Perdas Fontes Ccca

Fontes de alimentao c.c.-c.
a

Prof. Porfrio Cabaleiro Cortizo 1
Conversor Buck
t
2

E
vce(t)
t
1

i
C
i
L
i
D
E

V
O
t
1
Conduo do transistor
t
2
Conduo do diodo
) D 1 ( T t
TD t
) t ( 2
) t ( 1
=
=
Fontes de alimentao c.c.-c.a

G
D
S
O diodo intrnseco lento.
Os tempos de comutao do transistor dependem do
circuito de comando.
Em um MosFet existem 3 capacitncias parasitas:
C
gs
, C
gd
e C
ds
. A partir delas se definem:
C
iss
, C
rss
e C
oss
.
Transistor Mosfet Caractersticas dinmicas
G
C
g
d

D
S
C
ds


Transistor Mosfet Caractersticas dinmicas
As capacitncias parasitas
influenciam fortemente as
comutaes
2
GS oss
V C
2
1
Efeito Miller
Ao carregar o capacitor de Gate ocorre uma alterao
da impedncia do capacitor C
iss
, devido a C
rss
.

V
GS

Forma de onda da tenso V
GS

Q
GD

D
G
S
C
ds

C
g
d

V
GS

V
DS


Transistor IGBT Caractersticas dinmicas
V
GE

G
E
C
V
CE

1. Possui caractersticas de
transistor MosFet na
entrada e de transistor
Bipolar na sada;
2. Os tempos de comutao
do transistor dependem do
circuito de comando;
3. O diodo em anti-paralelo incorporado no encapsulamento e
compatvel com os tempos de comutao do IGBT.

Definio dos tempos de comutao
V
DS

t
F
t
R

V
GS

10%
90%
t
d(on)
t
d(off)

t
F
: tempo de descida
t
R
: tempo de subida
t
d(on)
: Atraso do disparo
t
d(off)
: Atraso do bloqueio
Transistor Mosfet / IGBT Caractersticas dinmicas

Transistor Mosfet / IGBT Caractersticas dinmicas
Carga indutiva
PERDAS
V
DS

I
T

V
GS

V
GS(th)

P
Mosfet

t
ri

t
fv

t
rv

t
fi

I
c

E


Clculo de Perdas nos semicondutores
a) Perdas por conduo
Transistor MosFet


Clculo de Perdas nos transistores MosFet
G
D
S
R
DSon

C 25 T
) C 25 max( DS ) T ( DS
2
c DS
2
T DS cond
j
on j on
on RMS on
100
1 * R R
D * I * R I * R P

|
.
|
\
|
+ =
= =
o


Transistor IGBT


Caractersticas do IGBT Caractersticas do diodo
Clculo de Perdas nos transistores IGBT

7,5mO V
GE
=15V r
CE

1,05V T
j
=125C V
CE(T0)
Valor
Mximo
Condies de
teste
IGBT
6,5mO r
T

1,2V T
j
=125C V
F(T0)
Valor
Mximo
Condies de
teste
Diodo
V
I
V
TO

r
1
) t ( D T ) TO ( F ) t ( ak
) t ( T CE ) TO ( CE ) t ( ce
i r V v
i r V v
+ =
+ =

2
T CE T ) TO ( CE cond
2
c CE c ) TO ( CE cond
T
0
) t ( T ) t ( ce
) t (
) t (
T
0
) t ( T ) t ( ce ) t (
rms avg
I * r I * V P
D * I * r I * V P
dt i * v
T
1
T
W
P
dt i * v W
+ =
+ =
= =
=


Diodo


Clculo de Perdas nos diodos
2
D T D ) TO ( F cond
2
c T c ) TO ( F cond
T
0
) t ( D ) t ( ak
) t (
) t (
T
0
) t ( D ) t ( ak ) t (
rms avg
I * r I * V P
) D 1 ( * I * r I * V P
dt i * v
T
1
T
W
P
dt i * v W
+ =
+ =
= =
=


b) Perdas por comutao
Transistor MosFet


) t t ( *
2
I * E
W
dt i * v W
) t t ( *
2
I * E
W
dt i * v W
fi rv
c
off
) t t (
0
) t ( T ) t ( ds off
fv ri
c
on
) t t (
0
) t ( T ) t ( ds on
fi rv
fv ri
+ =
=
+ =
=
}
}
+
+
f * ) W W ( P
off on
off
on
+ =

I
D

I
C

t
a

Efeito da recuperao reversa do diodo
Perda extra no disparo do
transistor devido a recuperao
reversa do diodo
Q
rr

t
b

t
rr
=t
a
+t
b

3
t
t
3
t 2
t
rr
b
rr
a
~
~

Efeito da recuperao reversa do diodo
E * Q ) t t ( *
2
I * E
W
dt i * v W
rr fv ri
c
on
) t t (
0
) t ( T ) t ( ds on
fv ri
+ + =
=
}
+


Transistor IGBT


Current tail
1. A base do transistor bipolar no est disponvel
2. No se pode usar as tcnicas conhecidas de eliminao dos
portadores minoritrios da base do transistor bipolar.
Surgimento da cauda de
corrente no bloqueio do
transistor - (current tail)
Problema: aumento das
perdas de comutao

Ao contrrio dos MOSFET, os tempos de comutao do IGBT no
permitem avaliar as perdas de comutao
Causa:
1. No levam em conta o efeito de cauda da corrente;
Este efeito muito significativo no conjunto das perdas;
2. Alm do mais, o tempo de queda da tenso V
CE
no bem definido;
Este tempo muito importante para definir as perdas.
As perdas so obtidas atravs de curvas fornecidas pelo fabricante

Perdas de chaveamento do IGBT: disparo e bloqueio
Perdas de bloqueio do diodo

Formas de onda no bloqueio do IGBT
Formas de onda no disparo do IGBT

Clculo de Perdas nos dispositivos
V
GE
=15V Diodo
I
cn
=200A
22mJ T
j
=125C Eon
11mJ R
Gon
=R
Goff
=5 Err

22mJ V
cc
=600V Eoff

Valor Mximo Condies de teste IGBT

f * I * E * FC P
I * V
E
FC correo de Fator
i * E * FC w
c off on off on
cn cc
T off / on (t)
) t (
+ +
=
= =
=


a) Perdas por comutao
Diodo


Formas de onda no bloqueio do diodo

f * I * E * FC P
I * V
E
FC correo de Fator
i * E * FC w
c rec rec
cn cc
D rec (t)
) t (
=
= =
=

Ao contrrio dos IGBTs, os fabricantes de transistores MosFets no
fornecem a energia gasta para ligar e desligar os transistores.
i
D

t
a

Q
rr

t
b

3
t
t
3
t 2
t
t t t
rr
b
rr
a
b a rr
~
~
+ =
E
v
D


3
f * E * Q
P
dt I
t
t * I
* E dt i * v W
rr
off
t
0
rr
b
rr
t
0
) t ( D ) t ( ak off
b b
=
(
= =
} }

A evacuao de calor da juno at o ambiente depende do
encapsulamento utilizado.
Caso o encapsulamento no seja suficiente para evacuar todo o
calor, necessrio algum sistema para melhorar a transferncia:
RADIADORES associados com ventilao forada de ar ou de gua.
Cada modelo tem caractersticas geomtricas que proporcionam
uma certa capacidade de evacuar calor

Dissipao de calor

ambiente
Si
j
c
a
juno
encapsulamento
P
(W)
Tenses = Temperaturas
Corrente = Perdas (W)
Dissipao de calor
T
a
: Temperatura ambiente
P
(W)
c
R
THjc

R
THca

j
a
T
a


Exemplo:
A resistencia trmica juno encapsulamento baixa (~ 0.5 C/W)
A resistencia trmica encapsulamento-ambiente alta (~ 50 C/W)
T
ca
= R
THca
P = 50C/W 1W = 50C
T
jc
= R
THjc
P = 0.5C/W 1W = 0.5C
T
j
= T
a
+ T
ca
+ T
jc
=
= 25 + 50 + 0.5 = 75.5 C
T
j
< 150 C OK
Equivalente eltrico
P
(1W)
c a
R
THjc

(0.5 C/W)
R
THca

(50 C/W)
T
a

(25 C)
T
jc
T
ca


Para reduzir a temperatura coloca-se um radiador proporcionando um
caminho alternativo para a evacuao do calor. Isto equivale a colocar
uma resistencia em paralelo com R
THca

Exemplo: R
THra
= 5 C/W
W / C 5 . 4
50 5
50 5
R R
R R
R
THra THca
THra THca
THeq
=
+
=
+
=
T
ca
= R
THeq
P = 4.5C/W 1W = 4.5C
T
jc
= R
THjc
P = 0.5C/W 1W = 0.5C
T
j
= T
a
+ T
ca
+ T
jc
=
= 25 + 4.5 + 0.5 = 30 C
Equivalente eltrico

j c a
P
(1W)
R
THjc

(0.5 C/W)
R
THca

(50 C/W)
T
a

(25 C)
R
THra

(5 C/W)

Modelo de Radiadores


A resistencia trmica depende do comprimento do radiador e o
fabricante fornece a curva com a R
TH
de cada perfil em funo
do comprimento.
A curva assinttica: a partir de um certo comprimento, a R
TH

diminui muito pouco.

Nos semicondutores, a parte metlica costuma ser o catodo ou o dreno
(coletor) de um transistor MosFet (IGBT).
Se o semicondutor montado diretamente sobre o radiador, o mesmo se
encontra conectado ao mesmo potencial do dispositivo.
400 V
400 V
Isolante eltrico, mas condutor trmico
400 V
Montagem do dispositivo sobre o radiador

Um parafuso metlico um conexo eltrica e
acaba com o isolamento.
Utilizam-se arruelas de plstico para evitar o
contato eltrico.

O isolante acrescenta uma resistencia trmica adicional. Mica de
espessura 60 m: R
TH
: 1.4 C/W
Mica de espessura 100 m: R
TH
: 2.2 C/W
Almina de espessura 250 m: R
TH
: 0.8 C/W
Para melhorar o contato trmico, pastas de silicone reduzem a
resistencia trmica de 30%
Para fazer o clculo da R
THra

necessria pode-se
desprezar a resistencia do
prprio dispositivo (R
THca
)
j c a
P
R
THjc

R
THca

T
a

R
THcr

Isolante
Radiador
r
R
THra


A R
TH
fornecida pelo fabricante vlida para radiador montado na
posio vertical. Na posio horizontal a evacuao do calor fica
comprometida. Na posio vertical ocorre o efeito chamin no
qual o prprio calor gerado pelo aquecimento do radiador cria uma
corrente de ar ascendente que melhora a refrigerao.
Montagem do radiador
PIOR
MELHOR

0.92 - 0.96 Tinta leo preta
0.89 - 0.93 Verniz escuro
0.85 - 0.91 Preto brilhoso
0.70 - 0.90 Alumnio anodizado preto
0.70 Cobre oxidado
0.66 Rolled sheet steel
0.07 Cobre polido
0.05 Alumnio polido
Emissividade Superfcie
Tabela 2. Emissividade de vrias superfcies tratadas
Fatores que afetam a R
th
Cor do radiador
Cada cor tem um coeficiente trmico diferente. H vrias cores de
radiadores: preto, ouro e alumnio: o melhor o preto

Para melhorar a capacidade de evacuao de calor possvel utilizar
ventilao forada. Isto permite reduzir a resistncia trmica.
Ateno a direo do fluxo de ar
CORRECTO
INCORRECTO
th


Ventilao
O fabricante fornece uma curva com o coeficiente corretivo em
funo da velocidade do ar
A partir de uma certa velocidade, praticamente no h mais
reduo da resistencia trmica
th

Dimensionamento esttico de radiadores
1.- Determinar T
jmax
(catlogo do fabricante)
Se no, admitir que: T
jmax Si
= 120
0
C
2.- Determinar R
THjc
(catlogo do fabricante)
Se no, calcular a partir da mxima potncia que o transistor
capaz de dissipar sem radiador
R
THjc
= (T
jmax
T
C
) / P
diss Mx@25
o
C

3.- Determinar R
THcr
. (Tabela 1)
Depende do tipo de contato e do encapsulamento
Contato direto: se no existir isolante eltrico
Pasta Trmica ou de silicone: melhora muito o contato trmico
Mica ou lmina de teflon: isolante eltrico

0,4 0,8 0,12 0,25 TO 3
1,4 1,8 0,65 1,1 TO 56
- - 0,7 1,1 DIA 4L
- - 1,5 1,8 SOT 48
- - 1,7 2 TO 117
1,5 2,1 0,7 1,2 TO 59
0,7 1 0,2 0,4 TO 3 plstico
0,9 1,2 0,3 0,5 TO 90
1,2 1,4 0,5 0,8 TO 152
1,2 1,4 0,5 0,8 TO 202
1,2 1,4 0,5 0,8 TO 220
1,5 2 1 1,4 TO 126
- - 0,7 1 TO 5
- - 0,7 1 TO 39
e pasta trmica c/pasta trmica
Contato c/mica Contato c/mica Contato direto Contato direto Encapsulamento
Tabela 1- R
thcr



1. Podem ser colocados vrios dispositivos no mesmo dissipador
2. Centralizar o dispositivo semicondutor no dissipador.

A potncia dissipada no constante
(Ex. na partida pode existir um pulso de potncia)
P
diss
T
A dinmica trmica muito lenta
Pdiss
Pmed
P
MAX

T
A temperatura varia em torno de um
valor mdio
Dimensionamento dinmico de radiadores

As perdas se produzem na pastilha de silcio. Esta, devido a seu massa
pequena, possui uma inrcia trmica muito pequena e pode variar de
temperatura rapidamente.
Em um radiador, por ter uma massa muito grande e uma inrcia
trmica muito maior que a do semicondutor as mudanas de
temperatura so muito mais lentas
Para modelar corretamente o
comportamento, deve-se incluir
capacitores para simular as
inrcias dos elementos
trmicos. Quanto maior a
inercia trmica de um
componente, maior capacitor
que o representa.
j
T
a

c a
P
r

t
1

Z
thjc
(t)
D = 0.3
Z
thjc
(t
1
)
Temos 2 circuitos:
T
c

T
j

T
C
?
P
MAX

Z
t

Temos 2 equaes com
2 incgnitas: T
C
e R
THra

t
1

T
D = t
1
/T
P
P
MAX

P
Media

a diss ) t ( thjc
) t (
j
T P . Z T + =
c
T
a
r
a
P
R
THra
?
R
thcr


Curvas reais da impedncia transitria de um MOSFET
A impedncia transitria depende do valor do ciclo de trabalho
Dimensionamento dinamico de radiadores

Determinar: T
jmax
, T
c
e

T
r,
para um transistor com encapsulamento T03, isolado
eletricamente, sabendo que: R
thra
= 3C/W , R
thcr
=0,8
o
C/W, t
1
=100s, T=200s,
P
max
=10W e Ta=40C.
t
1

D = t
1
/T
P
P
MAX

T
T
j

Z
thjc

T
c

R
thcr
0,8
o
C/W
R
thra

3 C/W
P
dissmed
=5W
T
a
=40
o
C
T
r

Exemplo

a) Calcular a potncia mdia dissipada
T
c
= 5*(0,8+3) + 40 = 59
o
C
T
r
= 5*3 + 40 = 55C
W 5 W 10
s 200
s 100
P
dissmed
= - =

5 , 0
s 200
s 100
D = =

b) Calculo da impedncia trmica transitria, Z
thjc
.
T
jmax
= 10 *

0,6 + 59 = 65
o
C
Z
thjc
=0,6
o
C/W

Referncias
1. Site do prof. Javier Sebastin Ziga, Universidade de Oviedo, Curso
de Sistemas de Alimentacin, cap. 8, http://www.uniovi.es/ate/sebas/
2. Robert W. Erickson, Fundamentals of Power Electronics, Editora
Chapman & Hall, 1o. Edio - 1997
3. Abraham I. Pressman, Switching Power Supply Design, Editora
McGraw Hill International Editions, 1992
4. Site da Semikron, http://www.semikron.com

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