CAPTULO 2 - DIODO DE POTNCIA :

2.1 - CARACTERSTICAS DO DIODO :

O diodo de potncia tem uma importncia muito grande em circuitos eletrnicos de potncia. Ele pode ser utilizado em retificadores ( conversor CA/CC ), como diodo de retorno ( freewheeling diode - transferncia de energia ), isolador de tenso, etc. Em algumas anlises, o diodo pode ser assumido como uma chave ideal mas, sempre observando que este componente tem algumas limitaes. O diodo de potncia tem configurao similar ao diodo de sinal, sendo que opera em uma faixa de potncia bem maior que o diodo de sinal. Na formao deste diodo, so utilizados trs processos de dopagem no mesmo componente. Inicialmente h uma forte dopagem da regio n que forma o catodo do diodo; uma dopagem, de menor intensidade, forma uma camada intermediria responsvel pela barreira de potencial do diodo. A terceira dopogem que utiliza o processo de difuso, tem a funo de formar o anodo do diodo ( regio p ). A rea do anodo varia de acordo com o valor de corrente que este dever suportar. Para diodos que suportam milhares de ampres, a rea pode ter vrios cm2. A velocidade de chaveamento menor, no diodo de potncia, quando comparado com o de sinal. A p
Vr I

A
V Vk

n K

K
(a) (b) (c)

Figura 1.7 : a) estrutura; b) smbolo; c) caracterstica VxI do diodo

A caracterstica VxI do diodo pode ser representada pela expresso :

I D = I S .( eVD /VT 1)

(1.1.)

onde : ID VD IS corrente atravs do diodo tenso sobre o diodo corrente de fuga ( 10-15 A IS 10-6 A )

coeficiente de emisso ( 1 a 2 ) : depende do tipo de material de que construdo o diodo VT constante de tenso trmica VT = k.T temperatura absoluta constante de Boltzmann = 1,3806x10-23J/K VT ( 25 C ) 25,8mV

2.1.1 - CARACTERSTICA DE RECUPERAO REVERSA :

A corrente em uma polarizao direta do diodo devido ao efeito de portadores majoritrios e minoritrios. Quando o diodo est conduzindo e sua corrente direta levada zero (comutao natural ou forada ), o diodo continuar conduzindo devido aos portadores minoritrios que permanecem armazenados na juno pn e no corpo do diodo . Estes portadores necessitam de um certo tempo para se recombinarem com cargas opostas e se neutralizarem. Este tempo chamado de tempo de recuperao reversa ( trr ) do diodo. Na figura 1.8 mostrada a caracterstica de recuperao reversa para uma diodo. O tempo trr medido partir do instante em que a corrente pelo diodo passa por zero, at o instante em que a corrente no diodo de 25% do mximo valor ( pico ) da corrente reversa Irr. O tempo trr composto de duas componentes ta e tb. ta devido s cargas armazenadas na regio de depleo do diodo e, tb devido s cargas armazenadas no corpo do diodo. A razo tb/ta fornece o fator de amortecimento ( softness factor SF ). Assim : trr = ta + tb (1.2.)

A corrente reversa de pico do diodo expressa por : Irr = ta. di dt (1.3.)

i I t t

Figura 1.8

O tempo trr depende da temperatura da juno do diodo, da taxa de descida da corrente direta e da corrente direta imediatamente antes da comutao. A carga de recuperao reversa Qrr, a soma das cargas portadoras que fluem atravs do diodo, na direo contrria devido a mudana da polarizao do diodo. Este valor de Qrr determinado por :

Qrr = ou :

1 1 1 . Irr. ta + . Irr. tb = . Irr. trr 2 2 2

(1.4.)

Irr =

2. Qrr trr

(1.5.)

Substituindo 1.4 em 1.5, tem-se que : trr = 2. Qrr di dt di dt (1.6.)

Irr = 2. Qrr.

(1.7.)

Pode-se verificar nas expresses acima que tanto o tempo de recuperao reversa trr, quanto o valor de pico da corrente de recuperao reversa Irr, dependem da carga armazenada Qrr e da taxa de decrescimento de corrente di/dt. A carga armazenada Qrr depende da corrente direta do diodo IF. As grandezas Irr, Qrr e o SF so elementos importantes na especificao do componente para uma determinada aplicao, e devem ser fornecidos pelo fabricante. Se o diodo est reveramente polarizado, circula apenas uma pequena corrente de fuga devido aos portadores minoritrios. Aplicando-se ento uma tenso direta nos terminais do diodo, estabelece-se uma corrente direta. Para que esta corrente seja estabelecida, gasta-se um tempo chamadao de tempo de recuperao direta ( foward

recovery time ). Se a taxa de crescimento da corrente direta alta e a corrente esta concentrada em uma pequena rea da juno, o diodo pode falhar. Assim, o tempo de recuperao direta limita a taxa de crescimento da corrente direta e a velocidade de chaveamento do componente.

2.2 - TIPOS DE DIODOS DE POTNCIA :

Dependendo das caractersticas de recuperao reversa e das tcnicas de fabricao, os diodos de potncia podem ser classificados em trs categorias : * diodo de uso geral; * diodo de recuperao rpida; * diodo Schottky. a) - Diodo de uso geral : estes diodos apresentam um tempo de recuperao reversa relativamente alta ( 25s ) e, so utilizados em aplicaes de baixa velocidade, onde o tempo de recuperao do componente no crtico ( retificadores, conversores de baixa frequncia - 1kHz , conversores com comutao pela linha ). Estes diodos trabalham dentro de uma faixa que varia de 1A at milhares de ampres e de 50V at 5000V. b) - Diodo de recuperao rpida : estes diodos tem um tempo de recuperao baixo ( >5s ). So utilizados em conversores CC/CC e CC/CA, onde a velocidade de recuperao importante. Estes diodos operam em uma faixa desde 1A at centenas de ampres e de 50V at 3000V. c) - diodo Schottky : estes diodos apresentam um tempo de recuperao reversa muito pequeno e com uma tenso de polarizao direta VD de aproximadamente 0,25V. Opera em uma faixa de tenso de at 100V e de corrente de at 300A. So ideais para fontes CC de alta corrente e baixa tenso, computadores digitais ( alta velocidade ), etc.

2.3 - Caractersticas de chaveamento :

Os tempos de recuperao direta e reversa do diodo de potncia, so parmetros muito importantes e sero analisados a seguir. Observando o circuito e as suas formas de onda nas figuras 1.9a e 1.9b, respectivamente, pode-se analisar o circuito.

Ls i 1 S Rs Cs i

D1

Vs

R
(a)

Dr i 2 L

iL Io

i1 Io Ip i2 Io

t (b) -Irr

trr

Figura 1.9 : a) circuito; b) formas de onda

Quando a chave S fechada em t=0 e permanece por um certo tempo, a corrente na carga em regime permanente :

IL =

VS R

(1.8.)

O diodo de retorno Dr est reversamente polarizado, neste perodo. Se a chave S aberta em t=t1, o diodo de retorno Dr passa a conduzir a corrente de carga iL. Se, agora, a chave S novamente fechada, o diodo Dr comporta-se como um curtocircuito. Os valores das correntes nos diodos D1 e Dr podem se tornar altos, vindo a danific-los. Para eliminar este problema, basta colocar um indutor Ls em srie com a chave S. Assim, o grau de crescimento da corrente atravs de D1 e Dr dado por :

di Vs = dt Ls
Se trr o tempo de recuperao reversa de Dr, a corrente Ir :

(1.9.)

Ir = trr .

V di = trr . s Ls dt

(1.10.)

Assim a corrente atravs do indutor :

Iindutor = I 0 + I r = I0 + trr .

Vs Ls

(1.11.)

Quando a corrente no indutor for igual a Ip, o diodo Dr comuta rpidamente. Devido a carga ser altamente indutiva, a corrente no pode variar instantneamente de I0 par Ip. O excesso de energia armazenada no indutor pode induzir uma tenso reversa sobre Dr e danific-lo.

1 2 ] Wr = . Ls .[( I 0 + Ir )2 I 0 2

(1.12.)

Para evitar este problema, um capacitor Cs e um resitor Rs so colocados em paralelo com Dr. O capacitor absorve a energia armazenada em Ls e o resitor extingue oscilaes transitrias. O valor de Cs dado por :

CS = 2.

Wr VC2

(1.13.)

2.4 - CONEXES SRIE E PARALELO DO DIODO :

a) - Conexo srie : Em muitas aplicaes de alta tenso ( transmisso em HVDC ), apenas um diodo no suficiente para suportar as altas tenses a que estar sujeito. Assim, diodos so ligados em srie de forma a aumentar a capacidade do sistema quando sujeito tenso reversa. No circuito da figura 1.10, tem-se dois diodos ligados em srie. Na prtica, a caracterstica VxI para o mesmo tipo de diodo, diferente devido s tolerncias em seus processos de produo.
I

V D1 + V D2 D2 +
(a) (b)

D1

Vs +
V

Figura 1.10 : a) circuito com dois diodos em srie; b) caractersticas VxI Na regio direta, os diodos conduzem a mesma corrente e as quedas de tenso direta nos diodos so praticamente iguais. No entanto, na regio reversa, cada diodo tem que atingir a mesma corrente de fuga e assim, as suas tenses reversas VD1 e VD2 so diferentes. Para se solucionar este problema, basta se conectar um resistor R, de mesmo valor, em paralelo com cada diodo, como mostrado na figura 1.11.

(a)

(b)

I
1

S Figura 1.11 : a) circuito modificado; b) caractersticas VxI

(1.14.)

mas :

(1.15.)

Logo :

I S1 +

V VD1 = I S 2 + D1 R2 R1

(1.16.)

Como R1=R2=R, e as tenses VD1 e VD2 dependem da caracterstica VxI de cada diodo, os valores VD1 e VD2 podem podem ser determinados por :

I S1 +

V VD1 = IS 2 + D2 R R

(1.17.)

VD1 + VD 2 = VS

(1.18.)

As tenses transitrias sobre os diodos podem ser minimizadas atravs da conexo de capacitores e resitores em paralelo com os diodos, como mostrado na figura 1.12.

D1 R1

Rs Cs

R2

D2

Rs Cs

Figura 1.12

b) - Conexo paralelo :

Em aplicaes de potncia, diodos so ligados em paralelo, de forma a aumentar a capacidade de corrente do circuito. As correntes atravs dos diodos tero valores de acordo con suas respectivas quedas de tenso direta. Para se ter correntes aproximadamente iguais, colocam-se indutncias iguais em srie com cada diodo. Tambm podem ser especificados diodos com o mesmo valor de queda de tenso direta, ou do mesmo tipo. A figura 1.13 mostra um circuito com dois diodos em paralelo, de forma dividir a corrente total Is.

D2

D1

+ R2 R1 Vs

L2

L1

Figura 1.13

2.5 - DIODOS COM CARGA RC, RL E RLC :

a) - CARGA RC : Dado o circuito da figura 1.14a, abaixo :

V s

i R

+ V R
V V t

Vs C (a)

V - C

(b)

Figura 1.14 : a) circuito RC; b) caractersticas i e Vc

A equao de tenso do circuito :

VS = VR + VC 1 t VS = R. i + . i. dt + VC 0 C 0
Em t = 0 : Vc = Vco = 0 :

(1.19.) (1.20.)

1 t VS = R. i + . i. dt C 0
derivando e dividindo por R :

(1.21.)

1 di + .i = 0 dt R. C

(1.22.)

A soluo desta equao diferencial, de 1 ordem, a coeficientes constantes, do tipo :

i = k. e Dt
Substituindo o operador D na equao, tem-se que :

(1.23.)

D=
Portanto o valor da corrente i :

1 R. C

(1.24.)

i = k. e t / RC
Para t = 0

(1.25.)

i=

VS R

(1.26.)

O valor final da expresso de corrente i :

i=

VS t / RC .e R

(1.27.)

A tenso sobre o capacitor :

1 t VC = . idt C 0

(1.28.)

10

Substituindo i na expresso acima, tem-se que :

VC = VS .(1 et / RC )

(1.29.)

b) - Carga RL : Dado o circuito da figura 1.15, abaixo :

V

i R

+ V R + L VL -

Vs

i V s

(a) Figura 1.15 : a) circuito RL; b) caractersticas VL e i (b)

A equao de tenso :

VS = R. i + L.

di dt

(1.30.)

Derivando e dividindo por L, tem-se a equao diferencial de 1 ordem, a coeficientes constantes :

di R + .i = 0 dt L
A soluo desta equao do tipo :

(1.31.)

i = i p + it

(1.32.)

Onde :

VS R it = k. e Dt ip =

(1.33.) (1.34.)

11

Resolvendo a equao :

R D= L VS i = + k. e tR/ L R
Para t = 0 i = 0

(1.35.) (1.36.)

k=

VS R

(1.37.)

O valor final da expresso de i :

i=

VS . (1 etR/ L ) R

(1.38.)

A tenso no indutor :

VL = L.

di dt

(1.39.)

Subustituindo i na expresso acima :

VL = VS . e tR/ L
c) - Carga RLC : Dado o circuito da figura 1.16a, abaixo : + + R V R + Vs L C (

(1.40.)

Subamortecido amortec. crtico sobreamortecido

VL
t

+ V - C

Figura 1.16 : a) circuito RLC; b) caracterstica i

12

A equao de tenso :

di 1 t VS = R. i + L. + . idt + VC 0 dt C 0
Derivando a expresso e dividindo por L, tem-se :

(1.41.)

1 d 2 i R di . + .i = 0 2 + L dt L. C dt

(1.42.)

Que uma equao diferencial de 2 ordem, a coeficientes constantes. Substituindose o operador D, tem-se :

D2 +
Portanto :

1 R =0 .D + L L. C
2

(1.43.)

R 1 R D= 2. L 2. L L. C
Onde :

(1.44.)

R 2. L

coeficiente de amortecimento;

0 =
Logo :

1 L. C

frequncia de ressonncia angular.

D = 2 2 0
Se :

(1.45.)

= 0 > 0 < 0

amortecimento crtico; sobreamortecimento; subamortecimento.

A figura 1.16b mostra a caracterstica de corrente, para cada condio de amortecimento. Para que a corrente i passe por zero, em um certo instante t, o circuito RLC deve ser subamortecido. Logo :

D = jr

(1.46.)

13

Onde :
2 r = 2 0

(1.47.)

r frequncia ressonncia natural do circuito.

A expresso final da corrente i da da por :

i = et . ( k1.cos r t + k2 .sen r t )

(1.48.)

As constantes k1 e k2 so determinadas atravs das condies iniciais do circuito, ou seja, os valores de corrente i e de tenso no capacitor Vc no instante em que se inicia a anlise do circuito.

*OBS : DIODO DE RETORNO : este diodo, tambm conhecido como diodo de roda livre, utilizado em situaes onde se deseja que a corrente de carga il continue circulando pela mesma, durante o perodo em que a tenso na carga nula. A figura 1.17a, mostra um circuito utilizando o diodo de retorno Dr e, a figura 1.17b mostra as formas de onda para este circuito.
i

S + i + D R Vs Dr L ir V R + VL
I

i i

t I

(a)

(b)

Figura 1.17 : a) circuito com diodo de retorno Dr;b) formas de onda

0 t t1 i1 =

VS . (1 etR/ L ) R VS tR/ L .e R

(1.49.)

t1 t t2 i2 =

(1.50.)

14

2.6 - CIRCUITOS DE APLICAO PARA O DIODO DE POTNCIA:

2.6.1 - Retificador Trifsico de Onda Completa :

15

2.6.2 - Retificador de Doze Pulsos :

16