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UNIVERSIDADE FEDERAL DE ALAGOAS UFAL

CENTRO DE TECNOLOGIA CTEC


DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA QUMICA






RAFAEL DA SILVA OLIVEIRA DE HOLANDA







SLIDOS METLICOS E INICOS











MACEI
2014
2


RAFAEL DA SILVA OLIVEIRA DE HOLANDA








SLIDOS METLICOS E INICOS





Trabalho cientfico apresentado
como avaliao parcial da disciplina de
Qumica Inorgnica sob orientao do
professor Daniel Thiele.








Macei/AL- 2014
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Sumrio
1-Objetivos ..................................................................................................................... 04
2-Introduo ................................................................................................................... 05
3-Estruturas dos slidos................................................................................................06
3.1-Clulas unitrias: definio e classificao...............................................................06
3.2-Sistemas de empacotamento em camadas.................................................................09
3.3- Interstcios tetradricos e octadricos......................................................................10
3.4-Nmero de coordenao e grau de ocupao............................................................11
3.5-Polimorfismo e alotropia...........................................................................................12
3.6-Ligas..........................................................................................................................13
3.7-Sistemas cristalinos inicos.......................................................................................14
3.8-Relao de raios em sistemas cristalinos inicos......................................................17
3.9-Defeitos em slidos cristalinos..................................................................................19
4-Concluso....................................................................................................................22
5-Referncias Bibliogrficas.........................................................................................23













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1. OBJETIVO

A compreenso da qumica dos compostos em estado slido central para o estudo
de muitos materiais inorgnicos importantes, tais como as ligas, os sais simples de
metais, os pigmentos inorgnicos, os materiais de estrutura manomtrica, as zelitas e
os supercondutores de alta temperatura.
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2. INTRODUO

Ao se entender as estruturas slidas, deve se analisar ela como um modelo mais
simples, onde os tomos so representados por esferas rgidas e a estrutura do slido o
resultado do empilhamento compacto dessas esferas. Este empilhamento compacto
fornece uma boa discrio de muitos metais e ligas e um bom caminho para analise
dos numerosos slidos inicos.
Entende-se tambm que, estruturas slidas simples podem ser consideradas como as
unidades estruturais bsicas para a construo de materiais inorgnicos mais complexos,
onde o carter covalente parcial da ligao influncia a escolha da estrutura e, assim, as
tendncias no tipo estrutural adotado pelo slido se correlacionam com as
eletronegatividades dos tomos constituintes, chegando as estruturas eletrnicas dos
materiais em termos de uma extenso da teoria dos orbitais moleculares para os arranjos
praticamente infinitos de tomos encontrados nos slidos.
Sabe-se que a maioria dos compostos inorgnicos existe como slidos, os quais so
formados por arranjos ordenados de tomos, ons ou molculas. Alguns slidos mais
simples so metais, cujas estruturas podem ser descritas em termos do preenchimento
do espao por arranjos regulares dos tomos metlicos. Onde eles interagem entre si
atravs da ligao metlica, gerando deslocamento de eltrons por todo o slido. Assim,
os metais so maleveis e dcteis porque os eltrons podem ajustar-se rapidamente ao
reposicionamento dos ncleos dos tomos metlicos e no h direcionalidade na
ligao; eles so lustrosos porque os eltrons podem responder quase que livremente a
uma onda incidente de radiao eletromagntica e refleti-la.
Por outro lado, tambm h os slidos inicos que so aquele cuja rede cristalina
formada por ligaes inicas, encontrando-se os ies dispostos de tal forma que
alcanam uma configurao estvel, submetidos a interaes mtuas.
Os slidos inicos apresentam as seguintes propriedades macroscpicas: baixa
condutividade, tanto eltrica como trmica, temperatura normal, aumentando para
temperaturas elevadas; dureza, fragilidade e um ponto de fuso alto, originado pelas
foras eletrostticas que atuam entre os ies; Precisando os ies de momentos
magnticos, apresentam tambm diamagnetismo.
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3. ESTRUTURAS DOS SLIODOS
O arranjo de tomos ou ons nas estruturas slidas simples pode, frequentemente,
ser representado por diferentes arranjos de esferas rgidas. As esferas usadas para
descrever os slidos metlicos representam os tomos neutros, porque cada ction ainda
est rodeado pelo seu complemento de eltrons. As esferas usadas para descrever
slidos inicos representam os ctions e os nions, uma vez que houve uma substancial
transferncia de eltrons de um tipo de tomo para o outro So pequenas grupos de
tomos que formam um padro repetitivo.
3.1- Clulas unitrias: definio e classificao
Uma clula unitria escolhida para representar a simetria da estrutura cristalina,
ela consiste na unidade estrutural bsica ou bloco de construo bsico da estrutura
cristalina e define a estrutura cristalina em virtude da sua geometria e das posies dos
tomos no seu interior.

Uma clula unitria de um cristal uma regio imaginria, de lados paralelos (
um paraleleppedo), a partir do qual o cristal inteiro pode ser construdo por
deslocamentos puramente translacionais; as clulas unitrias assim geradas se encaixam
juntas preferencialmente, sem excluir qualquer espao. Os ngulos (,,) e os
comprimentos (a,b,c) usados para definir o tamanho e forma de uma clula unitria so
os parmetros da clula unitria , logo, por conveno, o ngulo entre a e b o , o entre
b e c o e o entre a e c o . As clulas unitrias podem ser escolhidas de vrias
formas, mas a perfeita geralmente a menor clula que exibe a maior simetria. Com
7

isso as relaes entre os parmetros nas trs dimenses, como resultado da simetria da
estrutura, do origem a sete sistemas cristalinos.
Os sete sistemas cristalinos
Sistema Relaes entre os
parmetros de rede
A clula unitria
definida por
Simetrias essenciais
Triclnico abc 90 a b c
Nenhuma
Monoclnico abc 90=90 a b c
Um eixo binrio de rotao
Ortorrmbico abc ===90 a b c
Trs eixos binrios
perpendiculares ou planos de
reflexo
Rombodrico a=b=c ==90
Um eixo ternrio de rotao
Tetragonal a=bc ===90 a c
Um eixo quaternrio de
rotao
Hexagonal a=bc =120 a c
Um eixo de rotao de
ordem seis
Cbico a=b=c ===90 a
Quatro eixos ternrios de
rotao. Arranjos
tetraedricamente.

Observe como seria o arranjo de cada uma no espao. Note que o entorno de
cada ponto de rede idntico, consistindo de 8 outros pontos de rede nos vrtices de
um cubo. Lembrando que, redes centradas so algumas vezes, preferidas em relao
primitiva, pois a simetria estrutural essencial da clula mais aparente. Lembrando que
uma clula unitria primitiva tem exatamente um ponto de rede na clula unitria j a
clula de corpo centrado com dois e quatro pontos de rede em cada clula unitria.





1
Rede de linha um arranjo de pontos tridimensional, onde cada um dos pontos est rodeado por pontos
vizinhos, os quais definem a estrutura do cristal.
8


Vale ressaltar que a posio de um tomo em uma clula unitrio normalmente
descrita em termos de coordenadas fracionais, que so coordenadas expressas como
uma frao do comprimento de um lado da clula unitria.
Dos 7 sistemas cristalinos podemos identificar 14 tipos diferentes de clulas
unitrias, conhecidas com redes de Bravais. Cada uma destas clulas unitrias tem
certas caractersticas que ajudam a diferenci-las das outras clulas unitrias. Alm do
mais, estas caractersticas tambm auxiliam na definio das propriedades de um
material particular.
Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina
dependendo da temperatura e presso. Esse fenmeno conhecido como polimorfismo.
Geralmente as transformaes polimorficas so acompanhadas de mudanas na
densidade e mudanas de outras propriedades fsicas.
3.2- Sistemas de empacotamento em camadas

Muitos slidos inicos e metlicos podem ser considerados como construdos a
partir de entidades tais como tomos e ons, representados como esferas rgidas. Se no
h ligaes covalentes direcionais, estas esferas esto livres para empacotarem to
prximas quanto a geometria permitir e, consequentemente, adotar uma estrutura de
empacotamento compacto, na qual h um mnimo de espao ocupado. Uma das
estruturas mais comum de empacotamento compacto so as cbicas e hexagonal. Onde
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possui nmero de coordenao de uma esfera em um arranjo 12, o maior nmero
possvel que a geometria permite. Quando ocorre alguma participao de ligaes
direcionais, as estruturas resultantes no so mais de empacotamento compacto e o
nmero de coordenao menor do que 12.
Lembrando que o empacotamento compacto de esferas idnticas pode resultar numa
variedade de polotipos.
Observando como aconteceria esses empacotamentos, note que o espao no
ocupado em uma estrutura corresponde a 26% do volume total, entretanto, este espao
no ocupado no esta vazio em um slido real, porque a densidade eletrnica no
termina abruptamente como o modelo de esferas rgidas sugere. O tipo de distribuio
dos vazios so importantes uma vez que muitas estruturas, incluindo aquelas de algumas
ligas e muitos compostos inicos, podem ser consideradas como formadas a partir de
um arranjo de empacotamento compacto expandido, no qual tomos ou ons adicionais
ocupam todos ou alguns dos stios vazios.
Note que empacotamento compacto hexagonal (ECH) tem como padro de camada
ABAB... Onde A simboliza camadas que tm esferas diretamente acima uma das
outras e igualmente para B, origina uma estrutura com uma clula unitria hexagonal, e
assim denominado empacotamento compacto hexagonal.


(empacotamento compacto hexagonal)


J o empacotamento compacto cbico tem um padro de camada ABCABC...,
onde C simboliza camadas que possuem esferas diretamente acima uma das outras, mas
no acima das camadas A ou B, corresponde a estrutura com uma clula unitria cbica,
e assim denominado empacotamento compacto cbico(ecc) ou, mais especificamente,
cbico de face centrada.
10



(empacotamento compacto cbico)

Os arranjos ech e ecc so modelos simples mais eficientes de preenchimento do
espao com esferas idnticas. Eles diferem somente na sequncia de empilhamento das
camadas de empacotamento compacto, e outras sequncias mais complexas de
empacotamento compacto podem ser formadas pelo posicionamento de planos
sucessivos em diferentes posies relativas aos seus vizinhos. Qualquer coleo de
tomos tais como os tomos dessas estruturas, a menos que existam razes energticas
adicionais, especificamente interaes covalentes, para a escolha de arranjos
alternativos.
3.3- Interstcios tetradricos e octadricos

Sabe se que mesmo sendo empacotamentos densos, restam espaos vazios entre os
tomos, que so chamados interstcios. Estes interstcios podem ser ocupados por outros
tomos menores em uma liga metlica.
As redes compactas cfc e hcp possuem dois tipos de interstcios, os tetradricos e os
octadricos. Onde os stios tetradricos so menores de que os stios octadricos.
Sabe-se que um stio tetradrico formado por um tringulo plano de esferas que se
tocam, encimadas por uma nica esfera posicionada sobre a depresso entre elas. Os
stios tetradricos em qualquer slido podem ser divididos em dois tipos: em um deles,
o pice do tetraedro dirigido para cima(T), e no outro o pice aponta para baixo(T).
Em um arranjo de N esferas, h N deles de cada tipo e 2N no total.
J em um stio octadrico situa-se entre dois tringulos planos de esferas em
camadas vizinhas. Para um cristal considerado de N esferas em uma estrutura, h N
stios octadricos.
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A figura a seguir exibe um empilhamento de dois planos compactos de esferas de
mesmo tamanho, que pode representar tanto a rede cfc quanto a rede hcp. O plano
superior constitudo de esferas transparentes. O plano inferior por esferas azuis claras.
Onde possvel identificar ambos os tipos de interstcios.


Os interstcios octadricos esto ocupados por esferas vermelhas. Tomando uma
esfera do plano compacto inferior como referncia, nota-se que h sempre uma esfera
vermelha associada a ela. Isto significa que para cada esfera do plano compacto h um
interstcio octadrico. Em redes cristalinas inicas compactas, as esferas dos planos
compactos representam os ons maiores e as esferas menores que ocupam os interstcios
octadricos representam os ons menores.
Os interstcios tetradricos esto ocupados por esferas azuis escuras e por esferas
amarelas. Tomando-se uma esfera do plano compacto inferior como referncia, nota-se
que h sempre uma esfera tetradrica amarela associada a ela. H tambm uma esfera
azul escura para cada esfera do plano compacto inferior. Portanto, ao todo, para cada
esfera do plano compacto, h dois interstcios tetradricos. Em redes cristalinas inicas
compactas, as esferas dos planos compactos representam os ons maiores e as esferas
menores que ocupam os interstcios tetradricos representam os ons menores.
Note que, nem todos os stios podem estar ocupados em uma estrutura cristalina.
Isto depende das cargas de cada on e da estequiometria do material.

3.4- Nmero de coordenao e grau de ocupao

12

Nem todos os metais apresentam empacotamento compacto, e alguns outros padres
de empacotamento usam o espao de forma quase to eficiente. Mesmo os que seguem
o padro mais comum podem sofrer uma transio de fase para uma estrutura menos
compacto quando eles so aquecidos e seus tomos sofrem vibraes de grande
amplitude.
Uma estrutura comum a cbica de corpo centrado (ccc) na qual h uma esfera no
centro de um cubo, com esferas em cada vrtice. Metais com essa estrutura tm um
nmero de coordenao 8, uma vez que o tomo central est em contato com os tomos
nos vrtices da clula unitria. A estrutura ccc adotada por quinze dos elementos nas
condies padro, incluindo todos os metais alcalinos e os metais dos grupos 5 e 6.
Desta forma, este arranjo simples de tomos algumas vezes chamado do tipo
tungstnio
A estrutura metlica menos comum a estrutura cbica primitiva, na qual as esferas
esto localizadas nos pontos de rede de uma rede cbica primitiva, tomadas como
vrtices de um cubo. O nmero de coordenao de uma estrutura desse tipo 6. Uma
forma de polnio o nico exemplo desta estrutura entre elementos sob condies
normais, no entanto h elementos que possuem estruturas prximas.
A partir desses aspectos deve levar em considerao que o nmero de vizinhos mais
prximos de um tomo em uma determinada estrutura que denominado nmero de
coordenao os nmeros de coordenaes das estruturas mencionadas at agora so 12,8
e 6.
J o grau de ocupao a quantidade de vazios (Interstcios) tambm diferente
para as estruturas, onde esse grau de ocupao denominado fator de empacotamento
atmico(FEA), onde definido como:
FEA=



3.5- Polimorfismo e alotropia
Vrios elementos apresentam no estado slido diferentes estruturas cristalinas. A
denominao para isto alotropia. Quando o slido uma substncia composta, a
denominao habitualmente usada polimorfismo. Estas mudanas de estruturas
geralmente ocorrem em funo de variaes de temperatura e presso. Elas causam
13

variaes de volume de alguns porcentos, isto , muito altas para serem acomodadas
elasticamente em um slido cristalino. Em outras palavras, estas transformaes
acarretam deformao plstica (permanente).
Geralmente so classificados como , , , ... com o aumento da temperatura. A
estrutura ccc comum a altas temperaturas para metais com empacotamento compacto a
baixas temperaturas, porque o aumento da amplitude das vibraes atmicas no slido
mais aquecido demanda uma estrutura empacotada menos densa.
Para muitos metais como clcio, titnio e mangans, a temperatura de transio esta
acima da temperatura ambiente. Para outros como ltio e sdio, a temperatura de
transio est abaixo da temperatura ambiente.
A estrutura ccc favorecida por um nmero pequeno de eltrons de valncia por
orbital. Esta observao sugere que um mar de eltrons denso necessrio para atrair
ctions para o interior do arranjo empacotado compacto e que os metais alcalinos no
possuem eltrons de valncia suficientes para alcanar tais empacotamentos compactos.
3.6- Ligas

uma mistura de metais preparada por meio da fuso de componentes, logo depois
resfriada.
Elas podem ser solues slidas homognea, na qual os tomos de um metal so
distribudos ao acaso entre os tomos de outro ou, solues slidas com composio e
estrutura interna definida.
Solues slidas so algumas vezes classificadas como substitucional ou intersticial.
Soluo slida substitucional aquela na qual os tomos do metal soluto ocupam
algumas das localizaes dos tomos do metal solvente.

So formadas quando trs critrios so satisfeitos:

Os raios atmicos dos elementos so aproximadamente 15% um do
ouro.
As estruturas cristalinas dos dois metais puros so as mesmas; isto
14

indica que as foras direcionais entre os dois tipos de tomos so
compatveis entre si.
O carter eletropositivo dos dois componentes similar; caso
contrrio, a formao de um composto seria mais provvel.
Soluo slida intersticial aquela na qual os tomos do soluto ocupam os
interstcios (os buracos) entre os tomos do solvente. So formadas por soluto no-
metlico (tais como boro e carbono), que possuem tomos pequenos o suficiente
para habitar os interstcios na estrutura do solvente.
Por motivos geomtricos e com nenhuma reconstruo da estrutura cristalina,
para acomodar esferas rgidas dos tomos de H,B,C ou N, os raios atmicos dos
tomos metlicos hospedeiros devem ter no menos do que 0,90 , 1,95 , 1,88
ou 1,80 , respectivamente.
Solues slidas com composio e estrutura interna definida so aquelas
formadas entre dois metais considerados mais apropriadamente compostos reais,
apesar da similaridade das eletronegatividade dos metais.

3.7- Sistemas cristalinos inicos

Slidos inicos, tais como o cloreto de sdio e o nitrato de potssio, so
frequentemente reconhecidos por serem quebradios, porque os eltrons que so
disponibilizados pela formao dos ctions esto localizados, formando um nion
vizinho, ao invs de contriburem para um mar de eltrons mvel e malevel.
Slidos inicos comumente tm altos pontos de fuso e so solveis em solventes
polares, particularmente em gua.
Nos cristais puramente inicos, os poliedros aninicos so arranjados de modo a
manter neutralidade eltrica e minimizar a energia de ligao por unidade de
volume, sem induzir qualquer repulso forte entre ons de mesmo sinal. A repulso
maior entre os ctions porque sua carga est concentrada num menor volume e
ento os poliedros devem ser empilhados de modo que os ctions, nos centros,
estejam o mais afastados possvel uns dos outros, de modo que a repulso seja
desprezvel. Pequenos poliedros de coordenao (tringulos e tetraedros) em torno
de ctions altamente carregados usualmente compartilham entre si apenas seus
vrtices, maximizando assim a distncia entre ctions. menos comum que
compartilhem arestas e nunca so empilhados face a face. medida que o nmero
15

de coordenao cresce e a carga do ction decresce, os poliedros aninicos podem
ser empilhados mais compactamente, isto , podem compartilhar arestas ou mesmo
faces, sem que os ctions se aproximem muito uns dos outros. Os arranjos dos
poliedros de coordenao de algumas estruturas cristalinas mais representativas
ilustram esses pontos.
Estruturas cristalinas que contm ctions coordenados tetradrica ou
octaedricamente e que no so fortemente carregados podem tambm ser discutidas
dentro do mesmo ponto de vista geomtrico.
Se os ctions no so altamente carregados, os poliedros aninicos podem ser
empilhados o mais compactamente possvel, para minimizar a energia por unidade
de volume; e um arranjo repetitivo, compacto, de tetraedros, contm espaos
octadricos entre os tetraedros. Do mesmo modo, um arranjo repetitivo, compacto,
de octaedros, contm espaos vazios tetradricos. Isto outro modo de dizer que
nem os tetraedros, regulares, nem os octaedros regulares, sozinhos, podem
preencher completamente o espao, mas uma combinao dos dois o far. Ento,
consideraremos os dois, conjuntamente. Cristalograficamente, esta combinao de
tetraedros e octaedros corresponde a colocar nions nas posies atmicas da
estrutura CFC ou HC, ficando os ctions nas posies entre eles, coordenadas
tetradrica ou octaedricamente.
A classificao de um slido como inico baseada na comparao de suas
propriedades com aquelas do modelo inico, o qual trata o slido como um conjunto
de esferas carregadas com cargas opostas que interagem primariamente por foras
coulombianas no direcionais, juntamente com as repulses entre as camadas
eletrnicas completas dos ons em contato. Se as propriedades termodinmicas
calculadas para o slido por este modelo concordam com os resultados
experimentais, ento o slido pode ser inico.
H alguns slidos inicos que ganham destaque, no caso da estrutura da sal-
gema que baseada em um arranjo cfc de nions volumosos no qual os ctions
ocupam todos os buracos octadricos. O nmero de coordenao de cada tipo de on
, 6; assim, diz-se que a estrutura tem coordenao (6,6). Nesta notao, o primeiro
nmero entre parntese o de coordenao do ction, e o segundo o de
coordenao do nion.
Para visualizar o ambiente local de um on na estrutura do sal-gema, observamos
16

que os seis vizinhos mais prximos do on central da clula mostrada na figura
encontram-se nos centros das faces das clulas e formam um octaedro ao redor 18
do on central. Todos os seis vizinhos possuem uma carga que oposta aquela
do on central.

Uma outra estrutura que vale apena mencionar a estrutura do cloreto de
sdio(CsCl), onde ela tem uma clula unitria cbica de corpo centrado, com cada
vrtice ocupado por um nion e um ction ocupando o buraco cbico no centro da
clula. A coordenao , portanto, (8,8), como mostrado na figura:


Muito menos comum que a estrutura do sal-gema e encontrada em cloretos,
brometos e iodetos de Cs e Tl e muitos outros compostos e ligas metlicas.
A estrutura da esfarelita , ou tambm conhecida como blenda de-zinco, recebe esse
nome pela formao do mineral ZnS. Como a estrutura do sal-gema, ela baseada numa
rede de nions ecc expandida, mas neste caso os ctions ocupam um tipo de stio
tetradrico, metade dos stios tetradricos presentes na estrutura de empacotamento
compacto. Cada on est rodeado por quatro vizinhos, de forma que a estrutura tem
coordenao (4,4).
A estrutura da fluorita(CaF2) Recebe seu nome de seu exemplar fluorita (CaF2).
Nesta os ctions ocupam metade dos buracos cbicos em um arranjo primitivo cbico
17

de nions. Alternativamente, os nions ocupam ambos os tipos de buraco tetradrico
numa rede de ctions cfc expandida. Assim a estrutura tem coordenao (8,4).
A estrutura da wurtzita (ZnS) Recebe o nome de outro polimorfo de ZnS. Ela difere
da estrutura da esfarelita, sendo derivada de um arranjo de nions de ech, expandido,
com ctions ocupando um tipo de buraco tetradrico. Apresenta coordenao (4,4) e
aparece no ZnO, AgI, em um polimorfo de SiC e em vrios outros compostos.
Por fim, a strutura do rutilo(TiO2), que retirou seu nome do rutilo, uma forma
mineral do xido de titnio, TIO2. Esta estrutura consiste de uma rede de nions ech,
com ctions ocupando metade dos buracos octadricos. Apresenta coordenao (6,3) e
ocorre em vrios xidos metlicos (SnO2 e PbO2) e difluoretos de metais de transio.
Lembrando que ainda h varias outras estruturas dependendo apenas das suas fazes.

3.8- Relao de raios em sistemas cristalinos inicos

Uma dificuldade com a qual se confrontam muitos estudantes o significado do
termo raio inico. Como se sabe necessrio repartir a separao internuclear dos
ons vizinhos mais prximos entre duas espcies diferentes. A maneira mais direta de
resolver o problema presumir o raio de um on e, ento, usar este valor para calcular
um conjunto de valores autoconsistentes para todos os outros ons.
Existe uma relao de raios que diz que, a razo dos raios do menor on(r
<
) e do
maior on(r
>
), ou seja =
Esta razo d uma indicao do nmero de coordenao provvel (NC) de um
composto: quanto mais alto o raio, maior o nmero de coordenao. Em muitos casos,
r
<
o raio do ction e r
>
o raio do nion. A razo mnima de raio que pode tolerar um
dado nmero de coordenao ento calculada considerando o problema geomtrico de
empacotamento de esferas de tamanhos diferentes. Uma lista parcial da proporo limite
dos raios dada na tabela abaixo:
18


A Tabela acima indica que o nmero de coordenao 12 possvel quando a
proporo dos raios 1,000. Geometricamente possvel colocar 12 tomos ao redor de
um tomo central, porm impossvel obter uma mtua coordenao 12 para ctions e
nions por causa de limitaes geomtricas. Tal nmero de coordenao ocorre em
estruturas cristalinas complexas de xidos metlicos mistos, nos quais um dos metais
atua como um dos tomos que compem o empacotamento denso e o outro est
localizado nos interstcios.
Em geral, conforme diminui o volume dos ctions o retculo estabilizado (a
energia reticular torna-se mais negativa) at a ocorrncia do contato nion-nion. Um
encolhimento do retculo, alm disto, impossvel sem diminuio no nmero de
coordenao; portanto sulfeto de zinco adota a estrutura wurtzita ou blenda, ganhando
energia alm daquela que seria possvel em uma estrutura com um nmero de
coordenao maior.
Em sais 1:1 ou 1:2, a proporo dos raios normalmente dado pelo raio do
menor on (usualmente o ction) sobre o maior, de forma que se pode determinar
quantos ons podem ser colocados ao redor do on menor.

Os raios utilizados nesses clculos so aqueles obtidos considerando-se as
estruturas sob condies normais. Em altas presses, estruturas diferentes podem ser
preferidas, especialmente aquelas com nmeros de coordenao mais altos e maior
densidade. Assim, muitos compostos simples se modificam para os nmeros de
19

coordenao (4,4);(6,6) e (8,8), sob presso. A capacidade de prever as estruturas dos
compostos sob presso importante para a compreenso do comportamento dos
compostos inicos sob tais condies. O xido de clcio, por exemplo, previsto se
transforma da estrutura da sal-gema para a estrutura de cloreto de csio a
aproximadamente 600kbar, a presso da parte inferior do manto terrestre.
3.9- Defeitos em slidos cristalinos

Compreendesse que cristais reais sempre possuem defeitos. A natureza favorece a
presena espontnea deles, pois isto pode reduzir a energia livre da estrutura. Defeitos
podem ainda ser introduzidos por fatores externos tais quais tenses, bombardeamento
inico, contaminao etc. Um defeito na estrutura cristalina pode ser compreendido
como a ruptura de sua regularidade. Os defeitos podem ser classificados como
puntiformes, lineares e de superfcie.
Com isso, os defeitos na rede cristalina so responsveis por inmeros processos
que so fundamentais para a utilizao de certos materiais em engenharia. Por isso,
processos que introduzem defeitos nos cristais so desenvolvidos.
No caso dos defeitos puntiformes, encontraremos um dos mais simples a
lacuna, ou seja, a ausncia de um tomo em uma posio atmica originalmente
ocupada por um tomo. As lacunas constituem no nico tipo de defeito que est em
equilbrio com o cristal. Assim o n de lacunas para uma dada quantidade de material
funo da temperatura de acordo com a equao:
N
V
=Nexp(-Q
v
/KT)
Onde: N o n de tomos; T a temperatura absoluta (K) ; k a constante de
Boltzmann (1,38 10
-23
J/tomo K ou 8,62 10-5 eV/tomo K) e Qv a energia de
ativao (J ou e V) .
Para grande parte dos metais, a frao de lacunas (Nv/N) logo abaixo da
temperatura de fuso da ordem de 10
-4
(0,01%) .
Exemplo: 1 m3 de Cobre possui 8 1028 tomos e a 1000C apresenta Nv = 2.2 1025.
20

J os defeitos lineares, podemos analisar que so imperfeies da rede que
ocorrem ao longo de uma linha. As discordncias so defeitos lineares. Sabe-se da
existncia de trs tipos de discordncias: em cunha, em hlice e mista (mistura de
discordncia em hlice e em cunha). Onde, a discordncia em cunha pode ser
compreendida como um semiplano de tomos introduzido entre planos cristalinos
regulares.

(discordncia em cunha)


Onde as discordncias deformam localmente a rede, criando tenses locais
compressivas e trativas. Com isso, as discordncias ocorrem naturalmente na rede,
como forma de reduzir a energia livre, ou so criadas por tenses externas. Em materiais
lentamente resfriados a densidade de discordncias da ordem de um milho de cm de
linha de discordncia por cm
3
.
Por fim os defeitos de superfcies so imperfeies que ocorrem ao longo de
uma superfcie. Estes defeitos possuem alta energia e so responsveis alguns
fenmenos.
Pode ser feito a analise atravs da superfcie externa onde demarca os limites do
cristal. Onde nesta regio existem muitas ligaes desfeitas e tomos deslocados de suas
posies regulares. Isto eleva a energia do cristal. A alta energia superficial uma
barreira para o processo de crescimento de cristal no incio da solidificao e a causa
da sinterizao.
Agora se for analisado os contornos de gro, onde eles so as interfaces entre
gros. Nestes locais, tm-se o desalinhamento das redes dos gros adjacentes. H maior
concentrao de defeitos e ligaes desfeitas. A energia dos contornos de gro depende
21

do nvel de desalinhamento das redes dos gros adjacentes. Os contornos de gro atuam
como barreiras ao movimento de discordncias, stios para nucleao de fases e
caminhos de propagao de trincas.
J as maclas e contornos de maclas. Representam distores da rede cristalina
causadas por pequenos deslocamentos dos tomos de suas posies regulares, devido a
tenses ou tratamento trmico, fazendo com que a parte deformada da rede parea ser
uma imagem da parte no deformada refletida em espelho. A formao de maclas
tambm um mecanismo de deformao plstica. A interface entre as pores deformada
e no deformada denominada de contorno de macla.














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4. CONCLUSO

A partir dos estudos efetuados para o desenvolvimento desse trabalho foram
analisados o processo dos slidos cristalinos, os tomos ou molculas fundamentais
que os compem se dispem espacialmente numa forma geomtrica ordenada. Os
microcristais bsicos, clulas componentes das redes cristalinas do slido, assumem
formas cbicas, rmbicas, tetragonais, hexagonais ou prismticas irregulares.
J para os cristais inicos, se destacou o entendimento da sua formao onde h
so agregados de ons, tomos ou molculas que, durante transformaes qumicas,
perderam ou capturaram eltrons e ficaram eletricamente carregados. Esses ons
positivos e negativos se distribuem de forma intercalada, razo pela qual as ligaes
resultantes se fundamentam nas foras compensadas de atrao eletrosttica
existente entre eles.
Com isso, entender os slidos metlicos e inicos e suas caractersticas do ponto
de vista qumico, pode facilitar e render grandes lucros quando bem aplicados.















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5. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
SHRIVER, D.F.; ATKINS, P.W. Qumica Inorgnica, 3 ed., Porto Alegre, Bookman,
2003.
ATKINS, P.W.; JONES, Loretta. Princpios de qumica: questionando a vida
moderna e o meio ambiente. 3.ed. Porto Alegre: Bookman, 2006. 965 p.
LEE, John David. Qumica Inorgnica no to concisa. 1. ed. So Paulo: Edgard
Blucher, 2003.