ESCOLA SECUNDÁRIA DE GAMA BARROS

CURSOS E.F.A. – Secundário

Área de Competências: STC UC5 - CIÊNCIA

O TRANSISTOR E A REVOLUÇÃO DA ELECTRÓNICA

Os formadores de STC: Adelaide Pereira, Carla Frazão e Vitor Fonseca ABR10

Elvira Fortunato e Rodrigo

Martins, Professores da FCT,
desenvolvem o primeiro
transístor com papel
Uma equipa do Centro de Investigação de Materiais (Cenimat/I3N), Faculdade de Ciências e Tecnologia
(FCT), da Universidade Nova de Lisboa (UNL), produziu – pela primeira vez – um transístor que integra
uma camada de papel na sua estrutura. Num artigo a publicar em Setembro na revista IEEE Electron
Device Letters, Elvira Fortunato e colegas mostram ainda que o novo dispositivo rivaliza em performance
com as mais avançadas tecnologias de filme fino. Resultados promissores que poderão ser explorados
ecrãs de papel, etiquetas e pacotes inteligentes, chips de identificação ou aplicações médicas.
Actualmente, assiste-se a um crescente interesse da indústria electrónica pelo desenvolvimento de
dispositivos com biopolímeros, pois estes potenciam um manancial de aplicações baratas. A celulose é o
principal biopolímero da Terra. Por isso, alguns estudos internacionais relataram, recentemente, a
utilização de papel como suporte físico de componentes electrónicos. Porém, até hoje, ninguém tinha
recorrido ao papel como parte integrante de um transístor.

Numa abordagem inovadora, o grupo de investigação do Cenimat/I3N – coordenado pelos Professores

Elvira Fortunato e Rodrigo Martins – fabricou dois transístores de filme fino nos quais uma das camadas
– o dieléctrico – é uma vulgar folha de papel. «[Nos dispositivos] do artigo usámos papel vegetal, mas já
fizemos [transístores] com papel de fotocópia», conta a coordenadora do Cenimat.
E para que serve o dieléctrico, ou isolante eléctrico? Um transístor é um dispositivo com três terminais –
fonte, dreno e porta. Nos transístores de efeito de campo (FET, Field Effect Transistor) – como é o caso –
a corrente eléctrica que passa entre a fonte e o dreno é controlada pela tensão aplicada ao terceiro
terminal, a porta. Para tudo isto funcionar, a porta tem de estar isolada electricamente da fonte e do dreno.
Daí a importância da tal camada dieléctrica.

Mas os cientistas da Nova foram mais longe: lembraram-se de fabricar os FETs utilizando os dois lados
de uma folha de papel. Numa das faces depositaram o material que opera como porta e na outra
construíram a estrutura correspondente aos restantes terminais. Desta forma, o papel actua
simultaneamente como isolante eléctrico e como suporte do próprio dispositivo. «É tipo dois em um», diz
Elvira Fortunato.

E funciona? A resposta é: optimamente. Os testes às propriedades eléctricas dos dispositivos mostraram

que estes são tão competitivos como os melhores transístores de filme fino baseados em óxidos
semicondutores (área de ponta na qual esta equipa detém patentes internacionais).

Estes resultados – aliados à possibilidade de estes FETs serem produzidos em larga escala e ao baixo
custo do papel – auguram promissoras aplicações no campo da electrónica descartável.
Mas afinal o que é um transístor?
O Transístor é um componente electrónico que começou a popularizar-se na década
de 1950 tendo sido o principal responsável pela revolução da electrónica na década de
1960, e cujas funções principais são amplificar e chavear sinais eléctricos. O termo vem
de transfer resistor (resistor de transferência), como era conhecido pelos seus
inventores.

O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito analógico, significa

que a impedância característica do componente varia para cima ou para baixo da
polarização pré-estabelecida. Graças a esta função, a corrente eléctrica que passa entre
colector e emissor do transístor varia dentro de determinados parâmetros pré-
estabelecidos pelo projectista do circuito electrónico; esta variação é feita através da
variação de corrente num dos terminais chamado base, que consequentemente ocasiona
o processo de amplificação de sinal.

Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal eléctrico mais fraco em

mais forte. Um sinal eléctrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um
microfone, é injectado num circuito electrónico (transistorizado por exemplo), cuja
função principal é transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais
eléctricos com as mesmas características mas com potência suficiente para excitar os
altifalantes, a este processo todo se dá o nome de ganho de sinal.

Invenção
O transístor foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone em Dezembro de 1947
(e não em 1948 como é frequentemente dito) por Bardeen e Brattain, e inicialmente
demonstrado em 23 de Dezembro de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain, e
William Bradford Shockley, que foram laureados com o prémio Nobel da Física em
1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transístor de efeito de campo (FET)
idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram por descobrir uma
amplificação da corrente no ponto de contacto do transístor, isso evoluiu posteriormente
para converter-se no transístor de junção bipolar (BJT). O objectivo do projecto era criar
um dispositivo compacto e barato para substituir as válvulas termiónicas usadas nos
sistemas telefónicos da época.

Os transístores bipolares passaram, então, a serem incorporados a diversas aplicações,

tais como: aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rádios transistorizados. Mas a
indústria norte-americana não adoptou imediatamente o transístor nos equipamentos
electrónicos de consumo, preferindo continuar a usar as válvulas termiónicas, cuja
tecnologia era amplamente dominada. Foi através de produtos japoneses, notadamente
os rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transístor passou a ser adoptado em
escala mundial.

Nessa época, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor - Transistor de
Efeito de Campo formado por Metal / Óxido / Silício) ficou em segundo plano, quase
esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construção dos MOSFETs.
Contudo, em 1959, Atalla e Kahng da Bell Labs fabricam e conseguem a operação de
um transístor MOS. Nessa época, os transístores MOS são tidos como curiosidade,
devido ao desempenho bastante inferior aos Bipolares.
A grande vantagem dos transístores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958,
quando J. kilby da Texas Instruments desenvolveu o primeiro circuito integrado,
consistindo de 1 transístor, 3 resistores e 1 capacitor, implementando um oscilador
simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação de circuitos mais complexos,
utilizando integração de componentes. Isso marcou uma transição na história dos
transístores, que deixaram de ser vistos como substituto das válvulas e passaram a ser
encarados como dispositivos que possibilitam a criação de circuitos complexos,
integrados.

Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um
dispositivo viável para circuitos digitais integrados. Nessa época, havia muitos
problemas com estados de impurezas, o que mantém o uso do MOS restrito até o fim da
década de 60. Entre 1964 - 1969 identificam o Sódio Na como o principal causador dos
problemas de estado de superfície, e começam a surgir soluções para esse problema.

No início da tecnologia MOS, os transístores PMOS foram mais utilizados, apesar do

conceito de Complementary MOS (CMOS) já estivesse sido introduzido por Weimer. O
problema ainda é a dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transístores
NMOS.

Em 1970, a Intel anuncia a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em

1971, a Intel lança o primeiro microprocessador do mundo, o 4004, baseado em
tecnologia PMOS. Ele foi projectado para ser usado em calculadoras. Ainda em 1971,
resolve-se os problemas de estado de superfície e emerge a tecnologia NMOS, que
permite maior velocidade e poder de integração.

O domínio da tecnologia MOS dura até o final dos anos 70. Nessa época, o NMOS
passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia
demonstrou-se insuficiente pois surgem grandes problemas com consumo de potência
(que é alto nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS começa a ganhar
espaço

A partir da década de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser
usada em 75% de toda a fabricação de circuitos, por volta do ano 2000.

Alguns números:

O primeiro processador 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e tinha frequência de
0,2 Mhz. Ano de fabricação: Abril/1972 - 3500 transístores com 10 um ou 10000 nm,
com uma tensão de trabalho de 5 V.

10 anos depois, a Intel lançou o 80286, com frequências de 6,10,12 Mhz, fabricado com
tecnologia CMOS - 134.000 transístores 1,5um ou 1500 nm, com uma tensão de
trabalho de 5 V.

O Pentium 4, lançado em Janeiro de 2002, trabalha com frequências de 2200 - 3000

Mhz, 55 milhões de transístores CMOS 130 n964565
Importância
O transístor é considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da
história moderna, tendo tornado possível a revolução dos computadores e equipamentos
eletr´0nicos. A chave da importância do transístor na sociedade moderna é a sua
habilidade de ser produzido em enormes quantidades usando técnicas simples,
resultando em preços irrisórios. É conveniente salientar que é praticamente impossível
encontrarmos circuitos integrados que não possuam internamente centenas, milhares ou
mesmo milhões de transístores, juntamente com outros componentes como resistências
e condensadores. Por exemplo o microprocessador Cell do console PlayStation 3 tem
aproximadamente 234 milhões de transístores, usando uma arquitectura de fabricação
de 45 nanómetros, ou seja cada transístor fica distanciado dos outros 45 milionésimos
de um milímetro.

O seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para
tarefas não mecânicas. Visto que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria
um dispositivo mecânico para o controle, hoje é frequente e muito mais barato usar um
microprocessador contendo alguns milhões de transístores e um programa de
computador apropriado e realizar a mesma tarefa. Os transístores hoje em dia têm
substituído quase todos os dispositivos electromecânicos, a maioria dos sistemas de
controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva electrónica desde os
computadores aos carros.

O seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a
informação. Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar
e ordenar rapidamente informação digital, mais e mais esforço foi posto em tornar toda
a informação digital. Hoje quase todos os meios na sociedade moderna são fornecidos
em formato digital, convertidos e apresentados por computadores. Formas análogas
comuns de informação, tais como a televisão ou os jornais, gastam a maioria do seu
tempo com informação digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa
pequena fracção de tempo.

Fabricação

Símbolos dos transístores bipolares

Os materiais utilizados na fabricação do transístor são principalmente o Silício (Si), o
Germânio (Ge), o Gálio (Ga) e alguns óxidos. Na natureza, o silício é um material
isolante eléctrico, devido à conformação das ligações electrónicas de seus átomos,
gerando uma rede electrónica altamente estável. Actualmente, o transístor de germânio
não é mais usado, tendo sido substituído pelo de silício, que possui características muito
melhores.

O silício é purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em
seus átomos. O material é cortado em finos discos, que a seguir vão para um processo
chamado de dopagem, onde são introduzidas quantidades rigorosamente controladas de
materiais seleccionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura
electrónica, introduzindo-se entre as ligações dos átomos de silício, roubando ou doando
elétrons dos átomos, gerando o silício P ou N, conforme ele seja positivo (tenha falta de
electrões) ou negativo (tenha excesso de electrões). Se a impureza tiver um eléctrodo a
mais, um electrão sobra na estrutura cristalina. Se tiver um electrão a menos, fica
faltando um electrão, o que produz uma lacuna (que funciona como se fosse um buraco
móvel na estrutura cristalina). Como resultado, temos ao fim do processo um
semicondutor.

O transístor é montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um

transístor do tipo PNP. O transístor do tipo NPN é obtido de modo similar. A camada
do centro é denominada base, e as outras duas são o emissor e o colector. No símbolo
do componente, o emissor é indicado por uma seta, que aponta para dentro do transístor
se o componente for PNP, ou para fora se for NPN

Funcionamento
Transístor moderno de alta potência

No transístor de junção bipolar ou TJB (BJT - "Bipolar Junction Transistor" na

terminologia Inglesa), o controle da corrente colector-emissor é feito injectando
corrente na base. O efeito transístor ocorre quando a junção colector-base é polarizada
reversamente, e a junção base-emissor é polarizada directamente. Uma pequena corrente
de base é suficiente para estabelecer uma corrente entre os terminais de colector-
emissor. Esta corrente será tão maior quanto maior for a corrente de base, de acordo
com o ganho.
Características de um Transístor
O factor de multiplicação da corrente na base (iB) mais conhecido por Beta do transístor
ou por hfe que é dado pela expressão : iC = iB x ß

· iC: corrente de colector

· iB: corrente de base
· B: beta (ganho)

Configurações básicas de um
transístor:

Existem 3 configurações básicas (BC,

CC e EC) cada uma com suas
vantagens e desvantagens.

Base comum (BC)

· Baixa impedância(Z) de
entrada.
· Alta impedância(Z) de saída.
· Não há desfazagem entre o
sinal de saída e o de entrada.
· Amplificação de corrente igual a um.

Colector comum (CC)

· Alta impedância(Z) de entrada.

· Baixa impedância(Z) de saída.
· Não há desfazagem entre o sinal de saída e o de entrada.
· Amplificação de tensão igual a um.

Emissor comum (EC)

· Média impedância(Z) de entrada.

· Alta impedância(Z) de saída.
· Desfazagem entre o sinal de saída e o de entrada de 180º graus.
· Pode amplificar tensão e corrente, até centenas de vezes.

Os transístores apresentam as seguintes especificações que poderão ser consultadas nos

datasheets dos fabricantes:

· Tipo: é o nome do transístor.

· Pol: polarização; N quer dizer NPN e P significa PNP.
· VCEO: tensão entre colector e emissor com a base aberta.
· VCER: tensão entre colector e emissor com resistor no emissor.
· IC: corrente máxima do colector.
· PTOT: É a máxima potência que o transístor pode dissipar
 · Hfe: ganho (beta).
· Ft: frequência máxima.
· Encapsulamento: A maneira como o fabricante encapsulou o transístor nos
fornece a identificação dos terminais. Existem também outros tipos de
transístores, notadamente os de efeito de campo (transístores FET, de Field
Effect Transistor), neste caso o controle da corrente é feito por tensão aplicada à
porta.

APÓS A LEITURA ATENTA DOS DOCUMENTOS ACIMA APRESENTADOS

RESPONDA ÀS SEGUINTES QUESTÕES:

01- Quais as principais funções do transístor?

02- Em linguagem electrónica o que entende por “ganho de sinal”?

03- Quais as grandes vantagens da utilização do transístor em relação às válvulas

termoiónicas?

04- Explique-nos o princípio de funcionamento do transístor TJB (junção bipolar).

05- A Professora Elvira Fortunato disse há poucos dias num colóquio na FCT que “
a ideia do transístor de papel foi concebida, nasceu e está a crescer, numa
aposta na ciência como forma criativa da Engenharia e que tem como um dos
seus mais importantes dogmas, uma das célebres frases de Eleanor
Roosevelt:”

“O futuro pertence àqueles que acreditam na beleza dos seus sonhos.”

Dê-nos a sua opinião em relação a esta descoberta….e ao futuro que se

avizinha………