EE530 Eletrnica Bsica I

Prof. Fabiano Fruett

2A - Fsica Bsica dos Semicondutores Estrutura cristalina
Modelos de banda de energia

Condutores Isolantes Semicondutores

Semicondutor intrnseco e dopado Concentrao de portadores

Gerao e recombinao de portadores Processos de deriva e difuso de portadores

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Introduo:
Desde a inveno do transistor, o estudo da eletrnica tem-se concentrado cada vez mais no projeto e utilizao dos dispositivos semicondutores. Mas o que um semicondutor?

Classificao dos materiais de acordo com sua condutividade:

Condutores (metais) K = [104 107] Sm-1

Semicondutores K = [10-8 104] Sm-1 Isolantes K = [10-18 10-8] Sm-1

Faixa de resistividade tpica

Seo da tabela peridica

Cargas mveis em metais e semicondutores

Metais: Contm um nmero constante de portadores mveis em todas as temperaturas

Semicondutor: Os portadores devem ser ativados para que se tornem livres.

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Clula unitria do silcio (monocristalino)

Bandas de energia (modelo simples)

EC EC EV EC EV EV

CB: Conduction Band VB: Valence Band Eg: Energia de gab (Bandgap)

Silcio intrnseco
O Si intrnseco um semicondutor puro, um cristal abstrato que no conta com nenhum outro tipo de elemento que no seja o principal.

Semicondutor intrnseco

Os eltrons livres encontram-se acima de EC, e os eltrons de ligao abaixo de EV. A energia necessria para a formao dos pares eltron-lacuna EG=EC-EV.
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Semicondutor intrnseco

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Gerao trmica
Recomb.

Ec Gerao Ev

n=p=ni [cm-3]

n a concentrao dos eltrons livres na camada de conduo p a concentrao de lacunas livres na camada de valncia ni a concentrao ou densidade intrnseca de portadores

ni = BT 3 2 e EG /2 kTsendo que:

B um parmetro do material = 5,2 1015 para o silcio k a constante de Boltzmann = 1,38 1023 Joules/K EG=1,12 eV = 1,792 1019 Joules 1 eV= 1,602 1019 Joules T a temperatura absoluta em Kelvin
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Valores de referncia para a concentrao intrnseca

ni = 5.2 1015 T 3/ 2 exp Eg 2 kT ni (T = 300 K) = 1.08 1010 ni (T = 600 K) = 1.54 1015 electrons/cm 3

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Perguntas:
Como se comporta a resistividade de um semicondutor puro (intrnseco) a medida que aumentamos sua temperatura?

Idem para um material condutor?

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Silcio Extrnseco (dopado)

Portadores de carga em um semicondutor

Boro

Alumnio

Glio Indio

III B Al Ga In

Carbono Silcio

Germnio

IV V C Si P Ge As Sb
Fsforo Arseneto Antimnio
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Cristal extrnseco tipo n tipo p

Ion Fixo Positivo N D

Ion Fixo Negativo N A

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Eltrons na faixa de conduo

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Lacunas na faixa de valncia

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Resumo dos tipos de semicondutores com relao aos portadores

Relao vlida para todos: 2 i

np = n

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Densidade de portadores em cada semicondutor

Majority Carriers : p p N A
2 Minority Carriers : nn ni

NA

Majority Carriers : nn N D
2 Minority Carriers : pn ni

ND

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Para calcular a corrente eltrica em um semicondutor, precisamos:

Estimar a quantidade de cargas mveis que esto presentes no material. Analisar o transporte destas cargas mveis atravs do cristal.

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Correntes eltricas nos semicondutores

Corrente de campo (deriva) Corrente de difuso

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Corrente de campo (deriva)

vp = p E
J pder = qpv p = q p pE

vn = n E
J nder = qnvn = q n nE
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Movimento aleatrio de um portador em um semicondutor com e sem um campo eltrico aplicado

A mobilidade diminui com o grau de dopagem (ou contaminao) do semicondutor e com o aumento da temperatura.
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Saturao da velocidade do portador

v =

1+

0 E 0 E
vsat

Qual o impacto deste efeito na eletrnica nanomtrica?

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Corrente de difuso
A Corrente de difuso resulta da diferena de concentrao dos portadores de carga e da difuso trmica aleatria.
Fonte gerando aumento da concentrao de portadores
Ponta quente

Exemplo:

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Corrente de difuso
A Corrente de difuso resulta da diferena de concentrao dos portadores de carga e da difuso trmica aleatria.
J pdif = qD p p( x, y, z )

J ndif = qDn n(x, y, z )

Dp e Dn so os coeficientes de difuso das lacunas e dos eltrons, respectivamente

Dn = Dp = k BT = VT = Tenso Termodinmica q
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Difuso com perfil linear e no linear

dn dx dn I = AqDn dx N I = AqDn L J n = qDn

n( x) = N exp

x , Ld

sendo que Ld que uma constante J n = qD dn qDn N x = exp dx Ld Ld

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Corrente Total
J n = qnn E + qDn dn dx
J P = qp p E qD p dp dx

A corrente total a soma das densidades de corrente dos eltrons e das lacunas multiplicada pela rea A, que perpendicular a direo do fluxo dos portadores:
I total = A ( J n + J p )
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Sugesto de estudo
Razavi, seo 1.1 at 2.1 incluindo exerccios Sedra/Smith seo 3.3.1 com exerccios Para saber mais: H. A. Mello e R.S. Biasi, Introduo Fsica dos semicondutores MEC1975
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FIM

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