MOSFETs II

Departamento de Engenharia Electrotcnica e de Computadores
ELECTRNICA II
93
Modelos para pequenos sinais
Como estudado anteriormente, a amplificao linear pode ser obtida polarizando o MOSFET de
modo a que este funcione na regio de saturao.
Considere-se, agora, a operao para pequenos sinais, com algum detalhe, usando para o efeito
o circuito amplificador source comum, mostrado na Fig. 42.
O transstor MOS polarizado aplicando uma tenso V
GS
. Claramente uma situao pouco
prtica, mas que simples e til.
Fig. 42
O Ponto de funcionamento DC O Ponto de funcionamento DC
O sinal de entrada a amplificar (v
gs
), surge sobreposto tenso de
polarizao V
GS
.
A corrente de polarizao I
D
, pode ser determinada fixando o sinal v
gs
a
zero.
Assim, assumindo = 0
2
2
1
) (
'
t GS n D
V V
L
W
k I
|
.
|
\
|
=
A tenso no dreno, V
DS
ou simplesmente V
D
(S est ligado massa), :
D D DD D
I R V V =
(50)
(51)
TRANS TRANS STORES DE EFEITO DE CAMPO STORES DE EFEITO DE CAMPO
ELECTRNICA II
94
Para assegurar que a operao se verifica na regio de saturao, tem de verificar-se,
t GS D
V V V >
Visto que a tenso total no dreno, ter a componente de sinal sobreposta a V
D
, esta tenso ter de
ser suficientemente superior a (V
GS
V
t
), afim de permitir que o sinal tenha a excurso desejada.
A corrente de sinal no terminal de dreno A corrente de sinal no terminal de dreno.
Considere-se, agora, o sinal de entrada (v
gs
) aplicado.
A tenso instantnea gate-source, ser:
gs GS GS
v V v + =
Resulta uma corrente de dreno instantnea:
(52)
2
2
1
) (
'
t gs GS n D
V v V
L
W
k i +
|
.
|
\
|
=
2 2
2
1
2
1
gs n gs t GS n t GS n D
v
L
W
k v V V
L
W
k V V
L
W
k i ) ( ) (
' ' '
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
=
(53)
ELECTRNICA II
95
2 2
2
1
2
1
gs n gs t GS n t GS n D
v
L
W
k v V V
L
W
k V V
L
W
k i ) ( ) (
' ' '
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
=
O primeiro termo identifica a corrente DC de polarizao (I
D
).
O segundo termo, representa a componente de corrente que directamente proporcional ao sinal
de entrada (v
gs
).
O terceiro termo, representa a componente de corrente que proporcional ao quadrado do sinal
de entrada.
Este ltimo termo indesejvel, pelo facto de representar distoro.
Afim de reduzir a distoro, introduzida pelo MOSFET, o sinal de entrada deve ser mantido de
baixo valor, tal que:
gs t GS n gs n
v V V
L
W
k v
L
W
k ) (
' '
|
.
|
\
|
<<
|
.
|
\
|
2
2
1
Isto ,
) (
t GS gs
V V v << 2
ou
OV gs
V v 2 <<
Tenso overdrive
(54) (55)
ELECTRNICA II
96
Se a condio anterior, para pequeno sinais, satisfeita pode-se desprezar o ltimo termo
da eq. 53, e representar i
D
do seguinte modo:
d D D
i I i + ~ (56) com
gs t GS n d
v V V
L
W
k i ) (
'
|
.
|
\
|
=
O parmetro que relaciona i
d
com v
gs
, designado por transcondutncia do MOSFET g
m
:
) (
'
t GS n
gs
d
m
V V
L
W
k
v
i
g
|
.
|
\
|
= =
ou
OV n m
V
L
W
k g
'
|
.
|
\
|
=
(57)
(58)
Fig. 43
A Fig. 43 representa uma interpretao grfica, para a
operao de pequenos sinais do amplificador MOSFET.
Note-se que g
m
igual inclinao da caracterstica i
D
v
GS
do
ponto de polarizao,
GS GS
V v
GS
D
m
v
i
g
=
c
c
=
(59)
ELECTRNICA II
97
O ganho em tenso O ganho em tenso
Voltando ao circuito da Fig. 42, note-se que se pode exprimir a tenso de dreno instantnea total
v
D
como se segue:
D D DD D
i R V v =
Para a condio de pequenos sinais, vem:
que pode ser reescrita como:
Assim, a componente de sinal da tenso de dreno :
Pelo que o ganho de tenso dado por
A
v

(60)
(61)
ELECTRNICA II
98
O sinal menos na Eq. (61) indica que o sinal de sada v
d
est em oposio de fase com o sinal de
entrada v
gs
.
Tal ilustrado na Fig. 44, que mostra v
GS
e v
D
.
Admite-se que o sinal de entrada tem uma forma
de onda triangular com uma amplitude muito
menor do que 2(V
GS
V
t
), que a condio de
pequenos sinais da Eq. (54), para assegurar
funcionamento linear.
Para confinar o funcionamento regio de
saturao para qualquer instante, o valor mnimo
de v
D
no deve tornar-se inferior ao valor
correspondente de v
G
por um valor superior a V
t
.
Alm disso, o valor mximo de v
D
deve ser
menor do que V
DD
, de outro modo o FET entrar
em corte e os picos da forma de onda do sinal de
sada sero cortados.
Fig. 44
O ganho em tenso ( O ganho em tenso (cont cont) )
ELECTRNICA II
99
Separa Separa o da an o da an lise em DC da an lise em DC da an lise de sinal lise de sinal
Da anlise anterior conclumos que dentro da aproximao de pequenos sinais, as variaes de
sinal aparecem sobrepostas aos valores DC. Por exemplo, a corrente de dreno total i
D
igual
corrente DC (I
D
) mais a corrente de sinal i
d
; a tenso de dreno total v
D
= V
D
+ v
d
, etc.
Decorre daqui que a anlise e o projecto podem ser muito simplificados separando os clculos
de DC dos clculos para pequenos sinais.
Isto , uma vez estabelecido um ponto de funcionamento estvel e tendo calculado todos os
valores DC podemos realizar a anlise de sinal ignorando esses valores DC.
Modelos equivalentes de circuito para pequenos sinais Modelos equivalentes de circuito para pequenos sinais
Do ponto de vista de sinal, o FET comporta-se como uma fonte de corrente controlada por tenso,
que tem como entrada um sinal v
gs
aplicado entre a porta e a source e como sada a corrente g
m
v
gs
no terminal do dreno.
A resistncia de entrada desta fonte controlada muito elevada idealmente infinita.
A resistncia de sada, i.e., a resistncia vista do dreno , tambm, elevada, tendo sido
considerada infinita at agora.
ELECTRNICA II
100
Modelos equivalentes de circuito para pequenos sinais ( Modelos equivalentes de circuito para pequenos sinais (Cont Cont.) .)
Tendo em ateno o exposto, o funcionamento para pequenos sinais do FET pode ser
representado pelo circuito mostrado na Fig. 45.
Trata-se de um modelo ou circuito equivalente para pequenos sinais.
Na anlise de um circuito amplificador o FET pode ser substitudo
pelo modelo equivalente mostrado na Fig. 45.
O resto do circuito permanece inalterado excepto que as fontes de
tenso contnua so substitudas por curto-circuitos e as fontes de
corrente por circuitos abertos.
Isto resulta do facto de que a tenso aos terminais de uma fonte de
tenso contnua ideal no varia, pelo que a tenso de sinal aos seus
terminais ser sempre zero.
O circuito resultante pode ento ser usado para realizar a anlise de sinal pretendida e, em
particular, calcular o ganho de tenso.
Fig. 45
ELECTRNICA II
101
O maior inconveniente do modelo para pequenos sinais da Fig. 45 que ele pressupe que a
corrente de dreno, em saturao, independente da tenso do dreno.
O estudo das caractersticas do FET em saturao mostrou que, na verdade, a corrente cresce
linearmente com a tenso v
DS
.
Esta dependncia foi modelada por uma resistncia finita r
o
entre o dreno e a source, cujo valor foi
dado pela equao,
D
A
o
I
V
r =
em que V
A
= 1/ um parmetro do MOSFET que ou especificado, ou pode ser medido.
V
A
proporcional ao comprimento do canal do MOSFET.
A corrente I
D
, a corrente de dreno DC (no considerando a modulao do comprimento do
canal):
2
2
1
OV n D
V
L
W
k I
'
|
.
|
\
|
=
(62)
(63)
ELECTRNICA II
102
Tipicamente, r
o
assume valores entre 10 e 1000 k.
Assim, a preciso do modelo para pequenos sinais pode ser melhorada incluindo r
o
em paralelo
com a fonte controlada, como se mostra na Fig. 46.
importante notar que os parmetros do modelo para pequenos sinais g
m
e r
o
dependem do ponto
de polarizao DC do MOSFET.
Voltando ao amplificador da Fig. 42, vemos que substituindo o MOSFET pelo modelo para
pequenos sinais da Fig. 46, obtemos a seguinte expresso do ganho de tenso
Fig. 46
A
v
=
(64)
Verifica-se, assim, que o efeito da resistncia de sada r
o
d
origem a uma diminuio do valor do ganho de tenso.
A anlise realizada para o transstor NMOS, os resultados e os
modelos de circuito apresentados aplicam-se tambm a
dispositivos PMOS, considerando para tal, |V
GS
|,|Vt|, |Vov|, |V
A
| e
substituindo k
n
por k
p
ELECTRNICA II
103
A transcondutncia A transcondutncia g g
m m
Analisemos um pouco mais em pormenor a transcondutncia do MOSFET, dada por,
OV n t GS n
gs
d
m
V
L
W
k V V
L
W
k
v
i
g ) (
' '
|
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
= =
(65)
Esta relao indica que g
m
proporcional ao parmetro de transcondutncia do processo k
n
=
n
C
ox
e ao factor W/L do transstor MOS.
Assim, para obter uma transcondutncia relativamente grande, o dispositivo deve ser curto e
largo.
Tambm se verifica que, para um dado transstor, a transcondutncia proporcional tenso
overdrive V
OV
= V
GS
- V
t
, (quantidade para a qual a tenso de repouso V
GS
excede a tenso limiar V
t
).
Note-se, contudo, que aumentar g
m
custa de aumentar V
GS
tem o inconveniente de reduzir a
excurso permitida da tenso de sinal do dreno.
Uma outra expresso til para g
m
pode ser obtida substituindo (V
GS
- V
t
) na Eq. (65) por,
)) / ( /(
'
L W k I
n D
2
(eq. (50)) D n m
I L W k g /
'
2 = (66)
ELECTRNICA II
104
Esta expresso mostra que: 1. Para um dado MOSFET, g
m
proporcional raiz quadrada da corrente de polarizao DC; 2. Para

uma dada corrente de polarizao, g
m
proporcional raiz quadrada
de W/L.
D n m
I L W k g /
'
2 =
Para ter uma ideia da ordem de grandeza dos valores de g
m
dos MOSFETs, considere-se um
transstor integrado funcionando com I
D
= 1 mA e tendo
n
C
ox
= 120 A/V
2
. A Eq. (66) mostra que,
para W/L = 1, g
m
=0,35 mA/V, enquanto que para um transstor para o qual W/L = 100 tem um g
m
= 3.5
mA/V.
Uma outra expresso til para g
m
do
MOSFET, pode ser obtida substituindo
k
n
(W/L) na eq. (65) por 2I

D
/(V
GS
-V
t
)
2
:
OV
D
t GS
D
m
V
I
V V
I
g
2 2
=
=
A transcondutncia A transcondutncia g g
m m
Existem trs diferentes expresses para determinar g
m
.
Existem trs parmetros de projecto: (W/L), V
OV
e I
D
.
O projectista pode escolher operar o MOSFET com uma certa tenso overdrive V
OV
e a uma
corrente I
D
muito particular. A relao W/L requerida, pode ento ser determinada e g
m
calculada.
CONCLUSES:
(67)
(68)
ELECTRNICA II
105
EXEMPLO 9
A Fig. 47 mostra um amplificador com um transstor
MOSFET, utilizando realimentao dreno-gate. O sinal de
entrada v
i
acoplado gate atravs de um condensador de
elevada capacidade e o sinal de sada do dreno acoplado
resistncia de carga R
L
, tambm mediante um condensador de
grande capacidade.
Pretende-se analisar este amplificador de modo a determinar
o seu ganho de tenso para pequenos sinais, a sua
resistncia de entrada e o maior sinal de entrada admissvel.
O transstor tem V
t
= 1,5 V, k
n
(W/L) = 0,25 mA/V

2
e V
A
= 50 V.
Admita que a capacidade dos condensadores
suficientemente grande para que possam ser considerados
curto-circuitos s frequncias de interesse.
Fig. 47
ELECTRNICA II
106
1 - Calcula-se o ponto de funcionamento da seguinte
forma:
2
GS
) 5 . 1 (V 25 , 0
2
1
=
D
I
onde, por simplicidade, ignormos o efeito da
modulao do comprimento do canal.
Uma vez que a corrente da gate zero, no h queda de
tenso em R
G
;assim, V
GS
= V
D
, que substituda em (1)
conduz a
(1)
2
5 1 125 0 ) . (V ,
D
=
D
I
(2)
Como
Resolvendo o sistema formado pelas equaes (2) e (3),
vem:
(3)
I
D
= 1,06 mA e V
D
= 4,4 V
EXEMPLO 9 (cont)
ELECTRNICA II
107
Conhecido o ponto de funcionamento, podemos agora calcular g
m
V mA V V
L
W
k g
t GS n m
/ 725 , 0 ) 5 , 1 4 , 4 ( 25 , 0 ) (
'
= = =
A resistncia de sada dada por
A Fig. 48 mostra o esquema equivalente para pequenos sinais do amplificador, onde os
condensadores de acoplamento foram substitudos por curto-circuitos e a fonte DC foi substituda
por um curto-circuito .
Uma vez que R
G
muito grande (10 M), a corrente atravs desta pode ser desprezada comparada
com a da fonte g
m
v
gs
, o que nos permite escrever para a tenso de sada,
Fig. 48
EXEMPLO 9 (cont)
ELECTRNICA II
108
Uma vez que v
gs
= v
i
, o ganho de tenso :
V V / . ) // // ( . 3 3 47 10 10 725 0 = =
Para calcular a resistncia de entrada R
in
, note-se que a corrente de entrada i
i
dada
por
Assim,
EXEMPLO 9 (cont)
ELECTRNICA II
109
O maior sinal de entrada admissvel v
i
determinado pela necessidade em conservar o MOSFET na
saturao.
Isto ,
t GS DS
V v v >
No ponto limite, v
GS
mximo e v
DS
correspondentemente mnimo. Assim,
t GS DS
V v v =
max min
t i GS i v DS
V v V v A v + =
5 . 1 4 . 4 3 . 3 4 . 4 + =
i i
v v
Resulta
V v
i
34 . 0 =
EXEMPLO 9 (cont)
ELECTRNICA II
110
Modelo de circuito equivalente em T Modelo de circuito equivalente em T
Atravs de transformaes simples do circuito possvel desenvolver um modelo equivalente
alternativo para o MOSFET.
O desenvolvimento desse modelo, conhecido por modelo em T, est ilustrado na Fig. 38.
A Fig. 49(a) mostra o circuito equivalente j
apresentado anteriormente, sem r
o
.
Na Fig. 49(b) foi acrescentada uma segunda
fonte de corrente g
m
v
gs
em srie com a fonte de
corrente original.
Esta introduo obviamente no altera as
correntes terminais e, portanto, permitida.
O novo n assim criado, designado por X, foi
ligado ao terminal da gate G, na Fig. 49(c).
Note-se que a corrente da gate no
alterada, i.e., continua a ser zero e, portanto,
tambm esta alterao no altera as
caractersticas terminais.
Note-se, agora, que temos uma fonte de
corrente controlada g
m
v
gs,
ligada aos mesmos
terminais da sua tenso de controlo v
gs
.
Fig. 49
ELECTRNICA II
111
Podemos assim substituir esta fonte controlada por uma resistncia desde que esta resistncia
conduza a mesma corrente da source (teorema da absoro da fonte).
Teorema da absor Teorema da absor o da fonte o da fonte
Admite-se que na anlise de um rede elctrica que
temos uma fonte de corrente dependente I
x
entre dois
ns a e b, cuja diferena de potencial corresponde
tenso de controlo da fonte, sendo I
x
=g
m
V
x
(g
m
a
condutncia).
A fonte pode ser substituda por uma impedncia
Z
x
=V
x
/I
x
=1/g
m
, como se mostra na figura, pois a corrente
absorvida pela impedancia coincide com a corrente da
fonte inicial que foi substituda.
ELECTRNICA II
112
O valor dessa resistncia v
gs
/ g
m
v
gs
= 1/ g
m
.
Esta substituio est ilustrada na Fig. 49(d), resultando no modelo alternativo.
Note-se que i
g
continua a ser zero, i
d
= g
m
v
gs
e i
s
= v
gs
/ (1/ g
m
) = g
m
v
gs
, todas iguais s do modelo
original da Fig. 49(a).
O modelo da Fig. 49(d) mostra que a resistncia entre a gate e a source vista pela source, 1/ g
m
.
Note-se que a resistncia entre a gate e a source vista pela gate, infinita.
No desenvolvimento do modelo em T, no inclumos a resistncia r
o
. Se necessrio, isso pode ser
feito incorporando essa resistncia entre o dreno e a source, no circuito da Fig. 49(d). Tal
ilustrado na Fig. 50(a).
Uma representao alternativa do modelo em T, no qual a fonte de corrente controlada por tenso
substituda por uma fonte de corrente controlada por corrente, ilustrado na Fig. 50(b).
ELECTRNICA II
113
Fig. 50
Finalmente, note-se que afim de distinguir o modelo da Fig. 46 do modelo equivalente T, o
primeiro designado por modelo t hbrido.
ELECTRNICA II
114
Considere o circuito da Fig. 42 onde temos: Vt=2 V, =0, k
n
(W/L)=1 mA/V
2
, V
GS
=4V, V
DD
=10V e
R
D
=3,6 kO.
a) Determine I
D
e V
D
.
b) Determine o valor de g
m
para o ponto de funcionamento.
c) Calcule o valor do ganho de tenso.
d) Se o MOSFET tiver =0,01V
-1
, determine r
0
no ponto de funcionamento e calcule o ganho em
tenso.
Exerccio 8
Para o circuito da Considere o circuito da Fig.
51 substitua o transstor pelo seu equivalente T.
Obtenha as expresses para os ganhos de
tenso v
s
/v
i
e v
d
/v
i
.
Exerccio 9
Fig. 51
ELECTRNICA II
115
Amplificadores MOS de andar nico
MOSFETs MOSFETs discretos discretos
Visto que em circuitos discretos, a source do MOSFET est usualmente ligada ao substrato, o
efeito do corpo no se verifica.
Tambm em alguns circuitos r
o
ser desprezado, afim de tornar a anlise mais simples.
A estrutura b A estrutura b sica sica
A Fig. 52 mostra o circuito bsico utilizado para
implementar as vrias configuraes de circuitos de
amplificadores MOS.
Entre as vrias formas de polarizao dos amplificadores
MOS discretos, selecciona-se aquele que utiliza polarizao
com fonte de corrente constante.
Na figura esto ilustradas as correntes e tenses DC nos
vrios ns.
Fig. 52
ELECTRNICA II
116
Conjunto de parmetros e circuitos equivalentes, usados na caracterizao e comparao de
amplificadores com transstores.
Caracterizao de amplificadores
NOTA 1 ( NOTA 1 (Fig. Fig. 53) 53)
O amplificador alimentado por uma fonte de sinal, tendo uma tenso em circuito aberto v
sig
e
uma resistncia interna R
sig
.
Tanto podem ser os parmetros de uma fonte de sinal, como o equivalente de Thvenin do
circuito de sada de um outro estgio amplificador, que o precede.
De modo similar, R
L
pode ser a resistncia efectiva de carga ou a resistncia de entrada de um
andar amplificador subsequente, num amplificador em cascata.
Fig. 53
ELECTRNICA II
117
NOTA 2 NOTA 2
Os parmetros R
i
, R
o
, A
vo
e G
m
pertencem ao prprio
amplificador, i.e., no dependem dos valores de R
sig
e R
L
Por outro lado, R
in
, R
out
, A
v
, A
i
, G
vo
e G
v
, podem depender
de um ou dos dois, R
sig
e R
L
.
Note-se tambm as seguintes relaes entre alguns
parmetros:
;
0 = =
= =
sig L
R
out o
R
in i
R R R R
Resistncia de sada
0 =
sig
v
x
x
out
i
v
R
Ganho em tenso total em circ.
aberto.
=
L
R
sig
o
vo
v
v
G
Ganho em tenso total
sig
o
v
v
v
G
NOTA 3 NOTA 3
Para amplificadores no unilaterais, R
in
pode depender
de R
L
e R
out
pode depender de R
sig
.
Nenhum dos amplificadores estudados neste captulo
so deste tipo.
Uma tal dependncia no existe para amplificadores
unilaterais, para os quais: R
in
= R
i
e R
out
= R
o
.
DEFINI DEFINI ES ES Caracterizao de amplificadores
ELECTRNICA II
118
DEFINI DEFINI ES ES
Resistncia de entrada na
ausncia de carga
=
L
R
i
i
i
i
v
R
Resistncia de entrada
i
i
in
i
v
R
Ganho de tenso
em circ. aberto
=
L
R
i
o
vo
v
v
A
Ganho de tenso.
i
o
v
v
v
A
Ganho de corrente em c.c.
0 =
L
R
i
o
is
i
i
A
Ganho em corrente.
i
o
i
i
i
A
Transcondutncia em c.c.
0 =
L
R
i
o
m
v
i
G
Resistncia de sada do
prprio amplificador
0 =
i
v
x
x
o
i
v
R
ELECTRNICA II
119
Circuitos Equivalentes Circuitos Equivalentes
NOTA 4 NOTA 4
A carga do amplificador na fonte de sinal
determinada pela resistncia de entrada R
in
.
O valor de R
in
determina a corrente i
i
que o
amplificador absorve a partir da fonte de sinal
v
sig
, que surge entrada do prprio
amplificador (i.e., v
i
).
NOTA 5 NOTA 5
Quando se calcula o ganho A
v
, a partir do
correspondente valor em circ. aberto A
vo
, R
o
deve
ser usada como resistncia de sada.
Tal deve-se ao facto de A
v
ser baseado na
alimentao do amplificador com um sinal de
tenso ideal v
i
. Tal evidente a partir do circuito
equivalente A.
Por outro lado, se se pretende calcular o ganho
em tenso total G
v
, a partir do seu valor em circuito
aberto G
vo
, a resistncia de sada a usar R
out
.
Tal deve-se ao facto de G
v
ser baseado na
alimentao do amplificador com v
sig
, o qual tem
uma resistncia interna R
sig
. Tal evidente a partir
do circuito equivalente C.
(A)
(B)
ELECTRNICA II
120
(A)
(B)
(C)
Rela Rela es importantes es importantes
sig in
in
sig
i
R R
R
v
v
+
=
o L
L
vo
sig in
in
v
R R
R
A
R R
R
G
+ +
=
o L
L
vo v
R R
R
A A
+
=
o m vo
R G A =
vo
sig i
i
vo
A
R R
R
G
+
=
out L
L
vo v
R R
R
G G
+
=
Circuitos Equivalentes Circuitos Equivalentes Caracterizao de amplificadores
ELECTRNICA II
121
Um amplificador alimentado por uma fonte de sinal tendo uma tenso em circuito-aberto v
sig
de
10 mV e uma resistncia interna R
sig
de 100 kO. A tenso v
i
na entrada do amplificador e a tenso de
sada v
o
, foram ambas medidas sem e com uma resistncia de carga R
L
= 10 kO ligada sada do
amplificador. Os resultados obtidos foram:
v
i
(mV) v
o
(mV)
Sem R
L
9 90
Com R
L
ligado 8 70
Determinar todos os parmetros do amplificador.
Usando os dados obtidos para R
L
= , determina-se:
V/V 10
9
90
= =
vo
A e V/V 9
10
90
= =
vo
G
EXEMPLO 10
ELECTRNICA II
122
vo
sig i
i
vo
A
R R
R
G
+
=
Como,
10
100
9
+
=
i
i
R
R
O = k 900
i
R
Usando, agora, os dados obtidos quando R
L
= 10 kO ligada sada do amplificador.
V/V .75 8
8
70
= =
v
A e V/V 7
10
70
= =
v
G
Os valores de A
v
e A
vo
, podem ser usados para determinar R
o
. Assim,
o L
L
vo v
R R
R
A A
+
=
o
R +
=
10
10
10 75 8.
R
o
= 1.43 kO
De modo similar usam-se os valores de G
v
e G
vo
, para determinar R
out
, a
partir de,
out L
L
vo v
R R
R
G G
+
=
out
R +
=
10
10
9 7
R
out
= 2.86 kO
EXEMPLO 10 (cont)
ELECTRNICA II
123
O valor de R
in
pode ser determinado de
sig in
in
sig
i
R R
R
v
v
+
=
100 10
8
+
=
in
in
R
R
Rin = 400 kO
A transcondutncia em curto-circuito,
V mA
R
A
G
o
vo
m
/
.
7
43 1
10
= = =
O ganho em corrente A
i
, pode ser determinado do seguinte modo:
A A
R
R
A
R
R
v
v
R v
R v
A
L
in
v
L
in
i
o
in i
L o
i
/ 350
10
400
75 . 8
/
/
= = = = =
Finalmente determina-se o ganho em corrente em c.c. A
is
. Do circuito equivalente A, a
corrente de sada em c.c. pode ser determinada por,
o i vo osc
R v A i / =
EXEMPLO 10 (cont)
ELECTRNICA II
124
Para determinar v
i
, necessrio conhecer o valor de R
in
, obtido com R
L
= 0. Com este objectivo,
do circuito equivalente C, a corrente de c.c. na sada, vem:
out sig vo osc
R v G i / =
o i vo osc
R v A i / =
Substituindo G
vo
por
vo
sig i
i
vo
A
R R
R
G
+
=
E v
i
por,
sig
R
in
R
in
sig i
R R
R
v v
L
L
+
=
=
=
0
0
resulta,
O =
(
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
+ =
=
k
R
R
R
R
R R
o
out
i
sig
sig
R
in
L
. / 8 81 1 1
0
Pode-se, agora, usar,
o
R
in i vo osc
R R i A i
L
/
0 =
=
para obter
A A
i
i
A
i
osc
is
/ 572 43 . 1 / 8 . 81 10 = =
EXEMPLO 10 (cont)
ELECTRNICA II
125
Amplificador de source comum
O amplificador de source comum obtido ligando a source do transstor massa atravs de um
condensador Cs na Fig. 54(a), que deve ter um valor tal que represente um curto circuito para as
frequncias de interesse. Este condensador designado como condensador de bypass (C
s
).
Fig. 54
De forma a no perturbar a corrente e tenso de
polarizao, o sinal a amplificar, apresentado como uma
fonte de tenso v
sig
com uma resistncia interna R
sig
,
ligado gate atravs de um condensador, designado
como condensador de acoplamento (C
c1
), que deve
funcionar como um curto-circuito para os sinais de
interesse e bloquear a componente contnua.
A sada (dreno) ligada tambm carga R
L
por um
outro condensador de acoplamento C
c2
.
O circuito em termos de sinal pode ser visto como um
quadripolo, com a entrada entre a gate e a source e a sada
entre o dreno e a source, da a designao source comum.
ELECTRNICA II
126
Para determinar as caractersticas do amplificador de source comum vamos substituir o MOSFET
pelo seu modelo equivalente para pequenos sinais (Fig. 54 (b)).
Fig. 54
A resistncia de entrada do
amplificador R
in
, a sua resistncia de
sada R
out
e o seu ganho de tenso A
v
podem obter-se por inspeco do
circuito da Fig. 54(b).
Na entrada temos
Como normalmente R
G
muito elevado
Como
O ganho de tenso dado por
(67)
(68)
(69)
ELECTRNICA II
127
Para determinar a resistncia de sada R
out
liga-se
a entrada massa (v
sig
=0V) e na sada vamos obter
A incluso de r
0
, que normalmente muito maior do que R
D
, d origem a uma ligeira diminuio
do ganho de tenso e da resistncia de sada.
Destes resultados conclumos que o amplificador de source comum apresenta uma elevada
resistncia de entrada, limitada unicamente pelo valor da resistncia de polarizao R
G
, um
ganho de tenso negativo e elevado e uma resistncia de sada elevada. Esta ltima
propriedade no obviamente desejvel para um amplificador de tenso.
O grande inconveniente desta configurao a sua limitada resposta em frequncia.
(70)
ELECTRNICA II
128
Amplificador de source comum com resistncia na source
Por vezes til colocar uma resistncia Rs na source do amplificador de source comum (Fig. 55 (a)).
Fig. 55
O correspondente circuito equivalente para pequenos sinais mostrado na Fig. 55 (b).
ELECTRNICA II
129
Neste caso usado o modelo T, pois de uma forma geral quando existe uma resistncia
ligada source este modelo simplifica a anlise.
De notar que r
0
no foi includa nesta anlise, pois caso contrrio tornaria a anlise bastante
mais difcil.
Tal como no amplificador source comum temos
Neste caso v
gs
apenas uma fraco de v
i
dada por
(71)
(72)
(73)
A resistncia R
s
pode ser usada para controlar a amplitude da tenso v
gs
para que esta no
aumente muito, dando origem a distoro. Outras vantagens esto relacionadas com possibilidade
de aumento da largura de banda do amplificador. Estas vantagens devem-se ao mecanismo de
realimentao negativa provocado por R
s
. O preo a pagar a diminuio do ganho de tenso.
ELECTRNICA II
130
A corrente no dreno igual corrente na source dada por
Esta expresso mostra que a corrente i
d
reduzida pelo factor (1+g
m
R
s
) (no MOSFET i
d
=g
m
v
gs
)
(74)
A tenso de sada dada por
O ganho de tenso Para R
L
= temos (75)
(76)
ELECTRNICA II
131
Comparando o amplificador de source comum sem e com resistncia na source podemos concluir
que existe:
- Reduo do ganho em (1+g
m
R
s
) (eq. (69) e (75));
- Melhor estabilizao da polarizao (reduo da variao de I
D
)
A resistncia Rs conhecida por resistncia de degenerescncia da source devido ao efeito de
reduo do ganho.
O fenmeno que leva R
s
a reduzir a variao de I
D
o mesmo que leva reduo do ganho, pois i
d
,
que directamente proporcional ao ganho, uma variao do valor I
D
.
ELECTRNICA II
132
Amplificador de gate comum
No circuito da Fig. 56 (a) temos a configurao gate comum. A gate est ligada massa , o sinal de
entrada aplicado source e o sinal de sada obtido no dreno. A gate comum entrada e sada,
da a designao.
Fig. 56
Na Fig. 56 (b) temos o modelo para pequenos sinais. Foi
usado o modelo T por convenincia, devido a R
sig
estar em
srie com a source. Foi ignorado r
0
por razes de
simplificao do circuito.
ELECTRNICA II
133
Por inspeco do circuito verifica-se que a resistncia de entrada dada por
Como geralmente g
m
da ordem de 1 mA/V, a resistncia de entrada da configurao gate comum
relativamente baixa (da ordem de 1 kO), dando origem a perdas elevadas no sinal de entrada. A
relao entre v
i
e v
sig
dada por
Para manter as perdas baixas no sinal de
entrada
A corrente de entrada i
i
e
corrente de dreno i
d
so dadas por
(77)
(78)
ELECTRNICA II
134
A tenso de sada dada por
Dando origem ao ganho de tenso
Por inspeco ao circuito
Comparao entre configuraes source comum (comum source - CS) e
gate comum (comum gate CG)
1 CS inversora, CG no inversora;
2 CS: muito alta impedncia de entrada; CG: baixa impedncia de entrada;
3 Enquanto os valores do ganho de tenso (A
v
) em ambas as configuraes so muito
parecidos, o ganho total (que inclui a fonte de sinal G
v
=v
o
/v
sig
) de CG inferior em (1+g
m
R
sig
)
devido baixa impedancia de entrada desta configurao.
(79)
(80)
ELECTRNICA II
135
.
Apesar da baixa impedancia ser um inconveniente no caso de um amplificador de tenso, o
circuito de gate comum quase sempre alimentado por um sinal de corrente (Fig. 56 (c)).
Neste caso, a baixa resistncia de entrada torna-
se uma vantagem e o circuito de gate comum actua
simplesmente como um amplificador de corrente de
ganho unitrio ou um seguidor de corrente. Fornece
uma corrente de dreno de sinal igual ao sinal de
corrente aplicado source, mas a um nvel de
impedncia muito mais elevado. O sinal de corrente
de dreno ento aplicado ao paralelo de R
L
com R
D
para produzir a tenso de sada do amplificador.
Fig. 56
A maior vantagem do amplificador de gate comum a
sua largura de banda superior do amplificador de source
comum.
ELECTRNICA II
136
Amplificador de dreno comum ou seguidor de source
No circuito da Fig. 57 (a) temos a configurao dreno comum. O dreno est ligado massa , o sinal
de entrada aplicado gate e o sinal de sada obtido na source. O dreno comum entrada e
sada, da a designao de amplificador de dreno comum.
Como R
L
est ligada em srie com a source mais
conveniente usar o modelo T. O circuito equivalente est
representado na Fig. 57 (b).
Fig. 57
ELECTRNICA II
137
Da anlise do circuito resulta
Como normalmente para R
G
usado um valor muito superior a R
sig
temos
No seguimento na anlise importante verificar que r
0
est em paralelo com R
L
, o que implica que
entre a gate e a massa temos uma resistncia (1/g
m
) em srie com (R
L
//r
0
). O sinal de entrada v
i
aplicado a este conjunto de resistncias.

Logo o ganho de tenso dado por
A tenso de sada ento obtida atravs de um divisor de tenso
e em circ. aberto por
(81)
(82)
(83)
(84)
(85)
ELECTRNICA II
138
Normalmente r
0
>>(1/g
m
) logo o ganho em circuito aberto A
vo
unitrio, dando origem a que a
tenso na source siga a tenso da gate, da o nome seguidor de source para este circuito.
Como em muitas aplicaes em circuitos discretos
r
0
>>R
L
,o ganho de tenso pode ser aproximado por
(85)
Para dar nfase ao facto de usualmente ser mais
rpido fazer a anlise para pequenos sinais
directamente no circuito usando o modelo do MOSFET
apenas implicitamente, mostrada a essa anlise na
Fig. 57(c).
Fig. 57
De forma a separar a aco intrnseca do MOSFET
do efeito de Early, a resistncia r
0
mostrada
separadamente.
ELECTRNICA II
139
O circuito para determinar R
out
est representado na
Fig. 57(d). Como a tenso na gate agora nula ,
olhando atravs da source vemos entre source e a
massa a resistncia 1/g
m
em paralelo com r
0
Fig. 57
Como normalmente r
0
>>(1/g
m
)
(86)
(87)
Como concluso pode dizer-se que o seguidor de source tem uma muito alta impedncia de
entrada, relativamente baixa impedncia de sada e ganho de tenso prximo da unidade.
Este circuito usado quando necessitamos ligar uma fonte de sinal com elevada impedancia
interna a uma carga com valor muito inferior. O seguidor de source tambm usado como
amplificador isolador (buffer) ou como andar de sada de um amplificador de vrios andares,
onde a sua funo dar ao amplificador global uma baixa resistncia de sada ( 1/ gm).
ELECTRNICA II
140
Resumo e comparaes
1 A configurao source comum (comum source - CS) a mais indicada para a obteno do
ganho tpico de um amplificador. Dependendo do ganho pretendido pode ser usado um andar CS
ou dois andares CS em cascata.
2 - Incluir a resistncia de source (R
s
) num andar CS melhora muito a sua performance, apesar
da reduo do ganho.
3 - A baixa impedancia de entrada de um andar de gate comum (comum gate CG) torna-o til
apenas em aplicaes especificas, como sejam amplificadores de tenso que no exijam
elevadas impedncia de entrada, tendo a vantagem de ter bom comportamento para altas
frequncias e como amplificador de corrente de ganho unitrio.
4 O seguidor de source tem aplicaes como buffer de tenso para ligao uma fonte com alta
resistncia a uma carga com baixo valor, e tambm como estgio de sada em amplificadores
multi-andar.
ELECTRNICA II
141
Calcule o ganho total (G
v
) de um amplificador de source comum com: g
m
= 2mA/V, r
0
= 50kO,
R
D
=10 kO e R
G
=10MO. O amplificador tem na sua entrada uma fonte de sinal cuja resistncia
Thevenin de 0,5MO e a resistncia de carga de 20 kO.
Exerccio 10
O amplificador em source comum da Fig. 54(a) tem g
m
= 2mA/V e um ganho total G
v
=-16 V/V.
Qual ser o valor da resistncia R
s
para reduzir o ganho por um factor de 4?
Exerccio 11
O ganho total Gv do amplificador Fig. 55(a) foi medido com uma resistncia Rs de 1kO, e o seu
valor de -10V/V. Quando Rs curto-circuitada mantendo-se o circuito a funcionar linearmente
o ganho duplicou. Qual o valor de gm? Qual ser o valor de Rs para Gv ser de -8V/V?
Exerccio 12
ELECTRNICA II
142
Exerccio 13
Fig. 58
O MOSFET no circuito da Fig. 58 tem Vt=1V, k
n
(W/L)=0.8
mA/V
2
e V
A
=40V.
a) Determine R
S
, R
D
e R
G
de forma a que I
D
=0,1mA. Determine o
valor mais elevado de R
D
que deve ser usado para uma
excurso mxima do dreno de +/-1V sendo a resistncia de
entrada na gate de 10MO.
b) Determine g
m
e r
0
.
c) Se Z for ligado massa, X ligado a uma fonte de sinal com
uma resistncia de 1MO , Y ligado a uma carga de 40kO,
determine o ganho de tenso total Gv.
d) Na situao anterior mas com ausncia de carga determine a
resistncia de sada vista pelo ponto Y.

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proporcional raiz quadrada da corrente de polarizao DC; 2. Para

(W/L) na eq. (65) por 2I

(W/L) = 0,25 mA/V

aplicado a este conjunto de resistncias.

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