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CAPTULO 18
MATERIAIS DIELTRICOS
Sumrio
Objetivos deste captulo ..........................................................................................503
18.1 Introduo .......................................................................................................503
18.2 Conceitos gerais..............................................................................................505
18.3 Comportamento dos materiais isolantes .........................................................505
18.3.1 Capacitncia ................................................................................................505
18.4 Dieltricos - descrio atmica .......................................................................517
18.5 Polarizao......................................................................................................518
18.5.1 Polarizao eletrnica (dipolo induzido), Pe ................................................520
18.5.2 Polarizao por orientao de dipolos permanentes, Po .............................523
18.5.4 Polarizao de cargas espaciais, Ps............................................................526
18.5.5 Polarizao total...........................................................................................527
18.6 Dependncia da polarizao com a freqncia e temperatura .......................527
18.7 Materiais ferroeltricos ....................................................................................532
18.8 Materiais antiferroeltricos ..............................................................................538
18.9 Materiais piezoeltricos...................................................................................538
18.10 Propriedades de materiais dieltricos (isolantes)..........................................539
18.10.1 A constante dieltrica de gases, lquidos e slidos ....................................539
18.11 Tipos de dieltricos .......................................................................................541
18.12 Materiais dieltricos de maior utilizao, e suas constantes dieltricas........541
18.13 Outros Materiais dieltricos e suas aplicaes .............................................542
18.13.1 Vernizes isolantes ......................................................................................542
18.13.2 Compostos isolantes ..................................................................................542
18.13.3 Tintas isolantes ..........................................................................................542
18.13.4 Diluentes e solventes .................................................................................542
18.13.5 Gases isolantes..........................................................................................543
18.13.5.1 O ar atmosfrico......................................................................................543
18.13.5.2 Nitrognio ................................................................................................543
18.13.5.3 O gs SF6 ................................................................................................543
502
503
18 MATERIAIS DIELTRICOS
18.1 Introduo
Vimos em captulos anteriores que slidos cuja banda de valncia est
totalmente preenchida e que possuem gap de energia proibida largo (>>1), se
comportam como isolantes eltricos. A resistividade de tais materiais varia entre 108
.m e 1022 .m (ou seja, que a temperatura ambiente, pouqussimos eltrons
podem ser ativados).
Entre as vrias aplicaes desses materiais, as mais comuns so como
elementos capacitivos em circuitos eletrnicos e como isolantes eltricos. Nessas
aplicaes, as propriedades de maior interesse so a resistividade eltrica (a maior
oposio possvel passagem de corrente =
), e a constante dieltrica
504
505
506
= 0
(18.1)
(18.2)
(18.3)
=
0
( / )
=
0
0 ( / )
(18.4)
Em 1837, Michael Faraday a quem se deve todo o conceito de capacitncia e, por isso, teve seu
nome escolhido como unidade SI de capacitncia, usando aparatos simples verificou que a
capacitncia de um capacitor completamente preenchido por um dieltrico aumentava por um
numrico k, que ele chamou de constante dieltrica do material introduzido. A constante dieltrica do
vcuo, por definio, igual a (01) um. A medida da constante dieltrica do ar apenas um pouco
maior que 1 (um); geralmente a diferena insignificante. Isto se deve ao fato de ser o ar,
essencialmente um vazio do ponto de vista de um dieltrico. Para o ar seco a 0 C e presso
atmosfrica normal k 1,0006.
507
(18.5)
(18.6)
508
Capacitor
Capacitncia
0
Placas paralelas
Cilndrico
2 0
Esfrico
4 0
ln( / )
ln( )
4 0
Esfera isolada
(18.7)
(18.8a)
(18.8b)
(18.9)
509
P = 0 ( r 1 ) E (18.10a)
P = 0 ( k 1 ) E
ou
(18.10b)
510
511
Figura 18.3 - Capacitor de placas paralelas (a) separadas por um vcuo e (b)
separadas por um material dieltrico.
Outro efeito do dieltrico limitar a diferena de potencial que pode ser
aplicada entre as placas de um capacitor a certo valor Vmx. Se este valor for
ultrapassado substancialmente, o material dieltrico se romper originando um
caminho condutor entre as placas. A relao entre a mxima diferena de potencial
que um dieltrico pode suportar sem que ocorra sua ruptura (breakdown), e a sua
espessura denomina-se rigidez dieltrica do material. Seu valor , geralmente,
expresso por V/m e depende da rea especfica, porosidade, defeitos e pureza do
material, assim como da freqncia da tenso aplicada, tempo de aplicao da
tenso e condies ambientais (temperatura, umidade, etc...).Todo material
dieltrico possui, ento, como caracterstica uma rigidez dieltrica que o valor
mximo do campo eltrico que o material pode tolerar sem haver ruptura no poder
isolante.
A rigidez dieltrica de materiais slidos, medida em campos eltricos
uniformes e evitando-se o efeito de descargas superficiais, varia de 0,5 a 105 KV/m
para cristais halogenetos alcalinos, de 2 a 2x106 KV/m para filmes polimricos e
alguns materiais inorgnicos tais como a mica, xido de alumnio, etc. Valores de
propriedades de alguns dieltricos medidas temperatura ambiente so listados nas
Tabelas 18.4 e 18.5.
512
513
Figura 18.4 - Esforo para ruptura de diversos dieltricos com campos uniformes.
Tenso de ruptura em funo da espessura do dieltrico.
Exemplo 1: Em um capacitor plano e com ar entre suas placas se aplica uma DDP
fixa. Se introduzirmos entre as placas um dieltrico a quantidade de carga por ele
armazenada aumentar? Explique.
Sim, uma carga maior Q, acumulada entre as placas, neste caso,
( / )
=
0 ( / )
0
514
placas. Mas, C = K 0 L ou
= 0
0 = 8,854 10 12 F/m
= 0
= 0
= 0
0 = 8,854 10 12 F/m
0
6,5 10 5 * 0,18 10 3
= 3674
12000 * 3,0 10 5 * 8,854 10 12
515
"
'
tg o fator de dissipao; ' a permissividade relativa; " o fator de perda
dieltrica
' =
' = 644,8408 x 10 3 e " = 46,4285 x 10 6
0
c) =
1
0
0 = 8,885 x 10 12 F/m
=
b)
= 5,295 x 10 6 F/m
= 644,8586 x 10
r + j
efc a permissividade efetiva complexa;
r permissividade eltrica relativa [F/m].
=
= 644,8408 x 10 3
0
d)
efc =
efc =
644,8408 x 10 + j 46,4285 x 10
A
L
2,21 10 12
A
A
=
L
L
= 3,54 10 12
3,54 10 12
2,2125 10 12
= 1,6
45,6 10 12
=
=
= 5,15
0 8,85 10 12
Assim, observando Tabela 18.4 os possveis materiais so titanato, mica, Enstatita
vidro soda-lime e porcelana. Devido proximidade das constantes dieltricas
tabeladas para estes materiais e a constante dieltrica calculada no exerccio.
516
8,0 10 9
= 180[ ]
44,25 10 12
180
= 90,3x10 V/m
2 10 3
-11
3,5 10 11 .3,5 10 3
2
5.8,85 10 12 / .160
.1 2 / 10 6
3,5 10 11 .3,5 10 3
8,85 10 12 / .160 10 16
Para a parte a:
Para a parte b:
3,5 10 11
17,3
3,5 10 11
=
86,5
+ ( 1)
=
=
=
8,85 10 12 / .5.17,3
3,5 10 3
= 2,2 10 3
= ( 1)
=
= 1,75 10 7 /
= 86,5
= 2 10 12
= 4 10 13
= 17,3
517
(18.11)
Figura 18.5 - Dieltrico polar, h alinhamento dos mesmos por um campo eltrico
externo.
Dieltricos no-polares: Quer as molculas tenham ou no momentos de
dipolo permanentes, elas os adquirem por induo, ao serem colocadas num campo
eltrico externo. Sabemos que o campo eltrico externo tende a esticar a molcula
518
Figura 18.6 - (a) Uma lmina dieltrica, indicando os tomos neutros no interior da
lmina. (b) Um campo eltrico externo aplicado, esticando os tomos e separando
os centros de carga positiva e negativa. (c) O efeito resultante o aparecimento de
cargas superficiais. Estas cargas criam um campo E, que se ope ao campo
externo E0 aplicado.
18.5 Polarizao
A maioria dos materiais isolantes tem um nmero reduzido de eltrons ou
ons mveis que permitem uma nfima passagem de corrente eltrica quando
colocados em um campo eltrico. O campo eltrico interage nos isolantes eltricos
provocando um ligeiro deslocamento no balano das cargas positivas e negativas
dentro do material para formar um dipolo eltrico e so assim denominados
materiais dieltricos. Duas cargas pontuais de modulo q e sinais opostos, separados
entre si de uma distncia s (eixo do dipolo), constituem um dipolo eltrico. O
momento desse dipolo, , uma grandeza vetorial de mdulo qs, com a direo da
reta que une as duas cargas e sentido da carga negativa para a positiva. A Figura
18.7 ilustra o momento do dipolo eltrico discreto.
519
, tambm, mostrado.
Figura 18.9 - (a) Foras impostas (torque) agindo sobre um dipolo eltrico devido a
um campo eltrico. (b) Alinhamento final do dipolo como o campo.
520
521
(18.12)
(a)
(b)
Figura 18.10 - (a) Sem campo eltrico aplicado e (b) com campo eltrico aplicado.
Como isso acontece: suponhamos que um tomo de hidrognio seja
colocado em uma regio onde exista um campo eltrico, conforme ilustra a Figura
18.11.
= .
(18.13)
522
= * = * *
(18.14)
523
524
= * *
(18.15)
525
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(a)
(b)
Figura 18.16 - Polarizao inica o campo distorce a rede: (a) sem campo eltrico
aplicado e (b) com campo eltrico aplicado.
18.5.4 Polarizao de cargas espaciais, Ps.
Envolve as cargas espaciais ou cargas estranhas que se situam nas
interfaces. Em outras palavras estas cargas so cargas randomicamente causadas
por radiao, deteriorao trmica, ou so aquelas absorvidas no material durante o
processamento. Seu valor e a freqncia de resposta dependem mais da geometria
dos contaminantes do que das outras propriedades do material.
Este tipo de polarizao ocorre em dieltricos multifsicos (polmeros
policristalinos e cermicas heterogneas). Quando uma das faces presentes possui
resistividade muito diferente da outra, um campo eltrico externo aplicado pode
causar um acumulo de cargas eltricas nas interfaces entre as faces. Esta regio de
carga espacial se estende por um volume muito maior que o ocupado pela regio
no homognea em si. Essa polarizao conhecida como polarizao interfacial ou
por carga espacial esquematizada na Figura 18.17. Para este caso defini-se a
polarizabilidade por carga espacial, .
527
(a)
(b)
Figura 18.17 - Polarizabilidade por carga espacial (a) sem campo eltrico aplicado e
(b) com campo eltrico aplicado.
18.5.5 Polarizao total
A polarizabilidade total, , que pode ocorrer em um dieltrico, representada
pela soma de todas as polarizabilidades possveis de ocorrer, isto :
= + + +
(18.15)
cos&
2
& cos&
3
(3 cos 2 & 1)
3
(18.16)
528
os dipolos podem invertir seu alinhamento com cada inverso de campo Em muitas
situaes prticas a corrente alternada, e a voltagem, ou campo eltrico que
aplicado, muda de direo com o tempo. Assim no material dieltrico, a cada
reverso de sentido, os dipolos tentam se reorientar com o campo, ou seja, um
processo que requer um tempo finito. Para cada tipo de polarizao, algum tempo
mnimo de reorientao existe, o qual depende da facilidade com que cada
particular dipolo capaz de realinhar-se. Uma freqncia de relaxao resultado
de um tempo mnimo de reorientao. Todos os tipos de polarizao que podem
ocorrer em dieltricos possuem uma certa inrcia de momento, isto , existe um
certo tempo necessrio para que os dipolos sejam induzidos ou para que os que j
existam ento que se alinhem com o campo eltrico externo aplicado. Esse tempo
denominado de tempo de relaxao da polarizao. Um dipolo no pode manter as
trocas de direo de orientao quando a freqncia do campo eltrico aplicado
excede a freqncia de relaxao, e, alm disso, no proporcionar nenhuma
contribuio para a constante dieltrica. Deste modo, esses mecanismos podem
no ocorrer se houver uma inverso suficientemente rpida da tenso aplicada.
A dependncia de r da freqncia do campo representada na Figura 18.19
para um meio dieltrico que exibe trs tipos de polarizao; note que o eixo da
freqncia est plotado de forma logartmica. Como indicado na Figura 18.19,
quando o mecanismo de polarizao cessa de operar, h uma queda abrupta na
constante dieltrica; por outro lado r est virtualmente independente da freqncia.
A absoro da energia eltrica por um material dieltrico que est sujeito um
campo eltrico alternado chamada perda dieltrica. Esta perda pode ser
importante nas freqncias de campo eltrico localizadas nas vizinhanas da
freqncia de relaxao para cada tipo operativo de dipolo de um material
especfico. Uma baixa perda dieltrica desejada na freqncia de utilizao.
Figura 18.19 - Polarizao (r) versus freqncia do campo para um meio dieltrico
que exibe trs tipos de polarizao. As polarizaes com resposta mais rpida
prosseguem nas freqncias mais elevadas.
529
530
531
532
(a)
(b)
Figura 18.22 - (a) Permissividade relativa do nitro benzeno em funo da
temperatura. (b) Variao da constante dieltrica em funo da temperatura para
polietileno tereftalato (PET) e outros polmeros.
Em materiais que possuem polarizao inica com a elevao de
temperatura, observa-se uma tendncia da constante dieltrica em aumentar, pois
h aumento da resposta inica ao campo com qualquer freqncia em
conseqncia do aumento dos portadores de carga e a mobilidade inica. Este
aumento na constante dieltrica sugere que o mecanismo dominante a
polarizao inica.
Cada uma das polarizaes citadas reversvel e essencialmente
proporcional ao campo eltrico aplicado, para pequenos campos e baixas
freqncias. E pode-se at escrever que P / E = mdulo constante
18.7 Materiais ferroeltricos
Os ons que se deslocam em um cristal sobre a ao de um campo eltrico
externo, causam o aparecimento de um dipolo, conforme vimos no inicio do captulo,
e geralmente retornam as suas posies originais aps a retirada do campo eltrico.
Porm, em certos materiais, como por exemplo o titanato de brio (BaTiO3), a
temperatura inferior a 120 C, isso no ocorre. O BaTiO3, tem uma estrutura cbica
estvel temperatura acima de 120 C, conforme mostra a Figura 18.23.
533
2+
Figura 18.23 - Cela unitria perovskita (Ca ). ons por clula unitria:5
4+
2+
22+
2(distribuio:1Ti , 1Ba e 3 O ). Cada Ba
em coordenao 12 com o O , Ti
4+
22+
2em coordenao 6 com o O . Apenas Ba
O ,formam FCC.
Ao ser resfriado abaixo de 120C o (BaTiO3) sofre uma transformao de
fase a uma transformao tetragonal. A temperatura critica em que ocorre a
transformao conhecida como temperatura de Curie. Neste caso o (BaTiO3) de
estrutura tetragonal um material ferroeltrico. Nessa estrutura, o on central Ti4+
em relao aos ons O 2- pode situar-se em duas posies sendo portanto uma
estrutura assimtrica. Como nenhuma dessas posies est no centro da clula
unitria, o centride das cargas positivas no coincidem com o das cargas
negativas, formando, portanto um dipolo eltrico. A Figura 18.24 ilustra o que foi
descrito, embora esse deslocamento seja inferior a uma pequena frao de
angstrons, muito maior que os deslocamentos qumicos que ocorre na maior parte
dos slidos. Como resultado, teremos um momento de dipolo eltrico intenso para a
clula unitria, o que leva o (BaTiO3), a ter uma constante dieltrica muito elevada.
(8~4000). O valor de variam com a temperatura e com o campo aplicado
conforme mostrado na Figura 18.25. Para valores muito altos de E(V/cm) os
domnios so orientados de forma mais efetiva e assim altos valores de resultam.
Ao mesmo tempo pode ser verificada forte influencia da temperatura. Os dois picos
ondulados a 5C e -80C ocorrem devido a variao de fases do material: T >120C
: cbica; 120 5C:tetragonal; 5C -80 C:Ortorrmbica; T <-80 C Rombodrica.
Felizmente essa influencia da temperatura nos valores da pode ser modificada
preparando solues slidas com ampla faixa de composies. Parte dos ons Ba 2+
podem ser substitudos por Pb 2+,
Sr 2+,
Ca 2+ e Cd 2+mantendo as
caractersticas ferroeltricas do material. Assim como o dos ons Ti 4+ podem ser
substitudos por Sn 4+, Hf 4+, Zr 4+, Ce 4+ e Th4+.
534
Figura 18.24 - O titanato de brio (BaTiO3), cbico (a) e (c) passa a ter uma
estrutura tetragonal (b, d, e), abaixo de 120C (temperatura de Curie) na qual o on
central Ti4+ pode situar-se em duas posies.
535
536
Figura 18.26 - Polarizao, P, versus campo eltrico aplicado, E,. Para o material
paraeltrico apenas observa-se modesta polarizao, j o material ferroeltrico
apresenta polarizao espontnea na qual os domnios das clulas unitrias
orientadas similarmente crescem ao aumentar os campos de igual orientao.
537
538
(Fosfato de potssio
dideuterium.)
RbH2PO4
147
16,800
[90]
RbH2AsO4
111
--KH2AsO4
96
15,000
[80]
GeTe
670
--Sulfato de
322
8,400
[293]
Triglicina
TGS
Selenato de
295
9,600
[273]
Triglicina
BaTiO3
393
78,000
[296]
SrTiO3
~0
(9,000)
[4]
KNbO3
712
90,000
[523]
Perovskites
PbTiO3
763
>150,000
[300]
LiTaO3
890
70,000
[720]
LiNbO3
1470
900,000
--2
3
*para obter os valores em CGS seu-cm , multiplique o valor da tabela por 3x10
Alm da utilizao como dieltricos em capacitores especiais, devido ao
alternador de , materiais ferroeltricos tm importantes aplicaes pela
propriedade piezeltrica que apresentam. importante salientar que todos os
cristais no estado ferroeltrico so piezos eltricos, porm podem-se ter cristais no
ferroeltricos e que apresentam piezo eletricidade.
18.8 Materiais antiferroeltricos
Em alguns materiais, como por exemplo, o (WO3), os momentos de dipolos
eltricos de clulas unitrias vizinhas se orientam antiparalelamente, resultando em
uma polarizao total nula. Tais materiais so denominados de antiferroeltricos.
Tambm nesse caso, tense uma temperatura de transio, com que o material
perde essa propriedade. A diferena essencial entre um material ferroeltrico e um
antiferroeltrico que, este ltimo, no apresenta o fenmeno de histerese abaixo
de uma temperatura de transio.
18.9 Materiais piezoeltricos
Deformao mecnica tambm pode causar a polarizao de determinados
cristais. Isto ocorre devido ao deslocamento relativo entre os ons no cristal, e s
ocorre quando este no possui centro de simetria, isto , os centrides de carga
positivas no coincidem. Esse tipo de material denominado piezo eltrico, ou se
alonga, ou se contrai quando sujeito a um campo eltrico, pois os comprimentos dos
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540
541
542
543
544
545
546
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Rvolumtrica
MxC
10
5x10
9
2x10
4
2x10
3
5x10
7
2x10
9
8x10
12
1x10
2
2x10
2x108
1x105
2x1011
1x1010
3x108
12
5x10
5x1010
9
8x10
10
1x10
1x102
1x1011
4x107
548
549
enrolamento seco e quebradio que falham sob condio de choques ou durante o incio de
funcionamento (na partida).
550
551
552
553
554
555
556
18.20.3 Presspan
Sua constituio provm de fibras de celulose de alta qualidade e de natureza
lamelar. Como o nome j diz, obtido por prensagem. Este material estratificado
usado na fabricao da grande maioria dos calos e estecas que se encontram no
transformador bem como capas, barreiras, canaletas, anis, etc. Tendo em vista
que este material submetido a intensos campos eltricos em certas regies do
transformador, o mesmo deve ser livre de impurezas, principalmente em
equipamentos de extra alta tenso.
18.20.4 Permawood
Sua fabricao constitui-se da prensagem de lminas de madeira com resina
e empilhadas de maneira que as fibras fiquem sobrepostas transversalmente.
Possui propriedades mecnicas muito boas e propriedades eltricas boas. usado
em suportes de cabos e conexes, anis de presso e escora, bem como em
alguns tipos de calos.
18.21 Referncia bibliogrfica do captulo
CALLISTER, W. D. Jr. Materials Science and engineering: an introduction. J.
Wiley & Sons, 1997.
SHACKELFORD, James F. Ciencia de materiales para ingenieros. 3. ed. Mxico:
Prentice Hall, 1995.
VAN VLACK, Laurence Hall. Princpio de cincia dos materiais. E. Blucher.
WULFF, J.: SHEPARD, L. A.; ROSE, R. M. Electronic properties. Vol. IV, J. Wiley
& Sons, Inc. 1965.
REZENDE, E. M Materiais usados
INTERCIENCIA LTDA. Rio de Janeiro, 1977.
em
electrotcnica.
LIVRARIA
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558
559