo do fim a que se destina, pode funcionar como: a) Amplificador de corrente; b) Amplificador de sinal; c) Chave eletrnica.. Tradicionalmente os transistores se dividem em dois(2) grupos: a saber: 1.Bipolares; 2.Unipolares ou de efeito de campo.

1o-Bipolares so aqueles formados por trs (3) regies semicondutoras de polaridades

alternadas existindo entre elas duas junes.As regies recebem os nomes de emissor (E), Base (B), e coletor (C). Baseiam o seu funcionamento com alimentao de corrente na base. Smbolo: Aspecto:

Podemos obter a estrutura indicada de duas formas diferentes, o que leva a dividir os transistores bipolares, quanto a sua estrutura em dois tipos: Tipo NPN e o tipo PNP. Veja as figuras na seqncia:

Esquema interno dos tipos NPN e PNP.

1.1 Base , Coletor e Emissor. Vamos agora entender o que Base , coletor e emissor. Base- a parte que controla a passagem da corrente;quando a base est energizada, h passagem de corrente do emissor para o coletor, quando no h sinal no existe essa conduo. A base esquematicamente o centro do transistor. Coletor uma das extremidades do transistor; nele que entra a corrente a ser controlada. A relao existente entre o coletor e a base um parmetro ou propriedade do transistor conhecido como (beta) e diferente em cada modelo de transistor. Emissor- a outra extremidade; por onde sai a corrente que foi controlada. 1.2 Consideraes gerais e Polarizao de transistores. 1.2.1Consideraes gerais. Para efeito de um estudo inicial vamos tomar como exemplo uma estrutura NPN, ou seja, um transistor NPN.. Cada uma das junes do transistor se comporta como um diodo, mas quando aplicamos tenses no dispositivo de determinada maneira e as duas junes podem entrar em ao ao mesmo tempo, o comportamento da estrutura passa a ser mais complexo do que simplesmente dois diodos ligados juntos.Para que tenhamos a ao diferenciada destas junes, vamos partir da situao em que o transistor seja alimentado com fontes externas de determinadas polaridades e caractersticas. Em suma, para que o transistor funcione, precisamos polariza-lo convenientemente. 1.2.2Polarizao de transistores. Inicialmente vamos fazer uma polarizao que nos permite apenas estudar o seu funcionamento. Na prtica existem outras maneiras de polarizar os transistores. Tomando o nosso transistor NPN como exemplo, para polariza-lo ligamos uma bateria de tenso maior ( B2) entre o coletor e o emissor e uma bateria de tenso menor( B1) atravs de um potencimetro na base do transistor. Veja a figura, na seqncia:

3 Vejamos o que acontece: partimos inicialmente da condio em que o cursor do potencimetro est todo para o lado negativo da bateria B1, ou seja, a tenso aplicada base do transistor Zero (0).Nestas condies, a juno que existe entre a base e o emissor, que seria o percurso para uma corrente da bateria B1, no tem polarizao alguma e nenhuma corrente pode fluir.A corrente de base ( Ib) do transistor zero(0). Da mesma forma , nestas condies a corrente entre o coletor e o emissor do transistor, percurso natural para a corrente da bateria B2 nula. Veja a figura a seguir:

Movimentando gradualmente o cursor do potencimetro no sentido de aumentar a tenso aplicada base do transistor, vemos que nada ocorre de anormal at atingirmos o ponto em que a barreira de potencial da juno emissor-base do transistor vencida.(0,2 V para o germnio e aproximadamente 0,7V para o silcio).Com uma tenso desta ordem, comea a circular uma pequena corrente entre a base e o emissor. Esta corrente entretanto tem um efeito interessante sobre o transistor: uma corrente tambm comea a circular entre o coletor e o emissor e esta corrente varia proporcionalmente com a corrente de base. Veja a figura, na seqncia:

medida que movimentamos mais o potencimetro no sentido de aumentar a corrente de base, observamos que a corrente do coletor do transistor aumenta na mesma proporo.

4 Se uma corrente de base de 0,1mA provoca uma corrente no coletor de 10mA, dizemos que o ganho de corrente ou Fator de amplificao do transistor 100vezes, ou seja a corrente de coletor 100 vezes maior que a corrente de base A proporcionalidade entre a corrente de base e a corrente de coletor entretanto no se mantm em toda a faixa possvel de valores. Existe um ponto em que um aumento de corrente de base no provoca mais um aumento na corrente de coletor que ento se estabiliza. Dizemos que chegamos ao ponto de saturao, ou seja, o transistor satura Abaixo o grfico que mostra este fenmeno.

Observe ento que existe um trecho linear deste grfico que denominado de Curva caracterstica do transistor. Na figura a seguir temos o funcionamento de um transistor PNP. Observa-se que a nica diferena se o mesmo fosse utilizado no exemplo dado acima, est no sentido de circulao das correntes e portanto na polaridade das baterias usadas. Observe nas figuras a seguir essas orientaes das correntes em um transistor NPN e PNP.

No NPN: Corrente de base-= Ib>> sentido horrio. Corrente de coletor=Ic>Sentido anti-horrio. No PNP: Corrente de base=Ib>>sentido anti-horrio. Corrente de coletor.=Ic.sentido horrio.

5 Para finalizarmos o assunto, observamos o seguinte: a) Quando Ib = 0 Ic = 0 . O transistor no funciona, e neste caso se diz que ele funciona como uma chave aberta ou representa-se por: b) Ib =Cresce Ic= cresce na mesma proporo. d)Ib = atinge um determinado valor, (ponto de saturao) e a partir dai mesmo que aumentemos Ib Ic= se mantm constante

2o Transistores na Prtica.
Os primeiros transistores eram dispositivos simples destinados a operar apenas corrente de baixa intensidade, sendo por isso quase todos iguais nas principais caractersticas. No entanto, com o passar do tempo ocorreram muitos avanos nos processos de fabricao, que levaram os fabricantes a produzirem uma enorme quantidade de tipos ,capazes de operar com pequenas intensidades de corrente mas tambm com correntes altas; o mesmo ocorreu com as tenses e at mesmo com a velocidade. Existem hoje, em termos de tipos de transistores mais de um milho, o que requer manuais de consultas volumosos quando se quer escolher um determinado tipo. Assim para facilitar o estudo de transistor na prtica necessrio que se divida estes dispositivos em famlias em que as caractersticas principais se mantm. Para outras caractersticas, as diferenas so normalmente fornecidas pelos fabricantes em forma de folhas de dados chamadas de datasheets. Abaixo um desses tipos de datasheets da Motorola.

Constam desses datasheets o aspecto fsico da famlia, cdigos de identificao, dados de corrente , tenses coletor-emissor, freqncias, material de que so feitos , curvas caractersticas, identificao dos terminais etc

6 De uma forma geral, na prtica apenas algumas centenas podem ser considerados principaise possudo-se um bom manual e um bom conhecimento se consegue encontrar sempre um capaz de substituir tipos considerados difceis. 2.1- Transistores de uso geral.-so transistores destinados a gerar ou amplificar sinais de pequena intensidade e de freqncia relativamente baixa.

Especificao Material

Definio Pequenas pastilhas

Descrio Silcio Germnio Plsticos Metais NPN e PNP

Observaes A maioria dos transistores atuais de silcio.

Aspecto externo Envlucros Tipo do semicondutor Tipos de terminais contedo 3 terminais

Base(B) Identificao deve Coletor(C) ser feita pelo tipo Emissor(E) e varia bastante Ic- corrente de Icmax=corrente Varia entre: coletor . de coletor 20mA e 500mA mxima. VCEO- tenso VCEOmx Varia entre: entre o coletor e tenses 10V e 80V. o emissor com a mximas de base desligada operao . fT freqncia FTmxVaria entre 1 e mxima ou freqncia 200Mhz freqncia de mxima que o transio transistor pode operar. Aplicaes Uso geral ou udio

7 Os tipos mais comuns desses transistores so:BC548, BC558, BC107, 2SB75, OC74,

2N2222, 2N107 etc.

2.2-Transistores de Potncia- so transistores destinados a operar com correntes intensas mais ainda com sinais de baixas freqncias.

Especificaes Material

Definies

Descrio Silcio Plsticos Metais

Observaes

Pastilhas de diversos tamanhos Aspecto externo Envlucros

Tendem a aquecer(altas correntes) usam envlucros que permitem a montagem em um dissipador(radiador) de calor.(figura acima)

Tipo do semicondutor Tipos de terminais Ic- corrente de coletor .

Contedo Geralmente 3 terminais

NPN e PNP Identificao deve ser feita pelo tipo e varia bastante

Base(B) Coletor(C) Emissor(E) Icmax=corrente Mxima = de coletor 15A mxima.

VCEO- tenso entre o coletor e o emissor com a base desligada. fT freqncia mxima ou freqncia de transio Aplicao

VCEOmx tenses mximas de operao

Varia entre: 20V e 100V.

fTmxVaria freqncia entre100khz mxima que o 40Mhz transistor pode operar. Amplificadores de udio

Os tipos mais comuns desses transistores so:TIP31, TIP32, 2N3055. BD135, BD136, AD142, BU205 etc. 2.3 Transistores de RF (Radiofreqncia)-so transistores destinados a amplificar ou gerar sinais de freqncias elevadas, mais com pequenas intensidades de correntes.

Especificaes Material

Definies Pastilhas de pequenos tamanhos

Descrio Silcio Germnio *Arseneto de Glio(GaAS)

Observaes Em sua maioria. Pouco usados. *Os GaAs j esto sendo usados para fabricao de transistores e so capazes de gerar (amplificar) sinais em milhares de Mhz.

Aspecto externo Tipo do semicondutor Tipos de terminais

Envlucros Contedo Geralmente 3 terminais.Alguns apresentam 4 terminais. O 4o terminal ligado prpria carcaa do transistor, de metal, e que serve de blindagem*( ver figura acima) Icmax=corrente de coletor mxima. VCEOmx tenses mximas de operao

Plsticos Metais NPN e PNP Base(B) Coletor(C) Emissor(E) *Blindagem Identificao deve ser feita pelo tipo e varia bastante

Ic- corrente de coletor . VCEO- tenso entre o coletor e o emissor com a base desligada.

Mxima = 200mA Varia entre: 10V e 30V.

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fT freqncia mxima ou freqncia de transio Aplicao

fTmxfreqncia mxima que o transistor pode operar.

Chegam at a 1500Mhz

Seletores de TV de UHF e outras aplicaes semelhantes.

Os tipos mais comuns desses transistores so: os BD494, BF254, 2N2218 etc. 2.4 Classificao quanto potncia de Dissipao Ainda se costuma classificar os transistores quanto a sua potencia de dissipao; nessa classificao os transistores podem ser: a) Baixa potencia-ex: BC548; b) Mdia potencia-ex: BD137, BD135, BD139 c) Alta potencia-ex TIP120 , TIP121, TIP122, ZN3055, BU205 etc

3o Cdigos, Tipos e Identificaes de terminais.

Para usar um transistor fundamental que saibamos para que serve um determinado tipo e tambm como identificar os seus terminais. 3.1-Procedncia Americana- usam na sua codificao a sigla 2N para diferenciar dos diodos que usam 1N..Esta sigla 2N vem seguida de um numero que corresponde ao modelo, porm no serve para informar que tipo de transistor temos; se de uso geral ou udio, de potencia ou RF, se NPN ou PNP, se de silcio ou germnio.Para os transistores, com indicao 2N necessrio consultar um manual, disquetes CD Rom fornecidos pelos fabricantes; ou ainda tentar encontrar essas informaes na Internet.Na figura abaixo temos alguns exemplos com indicaes dos terminais:

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3.2Procedncia Europia -para esses transistores, o prprio tipo do transistor j fornece muitas informaes sobre o que ele . Assim, para a primeira letra j temos informaes do material usado em sua fabricao: A = Germnio; B = Silcio. Para a segunda letra temos informaes se o transistor de uso geral (udio),Potencia ou RF: C = Uso geral ou udio; D = Potncia; F = RF. Os transistores para aplicaes profissionais possuem uma terceira letra indicativa.Para os comuns temos um numero.Damos a seguir alguns exemplos: BC548 Transistor NPN de uso geral, de baixa potencia ou udio. BD136 - Transistor PNP de potncia; BF254 - Transistor NPN de RF. Veja que esta maneira de indicar os tipos ainda no diz se ele NPN ou PNP. O manual ainda necessrio para identificar os terminais. Na figura a seguir, mostramos alguns transistores de procedncia europia com a identificao dos terminais.

3.3Procedncia Japonesa- Utilizam a sigla 1S o restante das informaes idntica ao Americano, ou seja, tem que consultar o manual.

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4o Exemplos de siglas de alguns fabricantes .

a) Siemmes-BC, BCX,BCU, BD, BF, BFN, BFR, BS, BU, BUW, BCY. b) Texas- 2N, 3N(MOSFETT), TIS, IN, MN, NP. c)Motorola- 2N, NJ, MIE, MTN, TIP. d) Philco- AO, BO, BD, PA, PB, PC, PE. e) Hitachi-2SA, 2SD. 5o Invlucros dos transistores bipolares caractersticas identificadoras. Certos transistores de germnio, utilizados em circuitos de radio freqncia- R.F., possuem um quarto terminal, identificado pela letra S de shield (blindagem).Esse terminal encontra-se conectado internamente ao invlucro metlico(TO-7) e, quando ligado massa, atua como proteo contra campos eletro magnticos. Exemplos deste tipo so: TO-71, TO 72, AF116, AF117.Veja a figura a seguir:

Para identificar o terminal S, na ausncia de informaes, basta verificar via teste de continuidade, qual dos quatro terminais tem R= 0 em relao carcaa metlica. Nos transistores de potncia com invlucro plstico,TO126 por exemplo, o coletor normalmente o terminal do centro. Para o BD139, BD140 etc., o coletor est ligado eletricamente uma lmina metlica que existe em uma de suas faces. Veja a figura a seguir:

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BD 135 J no SOT-93, TIP 30, tip31 etc., existe uma ala metlica a qual tambm est conectado o coletor.Figura acima. Em ambos os casos, a identificao do coletor feita verificando-se qual dos terminais apresenta uma resistncia nula( R=0) em relao a lmina ou ala metlica, via teste de continuidade. Os transistores de potncia com invlucro metlico (TO-3, TO-66 por exemplo), possuem apenas dois terminais tpicos: emissor (E) e base (B), como indicador. O terceiro terminal (coletor) o prprio invlucro metlico.Veja figura abaixo:

6o Configurao de transistores em circuitos. 6.1- Emissor comum.

14 Nesse caso o sinal entra, entre a base e o emissor e sai entre, o emissor e o coletor. Como o emissor o elemento comum na entrada e na sada este tipo de configurao chamada de Emissor comum.

No esquema emissor comum a fase do sinal de sada invertida em relao fase do sinal de entrada , tem como caractersticas principais elevados ganhos de tenso e de corrente. a mais comum e tambm a que produz maior ganho de potncia. 6.2- Coletor comum. Nesta configurao o sinal aplicado entre a base e o coletor e retirado entre o emissor e o coletor.O coletor ento o elemento comum entrada e sada do sinal e a configurao por isso recebe o nome de coletor comum.

A fase do sinal de sada, nesta configurao a mesma do sinal de entrada, ou seja , no h inverso de fase.Tem como caractersticas um ganho de corrente muito alto, o que quer dizer que pequenas variaes da corrente de base provocam variaes muito maiores da corrente do coletor, e ainda um ganho de tenso no to elevado como no emissor comum. Apresenta tambm, um ganho de potncia no muito alto. Obs.: Esta configurao tambm chamada de seguidor de emissor. 6.3-Base comum. Nesta configurao o sinal aplicado entre o emissor e a base e retirado entre a base e o coletor. Como vemos , a base o elemento comum, o que acarreta a denominao dada configurao de base comum

No h inverso de fase para o sinal amplificado.Como caractersticas temos que nesta configurao temos um bom ganho de tenso, mas o ganho de corrente

15 inferior unidade..No geral obtemos ento um ganho de potncia menor que o da configurao de emissor comum, porm maior do que o da configurao de coletor comum. 7o-Transistores Darlington. um tipo de estrutura de transistor, constitudo por dois transistores (T1 e T2), dois resistores (R1 e R2) e um diodo (D1), contidos em uma nica pastilha de silcio e interligados de modo a formar um transistor de potncia com elevado ganho de corrente contnua C.C. Os invlucros dos transistores Darlington podem ser do tipo metlico (TO-3 por exemplo) ou do tipo plstico (TO126). Como ocorre com os transistores bipolares. 7.1-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington NPN. Estrutura Interna.

Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington NPN (ver figura acima) T1 e T2 so NPN e o anodo de D1 est conectado ao emissor de T2.

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7.2-Estrutura interna, smbolo e aspecto de um Darlington PNP. Estrutura Interna.

Smbolo e Aspecto.

Neste tipo de Darlington PNP (ver figura), T1 eT2 so PNP e o anodo de D1 est ligado ao coletor de T2. Para as duas estruturas NPN e PNP o valor de R2 praticamente insensvel s variaes de temperatura e das tenses aplicadas ao componente. Dependendo do fabricante, o seu valor est compreendido entre 50-200. Por outro lado, o valor de R1 varia tanto com a temperatura como com as tenses aplicadas no transistor. Os valores especificados pelos fabricantes vo desde alguns quiloohms at dezenas de quiloohms.

17 7.3-Aplicaes dos transistores Darlington. So inmeras as aplicaes desses componentes. Entre elas, destacamos as seguintes: Amplificadores de potncia de udio; Ignies eletrnicas; Reguladores de tenso para fontes de alimentao; Controle de motores C.C.; Controle de solenides. 8o-Polarizao, sentido da corrente e nomenclatura de transistores bipolares.

Ib Sentido horrio; Ic = sentido anti-horrio; Ie = Sentido anti-horrio

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Ib Sentido anti- horrio; Ic = sentido horrio; Ie = Sentido horrio 8.1-Nomenclaturas: Ib = Corrente de base; Ic = Corrente de coletor; Ie = Corrente de emissor; Rb = Resistor de base; Rc = Resistor de coletor; Re = Resistor de emissor; Vbe = tenso base/emissor. Vce = Tenso coletor/emissor; Vcb = Tenso coletor/base.