UNIVERSIDADE DE PERNAMBUCO ESCOLA POLITCNICA DE PERNAMBUCO DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA MECATRNICA

PERDAS DE ENERGIA NOS SEMICONDUTORES DE POTNCIA EM SUAS OPERAES

Emanuel Duarte de Melo Mat.: 08038216466 Eletrnica de Potncia Turma PT

Recife Outubro/2012

1. Introduo
A Engenharia Eltrica era dividida em trs reas de grande importncia: Eletrnica, Eletrotcnica e Controle. A Eletrnica abrangia o processamento de energia na forma de sinais de baixa potncia, normalmente de comunicaes e dados. A Eletrotcnica se encarregava da converso e transporte da energia. O Controle era aplicado atravs de dispositivos eletromecnicos; nesta rea, foram desenvolvidas tcnicas usando chaves em seus mtodos. At antes do surgimento dos semicondutores, estas trs reas estavam desvinculadas. Entretanto, com o advento dos semicondutores como o diodo, tiristor e transistor, a eletrnica passou a desenvolver o controle na converso de energia pois estes dispositivos (usados como interruptores estticos) passaram a permitir correntes cada vez maiores e submetidos a tenses tambm superiores. A esta eletrnica que desenvolve correntes e tenses elevadas para o controle da converso de energia se passou a chamar de Eletrnica de Potncia As aplicaes da Eletrnica de Potncia tm crescido continuamente ao longo do tempo. O termo Eletrnica de Potncia comeou a ser utilizado na dcada de 1960 aps a criao do SCR (silicon controlled rectifier retificador controlado de silcio). A partir da a evoluo no parou e desenvolveram-se dispositivos que podem comutar correntes elevadas em tenses elevadas e de forma eficiente. A funo da eletrnica de potncia controlar o fluxo de potncia, processando a energia das fontes de alimentao disponveis (rede eltrica, geradores ou baterias) atravs de dispositivos semicondutores de potncia para alimentar as cargas. Os equipamentos de eletrnica de potncia so dispositivos de baixo custo e de pequena dimenso. Como exemplos atuais de utilizao da Eletrnica de Potncia, podemos apontar: Controle de Iluminao e de Aquecimento, Fontes Reguladas de Energia, Variadores de Velocidade em motores CC ou CA.

2. Dispositivos de Potncia
A transferncia de potncia eltrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada pela variao da tenso de alimentao (usando um transformador varivel) ou pela insero de um regulador (como, por exemplo, um reostato ou um comutador automtico). Os dispositivos semicondutores utilizados como comutadores automticos tm a vantagem de terem um tamanho pequeno, baixo custo e eficincia. Pode-se utilizar uma chave para o controle da potncia, como vemos a seguir.

Quando o interruptor est ligado, a transferncia de potncia para a carga mxima. As perdas no interruptor so nulas, uma vez que no h tenso aos seus terminais. Quando o interruptor est desligado, a potncia transferida para a carga nula. Tambm aqui no h perdas de potncia no interruptor uma vez que no passa nenhuma corrente por ele. A eficincia , pois, de 100% porque o interruptor no consome energia em nenhum dos casos. O problema existente com este mtodo que, ao contrrio do restato, o interruptor no pode ser colocado em posies intermdias, de modo a proporcionar uma variao contnua da potncia entregue carga. No entanto, podemos criar o mesmo efeito abrindo e fechando o interruptor periodicamente. Os transistores e os SCRs podem ser utilizados como interruptores e conseguem abrir e fechar, automaticamente, centenas de vezes por segundo. Se precisarmos de mais potncia na carga, o interruptor eletrnico dever ficar fechado durante mais tempo e desligado durante menos tempo, dentro de um perodo. Os dispositivos de Eletrnica de Potncia se inserem nesse contexto a fim de controlar a potncia desenvolvendo a conduo de corrente eltrica e visando a reduo da dissipao da potncia envolvida no processo. Os dispositivos de potncia mais utilizados so: Diodos; Transistores Bipolares de Juno (TJBs); Transistores de Efeito de Campo Metal-xido-Semicondutor (MOSFETs); Retificadores Controlados de Silcio (SCRs); Triacs; Tiristores.

Simbologia dos principais semicondutores de potncia

3. Limites de operao dos semicondutores de potncia

Assim como qualquer dispositivo, os semicondutores de chaveamento tambm esto inseridos em um range de conduo a fim de relacionar bem suas caractersticas de potncia e frequncia de chaveamento. Um resumo de tal informao visto na figura seguinte.

4. As perdas de energia nos semicondutores de potncia

Dispositivos de potncia que trabalham como chaves, realizando comutaes, sugerem uma alternativa para os trabalhos em circuitos de potncia. Porm, sua frequncia de chaveamento e sua prpria construo fsica impedem que eles trabalhem como dispositivos ideais, ou seja, no seguem tais caractersticas: Quando fechada (ON), conduz uma grande corrente e a tenso cai a zero; Quando aberta (OFF), no flui corrente e h uma grande tenso reversa; Mudana instantnea de ON para OFF e vice versa; Baixa potncia requerida para comutla (ON OFF). Em um projeto real deve ser levado em considerao a dissipao de potncia (calor),que em um grande nmero de aplicaes, pode danificar a chave e outros componentes do sistema.

Os fatores que geram esta dissipao so os mesmos para todos os projetos, por isso o projetista deve entender quais so estes fatores e minimizlos. importante ressaltar que a potncia perdida em uma chave semicondutora varia linearmente com a freqncia de chaveamento e com o tempo de chaveamento. Estas perdas de energia so observadas, principalmente, durante o perodo de transio dos estados, devido a essas transies no serem instantneas. Tambm observada grande dissipao de potncia quando a chave opera no modo ON (fechada). Dessa forma, as caractersticas desejadas de uma chave controladas so: Pequeno vazamento (passagem) de corrente durante o estado OFF (chave aberta); Pequena queda de tenso quando a chave estiver operando no modo ON (fechada); Curta transio entre os estados para permitir que o projeto seja usado em altas frequncias de chaveamento; Capacidade de bloquear a tenso reversa. O que minimiza a necessidade, de algumas aplicaes, por conexes em srie; Coeficiente de temperatura no estado ON positiva; Pequena potncia necessria para o controle da chave. Isto simplifica o projeto do circuito controlador; Capacidade de opor-se a variao de tenso e corrente simultaneamente. O que elimina a necessidade por proteo externa (snubber) sobre o projeto;

4.1 Diodo de potncia

Um diodo semicondutor uma estrutura P-N que permite a passagem de corrente em um nico sentido. A figura abaixo mostra, simplificadamente, a estrutura interna de um diodo. Aplicando-se uma tenso entre as regies P e N, a diferena de potencial aparecer na regio de transio, uma vez que a resistncia desta parte do semicondutor muito maior que a do restante do componente (devido concentrao de portadores). Quando se polariza reversamente um diodo, ou seja, se aplica uma tenso negativa no anodo (regio P) e positiva no catodo (regio N), mais portadores positivos (lacunas) migram para o lado N, e vice-versa, de modo que a largura da regio de transio (juno) aumenta, elevando a barreira de potencial.

Resumo das perdas:

4.2 Tiristor de Potncia

Tiristor um nome genrico de componentes e semicondutores de 4 camadas PNPN. Entre estes componentes existe o SCR (Silicon Controlled Rectifier), que, por ser mais popular, chamado de "tiristor". Pela sua maior popularidade no se faz distino entre o termo SCR ou tiristor. A anlise do SCR essencialmente a mesma para qualquer quadrante de operao do Triac porque um Triac pode ser considerado como dois SCRs ligados em anti-paralelo. O SCR permite a passagem de corrente quando polarizado diretamente e aps aplicada corrente na porta. Para a interrupo da corrente pelo SCR necessrio que este esteja submetido a uma tenso reversa e que a corrente que passa pelo mesmo diminua, tornando-se nula (ou quase) ou negativa.

Simbologia do SCR (Tiristor)

Resumo das perdas:

4.3 Transistores Bipolares de Juno

O Transistor bipolar de potncia um dispositivo de trs camadas unidirecional em tenso e corrente. A operao normal de um transistor feita com a juno J1 (B-E) diretamente polarizada, e com J2 (B-C) reversamente polarizada. No caso NPN, os eltrons so atrados do emissor pelo potencial positivo da base. Esta camada central suficientemente fina para que a maior parte dos portadores tenha energia cintica suficiente para atravess-la, chegando regio de transio de J2, sendo, ento, atrados pelo potencial positivo do coletor. O controle de Vbe determina a corrente de base, Ib, que, por sua vez, se relaciona com Ic pelo ganho de corrente do dispositivo. Na realidade, a estrutura interna dos TBJs diferente. Para suportar tenses elevadas, existe uma camada intermediria do coletor, com baixa dopagem, a qual define a tenso de bloqueio do componente. A Fig. 2.15 mostra uma estrutura tpica de um transistor bipolar de potncia. As bordas arredondadas da regio de emissor permitem uma homogeneizao do campo eltrico, necessria manuteno de ligeiras polarizaes reversas entre base e emissor. O TBJ no sustenta tenso no sentido oposto porque a alta dopagem do emissor provoca a ruptura de J1 em baixas tenses (5 a 20V). O uso preferencial de TBJ tipo NPN se deve s menores perdas em relao aos PNP, o que ocorre por causa da maior mobilidade dos eltrons em relao s lacunas, reduzindo, principalmente, os tempos de comutao do componente. Simbologia do Transistor Bipolar de Juno

Resumo das Perdas:

OBS.: Pc se refere s perdas por chaveamento onde os semicondutores vo desde sua maior tenso (antes do chaveamento) menor tenso (depois do chaveamento) e de sua menor corrente maior corrente.

4.4 MOSFETs
Enquanto o TBJ foi inventado no final dos anos 40, j em 1925 fora registrada uma patente (concedida em 1930 a Julius Edgard Lilienfeld) que se referia a um mtodo e um dispositivo para controlar o fluxo de uma corrente eltrica entre dois terminais de um slido condutor. Tal patente, que pode ser

considerada a precursora dos Transistores de Efeito de Campo, no entanto, no redundou em um componente prtico, uma vez que no havia, ento, tecnologia que permitisse a construo dos dispositivos. Isto se modificou nos anos 60, quando surgiram os primeiros FETs, mas ainda com limitaes importantes em termos de caractersticas de chaveamento. Nos anos 80, com a tecnologia MOS, foi possvel construir dispositivos capazes de comutar valores significativos de corrente e tenso, em velocidade superior ao que se obtinha com os TBJ. Atualmente, no existem transistores MOSFET para aplicaes em potncias muito elevadas. Os componentes disponveis tm caractersticas tpicas na faixa de: 1000V/20A ou 100V/200A. Sua principal vantagem a facilidade de acionamento, feita em tenso, e a elevada velocidade de chaveamento, tornando-o indicado para as aplicaes de freqncia elevada (centenas de kHz).

Resumo das perdas:

4.5 IGBTs
O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transstor) um dispositivo hbrido proveniente da tentativa de se obter, ao mesmo tempo, as caractersticas desejveis dos interruptores bipolares e dos unipolares. Suas principais caractersticas so o controle com baixo nvel de potncia e o baixo valor de queda de tenso direta durante a conduo.

Representao simblica do IGBT

O IGBT, do ponto de vista do comando, tem caractersticas de um MOSFET, ou seja, necessita de baixa potncia para ser comandado. J do ponto de vista da sada, tem caractersticas de um Transistor Bipolar, pois, em conduo, pode ser modelado por uma fonte de tenso. Resumo das Perdas:

Referncias
http://pt.scribd.com/doc/94020477/01-1-a-Perdas-Em-Semicondutores http://www.ebah.com.br/content/ABAAABA8EAE/apostila-eletronica-potencia http://www.dsce.fee.unicamp.br/~antenor/pdffiles/eltpot/cap1.pdf http://www.joinville.udesc.br/portal/professores/yales/materiais/capitulo_1_1 _componentes_semicondutores.pdf http://www.profelectro.info/?p=2311 http://repositorio.utfpr.edu.br/jspui/bitstream/1/227/1/PB_PPGEE_M_Gazzoni, %20Jean%20Carlos_2011.pdf http://pessoal.utfpr.edu.br/illafont/arquivos/Semicondutores_de_Potencia.pdf http://www.lx.it.pt/ep/Files/TrEP203DISP.pdf http://xa.yimg.com/kq/groups/24783070/1315525892/name/TE05107_Cap2_C haves