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Eletrnica Bsica - ELE 0937

Captulo 1 Diodos Teoria Bsica dos Semicondutores


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Captulo 1 Diodos Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1.1 O tomo e sua constituio tomos: partcula elementar da matria, que, se subdividida, faz o elemento perder suas caractersticas. Molcula: menor poro possvel de conjunto de tomos; Cada elemento tem uma estrutura prpria;

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Captulo 1 Diodos Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1.1 O tomo e sua constituio
Composio atmica
prtons esto sempre presentes no ncleo e tm carga eltrica positiva. nutrons podem estar ou no presentes no ncleo e no tm carga eltrica. Sua massa prxima da do prton. eltrons esto sempre nas rbitas e tm carga eltrica negativa, mas de magnitude igual do prton tomo caracterizado pela quantidade de prtons no ncleo nmero atmico
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Captulo 1 Diodos Teoria Bsica dos Semicondutores
1.1.1 O tomo e sua constituio
Composio atmica

Ltio 3 prtons, 4 nutrons e 3 eltrons

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1.1.1 O tomo e sua constituio Istopos: mesmo elemento com diferentes nmeros de nutrons Carga eltrica nula: 3 prtons e 3 eltrons Ligao do eltron com o tomo pode ser rompida ou adicionada on positivo ou on negativo

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1.1.2 Nveis de Energia
Distribuio dos eltrons em torno do ncleo no aleatria. Um eltron tem uma energia potencial (EP)que depende da sua distncia at o ncleo energia cintica (EC) que depende da sua velocidade. soma de EP e EC a energia total do eltron. A energia total que o eltron pode ter definida em valores discretos O eltron s pode ocupar determinadas rbitas ou nveis de energia.
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1.1.2 Nveis de Energia
Os nveis possveis so sete e esto representados na Fig 2.

Nmero mximo de eltrons em cada nvel: limitado princpio de excluso de Pauli 2n2 onde n o nmero do nvel. Nvel 1 poder no mximo 2, Nvel 2 no mximo 8
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1.1.2 Nveis de Energia
Regra geral na natureza: estabilizao na menor energia possvel.
Nveis so preenchidos na seqncia do menor para o maior e um nvel s poder conter eltrons se o anterior estiver completo. Eltrons em cada nvel ocupam subnveis e cada um pode conter um nmero mximo de eltrons subnveis so designados pelas letras s, p, d e f e os valores mximos so respectivamente 2, 6, 10 e 14.
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1.1.3 - Valncia
eltrons em um tomo de cobre, nmero atmico 29. O nvel mais externo (4, neste exemplo) chamado de nvel de valncia; os eltrons presentes nele so os eltrons de valncia.

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1.1.3 - Valncia
O nmero de eltrons de valncia:
define a capacidade do tomo de ganhar ou perder eltrons e de se combinar com outros elementos. propriedades qumicas e eltricas dependem da valncia. Para este caso do cobre: 1s22s22p63s23p63d104s1.

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1.1.4 Bandas de Energia tomos juntos num material slido:
as foras de interao entre os mesmos so significativas. provoca uma alterao nos nveis de energia acima da valncia. podem existir nveis de energia no permitidos, logo acima da valncia.

Conduo de eletricidade:
os eltrons de valncia, sob ao de um potencial eltrico aplicado, saltem do nvel de valncia para um nvel ou banda de conduo.
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1.1.4 Bandas de Energia
material condutor:
no existem nveis ou banda de energia proibida entre a conduo e a valncia; a corrente flui facilmente sob a ao do campo eltrico.

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1.1.4 Bandas de Energia
material isolante: tem uma larga banda proibida entre a valncia e conduo. Dificilmente haver conduo da corrente. semicondutores: possuem bandas proibidas com larguras intermedirias. Isto significa que podem apresentar alguma conduo, melhor que os isolantes mas pior que os condutores.

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1.1.4 Bandas de Energia

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1.1.5 Materiais Semicondutores Puros capacidade de um tomo de se combinar com outros depende do nmero de eltrons de valncia. A combinao s possvel quando este menor que 8. Elementos com 8 eltrons de valncia no se combinam. So estveis e inertes. Silcio, semicondutor mais usado e tem 4 eltrons de valncia.

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1.1.5 Materiais Semicondutores Puros

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1.1.5 Materiais Semicondutores Puros

No estado puro cada, pares de eltrons de tomos distintos formam a chamada ligao covalente, de forma que cada tomo fique no estado mais estvel, isto , com 8 eltrons na camada externa. estrutura cristalina homognea, tridimensional. O material continua um semicondutor.
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1.1.5 Materiais Semicondutores Puros

estrutura cristalina homognea, tridimensional.


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1.1.5 Impurezas em Materiais Semicondutores
Quando certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas; elemento antimnio (Stibium - 5s 5p), que tem 5 eltrons de valncia; alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina; 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo ;

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Captulo 1 Diodos 1.1.5 Impurezas em Materiais Semicondutores
Quando certas substncias, chamadas impurezas so adicionadas, as propriedades eltricas so radicalmente modificadas; elemento antimnio (Stibium), que tem 5 eltrons de valncia, for adicionado alguns tomos deste substiturem o silcio na estrutura cristalina; 4 dos 5 eltrons iro se comportar como se fossem os de valncia do silcio e o excedente ser liberado para o nvel de conduo ;

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1.1.5 Impurezas em Materiais Semicondutores
O cristal ir conduzir e, devido carga negativa dos portadores (eltrons), denominado semicondutor tipo n. material continua eletricamente neutro pois os tomos tm o mesmo nmero de prtons e eltrons. a distribuio de cargas muda, de forma a permitir a conduo.

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1.1.5 Impurezas em Materiais Semicondutores

impureza com 3 eltrons de valncia (alumnio) adicionada.

Alguns tomos de silcio iro transferir um eltron de valncia para completar a falta no tomo da impureza; Cria-se um buraco positivamente carregado no nvel de valncia e o cristal ser um semicondutor tipo p, devido carga positiva dos portadores (buracos). 27

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1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais
Metais Eltron do tomo de cobre na ltima camada: rbita extremamente grande (alto nvel de energia), sente pequena atrao do ncleo;
Banda de energia chamada banda de conduo; Conduzem correntes altas sob ao do campo eltrico.
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1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais - Semicondutores
Barra de silcio com extremidades metlicas, polarizada. H passagem de corrente? Depende da existncia de eltrons que possam deslocarse; Em 0 K os eltrons no podem se mover dentro do cristal; Eltrons de valncia fortemente presos pelos tomos de silcio;
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1.2 - Juno PN 1.2.1 Conduo em Cristais - Semicondutores

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1.2.1 Conduo em Cristais Semicondutores
Trs primeiras faixas esto preenchidas, Eltrons dessas bandas no podem deslocar-se com facilidade porque no h rbitas vazias. Acima da banda de valncia est a banda de conduo. temperatura de zero absoluto a banda de conduo est vazia; No pode haver nenhuma corrente no cristal de silcio.

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1.2 - Juno PN

1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO


Energia trmica quebra algumas ligaes covalentes; Eltrons saltam da banda de valncia para a banda de conduo; Nas rbitas de banda de conduo, os eltrons esto fracamente presos pelos tomos; Sob a ao do campo eltrico, estes eltrons livres movem-se para a esquerda e estabelecem uma corrente.
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1.2 - Juno PN 1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO

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Eletrnica Bsica ELE 0937 Captulo 1 Diodos 1.2.2 - ACIMA DO ZERO ABSOLUTO
Eltron bombeado para a banda de conduo -> cria-se uma lacuna na banda de valncia. Banda de valncia j no est mais saturada ou preenchida; Cada lacuna na banda de valncia representa uma rbita de rotao disponvel. Quanto mais alta a temperatura, maior o nmero de eltrons de valncia empurrados para a banda de conduo e maior a corrente.
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1.2.3 - SILCIO VERSUS GERMNIO Germnio outro elemento tetravalente; Contm mais eltrons que o silcio; Razo principal que fez o silcio tornar-se totalmente superior ao germnio na fabricao de diodos, transistores e de outros componentes semicondutores. Falta de eltrons livres no silcio puro constituir-se numa vantagem enorme.
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1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (1/4)
Lacunas num semicondutor tambm produzem uma corrente. Semicondutor oferece dois trajetos para a corrente, Banda de conduo (rbitas maiores) Banda de valncia (rbitas menores) Corrente da banda de conduo num semicondutor semelhante corrente no fio de cobre;

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1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (2/4)
Corrente da banda de valncia bem diferente.

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1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (3/4)
Eltron excitado para a banda de conduo; A lacuna que criada atrai o eltron de valncia em A; Com uma pequena variao na energia, o eltron de valncia em A pode se deslocar para a lacuna. Lacuna inicial desaparece e uma nova lacuna aparece no ponto A. A nova lacuna em A pode atrair e capturar o eltron de valncia em B. Quando o eltron de valncia se desloca de B para A, a lacuna desloca-se de A para B.
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1.2.4 - CORRENTE DE LACUNAS (4/4)

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1.2.5 - PARES ELTRON-LACUNA
Tenso externa no cristal: fora os eltrons a deslocarem-se. Dois tipos de eltrons mveis Eltrons da banda de conduo Eltrons da banda de valncia (ou movimento das lacunas). Semicondutor puro, a existncia de cada eltron da banda de conduo garante a existncia de uma lacuna na rbita de valncia de algum tomo. Energia trmica produz pares eltrons-lacuna. As lacunas agem como se fossem cargas positivas: indicadas com o sinal mais

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1.2.6 RECOMBINAO (1/2)
rbita do eltron da banda de conduo de um tomo pode interceptar a rbita da lacuna de outro. Desaparecimento de um eltron livre e de uma lacuna chamado recombinao. Quando ocorre a recombinao, a lacuna no se desloca mais para lugar algum, ela desaparece. Processo est constantemente acontecendo num semicondutor. Energia trmica: mantm a produo de novas lacunas elevando os eltrons de valncia at a banda de conduo.

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1.2.6 RECOMBINAO (2/2) Meia vida: Tempo mdio entre a criao e o desaparecimento de um par eltron-lacuna; Varia de nanossegundos at vrios microssegundos Depende da perfeio da estrutura do cristal e de outros fatores.

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1.2 - Juno PN
1.2.7 - DOPAGEM Cristal de silcio puro (apenas tomos de silcio): semicondutor intrnseco. Para a maioria das aplicaes, no h eltrons livres nem causas suficientes num semicondutor intrnseco para produzir uma corrente utilizvel; Dopagem: introduo de tomos de impurezas num cristal de modo a aumentar tanto o nmero de eltrons livres quanto o nmero de lacunas; Cristal dopado: semicondutor extrnseco.

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1.2 - Juno PN
1.2.7.1 - SEMICONDUTOR TIPO-n (1/3) tomos pentavalente: mais eltrons da banda de valncia; Depois de formar ligaes covalentes com quatro vizinhos, este tomo central tem um eltron a mais que sobra; rbita de valncia: no pode conter mais de oito eltrons, eltron que sobra precisa percorrer uma rbita da banda de conduo.

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1.2 - Juno PN
1.2.7.1 - SEMICONDUTOR TIPO-n (2/3)

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1.2 - Juno PN
1.2.7.1 - SEMICONDUTOR TIPO-n (3/3)
Grande nmero de eltrons da banda de conduo produzido principalmente pela dopagem. Eltrons so portadores majoritrios Existem apenas algumas lacunas, criadas pela energia trmica. Lacunas so os portadores minoritrios. Silcio dopado conhecido como um semicondutor do tipo-n, n significa negativo. tomos pentavalentes so chamados freqentemente tomos doadores Exemplos de impurezas doadoras: arsnio, o antimnio e o fsforo.

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1.2 - Juno PN
1.2.7 DOPAGEM 1.2.7.2 - SEMICONDUTOR TIPO-P (1/3)
Usando impureza trivalente (trs eltrons na rbita mais externa);

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1.2 - Juno PN
1.2.7.2 - SEMICONDUTOR TIPO-P (2/3)
Cada tomo trivalente est cercado por quatro vizinhos Sete eltrons se encontraro nas suas rbitas de valncia. Aparece uma lacuna em cada tomo trivalente. Quantidade de impureza adicionada, pode-se controlar o nmero de lacunas no cristal dopado. Semicondutor dopado com uma impureza trivalente: semicondutor do tipo-p Lacunas no semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de conduo.

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1.2 - Juno PN
1.2.7.2 - SEMICONDUTOR TIPO-P (3/3)
Lacunas no semicondutor tipo-p excedem de longe os eltrons da banda de conduo. Lacunas so os portadores majoritrios num semicondutor tipo-p, Eltrons de banda de conduo constituem os portadores minoritrios. tomos trivalentes tambm so conhecidos como tomos aceitadores Cada lacuna que eles fornecem pode aceitar um eltron durante a recombinao. tomos aceitadores: alumnio, o boro e o glio.
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1.2.8 - A Juno PN
Cristal metade do tipo-p e metade do tipo-n; juno a regio onde se encontram os cristais; Um cristal pn conhecido como diodo;

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1.2.8 - A Juno PN
cristal pn no instante de sua formao. lado p tem vrias lacunas (portadores majoritrios) lado n possui vrios eltrons livres (portadores majoritrios). no h nenhuma tenso externa aplicada

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1.2.9 - CAMADA DE DEPLEO
repulso mtua, Eltrons livres no lado n difundem-se ou espalham-se em todas as direes, inclusive atravs da juno. Eltron livre sai da regio n, cria-se um on positivo nela. medida que ele penetra na regio p, o eltron livre tornase um portador minoritrio. Com lacunas em volta dele, este portador minoritrio tem uma vida mdia curta;

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1.2.9 - CAMADA DE DEPLEO
Na regio p, o eltron livre preencher uma lacuna. Lacuna desaparece e o seu tomo torna-se um on negativo; Cada eltron que se difunde atravs da juno, cria um par de ons. Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente Conforme o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno est totalmente esgotada de eltrons livres e lacunas; Esta regio chamada de camada de depleo.

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1.2.10 - BARREIRA DE POTENCIAL A intensidade da camada de depleo continua aumentando com cada eltron que a atravessa at que se atinja um equilbrio. Camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso de eltrons livres atravs da juno; A repulso interna da camada de depleo interrompe a difuso dos eltrons livres atravs da juno. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada barreira de potencial; A 25C, esta barreira de potencial aproximadamente igual a 0,7 V para os diodos de silcio; Diodo de germnio tem barreira de potencial de 0,3 V.
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Tpicos principais at ento!

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Resumo Primeira Aula
Condutores, Semicondutores e Isolantes Banda de Valncia e Banda de Conduo Semicondutor Intrnseco Dopagem de Semicondutor - Tipo P - TRIVALENTE Dopagem de Semicondutor - Tipo N - PENTAVALENTE Juno PN Camada de Depleo Barreira de Potencial
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1.2.11 - POLARIZAO DIRETA Fonte cc aplicada atravs de um diodo; O terminal positivo da fonte est ligado ao material tipo-p, e o terminal negativo ao material tipo-n; ligao desse tipo chamada de polarizao direta.

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1.2.11 - POLARIZAO DIRETA
Depois de sair do terminal negativo, ele entra pela extremidade direita do cristal. Percorre a regio n como um eltron livre. Prximo juno recombina-se e torna-se um eltron de valncia. Passa pela regio p como um eltron de valncia. Depois de sair pela extremidade esquerda do cristal, ele segue para o terminal positivo da fonte.
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1.2.12 - BANDAS DE ENERGIA
fluxo em termos de bandas de energia. barreira de potencial d s bandas p um pouco mais de energia do que para as bandas n - as bandas p so mais altas do que as bandas n. polarizao direta empurra os eltrons da banda de conduo na regio n em direo juno. Ao entrar na regio p, cada eltron encontra uma lacuna (percurso A). Ele continua a sua jornada em direo extremidade esquerda do cristal como eltron de valncia. Eltron da banda de conduo pode encontrar uma lacuna antes de atravessar a juno.
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1.2.12 - BANDAS DE ENERGIA Polarizao Direta
Eltron de valncia pode atravessar a juno da direita para a esquerda; Isto deixa uma lacuna exatamente direita da juno. Esta lacuna no dura muito, ela logo preenchida por um eltron de banda de conduo (trajeto B). Independentemente de onde a recombinao ocorre, o resultado o mesmo. Um fluxo estvel de eltrons de banda de conduo desloca-se em direo juno e preenche as lacunas prximas juno. Os eltrons capturados (agora eltrons de valncia) movem-se para a esquerda formando um fluxo estvel atravs das lacunas da regio p. Fluxo contnuo de eltrons atravs do diodo.

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1.2.12 - BANDAS DE ENERGIA Polarizao Direta
medida que os eltrons livres desaparecem ao longo dos trajetos A e B, eles descem de um nvel mais alto de energia para um outro mais baixo. medida que decaem, irradiam energia na forma de calor e de luz.

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1.2.13 - POLARIZAO REVERSA (1/3)
O semicondutor tipo-n ligado ao terminal + e o semicondutor tipo-p ligado ao terminal ; Qual o efeito produzido pela reverso da polarizao?

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1.2.13 - POLARIZAO REVERSA (2/3) Qual o efeito produzido pela reverso da polarizao? Fora os eltrons livres na regio n a se afastarem da juno em direo ao terminal positivo da fonte; Lacunas da regio p tambm se deslocam da juno para o terminal negativo. Eltrons que saem deixam mais ons positivos prximos juno, e as lacunas ao se afastarem deixam mais ons negativos.

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1.2.13 - POLARIZAO REVERSA (3/3) Camada de depleo fica mais larga. Quanto maior a polarizao reversa, maior torna-se a camada de depleo. A camada de depleo pra de aumentar quando a sua diferena de potencial se iguala tenso da fonte. Bandas de energia: A camada de depleo torna-se maior at que a sua diferena de potencial se iguale tenso da fonte. Quando isto ocorre, os eltrons livres e as lacunas param os seus movimentos.
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1.2.14 - CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS ( 1/2) H alguma corrente depois da camada de depleo para ajustar-se a sua nova largura? Sim, uma corrente muito pequena. Energia trmica cria continuamente um nmero limitado de eltrons livres e de lacunas de ambos os lados da juno (portadores minoritrios). Corrente reversa produzida pelos portadores minoritrios chamada corrente de saturao; O nome saturao se refere que no pode ter mais corrente do que a produzida pela energia trmica.
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1.2.14 - CORRENTE DE PORTADORES MINORITRIOS (2/2)

Aumentando-se a tenso reversa, no haver aumento no nmero de portadores minoritrios criados termicamente; Somente um aumento de temperatura pode aumentar IS; Um diodo de silcio tem um valor de IS muito menor do que um diodo de germnio. Esta uma das razes pelas quais o silcio domina o campo dos componentes semicondutores.

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1.2.15 - CORRENTE DE FUGA SUPERFICIAL Alm da corrente reversa atravs do cristal, h uma corrente pequena na superfcie do cristal. Esta outra componente da corrente reversa chamada corrente de fuga superficial Ela produzida por impurezas da superfcie que criam trajetos hmicos para a corrente. corrente de fuga superficial extremamente pequena..

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1.2.16 - TENSO DE RUPTURA (1/3) Aumento na tenso reversa atingir um ponto de ruptura, chamado tenso de ruptura do diodo. Para diodos retificadores a tenso de ruptura geralmente maior do que 50 V. Atingida a tenso de ruptura, o diodo pode conduzir intensamente. De onde provm subitamente os portadores? Considere um eltron livre produzido termicamente e uma lacuna dentro da camada de depleo. Devido polarizao reversa, o eltron livre empurrado para a direita.
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1.2.16 - TENSO DE RUPTURA (2/3) medida que se desloca, ele ganha velocidade. Quanto maior a polarizao reversa, mais rpido desloca-se o eltron (o que equivale que ele ganha mais energia). Pouco depois o eltron livre pode colidir com um eltron de valncia; Se o eltron livre tiver energia suficiente, ele pode desalojar o eltron de valncia, de modo a formar dois eltrons livres; Os dois podem se acelerar e desalojar outros eltrons de valncia at ocorrer a maior avalanche possvel;
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1.2.16 - TENSO DE RUPTURA (3/3)
Por causa do grande nmero de eltrons livres, o diodo conduzir intensamente e ser danificado pela excessiva potncia dissipada; No se deve permite na maioria dos diodos que cheguem ao rompimento; a tenso reversa atravs de um diodo retificador sempre mantida abaixo da sua tenso de ruptura;

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1.3 - Curva Caracterstica do Diodo 1.3.1 Componentes Lineares
Lei de Ohm: corrente em um resistor proporcional tenso aplicada;

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1.3.1 Componentes Lineares
- Resistor de 500

Reverso da tenso no produz efeito sobre a linearidade Resistor um componente linear componente passivo dissipa potncia bateria componente ativo

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1.3.1 Componentes Lineares

Sistema Linear

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1.3.1 Componentes Lineares
1 Lei de Kirchhoff - Soma de correntes no n

i=0

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1.3.1 Componentes Lineares
2. Lei de Kirchhoff - Soma de tenses na malha

v=0

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1.3.2 Grfico do Diodo
Smbolo esquemtico do diodo retificador Lado p anodo Lado n catodo Polarizao Direta / Reversa com fonte de tenso

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1.3.2 Grfico do Diodo
Smbolo esquemtico do diodo retificador Lado p anodo / Lado n catodo Polarizao Direta / Reversa com fonte de tenso

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1.3.2 Grfico do Diodo

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos
1.5.2 Retificador de Onda Completa (retificador em ponte)

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos
Alguns diodos: SKN 45 - 45 A, 1200 V / 1N4003 1 A, 300 V SK 3/16 3A, 1,6 kV / 1N4937 1A, 700 V

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Captulo 1 Diodos
LEDs Verde Amarelo Vermelho, Ultravioleta, Foto Diodo

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Trabalho 2 - Lista de Exerccios - 3 AL - Para 31/08
/2011 Livro Eletrnica vol.1 - Malvino Edio revisada
Captulo 2
2.4 Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta se a tenso for de 0,7 V e a corrente de 100 mA? 2.5 Faa o grfico VxI de um resistor de 2 k. Marque o ponto onde a corrente de 4 mA. 2.6 Esboce o grfico VxI do diodo de silcio com uma compensao de 0,7V e uma PIV de 50 V. Explique com suas prprias palavras cada parte do grfico. 2.7 Na figura 2.25 a seguir, qual a dissipao de potncia aproximada do diodo se a corrente for de 50 mA? Qual a potncia dissipada quando a corrente for de 10 mA?
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Figura 2.25

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Captulo 1 Diodos
Captulo 2
2.8 Uma fonte de tenso de 8 V leva o diodo a ter um resistor limitador de corrente de 100 . Se o diodo tiver a curva caracteristica da figura 2.25, qual a corrente na extremidade superior da linha de carga? A tenso na extremidade mais baixa na linha de carga? Quais os valores aproximados da tenso e da corrente no ponto Q? Qual a potencia dissipada pelo diodo? 2.9 Repita o exerccio 2.8 para uma resistncia de 200 . Descreva o que acontece com a linha de carga. 2.10 Repita o exerccio 2.8 para uma fonte de tenso de 2 V. Descreva o que acontece com a linha de carga.

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

3.3 -

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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Captulo 1 Diodos

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