FACULDADE DE TECNOLOGIA DE SO PAULO FATEC - SP

CURSO SUPERIOR DE MATERIAIS, PROCESSOS E COMPONENTES ELETRNICOS - MPCE

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES II - DS II

http://www.lsi.usp.br/~bariatto/fatec/ds2 e-mail : bariatto@lsi.usp.br Prof. Marcelo Bariatto

DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES II - DS II

OBJETIVO
! Estudar os aspectos fsicos, tecnolgicos e eltricos associados aos dispositivos semicondutores em silcio, especificamente ao capacitor MOS (Metal xido Semicondutor) e ao transistor MOS.

Aplicaes MOS
TRANSISTOR MOS CCDs

DRAM

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Contedo programtico
! ! ! ! ! ! ! ! ! 1. Apresentao / Reviso 2. Diagrama de Bandas de Energia 2 AVALIAES EM 3. Capacitor MOS SALA (15 MIN.) 4. Regime de cargas no capacitor MOS 5. Regime de cargas no capacitor MOS (cont.) 6. Curva capacitncia x tenso (C-V) 7. PROVA P1 8. Transistor MOS 9. Transistor MOS (cont.)

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Contedo programtico - cont.

! ! ! ! ! ! ! ! ! 10. Regies de operao do transistor MOS 11. Caractersticas Eltricas do transistor MOS 2 AVALIAES EM 12. Tenso de limiar SALA (15 MIN.) 13. Extrao de parmetros eltricos 14. Efeito de canal curto 15. Efeito de perfurao MOS e estrutura LDD 16. Efeito de canal estreito 17. PROVA P2 18. SUBSTITUTIVA/EXAME

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CRITRIO DE AVALIAO
! Provas: P1, P2 ! Mdia:
M=(0,4xP1+0,6xP2) x 0,9 + EX EX = MDIA AVAL. (0 - 1,0)

M < 5,0 C , REPROVADO 5,0 M < 7,0 B, APROVADO 7,0 M < 8,5 A, APROVADO 8,5 M 10,0 E, APROVADO

! Prova substitutiva ! Exame (M+PEX.)/2 TODA MATRIA ! AVALIAO SUBSTITUTIVA

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!Bsica

BIBLIOGRAFIA

Solid State Electronic Devices, Streetman Field Effect Devices - Modular Series on Solid State Devices vol. IV, Robert Pierret Device Electronics for Integrated Circuits, Muller and Kamis

!Complementar
Physics of Semiconductor Devices, Sze Understanding Semiconductor Devices, Dimitrijev

!Internet: http://schof.Colorado.EDU/~bart/book/start.htm
http://jas2.eng.buffalo.edu/applets/

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1. REVISO / SEMICONDUTORES

Metal, semicondutor e isolante

(a) metal (b) semiconductor (c) insulator

small energy gap

large energy gap

Eg (Si) = 1,1 eV Eg (Ge) = 0,67 eV Eg (GaAs) = 1,43 eV

Eg (SiO2) ~ 8 eV T = 300 K

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor (Si)
! Estrutura cristalina - tetradrica

cbica simples cbica de corpo centrado (bcc) (sc)

cbica de face centrada (fcc)

tetradrica

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Propriedades principais
Atoms/cm3 5.0E22 Breakdown field (V/cm) ~3E5 Density (g/cm3) 2.328 Nc (cm-3) 2.8E19 Effective Mass, m*/m0 Electrons m*l 0.98 m*l 0.19 Holes m*eh 0.16 m*hh 0.49 Intrinsic resistivity (-cm) 2.3E5 Lattice constant (A) 5.43095 Linear coefficient of thermal expansion, L/LT(C-1) 2.6E-6 Minority carrier lifetime (s) 2.5E-3 Mobility (drift) (cm2/V-8) 1500 (electron) 450 (hole) Phonon mean free path (A) 76(electron) 55(hole) Atomic Weight Crystal structure Dielectic Constant Nv (cm-3)

Electron affinity, (V) Energy gap (eV) at 300K

28.09 Diamond 11.9 1.04E19

4.15 1.1

Intrinisic carrier conc. (cm-3) 1.45E10

Intrinsic Debye Length (um) Melting point (C) Optical-phonon energy (eV) Specific heat (J/g C) 24 1415 0.063 0.7

Thermal conductivity (W/cmC) 1.5 Thermal diffusivity (cm2/s) 0.9 Vapor pressure (Pa) 1 at 1650C 1E-6 at 900 C

1. REVISO / SEMICONDUTORES

(a)

Diagrama de bandas do Si
+4
n=3 filled electron state empty electron state

(b) Si atom 0 3p
6

(c) Si crystal
conduction band
energy gap

broken covalent bond

Energy (eV)

-5
valence band

EC EV

potential energy

-10 -15 -20

3s

total energy

+4
-0.20 -0.10 0.00 0.10 Distance (nm) 0.20

+4

+4

+4
0.20 0.30

-0.30 -0.20 -0.10 0.00 0.10 Distance (nm)

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Dependncia E(g) = f (T)

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor intrseco
(a) valence electrons covalent bonds

(b)

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4 hole

+4

+4

free electron
+4 +4 +4

+4

+4

+4

T=0K

T>0K

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor intrseco (cont.)

Electric Field
+4 +4 +4 +4 +4 +4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

hole
+4 +4

hole
+4

hole
free electron electron
+4 +4 +4

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Nvel de Fermi
Indica o nvel de energia cuja probabilidade de ocupao 50 % ! Energia de Fermi
mxima energia de um eltron no estado fundamental

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor extrnseco
III +3 B B oron 10.82 13 Al A lu m in u m 26.97 31 Ga G alliu m 69.72 49 In Ind iu m 114.8 5 6 IV +4 C C arb on 12.01 14 Si S ilicon 28.09 32 Ge G erm an iu m 72.60 50 Sn T in 118.7 V +5 7 N N itrogen 14.008 15 P P h osp h oru s 31.02 33 As A rsen ic 74.91 51 Sb A n tim on y 121.8

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor extrnseco (cont.)

+4 +4 +4
+4 +4 +4

+4 positive ion +4

+5 free electron +4

+4

+4 negative ion

+3

+4

+4

+4

+4 hole

+4

N-type doping

P-type doping

1. REVISO / SEMICONDUTORES

Semicondutor extrnseco (cont.)

(a) N-type doping C.B. Eg V.B.

(b) P-type doping

Eg

+4

+5

+4

+4

+3

+4