ELETRNICA BSICA

Jos Fernando Xavier Faraco Presidente da FIESC Srgio Roberto Arruda Diretor Regional do SENAI/SC Antnio Jos Carradore Diretor de Educao e Tecnologia do SENAI/SC Antnio Demos Diretor do CTV Blumenau

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Federao das Indstrias do Estado de Santa Catarina Servio Regional de Aprendizagem Industrial Centro de Tecnologia do Vesturio de Blumenau

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Blumenau 2002 SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

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 autorizada a reproduo total ou parcial deste material, por qualquer meio ou sistema, desde que a fonte seja citada. Organizador DJorge Milan

Reviso 00 Maro/2002

S474e SENAI/CTV Eletrnica bsica / DJorge Milani (Org.) Blumenau : SENAI/CTV, 2002. 40 p. : il.

1. Eletrnica I. MILANI, DJorge II. Ttulo CDU: 621.38

Servio Nacional de Aprendizagem Industrial Centro de Tecnologia do Vesturio de Blumenau e-mail: blumenau@senai-sc.ind.br site: www.senai-ctv.ind.br Rua So Paulo, 1147 Victor Konder CEP: 89012-001 Blumenau SC Fone: (0XX47) 321-9600 Fax: (0XX47) 340-1797 SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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SUMRIO
LISTA DE FIGURAS.................................................................................... LISTA DE TABELAS.................................................................................... 1 NOTAAO CIENTFICA........................................................................... 1.1 Regra geral............................................................................................ 2 RESISTORES: CLASSIFICAO E IDENTIFICAO............................ 2.1 Caractersticas dos resistores................................................................ 2.2 Resistores fixos...................................................................................... 2.3 Resistores ajustveis............................................................................. 2.4 Resistores variveis............................................................................... 2.5 Cdigo de cores para resistores............................................................ 2.6 Interpretao do cdigo de cores........................................................... 2.7 Casos especiais do cdigo de cores...................................................... 3 CAPACITOR............................................................................................. 3.1 Capacitncia.......................................................................................... 3.2 Unidade de medida................................................................................ 3.3 Tenso de trabalho................................................................................ 3.4 Tipos de capacitores.............................................................................. 3.5 Cdigo de cores para capacitores......................................................... 3.6 Reatncia capacitiva.............................................................................. 3.7 Relao de fase entre tenso e corrente num capacitor....................... 3.8 Associao de capacitores.................................................................... 4 INDUTOR.................................................................................................. 4.1 Auto-induo.......................................................................................... 4.2 Fator de qualidade................................................................................. 4.3 Associao de indutores........................................................................ 4.4 Relao de fase entre corrente e tenso............................................... 5 TRANSFORMADOR................................................................................. 5.1 Princpio de funcionamento.................................................................... 5.2 Relao de transformao..................................................................... 5.3 Tipos de transformadores...................................................................... 5.4 Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio............ 6 SEMICONDUTORES................................................................................ 6.1 Estrutura qumica dos semicondutores.................................................. 6.2 Dopagem................................................................................................ 7 DIODO SEMICONDUTOR........................................................................ 7.1 Estrutura bsica..................................................................................... 7.2 Comportamento dos cristais aps a juno........................................... 7.3 Aplicao de tenso sobre o diodo........................................................ 7.4 Parmetros mximos do diodo.............................................................. 7.5 Corrente mxima direta.......................................................................... 7.6 Tenso reversa mxima......................................................................... 7.7 Teste de diodos semicondutores........................................................... 07 08 10 10 11 11 13 13 13 14 14 15 16 16 16 16 17 18 19 19 20 20 21 23 23 23 24 24 25 25 26 26 26 27 28 28 29 29 31 31 31

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8 TRANSISTOR BIPOLAR.......................................................................... 8.1 Tipos de transistores bipolares.............................................................. 8.2 Teste de transistores.............................................................................. 8.3 Transistor como chave........................................................................... 8.4 Determinao dos resistores................................................................. 8.5 Transistor como amplificador................................................................. 8.6 Determinao dos resistores polarizados.............................................. 9 COMPONENTES ELETRNICOS ESPECIAIS....................................... 9.1 Termistores............................................................................................ 9.2 PTC (Positive Temperatura Coeficient)................................................. 9.3 NTC (Negative Temperature Coeficient)................................................ 9.4 LDR........................................................................................................ 9.5 Fotodiodo............................................................................................... 9.6 Fototransistor......................................................................................... 9.7 LED........................................................................................................ 9.8 Varistor...................................................................................................

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LISTA DE FIGURAS
Figura 1 Figura 2 Figura 3 Figura 4 Figura 5 Figura 6 Figura 7 Figura 8 Figura 9 Figura 10 Figura 11 Figura 12 Figura 13 Figura 14 Figura 15 Figura 16 Figura 17 Figura 18 Figura 19 Figura 20 Figura 21 Figura 22 Figura 23 Figura 24 Figura 25 Figura 26 Figura 27 Figura 28 Figura 29 Figura 30 Figura 31 Figura 32 Figura 33 Figura 34 Figura 35 Figura 36 Figura 37 Resistores de 4 e 5 anis.......................................................... Simbologia de um resistor......................................................... Simbologia de um resistor ajustvel.......................................... Simbologia de um potencimetro e trimpot............................... Resistores de 4 anis................................................................ Capacitores despolarizados....................................................... Capacitores ajustveis............................................................... Capacitores variveis................................................................. Capacitores eletrolticos............................................................. Cdigo de cores para capacitores............................................. Relao entre tenso e corrente em um capacitor.................... Princpio da induo magntica................................................. Relao entre tenso e corrente em um indutor........................ Transformador isolador.............................................................. Transformadores de ferro silcio e ferrite................................... Relao de fase nos transformadores....................................... Germnio................................................................................... Silcio......................................................................................... Ligao covalente...................................................................... Material tipo N............................................................................ Material tipo P............................................................................ Juno PN (diodo)..................................................................... Juno PN (diodo)..................................................................... Polarizao direta na juno PN................................................ Polarizao inversa na juno PN............................................. Simbologia do diodo.................................................................. Constituio do transistor bipolar............................................... Simbologia dos transistores bipolares....................................... Polarizao do transistor bipolar com chave............................. Polarizao do transistor bipolar por divisor de tenso na base........................................................................................... Simbologia do termistor PTC..................................................... Simbologia do termistor NTC..................................................... Simbologia do LDR.................................................................... Simbologia do fotodiodo............................................................ Simbologia do fototransistor...................................................... Smbolo do LED......................................................................... Smbolo do varistor.................................................................... 11 12 13 13 14 17 17 17 18 18 19 21 23 24 25 26 26 26 27 27 28 28 29 30 31 31 32 33 34 36 37 38 38 39 39 39 40
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LISTA DE TABELAS
Tabela 1 Tabela 2 Tabela 3 Tabela 4 Notao cientfica....................................................................... Decodificao de resistor de 4 anis......................................... Decodificao de resistor de 5 anis......................................... Cdigo de cores para capacitores............................................. 11 14 15 18

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1 NOTAO CIENTFICA

Nos clculos de eletroeletrnica, utiliza-se a notao numrica denominada notao cientfica para exprimir nmeros da ordem de milhares ou milsimos da unidade. Tal notao facilita o uso e a compreenso desses nmeros quando utilizados na matemtica aplicada naquelas cincias. 1.1 Regra geral Para grandes nmeros, anotao cientfica consiste em escrever o nmero sempre em algarismos menores do que dez, e em seguida, multiplicalos por dez, tantas vezes quantas forem necessrias para localizar a vrgula decimal. O nmero de vezes que a vrgula deslocou-se para a direita indicar-se- como expoente da base dez. Exemplo 4.000.000.000 = 4 x 109 6.250.000 = 6,25 x 106 452.683 = 4,52683 x 105 Para nmeros menores do que 1 (um) escreve-se o nmero sempre menor do que dez, multiplicando-se por uma potncia de dez com expoente negativo. O expoente sempre igual ao nmero de casa que a vrgula deslocou-se para a direita. Exemplo 0,00000000295 = 2,05 x 10-9 0,000195 = 0,195 x 10-3 0,4523 = 4,523 x 10-1 conveniente expressar das potenciais de dez em mltiplos e submltiplos do nmero 3 (trs), sempre que possvel. Essas potncias passam a receber designao prpria, tomada do idioma grego ou latino e adotado pelo sistema internacional (SI), conforme visto na tabela 1. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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Tabela 1 Notao cientfica NOME Exa Penta Ter Giga Mega Kilo Hecto Deca Deci Centi Mili Micro Nano Pico Femto Atto SMBOLO E P T G M K h da d c m u n p f a FATOR MULTIPLICATIVO 1018 = 1000000000000000000 1015 = 10000000000000000 1012 = 1000000000000 109 = 1000000000 106 = 1000000 103 = 1000 102 = 100 101 = 10 10-1 = 0,1 10-2 = 0,01 10-3 = 0,001 10-6 = 0,000001 10-9 = 0,000000001 10-12 = 0,000000000001 10-15 = 0,000000000000001 10-18 = 0,000000000000000001

2 RESISTORES: CLASSIFICAO E IDENTIFICAO

So componentes utilizados em eletrnica com a finalidade de limitar a corrente eltrica. A figura 1 mostra alguns resistores.

Figura 1 Resistores de 4 e 5 anis Obs: pelo controle possvel reduzir ou dividir tenses. 2.1 Caractersticas dos resistores Os resistores possuem caractersticas eltricas importantes, atravs das quais se distinguem uns dos outros: Resistncia hmica: o valor especfico de resistncia do componente. Os resistores so fabricados em valores padronizados, estabelecido por norma, nos seguintes valores base: 10, 12, 15, 18, 22, 27, 33, 39, 47, 56, 62, 68, 82. a faixa completa de valores de resistncia se obtm multiplicando-se os valores base por: 0,1, 1, 10, 100, 1K, 10K, 100K Percentual de tolerncia: os resistores esto sujeitos a diferenas no seu valor especfico de resistncia, devido ao processo de fabricao. Estas diferenas situam-se em 5 faixas: SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica Mais ou menos 20% de tolerncia;
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Mais ou menos 10% de tolerncia; Mais ou menos 5% de tolerncia; Mais ou menos 2% de tolerncia; Mais ou menos 1% de tolerncia.

Os resistores com 20%, 10% e 5% de tolerncia so considerados comuns, 2% e 1% so considerados de preciso. O percentual de tolerncia indica a variao que o componente pode apresentar em relao ao valor padronizado impresso em seu corpo. Potncia: define a capacidade de dissipao de calor do resistor sendo esse valor uma funo da tenso e da corrnete a que ele est submetido. Simbologia A figura 2 mostra o smbolo oficial a BANT, para representao de resistores em circuitos eletrnicos.

Figura 2 Simbologia de um resistor Tipos de resistores Existem trs tipos de resistores quanto a constituio: Resistor de filme de carbono: tambm conhecido como resistor de pelcula, sendo constitudo de um corpo cilndrico de cermica que serve como base para uma fina camada espiral de material resistivo (filme de carbono) que determina seu valor hmico. O corpo do resistor pronto recebe um revestimento que do acabamento na fabricao e isola o filme de carbono da ao da umidade. Suas principais caractersticas so a preciso e estabilidade do valo r resistivo. Resistor de carvo: constitudo por um corpo cilndrico de porcelana. No interior da porcelana so comprimidas partculas de carvo que definem a resistncia do componente. Os valores de resistncia no so precisos. Resistores de fio: constitui-se de um corpo de porcelana ou cermica que serve como base. Sobre o corpo enrolado um fio especial (por exemplo, nquel-cromo) cujo comprimento e seo determinam o valor do resistor. Os resistores de fio tm capacidade para trabalhar com maiores valores de corrente, produzindo SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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normalmente uma grande quantidade de calor quando em funcionamento. Cada um dos tipos tem, de acordo com a sua constituio, caractersticas que os tornam mais adequados que os outros em sua classe de aplicao. Quanto construo os resistores so divididos em trs grupos: 2.2 Resistores fixos So resistores cujo valor hmico j vem definido de fbrica, no sendo possvel altera-los. 2.3 Resistores ajustveis So resistores que permitem que se atue sobre seu valor hmico, alterando-o conforme for necessrio. Uma vez definido o valor, o resistor lacrado e no se atua mais sobre o mesmo. utilizado em pontos de ajuste ou calibrao de equipamentos.

Figura 3 Simbologia do resistor ajustvel Em baixa potncia temos tambm esse tipo de resistor, sendo denominado de trimpot, podendo ser de uma ou vrias voltas (multivoltas). 2.4 Resistores variveis So resistores que permitem que se atue sobre o seu valor hmico, sendo utilizados onde se necessite de um constante ajuste da resistncia. Estes resistores so empregados no controle de volume de televisores, rdios, etc.

Figura 4 Simbologia de potencimetro e trimpot SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

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2.5 Cdigo de cores para resistores O valor hmico dos resistores e sua tolerncia podem ser impressos no corpo do componente, atravs de anis coloridos. A disposio das cores em forma de anis possibilita que o valor do componente seja lido de qualquer posio. 2.6 Interpretao do cdigo de cores Existem no mercado atualmente resistores de quatro e cinco anis, neste item estudaremos a decodificao do cdigo de cores para esses componentes. Resistores de quatro anis: O cdigo se compe de trs anis utilizados para representar o valor hmico, e um para representar o percentual de tolerncia. O primeiro anel a ser lido aquele que estiver mais prximo de uma das extremidades do componente. Seguem na ordem 2, 3, 4 anel colorido.

Figura 5 Resistor de 4 anis Sendo assim: 1 anel 10 nmero significativo; 2 anel 20 nmero significativo; 3 anel multiplicador (nmero de zeros); 4 anel tolerncia. Tabela 2 Decodificao de resistores de 4 anis COR Preto Marrom Vermelho Laranja Amarelo Verde Azul Violeta Cinza Branco Ouro Prata Sem cor N SIGNIFICATIVO MULTIPLICADOR 0 x1 1 x 10 2 x 100 3 x 1K 4 x 10K 5 x 100K 6 7 8 9 x 0,1 x 0,01 TOLERNCIA 5% 10% 20%
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Exemplo 1 anel amarelo = 4; 2 anel violeta = 7; 3 anel vermelho = 2 zeros (00); 4 anel ouro = 5% de tolerncia. 2.7 Casos especiais do cdigo de cores Resistores de 1 a 10 ohms: Para representar resistores e 1 a 10 ohms, o cdigo estabelece o uso da cor dourado no terceiro anel. Esta cor no terceiro anel indica a existncia de uma vrgula entre os dois primeiros nmeros. Exemplo: Marro, cinza, dourado, dourado = 1,8 ohms 5%. Resistores abaixo de 1 ohm: Para representar resistores abaixo de 1 ohm, o cdigo determina o isso do prateado no terceiro anel. Esta cor no terceiro anel indica a existncia de um 0 (zero) antes dos dois primeiros nmeros. Exemplo: marrom, cinza, prato, ouro = 0,18 ohms 5%. Resistores de cinco anis: em algumas aplicaes so necessrios resistores com valores mais precisos, que se situam entre os valores padronizados. Estes resistores tm seu valor impresso no corpo atravs de cinco anis coloridos. Nestes resistores, trs primeiros anis so dgots significados, o quarto anel representa o nmero de zeros (fator multiplicativo) e o quinto anel a tolerncia. Exemplo: laranja, branco, branco, laranja, marrom = 39900 ohms 1. Tabela 3 Decodificao de resistores de 5 anis COR Preto Marrom Vermelho Laranja Amarelo Verde Azul Violeta Cinza Branco Ouro Prata N SIGNIFICATIVO MULTIPLICADOR 0 x1 1 x 10 2 x 100 3 x 1K 4 x 10K 5 x 100K 6 7 8 9 x 0,1 x 0,01 TOLERNCIA 1% 2% -

4700 ohms 5% = 4K7 5%

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3 CAPACITOR

O capacitor um componente capaz de armazenar cargas eltricas, sendo largamente empregado nos circuitos eletrnicos. composto basicamente de duas placas de material condutor, denominadas de armaduras, isoladas eletricamente entre si por um material isolante chamado dieltrico. Quando um capacitor conectado a uma fonte de tenso, o campo eltrico far com que os eltrons da armadura que estiver ligada ao positivo da fonte de alimentao seja por estarem atrados e conseqentemente os eltrons presentes na armadura que estiver ligada ao negativo da mesma fonte de alimentao sejam por ela repelidos. Quando a tenso de um capacitor atingir 99,3% da tenso da fonte a que ele esteja submetido, diz-se que o capacitor est carregado, nesta situao mesmo que se desconecte o capacitor da fonte de tenso ele permanecer com uma tenso em seus terminais de valor praticamente igual ao da fonte de tenso que o carregou. 3.1 Capacitncia a grandeza que exprime a quantidade de cargas eltricas que um capacitor pode armazenar. Seu valor depende de alguns fatores: rea da armadura: quanto maior a rea das armaduras, maior a capacitnia; Espessura do dieltrico: quanto mais fino o dieltrico, mais prximo estaro as armaduras. O campo eltrico gerado entre as armaduras ser maior e conseqentemente a capacitncia ser maior. Natureza do dieltrico: quanto maior a capacidade de isolao do dieltrico, maior a capacitncia do capacitor. 3.2 Unidade de medida A unidade de medida da capacitncia a Farad representado pela letra F, entretanto a unidade Farad muito grande, o que leva ao uso de submltiplos tais como: Microfarad = F = 10-6 Nanofarad = F = 10-9 Picofarad = F = 10-12 3.3 Tenso de trabalho a mxima tenso que o capacitor pode suportar entre suas armaduras sem danifica-lo. A aplicao de uma tenso no capacitor superior a sua tenso de trabalho mxima, pode provocar o rompimento do dieltrico fazendo com que o capacitor entre em curto, perdendo suas caractersticas. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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3.4 Tipos de capacitores Os capacitores podem ser classificados basicamente em quatro tipos: Capacitores fixos despolarizados: apresentam um valor de capacitncia especfico, no podendo ser alterado. Por ser despolarizado podem ser utilizados tanto em CA como em CC.

Figura 6 Capacitores despolarizados Capacitores ajustveis: so capacitores que permitem que se atue sobre sua capacitncia, alterando-a dentro de certos limites, por exemplo 10F a 30F. so utilizados nos pontos de calibrao dos circuitos como por exemplo, na calibrao de estgios osciladores de receptores ou transmissores de ondas de radio.

Figura 7 Capacitores ajustveis Capacitores variveis: so capacitores que tambm permitem que se atue na sua capacitncia, sendo utilizados em locais onde a capacitncia constantemente modificada. Como por exemplo, nos circuitos de sintonia de rdios receptores.

Figura 8 Capacitores variveis Capacitores Eletrolticos: So capacitores fixos cujo processo de fabricao permite a obteno de altos valores de capacitncia com pequeno volume. O fator que diferencia os capacitores eletrolticos dos demais capacitores fixos o dieltrico. Nos capacitores fixos comuns o dieltrico de papel, mica, 17 SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

cermica ou ar. O dieltrico dos capacitores eletrolticos um preparo qumico chamado de eletrlito que oxida pela aplicao de tenso eltrica. Esses capacitores apresentam polaridade, que dever ser observada, a no observncia dessa polaridade implica na total destruio do componente. Sendo assim estes capacitores no podem ser aplicados em circuitos alimentados por tenso C.A. Eletroltico Tntalo

Figura 9 Capacitores eletrolticos 3.5 Cdigo de cores para capacitores Para capacitores de polister, o valor da capacitncia vem impressa no corpo do componente em forma de anis coloridos. A interpretao do cdigo de cores para capacitores feita de maneira anloga ao cdigo de cores para resistores. A figura 12 mostra o cdigo e a ordem de interpretao.

Figura 10 Cdigo de cores de capacitores Tabela 4 Cdigo de cores para capacitores

COR Preto Marrom Vermelho Laranja Amarelo Verde Azul Violeta Cinza Branco Ouro Prata Sem Cor
1 ALGARISMO 2 ALGARISMO N DE ZEROS TOLERNCIA TENSO

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

20% 0 00 000 0000 00000 250V 400V 600V 10% X 0,1 X 0,01

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Exemplo Amarelo, violeta, laranja, branco, azul. 4 7 000 + / -10% 630V 47000pF = 47nF Laranja, branco, amarelo, branco, vermelho. 3 9 0000 + / - 10% 250V 390000pF = 390nF = .39F 3.6 Reatncia Capacitiva Quando um capacitor alimentado com tenso CA, a corrente que circula por esse capacitor ser limitada pela reatncia capacitiva (Xc). Sendo assim a reatncia capacitiva a grandeza que se ope a passagem de corrente CA por um capacitor, e medida em ohms. Matematicamente teremos: Xc = Onde: Xc = reatncia capacitiva em ohms; 2 = 6,28 f = freqncia em Hertz; C = capacitncia em Farads. 1 2. . f .C

Exemplo: A reatncia capacitiva de um capacitor de 100 F aplicado a uma rede C A de freqncia 60Hz :

Xc =

1 2. f .C

Xc =

1 6,28.60.0,1

Xc = 26,539

3.7 Relao de fase entre tenso e corrente num capacitor Devido ao fato da reatncia capacitiva dos capacitores estarem diretamente relacionadas com a freqncia dos sinais a que so submetidos ir surgir uma defasagem da ordem de 900 entre tenso e corrente, estando esta adiantada dos referidos 900 graus eltricos.

Figura 11 Relao entre tenso e corrente em um capacitor SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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3.8 Associao de capacitores Os circuitos srie, paralelo e srie-paralelo constitudos de capacitores possuem as mesmas formas que os circuitos constitudos de resistores.

Associao Srie: A frmula matemtica que exprime a capacitncia equivalente (Ceq) : 1 1 1 1 1 = + + + ........ + Ceq C1 C 2 C 3 Cn
A reatncia capacitiva dada por: XCeq = XC1+ XC2+ XC3+...+ XCn

Associao Paralelo: A frmula matemtica que exprime a Ceq num circuito paralelo dada por:
Ceq = C1+ C2+ C3+...+ Cn A reatncia capacitiva dada por:

1 1 1 1 1 = + + + ........ + XCeq XC1 XC 2 XC 3 XCn

4 INDUTOR

Os indutores como os capacitores tambm podem armazenar energia eltrica. Nos indutores este armazenamento feito graas ao campo magntico que surge em torno de componente sempre que percorrido por uma corrente. Devido a esta caracterstica podemos tambm gerar uma corrente em um indutor. O princpio da gerao de energia baseia-se no fato de que toda vez que um condutor se movimenta no interior de um campo magntico gerado neste condutor uma corrente eltrica. O cientista ingls Michael Faraday, ao realizar estudos com o eletromagnetismo, determinou as condies necessrias para que uma tenso seja induzida em um condutor. As observaes de Faraday podem ser resumidas em duas concluses:

Quando um condutor eltrico sujeito a um campo magntico varivel tem origem neste condutor uma tenso induzida. importante notar que para ter-se um campo magntico varivel no condutor pode-se:

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 Manter-se o campo magntico estacionrio e movimentar o condutor perpendicularmente ao campo conforme visto na figura 12; Manter o conduto estacionrio e movimentar o campo magntico conforme ilustra a figura 12. A magnitude da tenso induzida diretamente proporcional intensidade do fluxo magntico, isto significa: Campo mais intenso= maior tenso induzida; Variao do campo mais rpida = maior tenso induzida.

Movimento do condutor

Movimento do campo magntico

Figura 12 Princpio da induo magntica 4.1 Auto-induo A aplicao de uma tenso em uma bobina provoca o aparecimento de um campo magntico em expanso que gera na prpria bobina uma tenso induzida. A tenso gerada na bobina por auto-induo tem como caracterstica, a polaridade oposta tenso aplicada aos seus terminais, razo pela qual denominada de fora contra eletromotriz (Fcem). Como o Fcem atua contra a tenso da fonte, a tenso aplicada a bobina, na realidade: Vresultante = Vfonte Fcem A corrente no circuito causada por esta corrente resultante: I= SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica V Fcem R
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Esta capacidade de se opor s variaes de corrente denominada de indutncia e representada pela letra L. Quando se aplica um indutor em um circuito de CC a sua indutncia se manifesta apenas nos momentos em que existe variao de corrente. J em CA, como os valores de tenso e corrente esto em constante modificao o efeito da indutncia se manifesta permanentemente. Esta manifestao permanente da oposio a circulao de uma corrente varivel denominada de reatncia indutiva, representada pela notao XL. A reatncia Express em ohms e pode ser determinada atravs da equao: XL = 6,28 . f . L Onde:

XL = reatncia indutiva em ohms; 2PI = constante (6,28); f = freqncia da corrente CA em Hz; L = indutncia do indutor em Henrys.

Exemplo: a reatncia de um indutor de 600mH aplicado a uma rede CA de 60Hz : XL = 2 x f x L XL = 6,28 x 60 x 0,6 XL = 226,08

A corrente que circula em um indutor (IL) aplicado a CA pode ser calculada com base na Lei de Ohm, substituindo-se R por XL. VL I = XL Onde:

IL = corrente eficaz no indutor em ampres; VL = tenso eficaz em volts; XL = reatncia indutiva em ohms.
Exemplo: qual a corrente que circula por um indutor de 600mh quando aplicado a uma rede CA de 110V/60Hz? XL = 2 x f x L XL = 6,28 x 60 x 0,6 XL = 226,08

I=

110 VL = = 0,486A XL 226

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4.2 Fator de qualidade Todo o indutor apresenta, alm da reatncia, uma resistncia hmica que se deve ao condutor com o qual confeccionado. O fator de qualidade Q a relao entre a reatncia indutiva e a resistncia hmica de um indutor. Q= XL R

Um indutor ideal deve apresentar resistncia hmica zero. Isto determina um fator de qualidade infinitamente grande. No entanto na prtica, este indutor no existe. 4.3 Associao de indutores Os indutores podem ser associados em srie, paralelo e at mesmo de forma mista, embora esta ltima no seja muito utilizada.

Associao srie: a associao srie utilizada como forma de se obter uma maior indutncia, que dada pela equao:
LT = L1 + L2 + ... + LN

Associao paralela: utilizada como forma de obter indutncias menores ou como forma de dividir uma corrente entre diversos indutores, sendo expressa por:

1 1 1 1 1 = + + + ........ + XT X 1 X 2 X 3 XN
4.4 Relao de fase entre corrente e tenso Devido ao fenmeno de auto-induo ocorre um defasamento entre corrente e tenso nos indutores ligados em CA. A auto-induo provoca um atraso na corrente em relao tenso de 900 (um quarto de ciclo). A representao senoidal deste fenmeno vista na figura 13.

UL

IL
180 270 360

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Figura 13 Relao entre tenso e corrente em um indutor SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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5 TRANSFORMADOR

O transformador um dispositivo que permite elevar ou rebaixar os valores de tenso ou corrente em um circuito de CA. 5.1 Princpio de funcionamento Quando uma bobina conectada a uma fonte de tenso CA, surge um campo magntico varivel ao seu redor. Aproximando-se outra bobina a primeira o campo magntico varivel gerado na primeira bobina corta as espiras da segunda bobina. Como conseqncia da variao do campo magntico sobre suas espiras surge na segunda bobina uma tenso induzida. A bobina na qual se aplica a tenso CA denominada de primrio do transformador e, a bobina onde surge a tenso induzida denominada de secundrio deste transformador.

Tenso aplicada

Tenso induzida

Figura 14 Transformador isolador A tenso induzida no secundrio de um transformador proporcional ao nmero de linhas magnticas que corta a bobina secundria. Por esta razo, o primrio e o secundrio de um transformado so mostrados sobre um ncleo de material ferromagntico. O ncleo diminui a disperso do campo magntico, fazendo com que o secundrio seja cortado pelo maior nmero de linhas magnticas possveis, obtendo uma melhor transferncia de energia entre primrio e secundrio. Com a incluso do ncleo o aproveitamento do fluxo magntico gerado no primrio maior. Entretanto, surge um inconveniente: o ferro macio sofre grande aquecimento com a passagem do fluxo magntico. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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Para diminuir este aquecimento utiliza-se fero silicioso laminado para a construo do ncleo. O ncleo de ferro empregado em transformadores que funcionam em baixas freqncias (50Hz, 60Hz, 120Hz). J os transformadores que trabalham em freqncias mais altas (KHz) so montados em ncleos de ferrite, haja visto que sua permeabilidade magntica superior a do ferro.

Ncleo de ferro silcio

Ncleo de ferrite

Figura 15 Transformadores de ferro silcio e ferrite

5.2 Relao de transformao a relao que expressa a interao entre primrio e secundrio de um transformador, ou seja, expressa a relao entre a tenso aplicada ao primrio e tenso induzida no secundrio. Relao de transformao = VS VP Onde: = NS NP

VS = tenso no secundrio do transformador; VP = tenso no primrio do transformador; NS = nmero de espiras no secundrio do transformador; NP = nmero de espiras no primrio do transformador.

5.3 Tipos de transformadores Quanto relao de transformao os transformadores podem ser classificados em trs grupos:

Transformador elevador: todo transformador que possui uma relao de transformao maior que 1, NS > NP, sendo assim a tenso no secundrio ser superior a tenso no primrio; Transformador abaixador: todo transformador com relao de transformao menor que 1, NS < NP. Neste tipo de transformador a tenso no secundrio menor que a tenso no primrio; Transformador isolador: denomina-se de isolador o transformador que tem uma relao de transformao igual a 1, NS = NP. Como o nmero de espiras no secundrio e no primrio igual, a tenso no secundrio e no primrio tambm ser igual. 25 SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

5.4 Relao de fase entre as tenses do primrio e do secundrio A tenso no secundrio de um transformador gerada quando o fluxo magntico varivel do primrio corta as espiras do secundrio. Como a tenso induzida sempre oposta a tenso indutora, se conclui que a tenso no secundrio tem sentido contrrio a do primrio. Isto significa que a tenso no secundrio esta defasada 1800 da tenso no primrio.
Durante um semiciclo Durante outro semiciclo

Figura 16 Relao de fase nos transformadores 6 SEMICONDUTORES

So materiais que podem apresentar caractersticas de isolante ou de condutor, dependendo da forma como se apresenta a sua estrutura qumica. 6.1 Estrutura qumica dos semicondutores Os semicondutores se caracterizam por serem constitudos de tomos que tem quatro eltrons na camada de valncia (tetravalentes). As figuras 17 e 18 mostram a configurao de dois tomos que do origem a materiais semicondutores.

Figura 17 Germnio SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

Figura 18 Silcio
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Os tomos que possuem quatro eltrons na ultima camada tem tendncia a se agruparem segundo uma formao cristalina. Neste tipo de ligao cada tomo se combina com quatro outros, fazendo com que cada eltron pertena simultaneamente a dois tomos. Este tipo de ligao qumica denominada de ligao covalente, e representada simbolicamente por dois traos que interligam dois ncleos.

Figura 19 Ligao covalente As estruturas cristalinas de elementos tetravalentes so eletricamente isolantes. 6.2 Dopagem A dopagem um processo qumico que tem por finalidade introduzir tomos estranhos a uma substncia na sua estrutura cristalina. Cristal N Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina uma quantidade de tomos com mais de quatro eltrons na ultima camada, formase uma nova estrutura cristalina denominada cristal N. Exemplo: A introduo de tomos de fsforo que possu cinco (5) eltrons na ultima camada. Dos cinco eltrons externos do fsforo apenas quatro encontram um par no cristal que possibilite a ligao covalente. O quinto eltron por no encontrar um par para formar uma ligao, tem a caracterstica de se libertar facilmente do tomo, passando a vagar livremente dentro da estrutura do cristal, constituindo-se um portador livre de carga eltrica.

Figura 20 Material Tipo N SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

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Cristal P A utilizao de tomos com menos de quatro eltrons na ultima camada para o processo de dopagem d origem a um tipo de estrutura chamada cristal P. Exemplo: O tomo de ndio que tem trs eltrons na ultima camada, d origem a um cristal P. Quando os tomos de ndio so colocados na estrutura do cristal puro verifica-se a falta de um eltron para a formao de ligaes covalentes, esta falta denominada de lacuna, sendo representada por uma carga eltrica positiva na estrutura qumica.

Figura 21 Material Tipo P Obs: A lacuna no propriamente uma carga positiva, mas sim, a ausncia de uma carga negativa. 7 DIODO SEMICONDUTOR

O diodo semicondutor um componente que apresenta a caracterstica de se comportar como um condutor ou como um isolante eltrico dependendo da forma como a tenso seja aplicada a seus terminais. 7.1 Estrutura Bsica O diodo se constitui na juno de duas pastilhas de material semicondutor: uma de cristal do tipo P e outra de cristal do tipo N.

Figura 22 Juno PN (Diodo) SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

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7.2 Comportamento dos cristais aps a juno Aps a juno das pastilhas que formam o diodo ocorre um processo de "acomodamento" qumico entre os cristais. Na regio da juno alguns eltrons livres saem do material N e passam para o material P, recombinando-se com as lacunas das proximidades. O mesmo ocorre com algumas lacunas que passam do material P para o material N e se recombinam com os eltrons livres. Forma-se na juno uma regio onde no existem portadores de carga, porque esto todos recombinados, neutralizando-se. Esta regio denominada de regio de deplexo, e verifica-se que nela existe uma diferena de potencial proporcionada pelo deslocamento dos portadores de um cristal para o outro. Essa barreira de potencial da ordem de 0,7V para diodos de silcio e de 0,3V para os diodos de germnio.

Figura 23 Juno PN (Diodo) 7.3 Aplicao de tenso sobre o diodo. A aplicao da tenso sobre o diodo estabelece a forma como o componente se comporta eletricamente. A tenso pode ser aplicada ao diodo de duas formas diferentes, denominadas tecnicamente de:

Polarizao Direta: A polarizao do diodo considerada direta quando a tenso positiva da fonte de alimentao aplicada ao cristal P e a tenso negativa da referida fonte aplicada ao cristal N.

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Figura 24 Polarizao direta na juno PN Efeitos da Polarizao Direta Sobre o Diodo O plo positivo da fonte repele as lacunas do cristal P em direo ao plo negativo, enquanto os eltrons livres do cristal N so repelidos pelo plo negativo em direo ao positivo da fonte. Se a tenso da bateria externa for maior que a tenso da barreira de potencial as foras de atrao e repulso provocadas pela fonte de tenso externa permitem aos portadores adquirir velocidade suficiente para atravessar a regio onde h ausncia de portadores. Nesta situao o diodo permite a circulao de corrente no circuito e, dizse que o diodo est em conduo ou saturado. importante observar que a seta do smbolo do componente indica o sentido de circulao (convencional) da corrente eltrica.

Polarizao Inversa: A polarizao inversa de um diodo consiste na aplicao de tenso positiva no cristal N e negativa no cristal P.
Nesta condio os portadores livres de cada cristal so atrados pelos potenciais da bateria para os extremos do diodo. Observa-se que a polarizao inversa provoca um alargamento da regio de deplexo, porque os portadores so afastados da juno. Portanto conclui-se que a polarizao inversa faz com que o diodo impea a circulao de corrente no circuito eltrico ao qual ele est inserido. Diz-se que nesta situao o diodo est cortado ou em bloqueio.

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Figura 25 Polarizao inversa na Juno PN

Figura 26 Simbologia do diodo 7.4 Parmetros mximos do diodo Os parmetros mximos estabelecem os limites da tenso e corrente que podem ser aplicados ao diodo, sem provocar danos a sua estrutura. 7.5 Corrente mxima direta A corrente mxima de cada diodo dada pelo fabricante em folhetos tcnicos. Este o valor mximo admissvel para a corrente, devendo-se trabalhar com valor em torno de 20% inferiores ao mximo, para garantir a vida til do componente. 7.6 Tenso reversa mxima As tenses reversas colocam o diodo em corte. Nesta situao toda tenso aplicada ao circuito fica sobre o diodo. Cada diodo tem a estrutura preparada para suportar um determinado valor de tenso reversa, que nunca dever ser ultrapassado, sob pena da destruio do componente. Aqui tambm aconselhvel trabalhar-se com valores em torno de 20% inferiores ao valor mximo. 7.7 Teste de diodos semicondutores Os testes realizados para se determinar as condies de um diodo se resumem a uma verificao da resistncia do componente nos sentidos de conduo e bloqueio. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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A tenso de polarizao para teste do diodo ser fornecida pelo prprio multmetro. Sendo assim o diodo ser considerado em bom estado, quando polarizado diretamente, apresentar uma resistncia baixa (na casa das dezenas de ohms) e, quando polarizado inversamente, apresentar uma resistncia alta (vrios K ohms). Se nas duas polarizaes o diodo apresentar uma baixa resistncia, significa que o mesmo est em curto. Mas se nas duas polarizaes o diodo apresentar uma alta resistncia, diz-se que ele est aberto. 8 TRANSISTOR BIPOLAR.

O transistor bipolar um componente eletrnico constitudo por materiais semicondutores, capaz de atuar como controlador de corrente, o que possibilita o seu uso como amplificador de sinais ou como interruptor eletrnico. A estrutura bsica do transistor bipolar se compe de duas pastilhas de material semicondutor, de mesmo tipo, entre as quais colocada uma terceira pastilha, mais fina de material semicondutor com tipo diferente de dopagem.

Figura 27 Constituio do transistor bipolar 8.1 Tipos de transistores bipolar A configurao da estrutura, em forma de sanduche, permite que se obtenha dois tipos distintos de transistores de transistores:

Um com pastilhas externas do tipo N e interna do tipo P, denominado NPN; Outro com pastilhas externas do tipo P e interna do tipo N, denominado PNP.
Simbologia A diferena entre os smbolos dos transistores apenas no sentido da seta no terminal de emissor.

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Figura 28 Simbologia dos transistores bipolares 8.2 Teste de transistores Analisando-se a estrutura dos transistores observa-se que entre a BASE e o COLETOR forma-se uma juno PN, que para fins de teste pode ser tratada como um diodo. Da mesma forma, entre BASE e EMISSOR forma-se outra juno PN, que para fins de teste pode ser tratada como um diodo. Sendo assim testar um transistor verificar se h um curto ou abertura entre cada par de terminais (BE, BC e CE). 8.3 Transistor como chave O transistor como chave utilizado na substituio de interruptores, com a vantagem de no possuir contatos mecnicos e poder ser chaveado por freqncias elevadas. O transistor funcionando como chave opera na regio de corte e saturao, sendo assim ir trabalhar segundo a lgica tudo ou nada. A regio de corte caracterizada por: Juno BE Juno BC VCE = VCC A regio de saturao caracterizada por: Juno BE Juno BC VBE > VCE SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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} } inversamente polarizadas. }

} } diretamente polarizadas. }

Assim para que um transistor atue como chave basta que se aplique corrente ou no ao terminal base. 8.4 Determinao dos resistores O resistor RC calculado em funo da corrente de coletor desejada. O valor de RC dado por:

Rc =

Vcc Ic

PRc =

Vcc 2 Rc

O resistor RB tem por funo limitar a corrente de base. Adota-se para IB um valor igual a 10% de IC, e calculado segundo a equao:

RB =

VB VBE 0,1.Ic

PRB =

(VB VBE )2
RB

A escolha da chave (transistor) feita da seguinte forma: VCE > VCC

IC

VCC RC

PDT

VCEsat .VCC RC

-> Na prtica

Figura 29 Polarizao do transistor bipolar com chave 8.5 Transistor como amplificador O transistor como amplificador tem seu emprego na amplificao de sinais que podero ser fornecidos por sensores ou quaisquer outras fontes de sinais de baixa intensidade. Como amplificador o transistor atua na regio ativa, que caracterizada por:

Juno BE diretamente polarizada; Juno BC inversamente polarizada;

VBE < VCE < VCC. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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8.6 Determinao dos resistores polarizadores Para simplificar a analise matemtica, podemos considerar algumas aproximaes e estimativas, que em nada prejudicam os resultados obtidos, tais como: IC = IE

> 100

A tenso sobre o resistor de coletor RC e a tenso de alimentao esto relacionadas entre si. Neste tipo de estgio adota-se normalmente uma tenso no resistor de coletor igual ou prximo a metade da tenso de alimentao.

V RCO =

Vcc 2

A corrente ICO nestes estgios assumem, normalmente, valores que variam entre 1 a 10mA.
V Rc = RCO Ico

PRC

2 ( Vcc ) =

RC

Os resistores de base tm por funo fornecer a tenso de base do transistor. Para que a juno base-emissor conduza, a tenso fornecida a base deve ser a tenso de conduo da juno mais a tenso VRE. Para que variaes de corrente na base no interfiram na polarizao do circuito, adota-se para a corrente no divisor tenso (ID) um valor igual a 10% de ICQ.

RB1 =

VCC VRB 2 ID

PRB1 =

(VCC VRB 2 )
RB1

RB 2

V + VBE = RE ID

PRB 2

2 VRE + VBE ) ( =

RB 2

ID = 0,1.ICQ O capacitor C1 tem por finalidade melhorar o ganho de tenso CA, que sensivelmente prejudicado pela incluso de RE. No circuito amplificador a entrada de sinal ser feita na base, atravs de um capacitor de acoplamento, e o sinal ser retirado do coletor tambm atravs de um capacitor de acoplamento. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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A resistncia de emissor dimensionada pelas seguintes equaes:

RE

(0,1.VCC ) =
I CQ

PRE

2 0,1.VCC ) ( =

RE

A escolha do transistor feita da seguinte forma: VCE > VCC

VCC IC RC + RE

PDT

( RC + RE )

(VCC )2

Figura 30 Polarizao do transistor bipolar por divisor de tenso na base 9 COMPONENTES ELETRNICOS ESPECIAIS

9.1 Termistores Este um dispositivo muito importante para os circuitos que trabalham em locais de grande amplitude trmica. O termistor um resistor dependente da temperatura, ou seja, seu valor de resistncia varia com a temperatura a que est submetido. Esta variao no linear. Na fabricao dos termistores difcil conseguir uniformidade. As caractersticas de um termistor pode variar com o tempo e com a temperatura. Se a temperatura for elevada aumenta o processo de difuso, portanto, no fcil utilizar um termistor como transdutor de preciso. Os termistores no podem suportar temperaturas muito elevadas, por isso seu emprego muito limitado. Geralmente, a temperatura mxima que um termistor pode suportar , aproximadamente, 400C. Os termistores podem ser de dois tipos: PTC e NTC. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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9.2 PTC (Positive Temperature Coeficient) Os PTCs so resistores cuja resistncia eltrica aumenta com o aumento da temperatura. Dados que devem acompanhar todo termistor:

A resistncia (W) a 25C; A mxima tenso admissvel; A corrente mxima suportvel.

Os dados para se reconhecer um termistor so fornecidos pelo fabricante. Exemplo: P50/80/30/01 Onde:

P = Termistor PTC; 50 = Sigla da nomenclatura de fabricao; 80 = Corrente mxima em mA; 30 = Coeficiente de variao (30%C); 01 = Sigla da nomenclatura de fabricao.

O teste deste componente feito da seguinte forma: com um ohmmetro mede-se a resistncia do componente a temperatura ambiente, em seguida aproxima-se do componente uma fonte de calor e dever ser notado um acrscimo na resistncia hmica do mesmo. Os termistores PTC so utilizados mais freqentemente em:

Termostatos; Proteo de bobinados de motores; Estabilizao de temperatura de um lquido.

Simbologia

Figura 31 Simbologia do termistor PTC 9.3 NTC (Negative Temperature Coeficient) Os NTCs so resistores formados por semicondutores cermicos feitos de xidos metlicos, cuja resistncia eltrica diminui com o aumento da temperatura. Os NTCs so usados em faixas de temperatura que esto entre 0C e 400 C. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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Estes componentes se destacam nas aplicaes tais como:

Medidores de temperatura; Proteo de circuitos; Circuitos de alarme.

Para test-los deve-se medir a sua resistncia a temperatura ambiente, em seguida, aproximar o componente de uma fonte qualquer de calor. Observar no multmetro que o valor da resistncia diminui, com o aumento da temperatura.

Figura 32 Simbologia do termistor NTC 9.4 LDR O LDR (Light Dependent Resistor - Resistor Dependente de Luz), o um resistor cuja resistncia eltrica diminui com o aumento da luz incidente na sua superfcie sensvel. Este efeito fotoeltrico (fotocondutividade) se baseia no seguinte princpio: quando um semicondutor recebe a luz, incide sobre ele ftons com energia suficiente para arrancar eltrons da banda de valncia e passar a banda de conduo. A resistncia de uma clula LDR depende do nmero de ftons incidentes e, portanto, da intensidade luminosa. Por no necessitarem de amplificadores os LDRs simplificam em muito os circuitos de controle industriais, uma vez que podem atuar diretamente sobre os rels de comutao. Para testar este componente, usa-se o multmetro em ohms. Primeiramente mede-se sua resistncia na presena de luz em seguida tapa-se a regio sensvel e dever se observar que a resistncia aumenta sensivelmente.

Figura 33 Simbologia do LDR 9.5 Fotodiodo Trata-se de uma juno P-N, com uma abertura, com lente, para a entrada dos raios de luz. Quando polarizado inversamente, a luz libera mais portadores minoritrios e conseqentemente h um aumento da corrente de fuga. SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica
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Para testar este componente, coloca-se o multmetro em uma alta escala de resistncia e mede-se com e sem luz incidente sobre a abertura. A medida efetuada com luz deve ter valor consideravelmente inferior medida sem luz.

Figura 34 Simbologia do fotodiodo 9.6 Fototransistor Componente com a mesma estrutura do transistor bipolar convencional, porm deixada uma abertura com lente, na regio da juno base-coletor. Com a incidncia de luz, diminui consideravelmente a resistncia desta juno. A principal diferena entre um fotodiodo e um fototransistor reside no fato de que no fototransistor a corrente mais intensa, uma vez que o transistor j fornece uma amplificao deste sinal. Para testar este componente, mede-se o valor da resistncia entre coletoremissor, com e sem luz. A medida efetuada com luz deve apresentar valor bem mais baixo do que a medida efetuada com a superfcie sensvel escurecida.

Figura 35 Simbologia do fototransistor 9.7 Diodo Emissor de Luz (LED) O LED (Ligth Emission Diode - Diodo Emissor de Luz) um componente utilizado para sinalizao. Sua juno P-N, acrescida de certas ligas, como por exemplo o arsianeto de glio, que tem a propriedade de emitir luz, quando diretamente polarizado. O LED substitui as tradicionais lmpadas piloto, com as vantagens de no aquecer, possuir vida til muito maior, apresentar baixo consumo, etc. Para testar o LED deve-se liga-lo a uma fonte de tenso CC, no esquecendo de ligar em srie com o mesmo um resistor que limite a corrente em 20mA.

Figura 36 Smbolo do Led SENAI CTV Blumenau Eletrnica Bsica

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9.8 Varistor Os varistores de xido de zinco ou SIOV so componentes bipolares passivos, destinados a proteger circuitos de surtos ou transientes de tenso. A resistncia dos varistores diminui sempre que a tenso aplicada aos seus terminais atinge um valor limite, fazendo com que o componente passe a conduzir corrente e conseqentemente mantendo a um nvel mais baixo o valor da tenso. muito utilizado na proteo de contatos de interruptores para evitar as sobretenses, em circuitos retificadores com diodos de silcio e na entrada de equipamentos eletrnicos com a finalidade de protege-los de possveis sobretenses.

Figura 37 Smbolo do varistor

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