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TRANSISTORES PNP E NPN

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Electrónica

versão provisória

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2 – Transístor
2.1 – Transístor Bipolar

A história do transistor remonta, pelo menos, a 1898 data em que Thomson descobriu o electrão . Para muitos, esta terá sido a descoberta mais importante do século XX. Os seus autores, John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley desenvolveram um primeiro dispositivo experimental em Dezembro de 1947
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,

enquanto membros da Bell Laboratories. Por esta descoberta foi-lhes atríbuido o prémio Nobel da Física em 1956.

2.1.1 – Introdução.
Mais uma vez, interessa-nos aqui o estudo deste dispositivo do ponto de vista do seu uso como componente de circuitos electrónicos. Para este efeito, iniciamos a questão tentando compreender a sua curva característica (veremos que na realidade se trata, antes, de um família de curvas). Notemos, antes de mais, que o transistor é a primeira componente com mais de dois terminais que estudamos. Os terminais designam-se por colector (C), emissor (E) e base (B). A fig. 9 representa os símbolos dos dois tipos de transistor que existem. Apenas como nota, a existencia destes dois tipos compreende-se bem porque, tratando-se de um dispositivo construído com base num cristal semiconductor contaminado (ou dopado) de forma a apresentar três zonas distintas, de tipo P ou N, separadas por duas junções indênticas às do díodo. As três zonas podem organizar-se apenas de duas maneiras diferentes, assinaladas também na fig. 9, que originam os dois tipos de transistor bipolar: npn e pnp.

C B
E

B

E B

B

N

P

N

C

E

P

N

P

C

E

C

NPN

PNP

Fig. 2.9 – Símbolos dos transístores NPN e PNP com a indicação esquemática da forma como o cristal semicondutor inicialmente puro (ou intrínseco) é dopado de forma a apresentar 3 zonas separadas por duas junções.

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Ver, por exemplo Ver, por exemplo

http://www.pbs.org/transistor/ http://www.pbs.org/transistor/background1/events/miraclemo.html http://www.ideafinder.com/history/inventions/transistor.htm

10 – a) Circuito para estudar a curva característica do transístor. por um processo qualquer. como mostra a fig. VCE . vamos admitir que. O andamento da curva pode descrever-se como sendo linear e crescente para valores de evoluindo depois para um regime de saturação – deixa de crescer com VCE próximos de zero. IC IB IB = 0 VCE I B varia desde zero até um certo valor positivo. se injecta na base uma corrente constante I B . com atensão aplicada entre o colector e o emissor. 2. Fig.11 – Evolução da curva da fig.a.Electrónica versão provisória 2 Tomando o transistor NPN como exemplo tracemos a curva que mostra a dependência da corrente no circuito. desde I B = 0 até valores arbitrariamente elevados e positivos de IB . b) Curva I (V ) obtida quando a C CE corrente na base é constante e se varia V desde zero até um valor positivo arbitrário. 10 quando o parâmetro A forma adoptada universalmente para exprimir o funcionamento de um transistor consiste em traçar um número razoavel de curvas I C (VCE ) para vários valores equidistantes de IB . 2. Uma boa parte do entendimento do transistor como elemento de circuitos deriva da constatação de que esta curva conserva esta forma para diversos valores de I B . Para este efeito. I C . 2.10. VCE permanecendo num certo valor constante. R IC IB V VCE a) b) Fig. .

13 vem Como regra. quanto maior a corrente de colector. O funciocionamento do transistor bipolar como amplificador de corrente requer que a junção Base-Emissor esteja directamente polarizada e a junção Base-Colector inversamente polarizada. a variação consequente seja simétrica em torno desse ponto.1.2. no caso de ser introduzido um sinal.2 – Polarização.7 I B0 ≈ 20 µ A O valor de IC0 calcula-se agora através de Substituindo aqui os valores da fig. menor o ganho. É então possível analizar o jogo de correntes do transistor de acordo com o esquema da fig. 2. 1 . Isto deve-se à grande dimensão física que a junção tem de tomar nos disposotivos de alta corrente assumindo uma geometria que não é favoravel aos ganhos elevados. Seja qual for o método escolhido o cálculo analítico da corrente de base é o primeiro passo a ser dado. VB 10V 470kohm R1 R2 1. na prática. Diz-se correctamente porque.12 – Correntes no transístor bipolar NPN e PNP. multiplicando-o por um factor que. A fig.12 1 β ⎧ IC = β I B ⎨ ⎩ IC + I B = I E IE Definindo um factor α = IC IC . 2.13 – Circuito de polarização de um transistor NPN. o ponto de funcionamento em repouso fica situado aproximadamente a meio da recta de carga permitindo que. A determinação do ponto de funcionamento em repouso pode fazer-se analiticamente ou graficamente.Electrónica versão provisória 3 O transistor aparece assim com um dipositivo que amplifica a corrente de base. para alem das duas condições anteriormrnte enunciadas. demonstra-se facilmente que iB α= β 1+ β e α β= 1−α iB IE IC IE Fig.0kohm β=220 Q1 2N2222A VC 10V 10 = R1 ⋅ I B0 + 0. A equação que dá este parâmetro obtem-se circulando na malha da base: Fig. 2. 2. 2.13 representa um transistor NPN correctamente polarizado. assume valores entre 20 e 250 . IB. como veremos adiante.

De seguida faz-se o traçado da recta de carga – o lugar geométrico dos pontos de funcionamento possíveis. assim. O sinal que. 2.14 – Determinação gráfica do ponto de funcionamento emrepouso. o cálculo de IB . Fig.2.16 – O sinal introduzido no circuito da base obriga IB a variar entre os limites a tracejado e o ponto de funcionamento a ser correspondentemente desviado. IC R2 1. A intersecção da recta de carga com a curva da família com o valor de IB calculado dá o ponto de funcionamento em repouso. IC0) assinalado na fig. 2. aqui também e pelo mesmo processo. A consequência óbvia de se introduzir s(t) na malha da base é que a IB vai variar em torno do valor de repouso IBO com uma amplitude S/R1 representado pelas curvas a tracejado correspondentes a iB1 e iB2 na fig. Na resolução gráfica a família de curvas IC -VCE é um dado e o primeiro passo é.2 mA). 2.15 – Circuito amplificador do sinal s(t) . por conveniência. o valor de . 2. dado pelo par de coordenadas (VCE=5.8 V O ponto de funcionamento em repouso é. Esta recta é facilmente traçada a partir dos seus dois pontos em cada um dos eixos: 10 IC (mA) I C = 0 → vCE = 10 V vCE = 0 → I C = VC R2 e = 10 mA IC0 IB0= 20 µA Está tracada a azul na fig.15 . 2. Esta determinação gráfica não teria muito interesse se não constituisse o primeiro passo para visualisar com clareza o efeito amplificador do transistor.Electrónica versão provisória 4 IC 0 = β ⋅ I B 0 = 220 ⋅ 20 10−6 = 4. . VCE (V) VCE0 10 Fig. é sinusoidal faz IB variar levando o ponto de funcionamento dinâmico a ocupar a zona da recta de carga compreendida entre as duas curvas a tracejado e assinalada a traço forte.13. Uma forma de o fazer é a que se mostra nas fig. Assim se obtem o ponto (VCE0 .0kohm s(t) R1 470kohm VB 10V Q1 IB2 VC IB0 IB1 10V 2N2222A VCE Fig. VCE calcula-se circulando na malha do colector e usando os valores já calculados 10 = R2 ⋅ I C + VCE I C0 = 5.8V.16 .2 mA Finalmente. 2.14. Este efeito exerce-se sobre um sinal que (depois de se garantir que o transistor está correctamente polarizado) se introduz de modo adequado no circuito da fig 2. IC=4.14.

e VCE podemos obter directamente os 2. 2.14). queremos obter energia AC fornecendo energia DC. a noção de rendimento de um sistema tem a ver com o quociente entre o que obtemos na saída e o que temos de fornecer para esse fim.1. 2. IC VCE . A função básica do transistor como amplificador é conferir maior amplitude às tensões e correntes que podem ser fornecidas por um gerador de sinal. Basta reparar que mesmo quando não há sinal ele consome energia DC (caso da fig. seguramente vai mostrar rendimentos muito baixos. que lhe é fornecida pelo(s) gerador(es) DC de polarização. Nesta perspectiva surge uma questão importante que se deve estudar – qual o rendimento dessa conversão de energia ? Fig. em energia AC que ele disponibiliza. 2. Esta classe de funcionamento é a mais natural e usaFig. fig. provavelmente óbvia. A resposta.17 – Jogo de tensões e correntes de um transistor como amplificador de sinal. Ora o transistor.3 – Transístor como conversor de energia DC-AC. IB2 IB0 IB1 VCE Genericamente.17 – Transístor polarizado em classe B. A pergunta que surge naturalmente é a de saber de onde é que o transistor energia vai que retirar coloca a no IC sinal. em que o ponto de funcionamento em repouso está no centro da recta de carga e a amplitude do sinal é suficientemente pequena para ficar sempre contido na zona linear de funcionamento (quer dizer que nunca atinge as duas zonas-limite em que as curvas deixam de ser equidistantes para o mesmo acréscimo de iB) chama-se classe A. Classes de funcionamento. é que a retira do único sítio possível: do gerador DC que o polariza. usado da forma descrita até aqui.Electrónica versão provisória 5 Projectando o efeito da variação introduzida pelo sinal sobre os dois eixos IC sinais amplificados. Esta forma de polarizar o transistor.17. No caso do transistor como amplificador. por outras palavras. Neste sentido se pode dizer que o transistor converte energia DC. reproduzir o mesmo sinal mas com maior disponibilidade energética. É. 2.

Fig 2.Electrónica versão provisória 6 se quase obrigatóriamente para amplificar pequenos sinais. A configuração Darlington é uma delas e caracteriza-se pela sua simplicidade. 2. . É constituida por dois BJTs complementares (ou seja. C C C C B B B B E a) b) E E E c) d) Fig. Aqui. um é NPN e o outro PNP) polarizados em classe B. Consiste na ligação directa de dois transístores de forma a que o resultado seja equivalente a um único trnsístor de grande ganho.18 – Representação simplificada de um andar “push-pull”. As configurações a) e b) são feitas com dois transístores da mesma polaridade enquanto que as c) e d) usam pares complementares. a questão do baixo rendimento da classe A assume valores pouco significativos. que consiste em polarizar o transistor de mododiferente colocando o ponto de funcionamento em repouso junto do ponto IC =0 da recta de carga. Quando os sinais têm grande amplitude a questão energética e do rendimente pode assumir uma expressão mais preocupante tendo sido desenvolvidas técnicas para a melhorar.19 – Configurações Darlington. O funcionamento dum transistor em classe B faz mais sentido se existir a possibilidade de combinar dois transistores de tal forma que cada um deles amplifique uma das alternâncias do sinal. existem outras associaçõs de transístores com propriedades interessantes e de grande valor em projecto. com a geometria apresentada na fig 2.18. V+ Estudamos aqui uma dessas técnicas designada por funcionamento em classe B. Essa possibilidade existe e é conferida por uma montagem designada por push-pull na literatura inglesa. 5 R1 2 4 Q1 Vin 6 3 R2 1 Q2 V- Configuração Darlington Tal como no caso do “push-pull.

Par Diferencial Uma outra arquitectura que já se usava na época da válvula e que transitou para os transístores é o par diferencial ou “par de cauda longa” . O nível comum que eles partilhem é pois omitido ou anulado neta medida da diferença. o primeiro transistor. Para cada transístor será Fig.v2 1 Tradução livre de long tailed pair.(I1-I2) = v1 . Sabendo que o ganho de um Darlington é aproximadamente o produto dos ganhos dos seus transístores e que um transistor de pequeno sinal tem um ganho típico de cerca de 100 pode causar alguma estranheza que o ganho global do Darlington não atinja valores da ordem de 100 x 100 = 10. Recebeu a designação de “long tailed pair” (par de cauda longa – numa tradução livre) e constitui a base funcional do Amplificador Operacional. H.0000. calculemos a diferença H.0000. dimensionalmente uma resistência. Sabendo que a soma I1+I2 é constante. em que VE é a tensão comum aos dois emissores.20 – Amplificador diferencial. O entendimento do seu funcionamento pode basear-se num primeiro argumento de simetria se notarmos que as duas correntes I1 e I2 devem sempre somar IE I1+I2=IE (1) I1 R1 R2 VCC 1 I2 Sabendo que a corrente de base de cada transístor está directamente relacionada com a respectiva tensão VBE podemos adoptar uma expressão genérica que relacione VBE com IC H. Isto deve-se ao facto de os dois transístores terem estrutura diferentes: geralmente.I2 = VB2-VE .I2) = v1 . O segundo transístor tem ganho bem menor por ter uma estrutura adequada a correntes elevadas. 2.Electrónica versão provisória 7 Com estas configurações conseguem obter-se unidades com ganhos até 3. que tem a particulridade de ser a configuração que dá origem ao conceito de Amplificador Operacional. é mais importante amplificar a diferença entre dois sinais do que o valor absoluto de cada um deles. tem ganhos da ordem de 100.I1 = VB1-VE e H.IC = VBE . A utilidade desta configuração vem do facto de.(IE-2. IE vO v1 Q1 Q2 v2 em que H é uma constante. .v2 usando (1) vem H. A figura representa o circuito electrónico clássico que desempenha esta função. muito frequentemente. que caracteriza a relação. por manipular correntes baixas.

21 – Representação diagramática do FET canal N com a polarização adequada. O efeito posto em jogo é o do estreitamento do canal por acção da polarização inversa da junção que ele forma com o resto do cristal que o envolve. em geral. 2.FET1 O transistor anteriormente estudado não necessita. sobretudo para os circuitos digitais (microprocessadores. A componente AC da tensão de saída será vO = R2 ( v1 − v2 ) 2hib ou seja.21 o FET canal N.14 mostra os símbolos correntes para duas dessas variantes: o FET de junção (JFET) e o FET de tecnologia Metal-Óxido-Semicondutor (MOSFET) nas versões canal-N e canal-P. na literatura inglesa) para sublinhar o facto de ambos os tipos de portador de carga contribuirem para o processo. porventura. Representa-se na fig. 2. D VDS S VGS 2 iD P N G VGS ) enquanto que o segundo o é por uma corrente ( iB ). BJT – Bipolar Junction Transistor . no limite. mais simples que o do transistor bipolar. A tecnologia desenvolvida ao longo dos anos foi mais prolífica para os FETs tendo-se produzido diversas variantes deste dispositivo. impede completamente a passagem de corrente.Electrónica versão provisória 8 Como estamos interessados apenas nas variações ao repouso (estamos afinal interessados apenas no regime AC). Do que se disse tira-se a conclusão que uma diferença fundamental entre o FET difere e o BJT é que o primeiro é um dispositivo controlado por uma tensão ( Fig. Este tipo de transistor tem apenas uma junção que assume a geometria de um canal duma certa polaridade rodeado de semicondutor de polaridade oposta. embora seja por vezes referido como transistor bipolar (BJT . 2. 1 2 Universalizou-se a sigla inglesa FET – Field Effect Transistor. Esse estreitamento é proporcinal à tensão inversa aplicada e. Foi no entanto desenvolvido um outro tipo de transistor que tambem se baseia em propriedades das junções P-N e cujo princípio de funcionamento é.Transístor de efeito de campo . de nenhuma designação adicional. a tensão de saída é proporcional à diferença das tensões das entradas. memórias. A fig 2. vamos reescrever esta última equação sem o termo DC que é IE i2 = 1 ( v1 − v2 ) 2hib Em que i2 é a componente AC de I2. etc).2 .

22 .5 VDS Fig.5 VGS=2 VGS=2. 2.5 VGS=1 VGS=1.23 – Símbolos dos FETs mais comuns.Electrónica versão provisória 9 ID VGS=0 VGS=0. .Família de curvas características típicas de um FET JFET-N JFET-P MOSFET-N MOSFET-P Fig 2.

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