A INFLUNCIA DO Mn

+2
NAS PROPRIEDADES ESTRUTURAL E ELTRICA DE
SEMICONDUTORES BASE DE [(MnO)
x
].[(CoO)
1x
].[(A!
2
O
"
)]# $.$% & $.'%
Keydson Quaresma Gomes
Instituto Vale do Cricar
RESUMO
Pastilhas cermicas semicondutores, a base [(MnO)
x
][(CoO)
1-x
][Al
2
O

], !oram
in"esti#adas atra"$s di!ra%&o dos raios-' do () (*+'), an,lise el$trica (elo m$todo de
dois (ontos e (or im(edncia com(lexa- .tili/ou a *+' (ara identi!ica%&o das !ases
(resentes nas amostras onde, re!inou-se as estruturas com o m$todo de +iet"eld- O
)xido de man#an0s !oi inserido no sistema obedecendo as (ro(or%1es de !ra%&o molar
(x) de 2,23, 2,2, 2,32, 2,42 e 2,53- As an,lises !oram !eitas em amostras 6ue so!reram
tratamento t$rmico 7 tem(eratura 144 8- A an,lise estrutural do es(in$lio !ormado
mostrou um aumento do (armetro de rede em !un%&o do aumento dos 9ons Mn
:2
no
sistema- A resisti"idade, (ara um (otencial a(licado em corrente cont9nua (dc)(m$todo de
dois (ontos) e em corrente alternada ac (es(ectrosco(ia de im(edncia), !oi obser"ada-
Os resultados mostraram uma diminui%&o da resisti"idade dc com o aumento da
tem(eratura- Obser"ou-se 6ue o mecanismo de condu%&o !oi o mesmo em todas as
amostras e os resultados da ener#ia de ati"a%&o caracteri/aram o (rocesso de condu%&o
como ;ho((in# de el$trons< con!i#urando trocas dos 9ons Mn
:2
Mn
:
(resentes nos s9tios
octaedrais- O resultado da res(osta el$trica ac mostrou 6ue a maior contribui%&o (ara a
conduti"idade da amostra $ o contorno de #r&o, em !re6=0ncias mais baixas--
Palavras-cave! Es"ectrosco"ia de im"ed#ncia$ "ro"riedades eltricas$ di%ra&'o dos
raios-($ es"inlio)
I*+RO,U-.O
Em /eral$ as "ro"riedades estudadas em dis"ositivos semicondutores s'o
"rovenientes dos 01idos sim"les 2ue %ormam os com"ostos) Individualmente$ cada 01ido
contri3ui com as "ro"riedades dos materiais) Os 01idos "rovenientes dos metais de
transi&'o como man/an4s$ %erro$ co3alto$ co3re$ cum3o$ 5inco e n62uel$ entre outros$
"odem %ormar um /ru"o de 01idos com"le1os 2ue "odem %ormar a 3ase de dis"ositivos
semicondutores 2ue "odem ser utili5ados como sensores de /7s$ tem"eratura$ umidade
entre outros 89$ :;) O 3ai1o custo destes materiais 01idos %a5 deles o alvo em v7rios
estudos) <lm disso$ estes 01idos met7licos "odem %ormar com"ostos com a estrutura do
ti"o es"inlio 2ue tem caracter6sticas estruturais de um sistema c=3ico$ "ertencente ao
/ru"o es"acial >d?m de %0rmula estrutural <@
:
O
A
) < clula unit7ria desta estrutura
contm ?: 7tomos de o1i/4nio em uma estrutura c=3ica com"actada) ,entro desta clula
e1istem B "osi&Ces e2uivalentes "ara os c7tions de coordena&'o tetradrica$ 2ue s'o os
s6tios <D e 9E "osi&Ces e2uivalentes "ara os c7tions de coordena&'o octadrica$ 2ue s'o
os s6tios @ 8?$ A;) O /rande interesse nos estudos desta estrutura Fes"inlioG est7 na
menor com"le1idade de entendimento das "ro"riedades estruturais relevantes$ 2ue
in%luenciam consideravelmente as "ro"riedades eltricas dos materiais) O interesse no
estudo de um sistema H 3ase de Co<l
:
O
A
devido o mesmo a"resentar caracter6sticas
semelantes ao de Cu<l
:
O
A
8I;$ "orm com res"osta eltrica muito mais resistiva)
Portanto$ este tra3alo tem como o3Jetivo investi/ar o e%eito da adi&'o de Mn
K:
sistema
01ido %ormado "or MnO-CoO-<l
:
O
?
$ nas "ro"riedades estruturais do sistema es"inlio
%ormado e eltricas do material semicondudor)
PROCE,IME*+O E(PERIME*+<L
Materiais e mtodos
Os com"onentes 2u6micos utili5ados "ara a com"osi&'o das amostras %oram
o1alato de amMnio$ N1ido de alum6nio em "0 F<lcoa$ <-9E$ OB$BP de "ure5aG$ Sul%ato de
co3alto FLa3Synt$ OO$QP de "ure5aG e Sul%ato de Man/an4s FMallincRrodt$ OO$EBP de
"ure5aG)
>ormula&'o das com"osi&Ces
Para a o3ten&'o das com"osi&Ces se/uiu-se a se/uinte este2uiometria!
8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
;D < %ra&'o molar$ 1$ %oi de Q$QID Q$?QD Q$IQD Q$SQD Q$OI)
Pre"ara&'o dos cor"os de "rova
2
Uma solu&'o$ em "ro"or&Ces ade2uadas$ %oi "re"arada utili5ando-se 7/ua
deioni5ada$ o sul%ato de co3alto$ o sul%ato de man/an4s$ 01ido de alum6nio e o1alato de
amMnia Fem 2uantidade de 9QP da %ra&'o molar dos 01idos na solu&'oG) <s "ro"or&Ces$
em mol$ das su3st#ncias %oram consideradas de acordo com a %ormula&'o
este2uiomtrica de 9!9) >ormou-se uma solu&'o com a mistura dos com"onentes 2ue %oi
mantida em constante a/ita&'o$ atravs de um a/itador ma/ntico de "laca a2uecida
FCornin/ PC-A:QG$ H tem"eratura de ?E? K "or um tem"o a"ro1imado de ?Q minutos) O
material o3tido %oi %iltrado e lavado v7rias ve5es em 7/ua deioni5ada e "uri%icada
Futili5ou-se$ tam3m$ o e2ui"amento Milli-Q "lusG$ "ara a elimina&'o de res2u6cios dos
6ons sul%ato) O material %oi secado H ?B? K "or :A oras$ desa/lomerado em um almo%ari5
e "assado em mala EQ <@*+D em se/uida$ %oi calcinado$ H tem"eratura de BS? K "or :
oras$ "ara elimina&'o total dos com"ostos or/#nicos remanescentes do "rocesso de
lava/em) <"0s a calcina&'o$ o material umedecido %oi desa/lomerado no moino
rotat0rio FPulverisetG "or uma ora e$ novamente$ secado a ?B? K "or :A orasD o
"rocesso de desa/lomera&'o %avoreceu a omo/enei5a&'o na distri3ui&'o do tamano
das "art6culas em "0) O material$ em "0$ %oi misturado a uma "e2uena 2uantidade do
li/ante PV<L 9QP F7lcool "olivin6licoG e /ranulados em mala EQ <@*+ "ara %acilita&'o
do "rocesso de "rensa/em unia1ial) Utili5ou-se um molde "ara a %orma&'o de "astilas
monol6ticas de :Q mm de di#metro "or ? mm de es"essura) < car/a de "rensa/em so3re
as amostras %oi de : toneladas) <s amostras$ em "astilas$ %oram sinteri5adas H 9SS? K
em um %orno eltrico Fmodelo Lind3er/T@lueG$ com uma ta1a de a2uecimento constante de
:SB

KTmin$ "or I oras se/uido de um res%riamento no am3iente)
Utili5ou-se a di%ra&'o dos raios-( do "0 F,R(G "ara identi%icar as %ases "resentes
nas amostras) Este ensaio %oi reali5ado em um di%ratMmetro de raios-($ modelo ,IQQI
FSiemensG) O e2ui"amento estava con%i/urado com radia&'o K do co3re FCuG$ AQ RV de
volta/em e ?Q m< de corrente no tu3o dos raios-() < varredura %oi reali5ada numa
se2U4ncia "asso a "asso com um incremento de Q)Q??
o
F:G "ara um tem"o de conta/em
de ?s) *esta an7lise$ as amostras$ %oram mo6das e "eneiradas em mala ?:I "ara a
omo/enei5a&'o e minimi5a&'o de ocorr4ncias como orienta&'o "re%erencial do "0) <
"artir dos dados do ensaio de ,R($ re%inou-se a estrutura das %ases "resentes nas
amostras atravs do so%tVare ,@WS OB)
< resistividade eltrica dc Fcorrente cont6nuaG %oi medida utili5ando-se o mtodo de
: "ontos F: terminaisG$ com o au16lio dos mult6metros XP?AIS< e XP?AIB<$ de uma
3
c#mara de controle de tem"eratura F+
m71
Y S:? KG$ de um microcom"utador "rovido de um
cart'o de inter%ace XP-I@ e do so%tVare XPVEE ?)Q) Para a medida da resistividade ac
Fcorrente alternadaG$ utili5ou-se um im"edanc6metro XP A9O:< FIert5 a 9? Mert5G) Os
dados de im"ed#ncia %oram tratados atravs de simula&Ces de circuitos e2uivalentes com
so%tVare a"ro"riado 8E;) Os eletrodos FcontatosG das amostras$ em %orma de "astila$
%oram %eitos a"licando-se tinta de "rata em cada uma das %aces)
RESUL+<,OS E ,ISCUSS.O
< %i/ura 9 e1i3e o "er%il de di%ra&'o dos raios-( das amostras sinteri5adas H
tem"eratura de 9SS? K "or I oras) < identi%ica&'o das %ases mostrou a "resen&a de
duas %ases 2ue se en2uadraram no "er%il de di%ra&'o o3servado e %oram caracteri5adas
como <l
:
O
?
F<luminaG e Mn
1
Co
9-1
<l
:
O
A
Fes"inlio-aluminatoG 2ue "osteriormente %oram
con%irmadas atravs do re%inamento de Rietveld)
>i/ura 9) Per%il de di%ra&'o de raios-( "ara as amostras com com"osi&'o
8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
; FQ$QI 1 Q$OIG sinteri5adas H 9SS? KD < identi%ica&'o das
%ases mostrou a %orma&'o da %ase es"inlio Mn
1
Co
9-1
<l
:
O
A
e uma 2uantidade de <l
:
O
?
)
Re%inamento das estruturas
4
Utili5ando-se o mtodo de Rietveld$ re%inou-se as estruturas das %ases
identi%icadas$ con%orme mostra um di%rato/rama t6"ico do re%inamento de Rietveld na
%i/ura :$ "ara todas as com"osi&Ces) O resultado 2uantitativo do re%inamento mostrou um
"ercentual da %ra&'o em massa maior "ara a %ase es"inlio$ em torno de BEP do
"ercentual total da massa das amostras)
>i/ura :) ,i%rato/ramas o3servado F,R(G$ calculado "elo mtodo de Rietveld e a
di%eren&a entre estes dadosD <mostra com conte=do 8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
;$ "ara 1 Y
Q$IQD Fo3s-calc Z di%eren&a entre dados o3servados e calculadosG)
< "artir do re%inamento da estrutura do es"inlio$ veri%icou-se 2ue esta "ertence ao
/ru"o es"acial cristalo/r7%ico >d?m) Estimou-se os valores do "ar#metro de rede e como
o mesmo varia em %un&'o da %ra&'o molar () O resultado mostrado na %i/ura ? indica 2ue
7 um aumento do "ar#metro de rede da estrutura em %un&'o do aumento do 01ido de
man/an4s) Este resultado uma conse2U4ncia direta do maior volume do Mn
K:
de raio
iMnico i/ual a Q$QBQ nm$ 2ue su3stitui o Co
K:
2ue tem raio iMnico de Q$QSA nm) Resultados
semelantes t4m sido re/istrados em outros estudos 8S;)
,e acordo com a %i/ura ?$ "ode-se veri%icar uma inter"ola&'o dos "ontos tendendo
"ara uma rela&'o de linearidade) Este resultado mostra 2ue esta caracter6stica o3edece
a lei de Ve/ard 8B$ O;$ 2ue di5 2ue o "ar#metro de rede de uma solu&'o s0lida
su3stitucional varia linearmente com a concentra&'o dos elementos) ,essa maneira$
"ode-se di5er 2ue o resultado o3tido indica a %orma&'o da %ase solu&'o s0lida
"roveniente do sistema 8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
;)
5
Q$QQ Q$:I Q$IQ Q$SI 9$QQ
Q$B9Q
Q$B9?
Q$B9E
Q$B9O
Q$B::


P
a
r
#
m
e
t
r
o

d
e

r
e
d
e

F
n
m
G
(
>i/ura ?) Varia&'o do "ar#metro de rede em rela&'o ao aumento do 01ido de man/an4s
de acordo com a %ra&'o molar 1$ "ara o sistema Mn
1
Co
9-1
<l
:
O
A
$ Q$QI 1 Q$OI)
Estimou-se$ ainda com o re%inamento da estrutura es"inlio$ a concentra&'o dos
6ons 3ivalentes nos s6tios octaedrais atravs "ar#metro [%ator de ocu"a&'o\$ 2ue %oi um
dos itens do re%inamento) Os resultados indicaram 2ue os 6ons Co
K:
e Mn
K:
t4m %orte
"re%er4ncia "elos s6tios tetraedrais) Porm$ a an7lise do "ar#metro de invers'o da
estrutura$ em rela&'o ao co3alto FCo
K:
G coordenado octaedralmente$ indicou 2ue a
estrutura est7 ["arcialmente invertida\ "or ter um volume consider7vel dos 6ons de Co
K:
nos s6tios @ FoctaedraisG) <o contr7rio$ "ara os 6ons de Mn
K:
$ veri%icou-se uma estrutura
"raticamente [normal\ devido ao "e2ueno volume destes 6ons coordenados
octaedralmente) Estes resultados s'o semelantes aos o3tidos "or ]aco3 e %it5ener 8S;$
onde mostraram 2ue a causa da maior concentra&'o de Co
K:
nos s6tios octaedrais
devido a inser&'o do 6on Mn
K:
no sistema 2ue causa uma redistri3ui&'o dos 6ons Co
K:
nos
s6tios octaedrais) Isso ocorre devido a ener/ia de "re%er4ncia "or s6tios tetraedrais do
Mn
K:
ser maior e$ desta %orma$ determina a redistri3ui&'o dos 6ons de co3alto "ara outros
s6tios FoctaedraisG)
Pro"riedades eltricas
6
O lo/aritmo da resistividade dc em corrente cont6nua F
dc
) "lotado em %un&'o da
tem"eratura de ensaio 2ue variou de I:? K a B:? K$ con%orme mostra a %i/ura A) O
resultado mostra 2ue a resistividade da amostra diminui com o aumento da tem"eratura)
Em 3ai1as tem"eraturas o3teve-se valores de resistividade da ordem de 9Q
9Q
)cm$ 2ue
considerado muito resistivo "ara 01idos semicondutores 89Q;) Em tem"eraturas de ensaio
mais altas$ os valores de resistividade atin/iram a ordem de /rande5a em 9Q
E
)cm) <
"artir da e2ua&'o de <rrenius F
dc
Y
o
e1"8E
a
TR+G$ onde
o
a resistividade em Q K
F5ero a3solutoG$ E
a
a ener/ia de ativa&'o$ R a constante de @olt5mann e + a
tem"eratura FKG$ calculou-se a ener/ia de ativa&'o Fcorres"ondente H inclina&'o das
curvas da %i/ura AG)
>i/ura A) Curvas do lo/
dc
em %un&'o de 9Q
?
T+FKG) <mostras com com"osi&'o
8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
;D Q$QI 1 Q$OI)
O resultado da ener/ia de ativa&'o calculado em cada curva a"resentou valores
"r01imos H mdia de ?Q eV) @ai1os valores de ener/ia de ativa&'o$ o mecanismo de
condu&'o "ode ser atri3u6do ao [o""in/ de eltrons\ 899$ 9:;) Para altos valores de
ener/ia de ativa&'o o mecanismo de condu&'o "redominante atri3u6do H condu&'o
iMnica) ,e acordo com Rada"iyari e co-autores 899;$ o "rov7vel mecanismo de condu&'o
em seus materiais$ 2ue a"resentaram ener/ia de ativa&'o entre Q$:: a Q$SI eV$ %oi o
corres"ondente ao [o""in/ de eltrons\) Portanto$ de acordo com os valores
encontrados no "resente tra3alo dedu5iu-se uma "rov7vel "redomin#ncia do
7
mecanismo o""in/ no "rocesso de condu&'o dos materiais em estudo) O aumento dos
6ons de man/an4s no sistema redistri3ui um "ercentual destes 6ons em sitos octaedrais
na estrutura 2ue %avorece Hs trocas entre 6ons Mn
K:
e Mn
K?
$ /erando o "rocesso de
condu&'o) O maior volume dos 6ons de co3alto na estrutura com a "oss6vel "resen&a em
s6tios octaedrais tende a ini3ir o o""in/ de eltrons entre os 6ons de man/an4s
tornando$ assim$ o material mais resistivo)
<travs da tcnica de es"ectrosco"ia de im"ed#ncia$ analisou-se a res"osta
eltrica das amostras 2uando su3metidas a um "otencial eltrico em corrente alternada
FacG) < %i/ura I mostra o dia/rama de im"ed#ncia das amostras em ensaio eltrico H
tem"eratura de E:? K) Pode-se veri%icar na %i/ura I 2ue a com"osi&'o com o maior
"ercentual de man/an4s Fdetale no canto su"erior da %i/uraG %oi a 2ue a"resentou o
menor semic6rculo$ caracteri5ando a2uela amostra como a menos resistiva) Resultado
2ue con%irma o o3tido em corrente cont6nua) Se/undo >an e Sale 89?;$ a varia&'o no
tamano do semic6rculo est7 associada ao tamano do /r'o Fcrescimento durante o
"rocesso de sinteri5a&'oG) Esta o3serva&'o %oi %eita "or >l0rio e Muccillo 89A;)
-? Q ? E O 9: 9I 9B
Q
?
E
O
9:

( Y Q$OI
(MnO)
&
.(CoO)
1&
.A!
2
O
"
( Y Q$QI
( Y Q$?Q
( Y Q$IQ
( Y Q$SQ
( Y Q$OI
>re2u4ncia FXert5G
^
I
m

F

G
1
9
Q
I
^
Re
FG19Q
I
?E?
9EA
IEA
9EI
9EE
9ES
>i/ura I) ,ia/rama de im"ed#ncia-com"le1a das amostras do sistema 8FMnOG
1
;8FCoOG
9-
1
;8<l
:
O
?
;) Ensaio reali5ado H tem"eratura de E:? K) ,etale no canto su"erior direito
"ara %ra&'o molar 1 Y Q$OI)
O volume da resistividade no /r'o e no contorno de /r'o "ode ser veri%icado em
%un&'o dos interce"tos dos semic6rculos F%i/ura IG no ei1o da a3scissas F^_
Re
G) Wan/ e
co-autores 89I; mostraram 2ue ^_ F"arte real da im"ed#nciaG diretamente "ro"orcional
8
Hs resist4ncias do /r'o FR
/
G e do contorno de /r'o FR
c/
G de acordo com a varia&'o da
%re2U4ncia FG) Quando Q$ o3tm-se as contri3ui&Ces "ara as resistividades do /r'o e
contorno de /r'o da %orma ^_ Y R
/
K R
c/
e$ 2uanto o3tm-se a"enas as
contri3ui&Ces do /r'o em ^_ Y R
/
2ue$ nessas condi&Ces$ a"resentam valores de
resistividade muito 3ai1os) < ta3ela 9 mostra os valores estimados da resistividade das
amostras atravs da e1tra"ola&'o dos semic6rculos da %i/ura I)
+a3ela 9) Resultados da an7lise de Im"ed#ncia "ara as amostras do sistema
8FMnOG
1
;8FCoOG
9-1
;8<l
:
O
?
;)
>ra&'o (
R
/
FG
FG
R
/
K R
c/
R
c/
FG
FQG

c/
F
-9
G
Q$QI EA E$9EI 9$E
Q$?Q A: 9:$:EI Q$B:
Q$IQ EB I:$:EI Q$9O
Q$SQ AS 9A$?EI Q$EO
Q$OI :SI Q$?AEI ?Q$?
*a ta3ela 9 veri%ica-se 2ue a menor resistividade$ conse2Uentemente maior
condutividade F
c/
G$ do sistema %oi o3tida "ara a maior 2uantidade do 01ido de man/an4s$
con%orme %oi "revisto anteriormente na an7lise em corrente alternada) O resultado
tam3m mostra 2ue em 3ai1as %re2U4ncias a maior contri3ui&'o no volume da
resistividade do contorno de /r'o)
CO*CLUS`ES
< an7lise "or ,R( indicou a "resen&a das %ases <l
:
O
?
e Mn1Co9-1<l:OA nas
amostras F"astilasG) O re%inamento de Rietveld da %ase es"inlio mostrou 2ue a adi&'o
do 6on Mn
K:
aumentou o "ar#metro de rede da estrutura) < %orte "re%er4ncia do Mn
K:
"or
s6tios tetraedrais indu5iu a mi/ra&'o de 6ons Co
K:
"ara s6tios octaedrais) O sistema
indicou um com"ortamento caracter6stico de um semicondutor$ onde veri%icou-se uma
redu&'o na resistividade em %un&'o do aumento da tem"eratura do ensaio) O maior
"ercentual do Mn
K:
no sistema mostrou uma melor condutividade do semicondutor$ este
resultado %oi demonstrado atravs ensaios eltricos em corrente cont6nua e alternada)
,edu5iu-se 2ue o [o""in/ de eltrons\ %oi o mecanismo de condu&'o "redominante no
sistema) <s amostras com uma 2uantidade consider7vel de Co
K:
e a distri3ui&'o destes
9
6ons em s6tios octaedrais$ indicaram uma ini3i&'o das trocas de eltrons entre os 6ons
Mn
K:
e Mn
K?
em s6tios octaedrais causando maiores valores de resistividade do sistema)
RE>ERa*CI<S @I@LIOGRb>IC<S
9 - XO+OVc$ I)$ XUR<*$ ])$ SPIESS$ L)$ X<SCIK$ S)$ REX<CEK$ V) Pre"aration o%
nicRel o1ide tin %ilms %or /as sensors a""lications) S(n)o*) +n, A-./+.o*) B$ v IS$ ")
9AS-9I:$9OOO)
: - @<E$ X) c)$ CXOI$ G) M) Electrical and reducin/ /as sensin/ "ro"erties o% ^nO
and ^nO-CuO tin %ilms %a3ricated 3y s"in coatin/ metod) S(n)o*) +n, A-./+.o*) B$ v
II$ ") AS-IA 9OOO)
? - POR+<$ P)$ <*ICXI*I$ <)$ @UCCI<RELLI$ U) ,istri3ution o% nicRel ions amon/
octaedral and tetraedral sites in *i
1
^n
9-1
<l
:
O
A
s"inel solid solutions) 0. C1(23-+!
So-3(.45F+*+,+4 T*+n)+-) I$ v) SI$ ") 9BSE-9BBS$ 9OSB)
A- SICK<>US$ K) E)$ WILLS$ ]) M) Structure o% s"inel) 0. A2(*. C(*+2. So-)$ v
B:F9:G$ ") ?:SO-?:O:$ 9OOO)
I - GOMES$ K) Q) <n7lise Quantitativa de %ases es"inlio do sistema CuO-<l
:
O
?
com adi&Ces de MnO e *iO) D3))(*.+67o +8*()(n.+,+ +o 8*o9*+2+ ,( 8:)9*+,/+67o
(2 En9(n1+*3+ ,o) M+.(*3+3) Z ,EMaTU>SCar Z S'o Carlos$ 9:9 ")$ 9OOB)
E - ^VIEW So%tVareD Vers'o :)93 F,emoGD escrito "or ,ereR ]onson 9OOQ-9OOB)
S - ]<CO@$ K) +)$ >I+^E*ER$ K) Ion-e1can/e E2uili3ria 3etVeen FMn$CoGO Solid
Solution and FMn$CoGCr
:
O
A
and FMn$CoG<l
:
O
A
S"inel Solid Solutions at 99QQ
o
C) 0. M+.(*.
S-3(n)$ v) 9:$ ") AB9-ABB$ 9OSS)
B - CXX<c<$ U) V)$ +RIVE,I$ @) S)$ KULK<R*I$ R) G) Ma/netic "ro"erties o% te
mi1ed s"inel *i<l
:1
Cr
1
>e
:-?1
O
A
) P14)3-+ B$ v :E:$ " I-9:$ 9OOS)
O - KRE^XOV$ K)$ KO*S+<*+I*OV$ P) Cationic distri3utions in te 3inary o1ide
s"inels M1Co
?-1
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