SENAI - CIMATEC

APOSTILA DE ELETRNICA GERAL TRANSISTORES PARTE II

Prof. Luiz Tadeu Souza Santana CREA 14648

1 - INTRODUO: O transistor bipolar de juno um dispositivo de trs terminais ligados a uma regio interna formada por um cristal de material semicondutor extrnseco, dividido em trs partes, com caractersticas construtivas e eltricas distintas, sendo duas de mesma polaridade P ou N e a outra de polaridade contrria, isto , o transistor bipolar pode ser do tipo PNP ou NPN . A ilustrao mostra cada parte de um transistor bipolar: 2 - FUNCIONAMENTO DE TRANSISTORES BIPOLARES: O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo n e um tipo p ou dois cristais tipo p e um tipo n. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo de PNPp. Podemos fazer uma analogia do transistor bipolar de juno com diodos, para entendermos alguns aspectos de seu funcionamento, porm no podemos construir nenhum transistor dessa maneira. A figura abaixo faz uma comparao entre o transistor e a juno de diodos semicondutores:

Cada um dos trs cristais que compe o transistor bipolar recebe o nome relativo sua funo. O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois cristais, levemente dopado e muito fino. Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga, fortemente dopado e finalmente o ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga, tem uma dopagem mdia. Os cristais coletor e emissor, so diferentes entre si no tamanho e na dopagem. O transistor tem duas junes, uma entre o emissor e a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha dois diodos. O diodo da parte inferior comumente designado de diodo emissor-base s emissor e o da parte superior chamado de diodo coletor - base ou s coletor).

3 - TRANSISTOR NO POLARIZADO:

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio) em 25C. Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tm larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor.

4 - POLARIZAO DO TRANSISTOR NPN: As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente. 4.1 - JUNES COM POLARIZAO DIRETA: A fonte B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a fonte B2 polariza diretamente o diodo coletor. Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes.

4.2 - JUNES COM POLARIZAO REVERSA:

Na ilustrao acima, os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizados. A corrente eltrica circulando pequena e chamada de corrente de fuga

4.3 - JUNES COM POLARIZAO DIRETA REVERSA

O diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado. A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes so altas. No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (V BE) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base. Estes eltrons na base podem retornar ao plo negativo de B1, ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor. Os eltrons que a partir da base retornam a B1, so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base pouco dopada. Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno basecoletor. Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres. Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor. No coletor, os eltrons livres so atrados para o plo positivo deB2. Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetada uma alta corrente em direo a base. Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao plo negativo de B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo de B2 como mostra a ilustrao abaixo:

Obs. Considerar a tenso coletor - base (VCB) bem maior que a tenso emissor base (VBE).

5 - TRANSISTOR PNP
No transistor pnp as regies dopadas so contrrias as do transistor npn. Isso significa que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres. O funcionamento como a seguir. O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes. Qualquer circuito

com transistor npn pode ser convertido para uso de transistor pnp. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo npn. Considerando esta similaridade, neste curso os circuitos analisados so sempre os com transistores npn.

6 - AS CORRENTES NO TRANSISTOR Observe as figuras abaixo:

So os smbolos esquemticos para um transistor pnp e npn. A diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE . A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a soma das que saem. Ento: IE = IC + IB. A relao entre a corrente contnua de coletor e a corrente contnua de base chamada de ganho de corrente CC :

Em geral mais de 95% dos eltrons livres atingem o coletor, ou seja, a corrente de emissor praticamente igual a corrente de coletor. O parmetro cc de um transistor indica a relao entre a corrente de emissor e coletor:

Quanto mais fina e levemente dopada a base, mais alto o cc e podemos relacionar o cc com o CC da seguinte forma: CC = CC /(1 + CC )

7 - TESTE DE TRANSISTORES BIPOLARES: Teste de funcionamento de um transistor npn com um ohmmetro. 1. Encosta-se a ponta de prova negativa na base do transistor 2. Encosta-se a ponta de prova positiva no coletor do transistor. O ohmmetro deve indicar resistncia alta. 3. Muda-se a ponta de prova positiva para o emissor do transistor. O ohmmetro deve indicar resistncia alta. 4. Inverte-se as pontas de provas, isto , encosta-se a positiva na base e repete os itens 2 e 3. As resistncias devem ser baixas. Obs: Isto vlido para os multmetros digitais. Em geral, nos multmetros analgicos, a ponta de prova positiva est ligada ao plo negativo da bateria. 8 - MONTAGEM BSICA COM TRANSISTOR: Observe que o lado negativo de cada fonte de tenso est conectado ao emissor. Neste caso denomina-se o circuito como montado em emissor comum. Alm da montagem em emissor comum, existem a montagem em coletor comum e base comum conforme visto na aula terica. O circuito constitudo por duas malhas. A malha da esquerda que contm a tenso VS e a malha da direita com a tenso VCC.
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RELAO IBxVBE: Existe uma relao entre IB e VBE, ou seja, para cada IB existe uma
tenso VBE correspondente. Observando o grfico a seguir, veremos que a curva semelhante a curva do diodo:

RELAO IC em funo de VCE partir de VCC e VS possvel obter diversos valores de IC e VCE. O prximo grfico mostra esta relao supondo uma IB fixa.A parte inicial da curva chamada de regio de saturao. toda a curva entre a origem e o joelho. A parte plana chamada de regio ativa. Nesta regio uma variao do VCE no influencia no valor de IC. IC mantm-se constante e igual a IB CC. A parte final a regio de ruptura e deve ser evitada. Na regio de saturao o diodo coletor est polarizado diretamente. Por isso, perde-se o funcionamento convencional do transistor, passa a simular uma pequena resistncia hmica entre o coletor e emissor. Na saturao no possvel manter a relao IC=IBCC. Para sair da regio de saturao e entrar na regio ativa, necessria uma polarizao reversa do diodo coletor. Como VBE na regio ativa em torno de 0,7V, isto requer um VCE maior que 1V. A regio de corte um caso especial na curva IC x VCE. quando IB =0 (equivale ao terminal da base aberto). A corrente de coletor com terminal da base aberto designada por ICEO (corrente de coletor para emissor com base aberta). Esta corrente muito pequena, quase zero. Em geral se considera: Se IB=0, logo IC =0. O grfico anterior, mostra a curva IC x VCE para um dado IB. Habitualmente o grfico fornecido pelo fabricante leva em considerao diversos IBs.Note no, grfico a seguir, que para um dado valor de VCE existem diversas possibilidades de valores para IC. Isto ocorre, porque necessrio ter o valor fixo de IB. Ento para cada IB, h uma curva relacionando IC e VCE. No grfico de exemplo, a tenso de ruptura est em torno de 80V e na regio ativa para um IB=40A tem-se que o CC=IC/IB = 8mA/40A=200. Mesmo para outros valores de IB, o CC se mantm constante na regio ativa. Na realidade o CC no constante na regio ativa, ele varia com a temperatura ambiente e mesmo com IC. A variao de CC pode ser da ordem de 3:1 ao longo da regio ativa do transistor. No grfico seguinte, mostrado um exemplo de variao de CC. Os transistores operam na regio ativa quando so usados como amplificadores. Sendo a corrente de coletor (sada) proporcional a corrente de base (entrada), chamamos os circuitos com transistores na regio ativa de circuitos lineares. As regies de corte e saturao, por simularem uma chave controlada pela corrente de base, so amplamente usados em circuitos digitais.

9 - POLARIZAO DE TRANSISTORES

Um circuito transistorizado pode ter uma infinidade de funes e os transistores para cada funo tem um ponto de funcionamento correto. Vamos entender como estabelecer o ponto de operaode um transistor. Isto , como polariza-lo. O ponto de operao tambm chamado de ponto quiescente.

10 - RETA DE CARGA:
O circuito a seguir mostra um transistor com polarizao de base. O problema consiste em saber os valores de correntes e tenses nos diversos componentes. Uma opo o uso da reta de carga.

O conceito de reta de carga do diodo, tambm se aplica transistores. usa-se a reta de carga em transistores para obter a corrente IC e VCE considerando a existncia de um RC. A anlise da malha esquerda fornece a corrente. Logo: IC = (VCC - VCE )/ RC
Nesta equao existem duas incgnitas, IC e VCE. A soluo deste impasse utilizar o grfico IC x VCE. Com o grfico em mos, basta Calcular os extremos da reta de carga: VCE = 0 IC = VCC / RC - ponto superior IC = 0 !CE = VCC - ponto inferior

A partir da reta de carga e definido uma corrente IB chega-se aos valores de IC e VCE. No circuito, apresentado, supondo RB= 500, podemos construir a linha de carga no grfico medir IC e VCE de operao.

Soluo.: Os dois pontos da reta de carga so: VCE = 0 !IC = VCC / RC (15 )/1k5 = 10mA - ponto superior

IC = 0 !VCE = VCC = 15V - ponto inferior

Obs: O corrente de base a mesma que atravessa o resistor RB: Aps traar a reta de carga na curva do transistor chega-se aos valores de IC =6mA e VCE=5,5V. Este o ponto de operao do circuito (ponto quiescente). O ponto Q varia conforme o valor de IB. um aumento no IB aproxima o transistor para a regio de saturao, e uma diminuio de IB leva o transistor regio de corte. O ponto onde a reta de carga intercepta a curva IB =0 conhecido como corte. Nesse ponto, a corrente de base zero e corrente do coletor muito pequena (ICEO). A interseo da reta de carga e a curva IB= IB(SAT) chamada saturao. Nesse ponto a corrente de coletor mxima. Observe o grfico a seguir:

11 GENERALIDADES SOBRE IDENTIFICAO DE TRANSISTORES

Iniciando com B ou A (ex: BC548): a primeira letra o material semicondutor, B para silcio e A para germnio (pouco usado atualmente). A segunda letra indica caractersticas e aplicaes genricas: C baixa potncia para udio, D alta potncia para udio, F baixa potncia para alta freqncia. A numerao seguinte identifica o transistor, sem uma lgica definida. Algumas vezes uma letra adicionada no final para em geral indicar o mesmo tipo, mas com um ganho maior ou um Involucro diferentes Iniciando com 2N: o prefixo 2N (duas junes) indica apenas que um transistor. No h lgica aparente na numerao que segue Iniciando com TIP: refere-se ao fabricante (Texas Instruments Power Transistor). Os nmeros que seguem so mpares para NPN e pares para PNP. Letra no final indica verso com diferente voltagem.