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Nmero mximo de eltrons em cada nvel: limitado princpio de excluso de Pauli 2n2 onde n o nmero do nvel. Nvel 1 poder no mximo 2, Nvel 2 no mximo 8
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Conduo de eletricidade:
os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo.
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No estado puro cada, pares de eltrons de tomos distintos formam a chamada ligao covalente, de forma que cada tomo fique no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa. estrutura cristalina homognea, tridimensional. O material continua um semicondutor.
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Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza; Cria-se um buraco positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos portadores (buracos). 27
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Captulo 1 Diodos
1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais
Metais Eltron do tomo de cobre na ltima camada: rbita extremamente grande (alto nvel de energia), sente pequena atrao do ncleo;
Banda de energia chamada banda de conduo; Conduzem correntes altas sob ao do campo eltrico.
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Captulo 1 Diodos
1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais - Semicondutores
Barra de silcio com extremidades metlicas, polarizada. H passagem de corrente? Depende da existncia de eltrons que possam deslocarse; Em 0 K os eltrons no podem se mover dentro do cristal; Eltrons de valncia fortemente presos pelos tomos de silcio;
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Captulo 1 Diodos
1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais - Semicondutores
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Captulo 1 Diodos
1.2.1 Conduo em Cristais Semicondutores
Trs primeiras faixas esto preenchidas, Eltrons dessas bandas no podem deslocar-se com facilidade porque no h rbitas vazias. Acima da banda de valncia est a banda de conduo. temperatura de zero absoluto a banda de conduo est vazia; No pode haver nenhuma corrente no cristal de silcio.
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Captulo 1 Diodos
1.2 - Juno PN
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Eletrnica Bsica ELE 0937 Captulo 1 Diodos 1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO
Eltron bombeado para a banda de conduo -> cria-se uma lacuna na banda de valncia. Banda de valncia j no est mais saturada ou preenchida; Cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel. Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia empurrados para a banda de conduo e maior a corrente.
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Captulo 1 Diodos
1.2.3 - SILCIO VERSUS GERMNIO Germnio outro elemento tetravalente; Contm mais eltrons que o silcio; Razo principal que fez o silcio tornar-se totalmente superior ao germnio na fabricao de diodos, transistores e de outros componentes semicondutores. Falta de eltrons livres no silcio puro constituir-se numa vantagem enorme.
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Captulo 1 Diodos
1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (1/4)
Lacunas num semicondutor tambm produzem uma corrente. Semicondutor oferece dois trajetos para a corrente, Banda de conduo (rbitas maiores) Banda de valncia (rbitas menores) Corrente da banda de conduo num semicondutor semelhante corrente no fio de cobre;
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Captulo 1 Diodos
1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (2/4)
Corrente da banda de valncia bem diferente.
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Captulo 1 Diodos
1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (3/4)
Eltron excitado para a banda de conduo; A lacuna que criada atrai o eltron de valncia em A; Com uma pequena variao na energia, o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna. Lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A. A nova lacuna em A pode atrair e capturar o eltron de valncia em B. Quando o eltron de valncia se desloca de B para A, a lacuna desloca-se de A para B.
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Captulo 1 Diodos
1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (4/4)
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Aumentando-se a tenso reversa, no haver aumento no nmero de portadores minoritrios criados termicamente; Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS; Um diodo de silcio tem um valor de IS muito menor do que um diodo de germnio. Esta uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos componentes semicondutores.
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Reverso da tenso no produz efeito sobre a linearidade Resistor um componente linear componente passivo dissipa potncia bateria componente ativo
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Sistema Linear
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Figura 2.25
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