Materiais Semicondutores

Semicondutores
Semicondutores (4A)

tomos de germnio e silcio ISOLADOS

GERMNIO

Nmero atmico 32

Nmero atmico 14

SILICO

Isolantes, Semicondutores e Metais

O que so? Um conductor muito pobre de eletricidade chamada de isolante. Um excelente condutor de eletricidade um metal. Um material cuja condutividade se situa entre esses dois extremos chamado de isolante.

Mas como dizer em qual dessas classes um slido se situa? A resposta dada pela Teoria de Bandas dos Slidos. Inicia-se com um tomo isolado e depois parte-se para um aglomerado de tomos interagindo entre si (formando um slido). Essa interao resulta na alterao dos nveis de energia ocupados pelos eltrons do slido, sendo esses novos nveis responsveis por seu comportamento do ponto de vista da condutividade. Esses novos nveis formam o que chamamos de Bandas de Energia. So as energias dessas bandas, bem como a maneira que os eltrons as preenchem que determinam se um slido considerado um isolante, um semicondutor ou um metal.

Isolantes, Semicondutores e Metais tomo Isolado

Isolantes, Semicondutores e Metais Aproximando diversos tomos

A maioria dos slidos consistem em um arranjo ordenado especial de tomos, molculas ou ons. Tal arranjo chamado de Cristal. Quando tomos formam cristais o nveis de energia dos eltrons mais internos do tomo (tudo menos a ltima camada) no so apreciavelmente afetados pela presena de tomos vizinhos. J os nveis de energia dos tomos pertencentes a ltima camada (camada de valncia) so consideravelmente alterados, desde que eles so compartilhados por um ou mais tomos no cristal. Esses novos nveis de energia formados determinam o comportamento do eltrico do slido.
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Isolantes, Semicondutores e Metais

Formao das Bandas: Exemplos do Si e Ge

Quando os tomos interagem entre si de maneira no desprezvel, esses formam um sistema eletrnico complexo que deve obedecer o Princpio da Excluso de Pauli a e o princpio de Aufbau.

Os novos nveis de energia dos eltrons de valncia podem ser determinados pela Mecnica Quntica. Esta deteremina que o acoplamento entre os eltrons de valncia dos diversos tomos no cristal resultam em faixas de nveis de energia (Bandas de Energia) com espaamento muito pequeno entre eles.
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Isolantes, Semicondutores e Metais

As bandas de energia

A ltima banda de maior energia em um slido que se encontra completamente cheia (pelo menos a T = 0 K) chamada de Banda de Valncia (BV). A prxima banda de maior energia a Banda de Conduo (BC). A BC pode ser vazia ou parcialmente preenchida. A diferena de energia entre o nvel mais baixo de energia da BC e o nvel mais alto de energia da BV chamado de Banda Proibida (ou Band Gap). O que utilizamos para classificar os slidos como Isolantes, Semicondutores ou Metais so as energias relativas dessas bandas, bem como a maneira que os eltrons as preenchem.

Isolantes, Semicondutores e Metais

Banda de Conduo Vazia (T=0K) Se aplicarmos um campo eltrico nesse slido, os eltrons na BV no podem participar de transporte (sem corrente), pois esto ligados ao tomo. Para os eltrons adiquirem energia cintica, segundo a Mecnica Quntica, eles tm que assumir uma energia levemente maior, ou seja, subir para o estado quntico permitido imediatamente superior (o qual deve estar disponvel, ou seja, vazio, sem eltrons). Contudo, conforme a figura abaixo, no existe tal estado na BV: somente na BC.

Esse slido se comporta como um ISOLANTE!

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Banda de Conduo Parcialmente Preenchida (T=0K)

Se um campo eltrico aplicado a este slido, os eltrons na BC participam do transporte, uma vez que h uma abundncia de estados permitidos vazios com energias logo acima da energia de Fermi.

Esse slido se comporta como um METAL!

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Isolantes, Semicondutores e Metais

Sobreposico das BV e BC (T=0K)

Muitas vezes, as bandas de energia mais elevadas tornam-se to largas que elas se sobrepem com as bandas de energia mais baixas Nveis eletrnicos de energia adicionais tmbm esto disponveis

Esse slido tambm se comporta como um METAL!

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Isolantes, Semicondutores e Metais

E o comportamento semicondutor? H uma diferena qualitativa entre metais e isolantes (semicondutores): a banda de energia mais alta contendo eltrons apenas parcialmente preenchida no caso dos metais (as vezes devido sobreposio) J a diferena entre isolantes e semicondutores quantitativa: a diferena na magnitude da energia do Band Gap Semicondutores so "Isolantes" com um gap relativamente pequeno. Ou seja, em temperaturas suficientemente elevadas eltrons podem ser encontrados BC e, por conseguinte, participarem no transporte de carga

ISOLANTE
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SEMICONDUTOR

Isolantes, Semicondutores e Metais

Semicondutores em Baixas e Altas temperaturas No h diferena entre isolantes e semicondutores em temperaturas muito baixas. Em nenhum dos materiais existem eltrons na banda de conduo - e assim condutividade desaparece no limite de baixa temperatura As diferenas surgem nas altas temperaturas. Uma pequena frao dos eltrons excitado termicamente na banda de conduo. Estes eltrons carregam corrente, assim como em metais.

ISOLANTE
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SEMICONDUTOR

SEMICONDUTOR

Estrutura cristalina dos semicondutores (T=0K)

Estrutura Cristalina do Si ou Ge em 3D

Estrutura Cristalina do Ge ilustrada simbolicamente em duas dimenses (0K)

Os quatro eltrons formam ligaes covalentes perfeitas com quatro tomos vizinhos, criando uma boa e estvel estrutura cristalina. Um cristal que contm apenas tomos de silcio chamado de semicondutor intrnseco (puro). Video semicondutor intrinseco
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Rompimento de Ligaes Covalentes e Recombinao

Aquecimento

0K

Temperatura Ambiente

Mecanismo pelo qual uma lacuna contribui para a condutividade

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Semicondutor tipo N
Na dopagem tipo N, o tomo introduzido na rede cristalina possui 5 eltrons na camada de valncia. Neste caso, 4 eltrons formam ligaes covalentes com tomos de semicondutor vizinhos e o quinto eltron fica livre para circular no material. Os materiais mais utilizados como dopante tipo N so o Fsforo (P), o Antimnio (Sb) e o Arsnio. Estes tomos so chamados de impurezas doadoras, pois eles doam um eltron livre para o material. Em um semicondutor do tipo N os eltrons so os chamados portadores majoritrios e as lacunas so chamadas de portadores minoritrios.
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Semicondutor tipo P
Na dopagem tipo P, o tomo introduzido na rede cristalina possui 3 eltrons na camada de valncia. Neste caso, no h nmero suficiente de eltrons para completar as 4 ligaes covalentes com os tomos de semicondutores. Assim, uma das ligaes fica incompleta, criando uma lacuna na rede cristalina. Os materiais mais utilizados como dopante tipo P o Boro(B), o Glio (Ga) e o ndio. Estes tomos so chamados de impurezas aceitadoras, pois eles recebem um eltron livre do material. Em um semicondutor do tipo P as lacunas so os chamadas portadores majoritrios e os eltrons so chamados de portadores minoritrios.
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Movimento das lacunas no Semicondutor tipo P

Essa lacuna representa uma carga positiva na rede cristalina e pode receber um eltron que esteja formando uma ligao covalente, mudando a lacuna de posio.

Esse movimento das lacunas no material semicondutor pode resultar numa corrente eltrica.

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Portadores no Silcio tipo N

Novamente, no semicondutor tipo N os eltrons so chamados de portadores majoritrios e as lacunas de portadores minoritrios. Quando a impureza doadora no semicondutor tipo N libera o seu quinto eltron, ela torna-se um on positivo na estrutura do material, pois ele perdeu um eltron de sua rbita de valncia. Observe que este on no portador de carga, ou seja, ele no contribui para a conduo da corrente eltrica no material.
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Portadores no Silcio tipo P

Novamente, no semicondutor tipo P as lacunas so chamadas de portadores majoritrios e os eltrons de portadores minoritrios. Quando a impureza aceitadora no semicondutor tipo P recebe um eltron da rede cristalina, ela torna-se um on negativo na estrutura do material, pois ela tem um eltron a mais na sua rbita de valncia.

Curiosidade: Video fabricao lmina silcio

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Juno PN: Diodo

Juno PN sem tenso de polarizao

Um diodo formado pela juno de um semicondutor tipo P com um semicondutor do tipo N. O lado P chamado de anodo e o lado N chamado de catodo. Quando estes dois materiais so unidos, os eltrons e as lacunas prximos juno se recombinam, ou seja, um anula a carga do outro, criando uma regio de depleo (sem portadores de carga) prxima juno.

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Smbolo do Diodo de juno PN

Quando o diodo no estiver polarizado, ou seja, quando no houver uma tenso aplicada no diodo, no h fluxo de portadores atravs da juno. Portanto, no h corrente passando pelo diodo.

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Diodo reversamente polarizado

Lacunas do lado P so atradas para o potencial negativo da fonte se afastando da juno e os eltrons do lados N do diodo so atrados pelo potencial positivo da fonte, tambm se afastando da juno. O movimento dos portadores majoritrios no sentido contrrio da juno, portanto no h fluxo de portadores majoritrios atravs da juno. A pequena quantidade de eltrons do lado P (portadores minoritrios) e a pequena quantidade de lacunas do lado N (portadores minoritrios) so repelidos pelo potencial negativo e positivo aplicado nas regies P e N respectivamente. O movimento destes portadores cruzando a juno resulta na corrente de portadores minoritrios.
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Diodo diretamente polarizado

Quando uma tenso positiva aplicada no anodo (lado P) e uma tenso negativa no catodo (lado N) do diodo, ele fica diretamente polarizado. As lacunas do lado P so repelidas pelo potencial positivo da fonte e os eltrons da regio N so repelidos pelo potencial negativo da fonte. O movimento dos portadores majoritrios no sentido da juno. Num primeiro instante, o fluxo de portadores majoritrios no sentido da juno PN reduz a largura da regio de depleo, at que ela fique estreita o suficiente para que os portadores cruzem a juno estabelecendo um corrente eltrica entre os terminais do diodo e a fonte de tenso.

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Curva caracterstica do diodo ideal

O diodo no conduz corrente eltrica quando est reversamente polarizado e conduz quando estiver diretamente polarizado. Idealmente, o diodo se comporta como um circuito aberto quando estiver reversamente polarizado e como um curto circuito quando estiver diretamente polarizado.

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Curva caracterstica do diodo ideal

VF0,7V

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Regio de Ruptura do diodo

BV

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Curva caracterstica de diodos: Germnio vs Silcio

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Aproximaes do diodo
VF 0,7 I D rav

rAV

V 2 V1 I 2 I1

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Aproximaes do diodo
VF=0,7 e rav=0.

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Aproximaes do diodo
Diodo ideal: VF=0 e rav=0.

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Folha de dados de um diodo BAY73

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Tipos de encapsulamento do diodo

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