Você está na página 1de 59

Microelectrónica – 10.

1
Aula 10
Licenciatura em Engenharia Biomédica
- RAMO II: Electrónica Médica
-
Paulo Mendes
http://dei-s1.dei.uminho.pt/pessoas/pmendes
2005/2006
Microelectrónica
Microelectrónica – 10. 2
Sumário
• Microelectrónica
• A tecnologia Bipolar e o modelo de layout físico do transístor
bipolar.
• As vantagens e desvantagens da tecnologia CMOS em
relação à tecnologia Bipolar.
• A tecnologia BiCMOS.
• Micromaquinagem
• A tecnologia da micromaquinagem no silício para criar
estruturas a 3 dimensões (micro-sensores e
microactuadores).
• Os processos de fabrico:
• micromaquinagem volúmica (bulk-micromachining),
• micromaquinagem superficial (surface-micromachining),
• o processo LIGA.
• Aplicações em rádio-frequência e sensor de pressão.
Microelectrónica – 10. 3
Tecnologia Bipolar
• Transístores Bipolares
• Estrutura npn ou pnp em
silício
• Uma pequena corrente
numa camada muito fina da
base controla uma corrente
entre o emissor e o colector
• Corrente de base limita a
densidade de integração
• CMOS
• nMOS e PMOS
• Tensão aplicada a uma gate
isolada controla a corrente
entre a source e o drain
• Baixa potência permite um
elevado nível de integração
Microelectrónica – 10. 4
Famílias lógicas digitais
• RTL: Resistor-Transistor Logic
• DTL: Diode-Transistor Logic
• TTL: Transistor-Transistor Logic
• ECL: Emitter-coupled Logic
• MOS: Metal-Oxide Semiconductor
• CMOS: Complementary MOS
• Baixa dissipação, actualmente é a dominante
• BiCMOS: Bipolar CMOS
• CMOS e TTL para corrente/velocidade adicionais
• GaAs: Gallium-Arsenide
No início,
obsoleta
Operação rápida
Amplamente utilizada
compacta
Muito alta velocidade de operação
Microelectrónica – 10. 5
Características da Tecnologia CMOS
Menor consumo de potência estática
Maiores margens de ruído
Maior densidade de encapsulamento – menor custo por disposistivo
Maior colheita com funções complexas integradas
Impedância de entrada elevada (baixa corrente de controlo)
Tensão de limiar Scaleable
Atraso com elevada sensibilidade à carga (limitações de fan-out)
Corrente de saída pequena (problema quando controla cargas capacitivas)
Baixa transcondutância, onde transcondutância g
m α
V
in
Capacidade bidireccional (permutação entre drain e source)
Próximo de um interruptor ideal
Vantagens do CMOS sobre bipolar
Outras vantagens do CMOS
Microelectrónica – 10. 6
Características da Tecnologia bipolar
Maior velocidade de comutação
Maior controlo de corrente por unidade de área, maior ganho
Normalmente melhor performance de ruído e melhor característica de frequência
Melhor capacidade analógica
Melhor velocidade I/O (particularmente significativo devido ao aumento da
importância do limite do encapsulamento em sistemas de alta velocidade)
Elevada dissipação de potência
Menor impedância de entrada (corrente de comando elevada)
Baixo swing lógico
Baixa densidade de encapsulamento
Atraso com pouca sensibilidade à carga
Elevado g
m
(g
m α
Vin)
Produto ganho-largura de banda (f
t
) elevado a baixas correntes
Essencialmente unidireccional
Vantagens do bipolar sobre CMOS
Outras caracteísticas do
Bipolar
Microelectrónica – 10. 7
Tecnologia BiCMOS
•Combina as duas tecnologias (Bipolar e CMOS)
tirando partido do ganho dos transístores bipolares e
do baixo consumo da tecnologia CMOS.
•Espaço físico para layout optimizado comparado com
a tecnologia Bipolar.
•I
B
, I
offset
e V
offset
optimizados
•Processo de fabrico muito caro quando comparado
com a tecnologia Bipolar e CMOS.
• Utilizando as vantagens do bipolar e do CMOS,
BiCMOS permite o desenvolvimento de circuitos VLSI
com uma elevada densidade velocidade-potência, não
conseguida pelas tecnologias individualmente
Microelectrónica – 10. 8
Combinar de vantagens na tecnologia BiCMOS
•O desenho utiliza portas CMOS combinadas com um andar
totem-pole quando se pretende controlar cargas com
capacidade elevada
• Resultado dos benefício da tecnologia BiCMOS sobre só
CMOS ou só Bipolar:
•Aumento da velocidade relativamente à tecnologia CMOS pura
•Menor dissipação de potência relativamente à tecnologia bipolar pura
(facilitando os requisitos de encapsulamento e de board)
•I/O flexível (i.e, TTL, CMOS ou ECL) – a tecnologia BiCMOS é
apropriada para aplicações intensas de I/O. É possível obter facilmente
níveis de entrada e saída ECL, TTL e CMOS sem problemas de velocidade
ou de interligação.
•Melhor performance analógico
•Imunidade ao latch-up
Microelectrónica – 10. 9
O inversor BiCMOS simplificado
Dois transístores bipolar (T3 and T4), um nMOS e um pMOS (ambos de, OFF-V
in
=0V)
Os interruptores MOS efectuam a função lógica e os bipolares controlam a carga
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
Vin = 0 :
T1 – OFF -> Consequentemente T3 não conduz
T2 - ON -> fornece corrente à base de T4
Tensão na base de T4 com o valor V
dd
.
T4 actua como fonte de corrente que carrega C
L
para V
dd
.
V
out
sobe para V
dd
- V
be (de T4)
Nota : V
be (de T4)
é a tensão base-emissor de
T4.
(transístor bipolar de pullup desliga quando a
saída é 5V - V
be (de T4)
)
Vin = V
dd
:
T2 – OFF -> Consequentemente T4 não conduz.
T1 – ON -> fornece corrente à base de T3
T3 conduz e funciona com sorvedouro de corrente para
descarregar C
L
para 0V.
V
out
cai para 0V+ V
CEsat (de T3)
Nota : V
CEsat (de T3)
é a tensão de saturação de T3
Microelectrónica – 10. 10
O inversor BiCMOS simplificado
• T3 & T4 apresentam baixa impedância quando são colocados na saturação e a carga
C
L
é carregada e descarregada rapidamente
• Os níveis lógicos de saída serão bons e próximo de rail-to-rail dado V
CEsat
que é muito
pequeno e V
BE
≈ 0.7V. Desta forma, o inversor apresenta elevada margem para ruído
• O inversor tem elevada impedância de entrada, i.e., da gate MOS
• O inversor tem baixa impedância de saída
• O inversor tem uma elevada capacidade de corrente e ocupa uma área relativamente
pequena
• Contudo, esta não é uma boa topologia para implementar dado que não existe nenhum
caminho para a corrente da base dos dois transístores bipolares quando estes estão a
desligar, i.e.,
• quando V
in
=V
dd
, T2 OFF e não
existe caminho para a base de T4
• quando V
in
=0, T1 OFF e não
existe caminho para a base de T3
Isto reduz a velocidade de funcionamento do circuito
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
Microelectrónica – 10. 11
O inversor BiCMOS convencional
Mais uma vez esta porta não permite funcionamento rail-to-rail. Assim, existe alguma
dissipação de potência quando alimenta outro andar CMOS ou BiCMOS. A componente
de fuga pode ser reduzida através do controlo dos parâmetros de dispositivo BiCMOS.
V
out
V
dd
V
in
T
2
T
4
T
1
T
3
C
L
T
6
T
5
Microelectrónica – 10. 12
Estruturas BiCMOS mais avançadas
•Existem várias estruturas de portas BiCMOS para ultrapassar as desvantagens da
porta BiCMOS convencional
•Existem portas BiCMOS disponíveis que permitem funcionamento rail-to-rail
•Existem uma estrutura comum em todas as portas BiCMOS:
•Todas elas se baseiam numa estrutura com MOSFET que controlam
transístores bipolares
•A tecnologia BiCMOS tem a capacidade de fornecer potência e densidade a
velocidades que antes éram do domínio do bipolar.
•BiCMOS posiciona-se no mercado entre:
•Muito alta velocidade, mas famintos por potência, como o bipolar ECL
(Emitter Coupled Logic)
•Muito alta densidade, CMOS velocidade média
Microelectrónica – 10. 13
•Quando não há limite de potência, a tecnologia bipolar optimizada para velocidade
será sempre mais rápida do que a BiCMOS e deve ser utilizada
•Contudo, quando existe limite de potência, a habilidade de colocar a potência onde é
necessária, normalmente permite à tecnologia BiCMOS uma velocidade superior à
bipolar
•A tecnologia BiCMOS torna o conceito SoC uma realidade
•A maioria das gates em ROM’s, ALU’s, registos, não têm que controlar grandes
capacidades. Assim o uso de BiCMOS não daria vantagem de velocidade
•Para tirar o máximo partido das tecnologias disponíveis no silício, poderá ser
necessário utilizar um mix de:
CMOS para lógica
BiCMOS para I/O e circuitos de drive
ECL para zonas críticas de alta velocidade
Estruturas BiCMOS mais avançadas
Microelectrónica – 10. 14
Comparação de famílias lógicas
e.g., 74BCT tem velocidade semelhante ao 74F mas com menor consume de potência
Microelectrónica – 10. 15
Vantagens adicionais da tecnologia BiCMOS
•Projecto de amplificadores analógicos mais fácil e melhorado
•Os transístores CMOS de elevada impedância de entrada podem ser utilizados nos
andares de entrada e os bipolares nos andares de saída
•Geralmente, os dispositivos BiCMOS permitem uma elevada capacidade de corrente,
quando comparados com o CMOS convencional
•A velocidade do MOS depende de parâmetros tais como corrente de saturação e
capacidade, que por sua vez dependem da espessura do óxido, dopagem do substrato e
largura do canal
•Comparado com o CMOS, a velocidade do BiCMOS depende menos da carga
capacitiva, o que permite uma variedade de circuitos de I/O
[A velocidade de pico é menos dependente da capacidade do circuito. Os parâmetros que
determinam a velocidade do circuito bipolar são f
t
, Jk e Rb, que também dependem de
parâmetros do processo como a largura da base, largura do emissor, epitaxial layer profile, ...]
Microelectrónica – 10. 16
Existem desvantagens na tecnologia BiCMOS?
•Desvantagem principal : grande complexidade do processo, quando comparada com
CMOS
•Resulta num aumento entre 1.25-1.4 no preço do die relativamente ao CMOS. Tendo
em consideração os custos de encapsulamento, o custo total de fabrico de um chip
CMOS anda por 1.1-1.3 vezes o do CMOS.
•Contudo, como a complexidade CMOS aumentou, a diferença do custo entre as
máscaras CMOS e BiCMOS diminuiu. Consequentemente, tal como a dissipação de
potência ditou a mudança de nMOS para CMOS no fim dos 70’s, os requisitos de
velocidade ditaram uma mudança para BiCMOS em dispositivos VLSI que necessitam
de velocidade elevada
•Os custos de investir em tecnologias CMOS cada vez menores (< 1 um) aumentam
exponencialmente, enquanto que a necessidade de low-power para sub-0.5 um CMOS
resulta na degradação de performance. Dado que o BiCMOS não precisa de ser
reduzido tão agressivamente como o CMOS, podem-se utilizar as fabs existentes com
um custo reduzido. OS custos extra são absorvidos pela utilização do equipamento e
salas limpas durante mais uma geração tecnológica.
Microelectrónica – 10. 17
Fabrico BiCMOS
•Teoricamente existe pouca dificuldade em estender um processo CMOS para incluir
também transístores bipolares
•De facto, um dos problemas do processamento com p-well e n-well é o aparecimento
de transístores bipolares parasitas que se formam inadvertidamente no fabrico
•A produção de transístores bipolares npn com boa performance pode ser conseguido
com a extensão do CMOS n-well standard para incluir máscaras adicionais para duas
novas camadas: n+ sub-colector e p+base
Microelectrónica – 10. 18
Transístor npn BiCMOS (orbit 2um CMOS)
Microelectrónica – 10. 19
Micromaquinagem do silício
•Técnicas para:
• moldar e/ou criar padrões nos filmes finos que foram
depositados sobre um wafer de silício
• mudar a forma do wafer,
• criar microestruturas 3D básicas.
•Técnicas associadas com a micromaquinagem do
silício:
• deposição de filmes finos,
• remoção de materiais e filmes finos recorrendo à corrosão
química,
• remoção de materiais e filmes finos por corrosão a seco (e.g,
corrosão por plasma)
• introdução de impurezas no silício, modificando as suas
propriedades (i.e, doping).
Microelectrónica – 10. 20
Micromaquinagem
•Um grande número de fenómenos físicos têm
um especial significado à escala do
micrómetro comparado com o dispositivo
macroscópico.
• Micro-mecânica
• partes móveis e engrenagens
• Microfluidos
• microcanais, microválvulas
• Micro-óptica
• há partes móveis e engrenagens
Microelectrónica – 10. 21
Micromaquinagem
• Micromaquinagem volúmica - Bulk micromachining
• Micromaquinagem superficial - Surface micromachining
• Deep reactive ion etching (DRIE)
• Outros materiais/processos
Microelectrónica – 10. 22
Volúmica, Superficial, DRIE
• Micromaquinagem volúmica envolve a remoção de
material do próprio wafer de silício
• Tipicamente corrosão a frio
• Tradicionalmente na indústria MEMS
• Desenhos artísticos, equipamento barato
• Problemas com compatibilidade com IC
• Micromaquinagem superficial deixa o wafer intacto
mas adiciona/remove camadas adicionais sobre a
superfície do wafer
• Tipicamente corrosão com plasma
• Filosofia de desenho semelhante à do IC, equipamento
relativamente barato
• Também se colocam questões com compatibilidade com IC
• DRIE (Deep Reactive Ion Etch) remove substrato
mas assemelha-se à micromaquinagem superficial
Microelectrónica – 10. 23
Micromaquinagem volúmica
• Muitos dos corrosivos líquidos apresentam
uma taxa de corrosão diferente para
direcções diferentes
• <111> etch rate é a mais lenta, <100> e <110>
mais rápida
• Rápida:lenta pode ser mais de 400:1
• KOH, EDP, TMAH são os corrosivos anisotrópicos
mais comuns para o silício
• Corrosivos isotrópicos do silício
• HNA (Hydrofluoric acid + Nitric acid + Acetic acid)
• HF, ácidos nítricos e acético
• Duro de utilizar
• XeF
2
, BrF
3
Microelectrónica – 10. 24
Corrosão anisotrópica do silício
• A corrosão anisotrópica tem taxas de corrosão dependentes das
direcções do cristal
• Tipicamente, as taxas de corrosão são mais lentas para direcções
perpendiculares ao plano cristalinos com a maior densidade
• Os corrosivos anisotrópicos tipicamente utilizados para o silício
incluem o Hidróxido de potássio (KOH), o Tetramethyl Ammonium
Hydroxide (TMAH), e o Ethylene Diamine Pyrochatecol (EDP)
<111>
<100>
Substrato de silício
54.7
Microelectrónica – 10. 25
Fotolitografia na micromaquinagem
• Técnica usada para definir a forma das
estruturas a micromaquinar
• Uso da mesma técnica que na indústria da
microelectrónica
• Em alguns casos usa-se como máscara o
SiO
2
ou Si
3
N
4
em vez de photoresist
Microelectrónica – 10. 26
Fotolitografia na micromaquinagem
O photoresist é removido deixando a camada de
óxido com o padrão pretendido
Filme finos (e.g, SiO
2
) depositados sobre um
substrato (e.g, wafer de Si)
O wafer é revestido por um polímero que é sensível à
luz ultravioleta, chamado photoresist
A luz ultravioleta passa através da máscara e corrói o
photoresist
O padrão da máscara é transferido para a
camada do photoresist
luz ultravioleta
desgasta o
polímero
A luz ultravioleta compacta o polímero
O óxido não protegido (pelo photoresist) é
removido por um químico
Microelectrónica – 10. 27
Corrosão química
• Quando o photoresist não é suficientemente
resistente para suportar a corrosão química
• Um filme fino de material mais resistente (e.g,
óxido ou nitreto) é depositado e padronizado
usando fotolitografia.
• O óxido/nitreto então actua como máscara quando
se dá a corrosão do material pretendido
Quando a corrosão do material está completa o óxido/nitreto que
serviu de máscara é removido.
Microelectrónica – 10. 28
Corrosão química em solução aquosa
•Remoção de materiais em solução aquosa
química recorrendo a uma base ou ácido forte.
• Corrosão isotrópica
• a corrosão processa-se em todas as direcções
e à mesma taxa
• Corrosão anisotrópica
• A corrosão processa-se a diferentes taxas de
corrosão em diferentes direcções. Permite a
obtenção e controlo de várias formas.
• Alguns compostos químicos corroem o silício a
taxas diferentes, que dependem da
concentração das impurezas no silício.
Microelectrónica – 10. 29
Corrosão química em solução aquosa
• Químicos corrosivos
isotrópicos
• Disponíveis para óxido,
nitreto, alumínio,
polisilício, ouro, e silício.
• Ataca os materiais à
mesma taxa em
todas as direcções,
corroem debaixo da
máscara à mesma
taxa que corroem ao
longo do material.
Na figura o photoresist é preto, e o
substrato está representado a
amarelo.
Microelectrónica – 10. 30
Corrosão química em solução aquosa
•Químicos corrosivos
anisotrópicos
• Há vários compostos
químicos no mercado
disponíveis para corroer os
diferentes planos do silício a
diferentes taxas de corrosão.
• Hidróxido de potássio (KOH)
• O mais popular e barato
• Condições de segurança
médias
• Aberturas em V no silício, inclinações
segundo ângulos dependentes da
orientação cristalina do silício.
• Wafer com orientação cristalina [100]
dá origem a inclinações de 54,7º
• O uso de wafers com orientações
cristalinas diferentes [110] produz
aberturas em V e inclinações a 90º -
paredes verticais.
Microelectrónica – 10. 31
Corrosão com KOH
• Corrói PR e alumínio instantaneamente
• Máscaras:
• SiO2
• compressivo
• SixNy
• tensão
• Parylene!
• Au?
Microelectrónica – 10. 32
Corrosão química em solução aquosa
• KOH em RF-chips e wafers [110]
Microelectrónica – 10. 33
Corrosão química em solução aquosa
•óxido e nitreto são pouco
corroídos em soluções
aquosas de KOH.
• Óxido pode ser usado para
máscara durante um curto
período de tempo (i.e, para
aberturas superficiais no
silício)
• Para longos períodos de
tempo, o nitreto é a melhor
máscara porque corrói
mais devagar em soluções
aquosas de KOH.
•Corrosão dependente da
concentração de
impurezas
• Elevados níveis de boro
no silício reduz
drasticamente a taxa de
corrosão.
• Elevada concentração de
boro a dopar o silício
provoca a paragem da
corrosão.
Microelectrónica – 10. 34
Corrosão química volúmica em solução
aquosa (Bulk silicon micromachining)
Microelectrónica – 10. 35
Bulk-silicon micromachining
• KOH pode ser usado para obter estruturas com a forma de mesa (a).
• Os cantos das estruturas em forma de mesa podem ser corroídos mais do
que o pretendido (b) obtendo-se cantos imperfeitos.
• Este problema pode ser resolvido com estruturas de compensação. Tipicamente
a máscara de corrosão é desenhada de maneira a incluir estas estruturas nos
cantos. Estas estruturas de compensação são desenhadas de maneira a que a
mesa é formada obtendo-se cantos a 90º.
Microelectrónica – 10. 36
Bulk-silicon micromachining
•Diafragmas em silício
com a espessura de 50
µm podem ser obtidos
em wafers de Si com a
corrosão por KOH.
•A espessura é
controlada pelo tempo
que demora a corrosão,
portanto tem um
intervalo de incerteza
associado
• Diafragmas mais finos, até 20 µm de
espessura, podem ser produzidos usando a
dopagem por Boro para fazer parar a
corrosão por KOH
• A espessura do diafragma é dependente da
profundidade à qual o Boro é difundido
dentro do silício, neste processo o controlo é
mais preciso que o simples controlo da
corrosão por tempo.
• O diafragma de silício é a estrutura básica
dos sensores de pressão.
• Este micro-sensor de pressão pode ser
adaptado com uma mesa sobre o diafragma
para servir de acelerómetro.
Microelectrónica – 10. 37
Bulk-silicon micromachining
• Micro-espectrómetro Bulk-micromachined
sintonizável para a luz visível
Microelectrónica – 10. 38
Micromaquinagem de Ink Jet Nozzles
Microtechnology group, TU Berlin
Microelectrónica – 10. 39
Cavidades-micromaquinagem volúmica
• Corrosão anisotrópica com KOH
• Corrosão com plasma isotrópico
• Corrosão isotrópica com BrF3 com
óxido compressivo ainda visível
Microelectrónica – 10. 40
Micromaquinagem volúmica – Sensor de pressão
• Corrosão anisotrópica permite
maquinar o silício com
elevada precisão
• Silício apresenta um elevado
efeito piezoresistivo
• Estas propriedades,
combinadas com as
propriedades mecânicas
excepcionais e com um bom
desenvolvimento do processo
de fabrico, torna o silício o
material ideal para sensores
de precisão
• Sensores de pressão e
acelerómetros foram os
primeiros a serem
desenvolvidos
Chip do sensor de pressão
Sensor de pressão encapsulado
Microelectrónica – 10. 41
Micromaquinagem superficial
(surface micromachining)
•As técnicas de micromaquinagem superficial
constróem a estrutura em camadas de filmes finos
sobre o substrato de silício ou outro substrato a servir
de base.
•Tipicamente são empregues filmes de dois materiais
diferentes
• O material da estrutura (quase sempre polisilício)
• O material de sacrifício (óxido).
• Ambos os materiais são depositados e formatados.
• No final o material de sacrifício é removido por corrosão
química por solução aquosa de maneira a obter-se a
estrutura pretendida.
• Quanto maior o número de camadas, mais complexa é a
estrutura e mais difícil se torna o seu fabrico.
Microelectrónica – 10. 42
Surface micromachining
•Construção de uma prancha simples:
• Uma camada de óxido é depositada na superfície do wafer.
• Uma camada de polisilício é depois depositada e padronizada
utilizando técnicas de RIE.
• O wafer é atacado com um composto que corrói a camada de
óxido debaixo do polisilício, libertando-o (b).
• Porque o óxido não foi todo removido, o polisilício fica
ancorado ao wafer por uma pequena região de óxido.
Microelectrónica – 10. 43
Surface micromachining
• Uma grande variedade de estruturas fechadas (quartos) podem ser
fabricadas na superfície do wafer de silício utilizando as técnicas de
surface micromachining.
• o volume do quarto é definido pelo volume da camada de óxido que
serve de camada sacrificial (a).
• Uma camada de polisilício é então depositada sobre a superfície do
wafer. (b).
• Uma janela é aberta no polisilício por RIE, e o wafer é então submerso
numa solução aquosa de HF que remove todo o óxido (c).
• Surface micromachining permite o fabrico de estruturas complexas;
como micro-pinças e engrenagens
Microelectrónica – 10. 44
Micromaquinagem superficial
Deposição da camada de sacrifício
Obtenção de contactos
Deposição da camada estrutural Corrosão da camada de sacrifício
Microelectrónica – 10. 45
Materiais para micromaquinagem superficial
• Estrutura/ sacrifício/ corrosivo
• Polisilício/ Dióxido de Silício / HF
• Dióxido de Silício / Polisilício / XeF2
• Alumínio/ photoresist/ plasma
• Photoresist/ Alumínio / corrosão de Al
• Alumínio / SCS EDP, TMAH, XeF2
• Poly-SiGe poly-SiGe água DI
Microelectrónica – 10. 46
Gradientes de stress residual
Mais tenso no topo
Mais compressivo no topo
Medida certa!
Após recozedura ~1000C durante
~60.
Microelectrónica – 10. 47
Gradientes de stress residual
Um mau dia!
Microelectrónica – 10. 48
Dobradiças
Deposição da camada de sacrifício
Deposição e padronização da poly
Remover a camada de sacrifício
Padronizar contactos
Depositar e padronizar 2ª poly
Depositar e padronizar a 2ª
camada de sacrifício
Microelectrónica – 10. 49
Surface micromachining
Microelectrónica – 10. 50
Corrosão electroquímica do silício
•Técnica electroquímica de passivação
• Um wafer do tipo p dopado com impurezas do tipo
n é usado
• A dopagem é realizada de forma a que se obtenha
uma junção pn
• A junção vai determinar a estrutura pretendida.
• Um potencial eléctrico é aplicado à junção durante
o tempo que o wafer é submerso na solução
aquosa de KOH para se iniciar a corrosão química.
• Quando a corrosão chega à junção uma fina
camada de óxido forma-se a qual protege esta
região da corrosão química.
Microelectrónica – 10. 51
Corrosão electroquímica do silício
•É muito similar à dopagem com Boro para
parar a corrosão química (corrosão
dependente da concentração de impurezas).
• As estruturas produzidas são muito parecidas com
aquelas produzidas pela técnica de paragem por
dopagem elevada com Boro.
• A vantagem deste método é necessitar de baixas
concentrações de impurezas.
• Este método é mais compatível com o fabrico de
microelectrónica.
Microelectrónica – 10. 52
Corrosão a seco
• Reactive Ion Etching (RIE)
• Os iões são acelerados contra um material, corroendo-o.
• Aberturas profundas com diferentes formas e com
paredes verticais podem ser obtidas com esta técnica
numa grande variedade de materiais incluindo o
silício, óxido e nitrato.
• Ao contrário da corrosão química aquosa
anisotrópica, RIE não é afectado pela orientação
cristalina do silício.
Microelectrónica – 10. 53
DRIE
Geometrias sem restrição
Paredes a 90°
Elevada relação de aspecto 1:30
Máscara fácil (PR, SiO2)
Receita do processo depende
da geometria

Microelectrónica – 10. 54
Estruturas DRIE
Actuador electroestático 2DoF
Actuador térmico
Actuador em Comb-drive
Microelectrónica – 10. 55
LIGA
• LIGA é um acrónimo do nome em alemão para o
processo (Lithographie - litografia, Galvanoformung -
electroformação, Abformung-moldagem).
• LIGA usa litografia, cromagem, e moldagem para
fabricar as micro-estruturas.
• É capaz de criar com elevada resolução, estruturas muito
finas com alturas de 1 mm ou mais (pilares ou colunas).
Microelectrónica – 10. 56
Processo LIGA
•Usando raios-X (litografia de
raios-X) produzem-se padrões em
filmes de photoresist muito
espessos:
• Os raios-X (precisa-se de uma fonte
de raios-X suave, synchrotron)
passam através de uma máscara
especial e de uma camada espessa
de photoresist que cobre o substrato.
• Este photoresist é então revelado (b).
Microelectrónica – 10. 57
Processo LIGA
•O padrão formado é
então metalizado. (c).
•Esta estrutura em metal
costuma ser o produto
final, contudo é comum
produzir um molde de
metal (d).
•Este molde pode então
ser enchido com outro
material como por ex:
plástico (e) para produzir
o produto final neste
material (f).
Microelectrónica – 10. 58
• O uso do synchrotron torna o processo LIGA
muito caro
• Alternativas têm sido desenvolvidas
• Um feixe de electrões colimado pode ser usado
para fabricar estruturas na ordem dos 100 µm
de altura.
• Laser capaz de definir estruturas até várias
centenas de micrómetros de altura.
LIGA
Microelectrónica – 10. 59
Técnicas de wafer bonding
• Usam-se técnicas de colagem e adesão para wafers
e/ou dies:
• entre wafers micromaquinados e pequenos dies,
• entre dies e substratos,
• para formar dispositivos complexos com maior quantidade
de elementos.
• muito usado em Multi-Chip-Module, combinando circuitos,
sensores e actuadores num mesmo substrato ou die.