Universidade Federal da Paraba

Centro de Cincias e Tecnologia

Graduao em Engenharia Eltrica
Aostila
ara a discilina
!isositivos "emicondutores
5
#
Elmar U$e %urt &elcher
Camina Grande' () de *unho +,,-
(
Introduo
. ob/etivo desta aostila assistir ao aluno no acomanhamento
das aulas' na reviso da matria em casa' e na rearao de relat0rios e
rovas1
Esta aostila no ode nem deve tentar substituir nem as aulas
nem os livros recomendados ara a matria1
.s livros recomendados' 2ue 3oram tambm usados ara a
rearao desta aostila' so4
5+6 "1&1 "7e' Physics of Semiconductor Devices' segunda edio' *ohn
8ile9 : "ons' +,;+
5#6 "ergio &1 <e7ende' A Fsica de Materiais e Dispositivos
Semicondutores' Editora da Universidade Federal de Pernambuco'
+,,=
5(6 <ichard "1 &ueller' Theodore >1 %amins' Device Electronics for
Integrated Circuits' Addison?8esle9' +,,(
!eterminados temas ane@os 2ue so tratados brevemente em sala
de aula' como comortamento transiente e rudo' e3eito de avalanche no
diodo' transistor &."FET sub?micrAnico' e@emlos e alicaBes' bem como
3abricao de disositivos no esto includos nesta rimeira verso da
aostila1
A aostila deveria conter um guia de laborat0rio' sobre e@trao de
arCmetros ara o modelo Ebers &oll e sobre o la9out de um inversor C&."'
mas a in3ra?estrutura instDvel do laborat0rio disonvel ara cursos de
graduao imossibilita um lane/amento destas aulas de laborat0rio e
obriga ro3essor e aluno a 3a7er novas imrovisaBes a cada semestre1 Assim
2ue o laborat0rio estiver 3uncionando normalmente' um guia de laborat0rio
serD acrescentado a esta aostila1
5
10
15
20
25
E
1. Fsica e propriedades de
semicondutores
2. Eltrons num tomo isolado e num cristal
A energia de um eltron livre no esao FvDcuoG corresonde
somente a sua energia cintica1 Como a velocidade do eltron ode ter
2ual2uer valor entre 7ero e in3inito' no hD 2ual2uer condio 2ue restrin/a o
valor da energia1
A e2uao de "chroedinger mostra 2ue eltrons cu/o movimento
con3inado a uma regio limitada do esao s0 odem ocuar estados de
energia discreta' ou se/a' tm energia 2uanti7ada1 A energia do eltron no
Dtomo de hidrognio tambm 2uanti7ada1 Ho modelo de Iohr' cada nvel
discreto de energia corresonde a uma circun3erncia em volta do nJcleo1
Ho caso do Dtomo de hidrognio' a energia dada or4
( )
E
mq
n
n

4
2
0
2
2
2 4
FG
. nvel 7ero ara a energia de3inido or um eltron livre no
esao em reouso Fvelocidade 7eroG1
"ubstituindo as constantes odemos e@rimir a energia em eV'
E
eV
n
n

13 6
2
,
FG
5
10
15
K
A unidade eL corresonde a energia de um eltron com otencial
eltrico de + Lolt1 A unidade eL mais aroriada ara o mundo atAmico 2ue
a unidade convencional da energia' o Joule1 A relao entre as unidades
+ eL M +'=,E?+, * FG
Hum Dtomo com muitos eltrons' os vDrios eltrons so distribudos
nos nveis de menor energia ossvel' obedecendo ao Princio de E@cluso
de Pauli1 Como o eltron dotado de sin' cada nvel de energia comorta
dois eltrons com sins oostos1
A ergunta 2ue 3a7emos agora ento4 como so modi3icados os
nveis de energia dos eltrons 2uando aro@imamos um grande nJmero de
Dtomos ara 3a7er um cristalN
. roblema 2uCntico muito mais comlicado do 2ue num Dtomo
isolado' ois os eltrons de cada Dtomo so su/eitos O interao com os
Dtomos vi7inhos1 Um e@licao do 2ue ocorre a seguinte4 Ao tra7ermos um
Dtomo isolado ara r0@imo de outro' os nveis de energia de cada um so
erturbados levemente ela resena do vi7inho or2ue eles no odem
manter nveis de energia iguais or causa do Princio de Pauli1 "e
aro@imarmos um grande nJmero de Dtomos' teremos um grande nJmero de
nveis de energia r0@imos uns dos outros' 3ormando uma banda de
energia 2uase contnua1
Condutores, Isoladores e
emicondutores
Hum cristal com eltrons' o estado 3undamental FTM)%G obtido
reenchendo os nveis de menos energia de modo a ter somente um eltron
em cada estado1 Pogo' em um cristal a TM)%' hD vDrias bandas cheias com
eltrons' sendo a Jltima necessariamente cheia or comleto ou ela
metade1 As roriedades de conduo do cristal deendem
3undamentalmente do 3ato da Jltima banda estar cheia ou no1
5
10
15
20
25
=
A conduo eltrica em bandas de energia ode ser entendida
usando uma analogia com Dgua dentro de um tubo 3echado dos dois lados4
2uando o tubo nao contm nenhuma Dgua' obviamente no ode ter 3lu@o de
Dgua1 "e o tubo estD arcialmente cheio' e uma arte do tubo levantado a
Dgua 3lui ara a arte mais bai@a1 Quando o tubo estD comletamente cheio'
no se observa 3lu@o de Dgua mesmo 2uando uma arte do tubo levantado1
.s isolantes' isto ' materiais 2ue no condu7em corrente eltrica'
so cristais 2ue tm a Jltima banda comletamente cheia1 Ho ode ter 3lu@o
de eltrons nesta banda1
.s materiais condutores' tambm chamados metais' so os 2ue
tm a Jltima banda semi?cheia1
Em um cristal isolador' somente na temeratura TM)% a Jltima
banda' chamada banda de valncia estD comletamente cheia1 Quando a
temeratura maior 2ue 7ero' eltrons da banda de valncia odem ganhar
energia su3iciente ara atingirem a banda seguinte' chamada banda de
conduo' 2ue estava va7io a TM)%1 A assagem de eltrons ara a banda
de conduo dei@am na banda de valncia estados 2ue se comortam como
ortadores de carga eltrica ositiva' chamado lacunas ou buracos1
A condutividade do material deende do nJmero de eltrons 2ue
assam ara a banda de conduo1 Este nJmero tanto maior 2uanto maior
3or a temeratura e 2uanto menor 3or a energia 2ue seara as duas bandas1
Esta energia reresentada or E
g
' onde o ndice g vem da alavra gap' 2ue
signi3ica intervalo' em ingls1 .s materiais 2ue so isoladores a TM)% mas
2ue tm E
g
relativamente e2ueno' da ordem de +eL ou menos' O
temeratura ambiente tm condutividade e or isso so chamados
semicondutores1
emicondutores intrnsecos e
e!trnsecos
5
10
15
20
25
-
Um semicondutor intrnseco de3inido elo 3ato 2ue a sua
condutividade vm dele r0rio1 Por e@emlo' se 3alamos de silcio intrnseco'
as cargas livres caa7es de condu7ir corrente eltrica vem e@clusivamente de
Dtomos de silcio1 Assim sendo' um semicondutor intrnseco muito uro e
raticamente no contm imure7as1
Ho semicondutor e@trnseco as cargas livres odem vir tambm de
Dtomos aliengenas' as chamados imure7as1 Estas imure7as' semre em
e2uena concentrao' introdu7em seus r0rios nveis de energia dentro do
diagrama de 3ai@as de energia do semicondutor1
Para 2ue um Dtomo de imure7a ossa alterar a concentrao de
cargas livres' um de seus nveis de energia deve se situar dentro da 7ona
roibida do semicondutor1 E@istem duas ossibilidades ara isso1
2.1.1. emicondutor tipo n
A rimeira ossibilidade e@iste na introduo de um novo nvel de
energia E
!
erto do nvel E
C
1 . nvel E
!
chamado de nvel doador e deve ser
releto de eltrons1 A imure7a 2ue ossui um tal nvel se chama imure7a
doadora1
"e o nvel E
!
3ica erto do nvel E
C
' necessDrio ouca energia ara
2ue um eltron asse do nvel E
!
ara o nvel E
C
1 R temeratura normal
2uase todos os eltrons do nvel E
!
assam ara o nvel E
C
e a concentrao
dos eltrons livres aumenta sensivelmente1
Ha transarncia T+ encontram?se vDrios elementos 2ue odem
servir de imure7a doadora ara o silcium4 Pithium' Sinc' F0s3oro' I0ron' etc1
2.1.2. emicondutor tipo p
A segunda ossibilidade de criar mais ortadores de cargas livres
consiste na introduo de um novo nvel E
A
erto do nvel E
L
1 >sso ossvel
5
10
15
20
25
;
com imure7as de I0ron' Aluminium' Gallium' >ndium' etc1 Fver transarncia
T+G1
Para 2ue as imure7as tenham o e3eito dese/ado' o nvel E
A
deve
ser va7io ara oder aceitar eltrons1 Estas imure7as se chamam
aceitadores1
Pela e2uena distCncia entre E
L
e E
A
' muitos eltrons odem sair da
3ai@a de valncia e atingir o nvel E
A
' aumentando assim a concentrao de
lacunas Fcargas ositivasG na banda de valncia1
Tanto os eltrons na banda de conduo como as lacunas na banda
de valncia odem se mover ? eles esto livres1 Em seguida calculamos os
valores de n e 1
!e3inimos4
n concentrao de eltrons livres'
concentrao de lacunas livres1
Para isso' introdu7imos a 3uno de distribuio de Fermi?!irac 2ue
descreve a robabilidade 2ue um eltron ossa ter um determinado valor de
energia E4 Fver transarncia T(FaGG
F E
E E
kT
F
( )
exp

+

1
1
FG
onde
E
F
energia de Fermi'
T constante de Iolt7mann'
T temeratura absoluta
Ao analisar a 3uno observamos 2ue ara valores elevados de
energia a robabilidade muito e2uena en2uanto a robabilidade ara
valores bai@os de energia assa a se aro@imar a +1 A robabilidade 2ue um
5
10
15
20
25
,
eltron tenha a energia EME
F
e@atamente +U#1 A temeratura determina a
inclinao do grD3ico da 3uno no onto EME
F
4 ara TM) a 3uno FFEG assa
a ser um degrau' sendo 2ue no e@iste neste caso eltrons com energia
maior 2ue E
F
1
Alm da distribuio de Fermi?!irac' a concentrao de eltrons
deende tambm das 3ai@as de energia do cristal do semicondutor1 !entro da
3ai@a de conduo' a densidade dos nveis de energia HFEG varia
aro@imadamente con3orme a 3uno seguinte4
N E M
E E
m
c
C
e
( )

2
2 3
3 2

FG
onde
&
c
constante de valor inteira deendente do tio do
cristal
m
e
massa e3etiva de um eltron1
Para obter a concentrao de eltrons' temos 2ue combinar a
robabilidade de um eltron ter uma determinada energia com a densidade
de nveis de energia' isto ' a densidade de lugares disonveis ara eltrons1
Assim temos a concentrao de eltrons em 3uno da energia4 Fver
transarncia T(FaGG
n E F E N E ( ) ( ) ( )
FG
Para obter a concentrao de eltrons em toda a banda de
conduo necessDrio calcular o integral4
n F E N E E
E
C

( ) ( ) d
FG
Quando E
C
?E
F
VV TT' o integral ode ser aro@imado or
5
10
15
20
+)
n N
E E
kT
C
F C

exp
FG
onde
N
m kT
h
M
C
e
C

_
,
2
2
2
3 2

FG
!a mesma maneira ossivel determinar a concentrao de
lacunas4
p N
E E
kT
V
V F

exp
FG
&ultilicando as e2uaBes FG e FG obtemos
np N N
E
kT
C V
g

exp
FG
Como E
g
uma constante' ercebemos 2ue o roduto das
concentraBes de eltrons e lacunas livres O temeratura 3i@a semre uma
constante1
2.1.". # n$el de Fermi no semicondutor
intrnseco
Hum semicondutor intrnseco' um eltron 2ue recebe a energia
necessDria ode assar da banda de valncia ara a banda de conduo'
dei@ando uma lacuna na banda de valncia1
!e3inimos4
n
i
concentrao intrnseca de eltrons livres'

i
concentrao intrnseca de lacunas livres1
Como a criao de um eltron livre semre resulta tambm na
criao de uma lacuna livre' temos no caso do semicondutor intrnseco4
n
i
p
i
FG
5
10
15
20
++
Usando e2uao FG chegamos a uma relao muito imortante ara
as concentraBes de cargas livres4
np n
i
!
FG
Usando novamente FG consegue?se calcular n
i
4
n N N
E
kT
i C V
g

exp
FG
A concentrao intrnseca cresce com aumento da temeratura1
. valor de n
i
ara silcio a temeratura normal de +'EKE+)Ucm
(
1
Este valor e@tremamente e2ueno se comarado a concentrao de
Dtomos no cristal de silcio4 KE##Ucm
(
1
A energia de Fermi associado a concentrao intrnseca obtido a
artir das e2uaBes FG' FG' e FG
E
E E kT N
N
i
C V V
C

+
+
2 2
ln
FG
Como H
C
e H
L
tm valores r0@imos e TTWWXE
C
YE
L
X odemos
aro@imar
E
E E
i
C V

+
2
FG
>sto signi3ica 2ue a energia de Fermi de um semicondutor intrnseco
situada no centro da banda roibida1
2.1.%. # n$el de Fermi no semicondutor tipo n
Quando imure7as so introdu7idas no semicondutor' o nvel de
Fermi deve se adatar ara reservar a neutralidade de carga1 Ho caso
reresentado na transarncia T(FbG' imure7as na concentrao H
!
so
introdu7idos no semicondutor1 Tambm no caso do semicondutor e@trnseco'
5
10
15
20
+#
o roduto n ainda dado ela e2uao F+(G1 Para temeraturas normais'
2uase todos os Dtomos doadores e aceitadores so ioni7ados e a e2uao de
neutralidade de cargas ode ser aro@imada como4
n N p N
A D
+ +
FG
E2uaBes F+(G e F+-G odem ser combinadas ara obter a
concentrao de lacunas e eltrons num semicondutor tio n4
( ) ( ) n N N N N n N
n D A D A i D 0
2
2
1
2
4 + +

_
,

FG
se
N N n
D A i
>>
e
N N
D A
>>
1
Assim' o nvel de Fermi dado or
E E kT
N
N
kT
n
n
E
F C
C
D
n
i
i
+ ln ln
0
FG
2.1.&. # n$el de Fermi no semicondutor
e!trnseco
!e 3orma geral' as concentraBes de cargas livres' eltrons e
lacunas' num semicondutor tio n ou tio ' odem ser obtidas atravs do
mesmo nvel de Fermi4
n n
E E
kT
i
F i

exp
FG
p n
E E
kT
i
i F

exp
FG
Hum semicondutor tio n' o nvel de Fermi acima do nvel
intrnseco e num semicondutor tio o nvel de Fermi abai@o do nvel
intrnseco1
Heste catulo vimos as relaBes 2ue e@istem dentro de um
semicondutor entre as concentraBes de cargas livres e os nveis de energia1
5
10
15
20
+(
Para oder entender o 3uncionamento de disositivos semicondutores'
recisamos tambm das e2uaBes bDsicas 2ue relacionam distribuio de
carga' camo' otencial e corrente eltrica1
E'ua(es bsicas para dispositi$os
semicondutores
As e2uaBes bDsicas ara disositivos semicondutores descrevem o
comortamento estDtico e dinCmico de ortadores de carga nos
semicondutores sob a in3luncia de camos e@ternos 2ue rovocam uma
alterao artindo da condio de e2uilbrio1 As e2uaBes bDsicas odem ser
classi3icadas em trs gruos4 e2uaBes de &a@$ell' e2uaBes de densidade
de corrente' e e2uaBes de continuidade1
2.1.). E'ua(es de *a!+ell para materiais
,omog-neos
E
I
t
FG
+ Z
!
t
J J
cond tot
FG
! ( , , ) x y z
FG
I 0
FG
I Z
0
FG
! E ( , ) ( ) ( , ) r r d t t t t t
S
t

FG
A e2uao FG 3ica redu7ida a !ME ara 3re2uncias abai@o da
ordem dos +)
+#
Z71 E e ! so o camo eltrico e a induo eltrica[ Z e I so
o camo magntico e a induo magntica[ e so a ermissividade e a
5
10
15
20
+E
ermeabilidade[ F@'9'7G a densidade de carga e * a densidade de
corrente1 Entre as seis e2uaBes acima' a mais imortante ara o tema desta
discilina a e2uao de Poisson FG1
2.1... E'ua(es de densidade de corrente
J q n qD n
n n n
EY
FG
J q p qD p
p p p
E
FG
J J J
cond n p
+
FG
*
n
a densidade de corrente de eltrons e *

a densidade de
corrente de lacunas1 Estas comonentes so 3ormados elo comonente
devido ao camo eltrico e elo comonente devido ao gradiente de
concentrao' resectivamente1 A condutividade dada atravs das
mobilidades
n
de eltrons e

de lacunas1 A mobilidade de eltrons

semre maior 2ue a mobilidade de lacunas1 As constantes de di3uso !
n
e !

so dadas ela relao de Einstein
D kT q
1
Para o caso uni?dimensional' e2uaBes FG e FG redu7em?se ara4
J q n qD
n
x
q n
kT
q
n
x
n n n n

_
,

EY EY
FG
J q p qD
p
x
q p
kT
q
p
x
p p p p

_
,

E E
FG
Estas e2uaBes so vDlidas ara camos eltricos 3racos1 Para
3ortes camos' os termos
n
E e

E devem ser substitudos ela velocidade

de saturao v
s1
>nserindo e2uao F#)G em e2uao F(+G obtemos uma roriedade
muito imortante da condio de e2uilbrio' isto ' 2uando o 3lu@o de
5
10
15
20
+K
corrente nulo1 Calculamos rimeiro o gradiente de concentrao a artir de
F#)G'

n
x
n
kT
E
x
E
x
F i

_
,

FG
. camo eltrico dado or
E( ) x
V
x q
E
x
i

1
FG
inserindo F((G e F(EG em F(+G'
J n
E
x
n
E
x
n
E
x
n n
i F i
+

_
,

FG
/o e'uilbrio a corrente nula' ento o gradiente do nvel de
Fermi tambm deve ser nulo' ou se/a, o n$el de Fermi constante1
J n
E
x
n n
F

0
FG
2.1.0. E'ua(es de continuidade

n
t
G U
q
J
n n n
+
1
FG

p
t
G U
q
J
p p p

1
FG
onde G
n
e G

so a ta@a de gerao de eltrons e lacunas causadas

or in3luncia e@terna como e@citao 0tica com 30tons de alta energia ou
ioni7ao or imacto com camo eltrico muito 3orte1 A ta@a de
recombinao de eltrons num semicondutor U
n
e ode ser aro@imado
ela e@resso Fn

?n
o
GU
n
' onde n

a densidade de ortadores minoritDrios'

5
10
15
+=
n
o
a densidade de ortadores minoritDrios em e2uilbrio e
n
a durao de
vida dos eltrons1 Uma e@resso similar vale ara lacunas1
Para o caso uni?dimensional' e2uaBes FG e FG so redu7idas ara4

n
t
G
n n
n
x
n
x
D
n
x
p
n
p po
n
p n n
p
n
p


+ + +
E
E
2
2
FG

p
t
G
p p
p
p
x
p
x
D
p
x
n
p
n no
n p p
n
p
n


+
E
E
2
2
FG
1 2uno pn
A /uno n de grande imortCncia tanto em alicaBes de
eletrAnica como na comreenso de outros disositivos semicondutores1 A
teoria bDsica das /unBes n 3oi estabelecida or 8illiam "chocTle91
1 regio de depleo
Ha /uno real' a variao da concentrao de imure7as na
3ronteira gradual1 Entretanto' ara simli3icar o roblema' vamos suor 2ue
a /uno abruta' isto ' a di3erena das concentraBes' H
!
?H
A
' varia
bruscamente de um valor constante e negativo em @W) Fregio G ara um
valor constante e ositivo em @V) Fregio nG1
Por causa do e@cesso de eltrons livres do lado da regio n' e@iste
uma tendncia destes eltrons assar ara o lado da regio onde tem
muito ouco eltrons livres1 Este e3eito cria uma 7ona de carga ositiva do
lado da regio n e uma 7ona de carga negativa do lado da regio 1 Estas
cargas oostas criam um camo eltrico 2ue tende di3icultar a assagem de
eltrons1 Assim um e2uilbrio se cria na 7ona de /uno1 . camo eltrico se
mantm atravs de um otencial eltrico 2ue se re3lete no diagrama de
bandas de energia1
5
10
15
20
+-
Hos /D sabemos 2ue no caso de e2uilbrio o nvel de Fermi no
diagrama de bandas de energia constante1 Para manter o nvel de Fermi
constante atravs da /uno' as energias de valncia de conduo devem se
curvar1 Esta curvatura corresonde recisamente a curva do otencial
eltrico causada elo camo eltrico mencionado acima' ver transarncia
TE1
Para oder calcular a concentrao de carga' o camo eltrico e o
otencial simli3icamos o roblema suondo 2ue numa determinada 7ona ou
todos os Dtomos de imure7a so ioni7ados ou nenhum ioni7ado1 Esta
aro@imao se chama depleo completa1
Assim temos4
( )
;
;
;
x
q N x x
q N x x
x
A p
D n

< <
<

'

0
0
0 outros
FG
A 7ona entre ?@

W@W@
n
no contem cargas livres1 Por isso ela se
chama 3ona de depleo1

E
x
x
S

( )
FG
( )
E
E
( )
;
;
x
q
N
x x x x
q
N
x x x
A
S
p p
m
D
S
n

+ < <
+ <

'

0
0
FG
onde
E
m
D
S
n
A
S
p
q
N
x q
N
x

V
x
x E( )
FG
5
10
15
+;
( )
( )
V x
q N
x x x x
V
q N
x x x x
A
S
p p
bi
D
S
n n
( )
;
;

+ < <
<

'

2
0
2
0
2
2

FG
onde
( )
V
q
N x N x
bi
S
A p D n
+
2
2 2

FG
. otencial L
bi
ode ser determinado tambm a artir do diagrama
de bandas de energia'
( ) ( ) V E E E E
bi i F
x x
i F
x x
p n
+
< >
FG
ou
V
kT
q
N
n
kT
q
N
n
kT
q
N N
n
bi
A
i
D
i
A D
i
+ ln ln ln
2
FG
Comarando as e2uaBes FG e FG obtemos a largura 8 da 7ona de
deleo4
W x x
q
N N
N N
V
kT
q
N N
N N
N N
n
n p
S A D
A D
bi
S A D
A D
A D
i
+
+

+ 2 2
2 2

ln
FG
A 7ona de deleo no contem cargas livres e ento no condu7 a
corrente eltrica1 Ela atua como um isolador entre dois condutores' 3ormando
um caacitor cu/a caacitCncia or Drea ode ser calculada a artir de 84
C
d
dV W
S
'

FG
Quando se alica uma tenso e@terna ao disositivo' ela se subtrai
do otencial interno L
bi
1 Assim a largura da 7ona de deleo e a
caacitCnica so modi3icadas4
5
10
15
+,
( ) W
q N N
V V
S
A D
bi
+

_
,
t
2 1 1
FG
C
q N N V V
S A D bi
' +

_
,

_
,

2 1 1 1
1
2

FG
Quando o valor de L se aro@ima ao valor de L
bi
' a 7ona de
deleo tende a desaarecer e a condio de e2uilbrio no e@iste mais' ou
se/a' deve surgir uma corrente eltrica1
Caracterstica corrente4tenso
Usaremos as seguintes simli3icaBes ara obter a caracterstica de
corrente4
+G a aro@imao de deleo comleta
A 2ueda de otencial ocorre numa 7ona de cargas esaciais bem
de3inidas' 3ora desta 7ona o otencial constante1
#G a aro@imao de Iolt7mann
As di3erenas de concentraBes de cargas livres tem relao
e@onencial com a di3erena de nveis de energia corresondente1
(G a suosio de in/eo 3raca
As concentraBes de cargas minoritDrias indu7idas 3icam semre
abai@o das concentraBes de cargas ma/oritDrias1
EG na 7ona de cargas esaciais no e@iste gerao de corrente
As corrente de eltrons e lacunas atravessam inalteradas a 7ona de
cargas esaciais 3i@as1
Fora do e2uilbrio' a e2uao nMn
i
#
no vDlida1 . Jnico nvel de
Fermi 2ue era vDlido ara eltrons e lacunas se seara em dois4 um nvel E
Fn
ara eltrons e um nvel E
F
ara lacunas1 Assim as concentraBes so dadas
or4
5
10
15
20
#)
n n
E E
kT
i
Fn i

exp
FG
p n
E E
kT
i
i Fp

exp
FG
!e3inimos4

E
q
i
'

n
Fn
E
q

' e

p
Fp
E
q

Fver transarncia TKG ara
escrever
( )
n n
q
kT
i
n

exp

FG
( )
p n
q
kT
i
p

exp

FG
. roduto n assa a ser4
pn n
E E
kT
i
Fn Fp

2
exp
FG
ou4
( )
pn n
q
kT
i
p n

2
exp

FG
Para olari7ao direta temos E
F
?E
Fn
V) e nVn
i
#
e ara olari7ao
reversa E
F
?E
Fn
W) e nWn
i
#
1
Agora calculamos as concentraBes minoritDrias' isto ' das lacunas
do lado n e das eltrons do lado 1 Teremos de resolver a e2uao de
continuidade'

n
t
G
n n
n
x
n
x
D
n
x
p
n
p p
n
p n n
p
n
p


+ + +
0
2
2
E
E
FG
Para o lado ' sem camo eltrico' ela se aresenta como4
5
10
15
#+
0
0
2
2


+
n n
D
n
x
p p
n
n
p

FG
Precisamos de duas condiBes de contorno ara resolver esta
e2uao1 A rimeira condio de contorno 4
n x n
p p
( )
0
FG
A segunda condio de contorno odemos calcular no onto @M?@
1

Para isso recisamos conhecer os otenciais

e
n
na /uno1
Pembramos a e2uao F#=G4
J q n
kT
q
n
x
n n
+

_
,

E
FF#=GG
calculamos a derivada da concentrao de eltrons a artir da
e2uao FG
( ) ( )

n
x
n
q
kT
q
kT x
qn
kT x x
i
n n n

_
,
exp

FG
e substitumos o camo eltrico elo gradiente do otencial
obtendo
J q n
x
q
kT
q
qn
kT x x
n n n
n
+

_
,

_
,

FG
J q n
x
n n
n

FG
"uomos 2ue a densidade de corrente no varia dentro da /uno'
mas sabemos 2ue a concentrao de eltrons varia de vDrias ordens de
grande7a1 >sso somente ossvel se o gradiente do otencial

aro@ima
se de 7ero na mesma rooro 2ue n aumenta1 >sso signi3ica 2ue

5
10
15
##
raticamente constante1 Para
n
vale o mesmo raciocnio1 Em conse2uncia
odemos escrever 2ue
V
p n

FG
e alicar e2uao FG1 Agora ossvel determinar ara @M?@

n p n
V
kT
p p i

2
exp
FG
n
n
p
V
kT
p
i
p

2
exp
FG
Com
p x x p
p p p
( )
0
e
n p n
p p i 0 0
2

'
n x x n
qV
kT
p p p
( ) exp
0
FG
Assim a soluo de e2uao FG dada or4
n n n
qV
kT
x x
!
p p p
p
n

_
,

+
0 0
1 exp exp
FG
onde
! D
n n n

1
"uondo ausncia de camo eltrico ara
x x
p

' a corrente de
eltrons obtida a artir da e2uao FG1
J qD
n
x
qD n
!
qV
kT
n n
p
x x
n p
n
p

_
,

0
1 exp
FG
"imilarmente obtemos a corrente de lacunas ara @M@
n
4
J qD
p
x
qD p
!
qV
kT
p p
n
x x
p n
p
n

_
,

0
1 exp
FG
onde
! D
p p p

1
5
10
15
#(
!e acordo com a suosio inicial numero EG' *
n
F@M@
n
G M *
n
F@M?@

G1
Assim ermitido adicionar as e2uaBes FG e FG ara obter a corrente
comleta atravessando o diodo4
J J J J
qV
kT
n p S
+

_
,
exp 1
FG
com
J
qD p
!
qD n
!
S
p n
p
n p
n
+
0 0
A e2uao FG a 3amosa e2uao de "chocTle9 2ue reresenta a
caracterstica de um diodo ideal1
# transistor bipolar
A inveno do transistor biolar no ano +,E- or uma e2uie dos
Iell Paboratories reresenta um dos maiores avanos na eltrAnica or2ue
era o rimeiro disositivo semicondutor ativo 2ue substituia a vDlvula triodo1
Con5igura(es do transistor bipolar
. transistor biolar comosto de trs camadas de tios de
doagem oostas1 Assim e@istem dois tios de transistores biolares4 tio
nn e tio n1 Cada camada e2uiada de um contato' chamados emissor'
"ase' e coletor1
Com estes trs contatos' o transistor ode ser usado dentro de um
circuito eltrico em trs con3iguraBes4 base comum' emissor comum e
coletor comum Fver transarncia T-G1 Pela maior 3acilidade' usaremos a
con3igurao de base comum ara derivar as caractersticas do transistor
biolar1
Caracterstica de corrente do transistor
pnp
5
10
15
20
#E
Para calcular as correntes no transistor alicamos a e2uao de
continuidade na regio de emissor' base' e coletor' da mesma maneira como
no caso da /uno n simles4

2
2
0
n x
x
n x n
D
x x
E
E E
E
( ) ( )
;

<
FG

2
2
0 0
p x
x
p x p
D
x W
"
" "
( ) ( )
;

< <
FG

2
2
0
n x
x
n x n
D
x x
C
C C
C
( ) ( )
;

>
FG
As = condiBes de borda ara resolver o sistema de trs e2uaBes
di3erenciais so4
n x n
E
( )
FG
n x n n
qV
kT
E E E
E"
( ) exp

_
,

1
FG
p p p
qV
kT
" "
E"
( ) exp 0 1

_
,

FG
p W p p
qV
kT
" "
C"
( ) exp

_
,

1
FG
n x n n
qV
kT
C C C
C"
( ) exp

_
,
1
FG
n x n
C
( )
FG
Pelo mesmo caminho usado ara o cDlculo da corrente do diodo' a
soluo das e2uaBes de continuidade nos levam as correntes de emissor e
coletor4
5
10
15
#K
( ) ( )
p x p
p W p p p e
W !
e
p W p p p e
W !
e
p#$# x W
"
" "
W !
"
x !
" "
W !
"
x !
"
"
"
"
( )
( ) ( )
( )
( ) ( )
( )

_
,

_
,

< <

0
2
0
2
0
sinh sinh
FG
( )
( )
n x
n n x n
x x
!
x x
n n x n
x x
!
x x
E E E
E
E
E
C C C
C
C
C
( )
( ) exp ;
( ) exp ;

+
+
<
+

<

'

FG
com
! D
" " "


! D
C C C


! D
E E E

J J J qD
p x
x
qD
n x
x
E p
x
n
x x
"
x
E
x x
E
E
+

0
0

( ) ( )
FG
J q
D p
! W !
q
D n
!
qV
kT
q
D p
! W !
qV
kT
E
" "
" "
E E
E
E" " "
" "
C"
+

_
,

_
,

_
,

1
1
1
1
tanh( )
exp
( )
exp
sinh
FG
J J J qD
p x
x
qD
n x
x
C p
x W
n
x x
"
x W
C
x x
C
C
+

( ) ( )
FG
J q
D p
! W !
q
D n
!
qV
kT
q
D p
! W !
qV
kT
C
" "
" "
C C
C
E" " "
" "
C"
+

_
,

_
,

_
,

1
1
1
1
sinh( )
exp
( )
exp
tanh
FG
A di3erena entre estas duas correntes aarece como a corrente de
base4
% AJ AJ
" E C

FG
onde A a Drea da /uno1
Ao e@aminar as e2uaBes FG e FG ercebemos 2ue cada uma delas
comosto de dois termos semelhantes a e2uao de "chocTle9' um termo
com a olari7ao L
IE
e o outro com a olari7ao L
IC
1 A2ui ercebemos o
e3eito r0rio ao transistor4 a corrente de uma /uno n deende tambm
da olari7ao na outra /uno1 Porm' isso s0 ocorre 2uando o 2uociente
5
10
15
#=
8UP
I
tem um valor e2ueno' isto ' 2uando a largura da regio de base 8
e2ueno1
6an,o de corrente
Quando um transistor n olari7ado no regime ativo' a corrente
de emissor consiste de duas comonentes' a comonente de lacunas
>
E
MA*
P
F@M)G vindo ara base e a comonente de eltrons >
nE
MA*
n
F@M@
E
G
saindo da base no emissor1 A corrente de coletor tambm consiste de dois
comonentes' >
C
MA*

F@M8G e >
nC
MA*
n
F@M@
C
G1 Estas correntes aarecem nas
e2uaBes FG e FG1
. ganho de corrente ara a con3igurao base comum'
)
' tambm
chamado h
FI
' de3inido como

0
h
%
%
F"
C
E
FG

0

%
%
%
%
%
%
M
pE
E
pC
pE
C
pC
T
FG
. rimeiro destes termos' chamado de e3icincia do emissor ,
T
chamado de 3ator de transorte da base' e & o 3ator de multilicao1
Abai@o da tenso de avalanche temos &M+1
. 3ator de transorte ode ser aro@imado

T
p
p "
J x W
J x W !

( )
( ) cosh( ) 0
1
FG
Para 8WP
I
U+)' )1,,KW
T
W+' ou se/a'

0

'

_
,

J x W
J
n
p
D
D
!
!
p
E
E
"
E
"
"
E
( )
1
1
FG
5
10
15
20
#-
. ganho de corrente na con3igurao de emissor comum de3inido
como4

0
h
%
%
FE
C
"
FG
Hota 2ue
)
e
)
so ligados or

0
0
0
1

FG
ento'
h
p
n
D
D
!
! W !
p
n W
N
N W
FE
"
E
"
E
E
"
"
"
E
E
"

1
1 1 1
tanh( )
FG
Assim odemos ver 2ue um bom transistor com alto 3ator de
amli3icao deve ter 8 e2ueno e doagem 3orte no emissor1
Cur$as caractersticas
Transarncia T; mostra as caractersticas de sada ara a
con3igurao base comum e T+) a con3igurao emissor comum1 Para a
con3igurao base comum' a corrente de coletor raticamente igual a
corrente de emissor F
)
\+G indeendente de L
CI
1 Ha con3igurao emissor
comum' transarncia T+)' ercebemos 2ue o ganho de corrente muito
grande e 2ue a corrente aumenta com L
CE
1 A saturao ouco e@ressiva em
con3igurao emissor comum devido a uma diminuio da largura e3etiva
de base e um aumento de
)
com L
CE
e se chama de e3eito Earl91 A tenso L
A
onde se encontram as tangentes das curvas chamada de tens#o de Early1
*odelo Ebers4*oll
. ob/etivo de um modelo de descrever certos asectos do
comortamento de um ob/eto real' dentro de um determinado domnio de
5
10
15
20
#;
alicao1 . modelo ode ser usado ara rever o comortamento de um
ob/eto e@istente ou de um ob/eto ainda a ser con3eccionado1 . uso de um
modelo ou de um con/unto de modelos ara este 3im se chama simulao1
E@iste semre um comromisso entre a comle@idade de um
modelo' os asectos do comortamento considerados' o domnio de
alicao' e a reciso dos resultados obtidos1
. modelo Ebers?&oll um modelo bastante simles1 "eu es2uema
estD aresentado na 3igura abai@o1
I
E C
>
> >
>
I
C
>
<
E
F

>
>
<

H
>
F
Ele comosto de dois diodos ideais e duas 3ontes de corrente
deendentes1 As e2uaBes ara >
C
e >
E
odem ser obtidas a artir do
es2uema4
% % %
E F % &

FG
% % %
C & N F

FG
% %
qV
kT
F F
E"

_
,

0
1 exp
FG
% %
qV
kT
& &
C"

_
,

0
1 exp
FG
% %
qV
kT
%
qV
kT
E F
E"
% &
C"

_
,

_
,

0 0
1 1 exp exp
FG
5
10
15
#,
% %
qV
kT
%
qV
kT
C N F
E"
&
C"

_
,
+

_
,

0 0
1 1 exp exp
FG
Quatro arCmetros so necessDrios ara o modelo Ebers?&oll de um
transistor4 >
<)
' >
F)
'
H
' e
>
1
Ao modelo bDsico odem?se acrescentar resistncias e
caacitCncias ara tornar ele mais reciso1
# capacitor *#
. estudo da estrutura metal?0@ido?semicondutor muito Jtil ara
entender e3eitos na suer3cie de semicondutores e indisensDvel ara
entender o 3uncionamento do transistor &."FET1
# capacitor *# ideal
A transarncia T++ mostra a estrutura &." com esessura de
0@ido t
o@
' o semicondutor aterrado e a tenso L alicada ao metal1 A
transarncia T+( mostra o diagrama de bandas de energia ara LM) e ara
semicondutor tio 1 Heste catulo trabalharemos com semicondutor tio 1
. comortamento de um caacitor com semicondutor tio n e2uivalente
ara olari7ao L invertida1
Ho caso da estrutura &." ideal' as bandas de energia esto lanas
ara olari7ao LM)1 Para isso' o nvel de Fermi do semicondutor deve estar
igual ao nvel de Fermi do metal' ou se/a' as 3unBes de trabalho do metal e
do semicondutor devem ser iguais1 Esta condio ode ser alcanada ela
escolha do metal e or uma doagem ade2uada do semicondutor' de 3orma
2ue
N n
q q E
kT
A i
m g

exp
2
FG
5
10
15
20
()
Alm desta condio' suomos 2ue o isolador er3eito e no
contm carga arma7enada1 Assim no ode ter 3lu@o de corrente atravs do
disositivo e o nvel de Fermi no semicondutor semre constante1
7egimes de Funcionamento da
estrutura *#
Quando uma olari7ao ositiva ou negativa alicada' e@istem
basicamente trs regimes de 3uncionamento1
Para LW)' o limite suerior da banda de valncia curva?se ara
cima e aro@ima?se do nvel de Fermi' acumulando cargas ositivas erto da
inter3ae semicondutorU0@ido1 Este regime se chama regime de acumulao
Ftransarncia T+#G1
Para LV) e L e2ueno' o limite in3erior da banda de conduo se
aro@ima do nvel de Fermi1 A carga negativa corresondente rovm em
rimeiro lugar de Dtomos de imure7a Ftio G 2ue acolhem 3acilmente os
eltrons1 Esta situao similar ao do diodo biolar em olari7ao reversa e
se chama regime de deleo Ftransarncia T+KG1 Como a concentrao de
Dtomos de imure7as constante' a concentrao de carga tambm
constante1
N n
q q E
kT
A i
m g

exp
2
FG
A e2uao de Poisson leva 3acilmente ao otencial em 3uno de @4

_
,

S
x
W
1
2
FG
onde

S
A
S
qN W

2
2
5
10
15
20
(+
Para uma maior olari7ao LV)' as bandas de conduo e valncia
esto ainda mais curvados' de 3orma 2ue o nvel de Fermi E
F
na inter3ace
semicondutorUisolante F@M)G assa or cima do nvel intrnseco E
i
1 Quando
isso ocorre' a concentrao dos eltrons' minoritDrias num semicondutor tio
' assa a ser maior 2ue a concentrao de lacunas1 . semicondutor estD
invertido e o regime de 3uncionamento se chama inverso Ftransarncia
T+EG1 Este um caso muito interessante no 2ual o semicondutor tio assa
a comortar?se como um semicondutor tio n or ao de uma tenso
alicada e no or causa de uma doagem1
Com relao ao otencial
"
' os regimes de 3uncionamento odem
ser de3inidos da seguinte maneira' ver transarncia T+-4

"
<0 acumulao de lacunas

"
0 bandas lanas

>
"
>0 deleo de lacunas

"

concentrao intrnseca

"
>

inverso
# regime de in$erso 5orte
Ao aumentar ainda mais a olari7ao LV)' chegamos a atingir

"
2

1 A artir dai' um aumento ainda maior de L muda muito ouco o valor

de
"
or2ue a 2uantidade de carga necessDria ara aumentar
"
cresce
e@onencialmente1 "imli3icando' suomos 2ue
"
no ode ultraassar #
I
e chamamos o regime onde
"
M2

de inverso 3orte1
Usando e2uao FG odemos determinar a enetrao mD@ima da
7ona de deleo4
5
10
15
20
(#
W
qN
S
A
"

2
2

FG
Huma estrutura &." ideal' a olari7ao alicada serD dividida
entre o 0@ido e o semicondutor1
LML
i
Y
"
ML
i
Y#
I
FG
onde L
i
a di3erena de otencial no 0@ido dada or
V
t

i
ox
ox
S

FG
Como no incio da inverso 3orte Q
"
M2H
A
8
m
da e2uao FG' obtemos
a tenso de limiar L
T
necessDria ara entrar no regime de inverso 3orte1
V
t

T
ox
ox
S "
+

2
FG
( ) V
t
qN
T "
ox
ox
S A "
+ 2 2 2

FG
1 caracterstica de capacit8ncia da estrutura
*#
Podemos ver a estrutura &." como uma cone@o em srie da
caacitCncia do 0@ido C
o@
e da caacitCncia da 7ona de deleo no
semicondutor C
!
1
C
C C
ox D

+
1
1 1
FG
Para uma esessura constante do 0@ido t
o@
' a caacitCncia or Drea
C
o@
constante1 A caacitCncia or Drea C
!
dada or
5
10
15
((
C

D
S
S

FG
e deende da olari7ao L1 A caracterstica caacitCncia?tenso da
estrutura &." mostrada na curva FaG da transarncia T+=1 E@licamos a
curva FaG da es2uerda ara direita' temos o regime de acumulao onde a
caacitCncia total erto da caacitCncia do 0@ido1 Quando a 7ona de
deleo comea se 3ormar' a caacitCncia total diminui' assa or um
mnimo e volta crescer 2uando as cargas de inverso so 3ormadas1 Hota 2ue
o aumento de caacitCncia deende da 3acilidade dos eltrons de
acomanhar o sinal AC alicado1 >sso acontece somente ara bai@as
3re2uncias FW+)) Z7G ara 2uais a geraoUrecombinao de eltrons ocorre
su3icientemente rDido1 Para 3re2uncias mais altas' a caacitCncia
ermanece bai@a' curva FbG1
9ransistor *#FE9
. transistor &."FET o disositivo da maior imortCncia
tecnol0gica or sua 3acilidade de integrao em circuitos e2uenos e
altamente comle@os1
A estrutura bDsica do transistor metal?0@ido?semicondutor a e3eito
de camo Ffield effect transistorG ilustrado nas transarncias T+; e T+,1
Ele 3ormado de duas regiBes tio n di3undidas num substrato tio ' sendo
uma ara 3onte FF ou "G e outra ara dreno F!G1 A 3onte e o dreno so ligados
ao circuito atravs de contatos de alumnio1 . canal de conduo entre 3onte
e dreno indu7ido no substrato or uma tenso alicada O orta FP ou GG
atravs do 3enAmeno de inverso e@licado no catulo recedente1 .
substrato FIG ligado a um otencial de re3erncia FLM) ara substrato tio
G1
Caracterstica de corrente do *#FE9
5
10
15
20
25
(E
"e uma tenso 3or alicada entre dreno e 3onte' em 2ual2uer
sentido' uma das duas /unBes n estarD olari7ada reversamente1 "e no
houver tenso na orta' a corrente entre 3onte e dreno serD desre7vel1
Quando uma tenso su3icientemente grande alicada' uma 7ona de
inverso indu7ida no semicondutor1 Ao atingir a inverso 3orte FL
G
VL
T
G' esta
7ona roorciona um canal de conduo entre 3onte e dreno' resultando
numa corrente 2ue varia com a amlitude da tenso da orta1
Quando e@aminDvamos o 3enAmeno de inverso na estrutura &."
considerDvamos a condio de e2uilbrio FE
F
constante e JnicoG or2ue no
havia 3lu@o de corrente eltrica1 Ho canal do transistor &."FET temos
corrente eltrica e dese2uilbrio' isto ' E
Fn
E
F
1 A di3erena entre E
Fn
e E
F
corresonde a tenso alicada entre dreno e 3onte1 !esta 3orma' a 7ona de
deleo e a carga de deleo no regime de inverso 3orte aumentam ara
C

D
S
S

FG
( ) qN W qN V y
" A m ' A "
+ 2 2 ( )
FG
onde LF9G varia de L
"
ara 9M) at L
!
ara 9MP1 A carga total no
semicondutor assa a ser
( ) V V y
t
S G "
ox
ox
+ + 2 ( )

FG
e a carga livre disonvel ara condu7ir corrente ento'

n S "

FG
Assim temos a resistncia numa 3ai@a d9'
d d &
W y
y
n n

1
( )
FG
5
10
15
20
(K
A corrente >
!
igual ara )W9WP'
%
V
&
W y
V
y
D n n

d
d
d
d
( )
FG
>ntegrando dos dois lados temos'
% y W y V
D n n
V ! D
d d

( )
0 0
FG
2ue nos leva a corrente >
!
4
( ) ( )
( )
%
W
! t
V
V
V qN V
D n
ox
ox
G "
D
D S A D " "

_
,
+

_
,


2
2
2
3
2 2 2
3 2 3 2

FG
Para L
!
e2ueno' odemos aro@imar'
%
W
! t
V V
V
V
D n
ox
ox
G T
D
D

_
,


2
FG
Esta caracterstica ode ser vista na transarncia T#)' onde
ercebemos curvas arab0licas ara L
!
e2ueno1 Quando a arDbola atinge
um mD@imo' o &."FET entra em saturao e a corrente >
!
indeendente de
L
!
4
( ) %
W
! t
V V
D'#t n
ox
ox
G T

2
FG
Heste catulo determinamos a caracterstica de corrente do
transistor &."FET com canal tio n' o H&."1 As caractersticas do transistor
com canal tio ' o P&." so e2uivalentes ara olari7aBes inversas1
5
10
15