CAPTULO 3

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNES

Cap. 3 1
Nota: Na resoluo dos problemas consideraram-se as equaes de Ebers-Moll ou
derivadas
1 1


=


C E
T T
U U
U U
E ES R CS
I I e I e
1 1


= +


C E
T T
U U
U U
C F ES CS
I I e I e
0
1


= +


C
T
U
U
C F B CE
I I I e
0
1
C
T
U
U
C F E CB
I I I e


= +



0
1
C
T
U
U
E R B EC
I I I e


= +



0
1
C
T
U
U
E R C EB
I I I e


= +



onde

I
B

I
C

I
E

U
C

U
E

(pnp)
I
B

I
C
I
E

U
B

U
E

(npn)


Nos apontamentos tericos da disciplina as equaes anteriores devem ser alteradas, uma vez
que as correntes
C
I e
B
I foram tomadas com os sentidos contrrios aos apresentados. Com
efeito, tomaram-se os sentidos para as correntes que lhes correspondem quando o transstor
est na zona activa directa. Assim, as equaes anteriores so equivalentes s dos
apontamentos tericos se os sinais de
C
I e
B
I forem trocados.
Cap. 3 2

Problema TBJ1
Considerar o circuito da figura, que contm um transistor bipolar de junes com os seguintes
valores:
max
30 ; 5 ; 50
C C F
disr
U V P W = = =

I
C

I
B

I
E

U
CE

U
C

U
E

U
E
B

E
C

R
E

100
20
40
B
C
R
E V
E V
=
=
=


a) Calcular os valores das correntes e tenses indicadas. Desprezar o valor de
0 C
I e supor que
E B
U E << . Calcular as potncias postas em jogo nos diferentes elementos do circuito e a
relao entre elas.

b) Calcular o mnimo valor que pode tomar
E
R , explicando quais as razes fsicas associadas
limitao considerada.

c) Para o caso indicado no esquema, haver algum perigo para o transistor se se interromper o
circuito de base?

d) Admitindo que
B
E sofre uma variao
B B
E E << e
C
E se mantm constante, calcular o
valor de
B
U E .


Resoluo

a) Da anlise das malhas do circuito obtm-se:

B E E E
E U R I = (1)
Cap. 3 3
( )
E B C
I I I = + (2)
=
C B C
U E E (3)

CE C E
U U U = (4)

E E
U R I = (5)

Das equaes do transistor:
( )
0
exp 1
C F B CE C T
I I I U U = +

(6)
De (1), desprezando
E
U face a
B
E , tem-se: 200mA =
E
I . De (3) tem-se 20V =
C
U . O
transistor est a funcionar na regio activa directa.

De (6) tem-se
C F B
I I . De (2) e (6) obtm-se 196 mA
C
I = e 4 mA =
B
I . De (5)
tem--se 20V = U .
0,08W = =
B
E B B
P E I 7,84W = =
C
E C C
P E I
4W = =
E
R E
P I U 3,92W = + =
tr E E C C C C
P U I I U I U
7,92W = + =
B C
for E E
P P P 7,92W = + =
E
dis R tr
P P P

b) 5W 250mA
C C C
U I I
20V e 250mA = =
C E C B C E
U I I I I I

min
20V 80 80 = + = =
E E C CE E E
I R E U R R
A limitao est associada ao facto de a potncia mxima posta em jogo no transistor ser
de 5 W. Ultrapassar este valor pode conduzir, por exemplo, a uma migrao dos tomos de
impurezas dadoras (aceitadoras) para a zona de tipo p (n), com consequncias irreparveis
para o dispositivo.

c)
0 0
0
B C CE E CE
I I I I I = = =

CE C E E C CE CEdisr
U E R I E U U = + >
Cap. 3 4
Assim se se interromper o circuito de base a juno colectora entra em disrupo. A
equao (6) deixa de ser vlida, sendo a corrente de colector limitada pelo circuito exterior.
Nestas condies:
10V 100mA e 100mA = = + = = =
CE CEdisr E E CE C E C
U U I R U E I I
A potncia posta em jogo no transistor neste caso:
max
3W = <
tr C C C
P U I P
Conclui-se que a interrupo do circuito de base no envolve perigo para o transistor.

d) Nestas condies:
( ) ( ) 0 0
B B E E E E E B E E E
E E U U R I I E U R I + + + = =
( )
E E E E E
U U R I I U R I + = + =
Desprezando
E
U obtm-se:
1
B B
E U U E =

Cap. 3 5

Problema TB2

dado o circuito da figura onde
1 2
15V, 20V = = E E e 150 R = . Os dados do transistor a
300 K so os seguintes:
0 max
200 ; 10 A ; 30V ; 1W = = = =
F CE CE
disr
I U P
0,4V =
E
U para 100mA =
E
I

a) Calcular as correntes e tenses indicadas na figura.

b) Calcular os valores de
0 1
U E e de
1 B
E I , supondo que
1
E uma variao da
tenso
1
E sendo
1 1
E E << e que
0
U e
B
I

so as correspondentes variaes de
0
U e
B
I . Considerar
2
E

constante.

c) Calcular o valor mximo que
2
E pode tomar supondo
1
E constante, de modo que no
sejam excedidos os limites de funcionamento do transistor.

I
C

E
2

I
B

I
E

E
1

U
U
CE
U
E
U
C
R




Resoluo

a) Das equaes do transistor sendo
C CB
U U = e
E EB
U U = :
( )
0
exp 1
C F B CE C T
I I I U U = +

(1)
Cap. 3 6
( ) ( ) exp 1 exp 1
E ES E T R CS C T
I I U U I U U =

(2)
Das equaes do circuito:

1 E E
E U RI = + (3)

2 1 C
U E E = + (4)

E B C
I I I = (5)
De (4) tem-se 5V =
C
U . Deste modo, utilizando (1) -se conduzido a
0 C F B CE
I I I .

De (3), desprezando
E
U face a
1
E

(juno emissor-base polarizada directamente) tem-se
De (1), (3) e (5) tem-se:
99,5mA
C
I e 0,5mA
B
I
Sendo
0 1
15V = =
E
U RI E . De (2) e para os valores dados ( 0,4V =
E
U ,
0,1A =
E
I e ) 5V =
CE
U podemos concluir que:
( ) exp
E ES E T
I I U U (7)
o que nos permite calcular
ES
I . Obtm-se 20,8nA
ES
I .
Os valores de
E
U e das correntes podem ser determinados a partir das equaes (3) e (7),
uma vez que o transistor est na zona activa directa. Por um processo iterativo obtm-se:
97,3mA e 0,399V
E E
I U .
b) Desprezando
E
U em face de
1
E obtm-se:
0 1 0 1
1 U E U E
Nessas condies:
( ) ( )
1 1
1 1 30k = = + = + =
E F B B F
E R I R I E I R

c) Para que o transistor no entre na saturao deve verificar-se a seguinte condio:
2 1 2
0 15V = + < >
C
U E E E
Sendo 100mA
E
I teremos 99,5mA
C
I e para que o transistor no exceda a potncia
mxima:
Cap. 3 7
2 1 2
10V 10 25V > + > <
C
U E E E
Como para
2
25 E V = se tem
CE CE
disr
U U < , a juno colectora no entra em disrupo (o
que invalidaria as equaes 1 ou 2), este valor corresponde efectivamente ao mximo valor
de
2
E para o qual a potncia mxima do transistor no excedida.

Cap. 3 8

Problema TB3

Considerar o circuito da figura onde T um transistor bipolar de junes de germnio com os
seguintes parmetros a 300 K:
0 max
100 ; 1 A ; 50mW = = =
F CE
I P
0,3V =
BE
U para 10mA =
E
I e 10V =
C
U

I
B

I
C
R
C

R
B

U
CE
U
0

E
2

I
E

U
C

U
BE

2
100k ; 3k ; 10V = = =
B C
R R E

a) Calcular o valor das correntes e tenses indicadas e a potncia posta em jogo no transistor
quando:
a1)
0
10V = U
a2)
0
0V = U

b) Determinar, para
0
10V = U , o valor mnimo de
C
R para que no seja excedida a potncia
mxima no transistor.

c) Desenhar um esquema correspondente ao indicado, utilizando um transistor MOSFET, de
modo a obter um funcionamento idntico ao referido em a). Indicar justificadamente, qual
o tipo e as caractersticas a exigir para esse transistor.


Resoluo

a1) Com
0
10V = U a juno emissor-base est polarizada directamente. Nessas condies:
( )
0 0
0,1mA = =
B BE B B
I U U R U R
Cap. 3 9
As equaes de Ebers-Moll para o transistor npn podem ser obtidas das equivalentes para
o transistor pnp por um dos processos seguintes: ou mantemos as equaes e mudamos os
sentidos de referncias das correntes (que passam a sair) e das tenses (que deixam de ser
referenciadas base), ou mantemos os sentidos de referncia e trocamos os sinais de
C
I ,
B
I ,
E
I ,
C
U e
E
U nas equaes. Optmos pela segunda soluo. Duas situaes so
possveis nas condies do problema: o transistor na regio activa directa
( ) 0
CB C
U U = > ou na saturao ( ) 0
CB C
U U = < . Consideremos por hiptese o 1 caso.
Da equao do transistor:
( )
0 0
exp 1 10mA = +

C F B CE C T F B CE C
I I I U U I I I
Da anlise do circuito:
20V = = =
C CE BE CE C C C
U U U U E R I
o que no confirma a hiptese. O transistor est na saturao. Nessas condies:
0 3,33mA =
CE C C C
U I E R
Da equao:
( )
0
exp 1
C F B CE C T
I I I U U = +

(1)
obtm-se 0,288V =
C
U . A partir da equao de Ebers-Moll:
( ) ( ) exp 1 exp 1
E ES E T R CS C T
I I U U I U U =

(2)
e dos dados do problema ( 0,3V =
E
U para 10mA =
E
I e ) 10V =
C
U obtm-se
( ) ( ) exp 1 exp 97nA = +
E ES E T R CS ES E T ES
I I U U I I U U I
Como
1
F
R CS F ES ES ES
F
I I I I

= =
+
e 3,43mA = =
E B C
I I I , tem-se usando
(2):
( ) ( )
3
3,43 10 exp 1 exp 1
Es E T C T
I U U U U

+

.
Atendendo a que 0,228V
C
U tem-se 0,28V
E
U . Nessas condies:
0,201mW = +
tr E E C C
P I U I U
Nota: Os valores determinados para
E
U e
C
U permitir-nos-iam inicializar um processo
iterativo que nos conduziria a valores mais aproximados para as coordenadas do ponto de
Cap. 3 10
funcionamento em repouso do transistor.

a2)
0
0 U =
Atendendo caracterstica estacionria de entrada de uma montagem de emissor-comum
( )
CE
B B BE
U
I I U = , o ponto de funcionamento em repouso corresponde ao ponto P da
figura seguinte.
I
B

U
BE
P
1
B
R
Recta de declive
Zona activa directa
Corte
0
CE
U >>


O transistor est a funcionar na zona activa directa ( 0
BE
U > e ) 0
CE
U > mas muito
prximo da fronteira com a regio de corte (representada na figura pela parte tracejada da
caracterstica). No corte seria necessrio aplicar uma tenso
0
0 U < . Na zona de
funcionamento considerada as correntes so obtidas de:
( ) ( ) ( )
E ES EP R CS CP ES EP R CS
I I U I U I U I = +
( ) ( ) ( )
C CS CP F ES EP CS F ES EP
I I U I U I I U =
( ) ( ) ( ) 1 1
B C E ES F EP CS R
I I I I U I = +
sendo ( ) ( ) exp 1
T
U U U = .
As correntes so todas desprezveis. Com
EP
U muito prximo de zero, como se v pela
figura, tem-se:
10V =
CE C
U E
A potncia posta em jogo no transistor desprezvel porque as correntes
E
I ,
C
I e
B
I o
so tambm.
Cap. 3 11
b) Para que a potncia posta em jogo no transistor ultrapasse a potncia mxima, o transistor
ou se encontra na zona activa directa ou na situao de disrupo do colector. Com efeito,
no corte as correntes so praticamente nulas e na saturao as tenses so desprezveis.
Admitamos que o transistor est na regio activa directa. Nessas condies:
0
CE C C C C C C
U E R I R E I = < < (3)

0 C F B F B
I I U R = (4)
De (3) e (4) obtm-se:
0
1k < =

C B
C
F
E R
R
U

1 k representa o valor mximo da resistncia de colector para que o transistor esteja na
regio activa directa.
Para que a potncia posta em jogo no transistor seja inferior a
max
P deve verificar-se:
3
50 10
C CE
I U

< e
3
50 50
500
CE C C C C C C C
C
U E R I E R I R
I

= < >
500 representao valor mnimo da resistncia de colector de modo a garantir que a
potncia mxima do transistor no seja excedida.


Zona para a qual
max
P P >
Zona Activa
Directa
Saturao
0 500 1000 ( )
C
R


c) Atendendo polaridade da bateria
C
E tem-se 0
DS
U > , o que nos obriga utilizao de
um MOSFET de canal n. Interessa que o transistor esteja ao corte com
0
0
GS
U U = = e
com corrente de dreno positiva para
0
10V = =
GS
U U . Ento o valor da tenso gate-fonte
de limiar,
lim GS
U , dever estar compreendido entre 0 e 10 V. O MOSFET de canal n
dever ser de enriquecimento ( )
lim
0
GS
U > .
Cap. 3 12

Problema TB4

Considerar a montagem da figura, que inclui um transistor bipolar de junes com as
seguintes caractersticas a 300K = T :
max
0
50 ; 10 ; 0,5mA ; 15V ; 500mW = = = = =
disr
F R CE C C
I U P


R
C

R
B

I
B

U
C

I
E

E
U
1


20V ; 1,5k = =
C
E R

a) Calcular
B
R que garante que 0,2mA =
B
I . Calcular os valores das correntes e tenses
assinaladas na figura. Considerar
E
U E << .

b) Supondo vlidas as caractersticas estacionrias, calcular
1 E
U U , onde
E
U uma
pequena variao de
E
U e
1
U a correspondente variao de
1
U .

c) Se pretender substituir o transistor de junes por um transistor de efeito de campo,
indicar, justificadamente, qual o tipo a escolher.


Resoluo

a) Desprezando
E
U tem-se:
100k
B B B
R I E R
Cap. 3 13
Considerar a equao do transistor:
( )
0
exp 1
C F B CE C T
I I I U U +


Admitir por hiptese que o transistor est a funcionar na regio activa directa
( )
C T
U U << . Nessas condies:
0
10,5mA 10,7mA 4,25(V) = =
C F B Ce E B C C C C
I I I I I I U E R I
Confirma-se portanto a hiptese. Nessas condies:
1
15,75(V) =
C C
U R I

b) Considerar a equao de Ebers-Moll e o facto de o transistor se encontrar na zona activa
directa:
( ) ( ) ( ) exp 1 exp 1 exp
E ES E T R CS C T ES E T
I I U U I U U I U U =


Na equao anterior desprezou-se 1 em face de ( ) exp
E T
U U e ainda a influncia da
tenso de colector na corrente de emissor.

Por diferenciao obtm-se:
( ) exp exp 1
E
E ES E T
T
U
I I U U
U

=



Se
E T
U U << obtm-se:
( ) exp
E
E ES E T
T
U
I I U U
U

Ou, atendendo a que ( )
0
exp
ES E T E
I U U I (corrente de emissor correspondente ao
funcionamento em repouso), obtm-se:
0
E
E T
E
I
U U
I

=
e
1 0 1
1
605,8
1 1
F F C E
C C C E
F E F T T
U R I U
U R I R I
U U U

= = =
+ +


Cap. 3 14
c)

U
GS
U
DS
D
S
G
E
R
D
R
G


No circuito da figura tem-se 0
GS
U < e 0
DS
U < . Excluem-se assim o J FET e o MOSFET
de canal n pois com 0
DS
U < no seria possvel levar os transistores saturao (no
possvel estrangular o canal do lado do dreno nessas condies). Exclui-se tambm o J FET
de canal p pois nessas condies haveria corrente de gate (tratamento unidimensional do
dispositivo no seria possvel), alm de que o controlo da largura do canal atravs de
GS
U
seria muito fraco. Resta o transistor MOSFET de canal p. Caso este seja de
empobrecimento ( )
lim
0
GS
U > no existem restries a fazer. Se for de enriquecimento
( )
lim
0
GS
U < deve utilizar-se um transistor com tenso gate-fonte de limiar de mdulo
inferior tenso aplicada. As solues possveis so:


R
G

R
D

G B
S
E
R
G

R
D

G
B
S
E
( )
lim
qualquer
GS
U ( )
lim GS GS
U U E > =

Cap. 3 15

Problema TB5

dado o circuito da figura contendo um transistor npn de germnio a 300 K com as seguintes
caractersticas:
0 max
200 ; 1 A ; 30V ; 100mW ; 0,3V = = = = =
F CE Cdisr C E
I U P U para
10mA =
E
I
a) Determinar as correntes e tenses indicadas.

b) Calcular o valor de
CE B
U E supondo que
B B
E E << e que
C
E constante.
Determinar ainda entre que limites de
B
E vlido o resultado obtido.

c) Calcular os novos valores de a) se
B
R for infinito (circuito de base interrompido). Qual o
mximo valor de
B
R que permite manter o transistor na zona activa directa?


I
C

I
E

I
B

U
C

U
E

U
CE
R
C

R
B

E
B

E
C

40V ; 20V ; 5k ; 1,3M = = = =
C B C B
E E R R



Resoluo

a) Desprezando
E
U face a
B
E (juno emissora directamente polarizada) tem-se:
15,4 A =
B B B
I E R
Hiptese: transistor na zona activa directa ( ) 0 e 0
E C
U U < >
( )
0 0
exp 1
C F B CE C T F B CE
I I I U U I I = +


Cap. 3 16
Obtendo-se sucessivamente:
3,1mA ; 3,12mA ; 24,6V = =
C E B C CE C C C C
I I I I U E R I U
Confirma a hiptese.

Para o clculo de
E
U pode partir-se de:
( ) ( ) exp 1 exp 1
E ES E T R CS C T
I I U U I U U =


Uma vez que o transistor est na zona activa directa tem-se:
( ) ( )
2
exp 10 exp 0,3 0,026 97nA

E ES E T ES ES
I I U U I I
Podem obter-se os valores de
E
I e de
E
U a partir do conjunto de equaes:
( ) ( ) ( ) exp 97exp nA =
E ES E T E T
I I U U U U
E B C
I I I =
CE C C C C E C
U E R I U U U = =
b)
e e
0,77
CE C C B B B C F B
CE C C C
F
B B B B
U R I E R I I I
U R I R
E R I R
= = =

= = =


O resultado anterior pressupe o transistor a funcionar na zona activa directa. Com efeito,
desprezou-se
E
U e considerou-se
C F B
I I = . Para tal devem verificar-se as seguintes
condies:
0 0
E B
U E < >
0 0 52V > + < < <
C
C C C C C F B B
B
R
U E R I E E E
R

Para que o resultado seja vlido dever verificar-se 0 52(V) < <
B
E .
c)
0
0 1 A 40V = = = = >
disr
B C CE CE C C C CE
I I I U E R I U
O transistor est a funcionar na zona de disrupo do colector, pelo que as equaes de
Ebers-Moll ou derivadas no so vlidas. Nesse caso tem-se:
Cap. 3 17
30V 10 2mA = = = = =
disr
CE CE C C C CE C
U U I R E U I
A potncia posta em jogo no transistor
max
60
C C
P I U mW P = = <
0 2mA ; 30V = = = = =
B B C E CE
R I I I U
Para que o transistor se mantenha na zona activa directa:
30V 10 2mA 0,01mA < = > > >
CE C C C CE C B C F
U I R E U I I I
ou sendo
B B B
E R I -se conduzido condio 2M < =
B B B
R E I .

O valor mximo de
B
R que garante o funcionamento na zona activa directa
max
2M =
B
R .


Cap. 3 18

Problema TB6

Considerar o transistor bipolar npn na montagem seguinte:


I
B

E
B

R
B

U
C

I
C

U
E

I
E

U
CE

U
RC
E
C

R
C


50V ; 10V ; 10k ; 100 ; 10 = = = = =
C B B F R
E E R
max 0
3V ; 30V ; 0,5W ; 0,1 A = = = =
disr disr
E C CB
U U P I

a) Dimensionar o intervalo de valores que
C
R pode tomar de forma a que no seja excedida a
potncia mxima do transistor. Para o valor de
C
R que conduz potncia mxima, calcular
o valor das correntes e tenses indicadas na figura.

b) Representar graficamente a potncia posta em jogo no transistor em funo de
C
R quando
esta tomar os valores no intervalo definido em a). Indicar nesse grfico as diferentes zonas
de funcionamento do transistor, bem como os valores de
C
R que as separam.

c) Indicar, justificadamente, como seriam alterados os resultados da alnea a) se, no circuito
da figura, se trocassem os terminais de emissor e de colector.


Resoluo

a) ( )
max max C CE C C C C
I U P I E R I P < < (*)
1mA
B B B B
I E R I
Cap. 3 19
Admitindo como hiptese o funcionamento na zona activa directa tem-se:
100mA =
C F B
I I
Substituindo em (*) obtm-se:
450
C
R >
Note-se que na regio activa directa ou na situao de alguma das junes se encontrar
em disrupo que a potncia no transistor pode atingir o valor mximo admissvel uma vez
que as tenses so desprezveis na saturao e as correntes so desprezveis no corte .

Para 450
C
R = tem-se 1mA =
B
I e 100mA =
C
I pelo que:
5
CE C C C C
U E R I U = =
o que confirma a hiptese de regio activa directa. Nessas condies:
45V ; 101mA = =
RC C C E B C
U I R I I I

b) A juno colectora entra em disrupo quando 30V =
CE
U , ou seja 20V =
C C
I R , o que
corresponde para 100mA =
C
I a um valor de 200
C
R = , ou seja, fora do intervalo
definido em a). Enquanto estiver na zona activa directa tem-se 100mA =
C
I , pelo que:
( )
C C C C C C C
P I U I E R I A BR =
sendo A e B duas constantes positivas. Na zona activa directa P tem um andamento
praticamente linear com
C
R . Por outro lado, na saturao:
0 500
CE C C C C
E E R I R e portanto 0 P .

P
P
max

R
C
()

450 500
Zona activa
directa
Saturao

Cap. 3 20
c) Trocando os terminais do emissor e do colector o transistor passaria a funcionar em
princpio na zona activa inversa. Nesse caso:
1mA 10mA = =
B B B E R B
I E R I I
A potncia posta em jogo no transistor neste caso sempre inferior ao valor mximo. Com
efeito na regio activa inversa:
( )
max
max
10 0,03
disr
E E E
I U U P = <
No entanto, atendendo a que
disr disr
E C
U U < a polarizao inversa da juno emissora
atingida mais facilmente do que em a). Nestas condies:
( ) 3 47
CE E C CE C C
U V I E U R R = + =
No limiar da disrupo da juno emissora/regio activa inversa tem-se:
10mA e 3 4700k = = =
E CE C
I U V R
Na disrupo para que a potncia se encontre abaixo do valor mximo permitido deve
verificar-se a seguinte condio:
max
3 166,7mA 282 < < >
E E E E C
I U I P I R
Por outro lado, no limiar da saturao/regio activa inversa tem-se:
0 e 10mA 5000
CE E C C E
U I R E I
Em resumo:
0 282
C
R < <
max
P P > (destruio do transistor)
282 4700
C
R < < Transistor na disrupo da juno emissora
4700 5000
C
R < < Transistor na zona activa inversa
5000
C
R > Transistor na saturao
Cap. 3 21

Problema TB7

Admitir que o transitor utilizado na montagem da figura seguinte possui as seguintes
especificaes a 300 K:
max
100 ; 500mW ; 40V = = =
disr
F C
P U

I
B

E
B

R
B

R
E

U
E

U
C

I
E

U
CE

U
RE

I
C

U
RC

R
C

E
C


5V ; 10V ; 100 ; 1k = = = =
B C E C
E E R R
a) Calcular
B
R de modo a que 2
CE C
U E = . Calcular as correntes e tenses indicadas na
figura.

b) Calcular
1 RE
U E

e
1 RC
U E na aproximao quase-estacionria, com
RE RE
U U
e
RC RC
U U para uma variao
1 1
E E , e supondo constantes os restantes
parmetros do circuito.

c) Considerar
C F B
I I = . Partindo do ponto de funcionamento correspondente diga, justifica-
damente, se faria aumentar ou diminuir
1 2
, , , ,
C B E
E E R R R e
F
se pretendesse por
modificao de apenas um deles de cada vez:
c1- levar o transistor saturao;
c2- baixar a potncia posta em jogo no transistor.


Resoluo

a)
C C E E CE C
I R I R U E + =
Cap. 3 22
2
CE C
U E =
Sendo 5V =
CE
U o transistor est na zona activa directa. Deste modo
C F B
I I e
portanto:
4,54mA ; 45,4 A ; =
C B E C B C
I I I I I I
Da anlise do circuito de entrada tem-se:
B B B E E E
E R I U R I =
desprezando
E
U face a
B
E (juno emissora directamente polarizada) tem-se:
( ) 100k
0,454V
4,54V
= + =
=
= =
B B E E B
RE E E
RC C C
R E R I I
U I R
U R I

b) O problema pode ser resolvido a partir do circuito para componentes incrementais, onde se
traduz a variao
B
E por um sinal
b
e . Estando o transistor na zona activa directa a
resistncia r

responsvel pela queda de tenso incremental

be
u e dada por:
572
F F
T
m C
r U
g I

= = =
( ) 1
b B F E b
e R r R i

= + + +


( ) 1
RE F E b
u R i = +
RC F C b
u R i =


~
b
i
b
e
be
u r

R
E

R
C

B
R
B

C
E
F b
i


Cap. 3 23
( )
( )
1
0,09
1
F E RE
b B F E
R u
e R r R

+
=
+ + +


( )
0,9
1
RC F C
b B F E
u R
e R r R

=
+ + +


O procedimento idntico ao adoptado na resoluo do problema TB5-b), por exemplo,
desde que se considere 0
be be E
u u U = = . Corresponde a desprezar r

face a
( ) 1
B F E
R R + + , o que se verifica ser uma boa aproximao.

c) e 0 0
B F C B B B CB C C C CB C B
R R E R I U R I E U E E = + + = = >
O transistor est na zona activa directa.
2
CE CB C B C
U U E E E = =
Verifica-se que para valores constantes de ,
C C
E R e
E
R

o ponto de funcionamento em
repouso varia com
B
E e
B
R , sendo mxima a potncia posta em jogo no transistor quando
2
CE C
U E .
( )
CE C C C E C C
P U I E R R I I +


( )
( )
( )
max
0 2 0
2
2
C C E C
C
C
C CE C C E C C
C E
dP
P P E R R I
dI
E
I U E R R I E
R R

= = + =


= = + =
+


I
C

P
U
CE

E
2
E
2
/2
2
C E
E
R R +

( ) 1
B C C E F
I E R R = + +




Cap. 3 24
O ponto de funcionamento em repouso dado pela interseco da curva caracterstica de
sada, correspondente a um dado valor de
B
I , e a recta de carga resultante da anlise da
malha de sada do circuito. Para levar o transistor saturao teremos de fazer tender
CE
U
para zero, ou seja, aumentar
B
E , diminuir
C
E ; aumentar
C
R ; diminuir
B
R ou diminuir
F
. Como
CE
U praticamente independente de
E
R a sua alterao no retira o transistor
da zona activa directa (
CE
U praticamente fixo de valor 2
C
E ).

Uma anlise grfica parece ser particularmente elucidativa. As figuras seguintes mostram o
sentido em que se desloca o ponto de funcionamento em repouso quando varia cada um
dos parmetros. A seta corresponde ao sentido da evoluo para uma variao crescente do
parmetro.

I
C

P
U
CE

P
(E
B
)
I
C

P
U
CE

P
(E
C
)
I
C

P
U
CE
P
(R
C
)
I
C

P
U
CE

P
(R
B
)
I
C

P
U
CE

P
(
F
)
I
C

P
U
CE
P
(R
E
)

Como se demonstrou atrs, para uma recta de carga fixa, a variao da corrente de base
provoca uma alterao do ponto de funcionamento em repouso e da potncia posta em jogo
no transistor, sendo esta mxima quando 2
CE C
U E = . Assim, qualquer variao de
B
E ,
B
R e
F
(aumento ou diminuio) provocar uma diminuio da potncia posta em jogo
Cap. 3 25
no transistor. Os outros factores provocam uma alterao da recta de carga. A anlise
grfica permite rapidamente concluir que para diminuir a potncia posta em jogo no
transistor se deve diminuir
C
E , aumentar
C
R ou aumentar
E
R . Neste ltimo caso existe
variao simultnea da caracterstica de sada e da recta de carga. No entanto, e como se
viu,
CE
U permanece praticamente constante. Diminuir a potncia corresponder assim a
diminuir a corrente de colector. Atendendo a que:
( ) ( )
C C CE C E
I E U R R +
a diminuio da potncia obtida custa do aumento de
E
R .

Cap. 3 26

Problema TB8

Considerar o circuito da figura (a) onde
1
U a tenso da figura (b). Desprezar as quedas de
tenso das junes directamente polarizadas.


U
1

E
C

R
B

i
B

i
C

R
E

U
CE
20 V
1k
=
=
C
E
E
R
U
1

U
M

U
M

t
T/2
T
150 V =
M
U
(a)
(b)
i
E

U
C


a) Calcular
B
R de forma a que 25V =
C
U quando
1
75V = U . Representar ( )
B
i t e ( )
CE
U t
para 0 2 t T .

b) Para
1
75V = U calcular
1 CE
U U

com
1 1
U U na aproximao quase-estacionria.

c) Calcular a potncia posta em jogo no transistor quando
1
150V = U e o terminal da base
est em aberto.
100 ; 5 ; 10 A ; 100V ; 25V = = = = =
disr disr
F R CE C E
I U U


Resoluo

a) 5V = = + =
C B B C B B C C
E R I U R I E U
Como 0
C
U < e 0
E
U > o transistor est na zona activa directa.
1
70V 70mA 70mA
1
F
E E B B E C E B E
F
R I U R I I I I I I

+ = =
+

Cap. 3 27
0,7mA 7k =
B C F B
I I R
( )
1 1
( ) ( ) ( ) 1 ( ) ( )
CE E E C F E B C
U t R i t U t E R i t U t E = + + + (1)

( ) ( ) 1 1 ( )
( ) ( ) ( )
F F C CE
B E C CE
B B B
E U t
i t i t E U t
R R R
+ + +
(2)
De (1) e (2) obtm-se:

( )
1
( )
( )
1 1
CE C
E
F
B
U t
U t E
R
R
= +

+ +


(3)
Substituindo (3) em (2) obtm-se:
( )
( )
C CE
B
B
E U t
i t
R
+
=
U
CE
(t)
T/4 T/2
t
20
i
B
(t) (mA)
T/4 T/2
T
10/7
29,8


b) De (3) obtm-se:
( ) ( )
1
1
1
0,067
1 1 1 1
CE
CE
E E
F F
B B
U U
U
R R
U
R R

= =

+ + + +

c) Com a base em aberto tem-se:
( )
0 0
exp 1
C CE C T CE
I I U U I =

(4)
1
170 100 V
disr
CE C E C Cdisr CE C
U E U R I U U U = + < = =
O transistor est com a juno colectora em disrupo o que invalida a equao (4). A
corrente de colector assim obtida de:
1
100 70mA
CE C E C C E
U E U R I I I = + = = =
A potncia posta em jogo no transistor dada por:
7W
C C
P U I = =