PROPRIEDADES MECNICAS, ELTRICAS,

TRMICAS, PTICAS E MAGNTICAS

DOS MATERIAIS

Utilizao dos metais

-

Metais puros:
cobre para fiao
zinco para revestimento de ao
alumnio para utenslios domsticos

Ligas metlicas
- Um
segundo
metal

adicionado para melhorar as

propriedades do conjunto.

Ligas monofsicas
- O segundo metal adicionado
at que seja atingido o limite de
solubilidade do metal A no metal B.

Ligas monofsicas
- lato = cobre + zinco
- bronze = cobre + estanho
- ligas cobre-nquel

Ligas metlicas polifsicas

- So ligas onde o limite de
solubilidade foi ultrapassado.
- A maioria dos aos assim
classificada
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PROPRIEDADES ELTRICAS
CONDUTIVIDADE ELTRICA ()
o movimento de cargas
eltricas (eltrons ou ons) de
uma posio para outra.
= 1/= n.q.
= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1)
= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= nmero de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador
(coulombs) [q do eltron= 1,6x10-19
coulombs]
= mobilidade dos portadores de carga
(cm2/V.s)

R = . l/A

PROPRIEDADES ELTRICAS
SEMICONDUTORES

Tem resistividade entre metais e isolantes

10-6-10-4 .cm 1010-1020 .cm
A resistividade diminui com o aumento de
temperatura (ao contrrio dos metais)
A resistividade diminui com a adio de
certas impurezas
A resistividade aumenta com a presena de
imperfeies nos cristais.
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PROPRIEDADES ELTRICAS
EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela
Peridica)
GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Tabela Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Peridica)
95% dos dispositivos eletrnicos so fabricados com

Silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do grupo IIIV so para uso militar
9

EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
SO USADOS PARA A FABRICAO DOS
SEGUINTES DISPOSITIVOS ELETRNICOS E
OPTOELETRNICOS

Transistor
Diodos
Circuito integrado
LEDS
Detetores de infravermelho
Clulas solares, etc.
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CAMPOS DE APLICAO DOS

DISPOSITIVOS DE SEMICONDUTORES

Indstria
de
computadores
(memrias,
microprocessadores, etc.)
Indstria aeroespacial
Telecomunicaes
Equipamentos de udio e vdeo
Relgios
Na robtica
Sistemas industriais de medidas e controles
Sistemas de segurana
Automveis
Equipamentos mdicos,...
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LIGAO QUMICA
A- METAIS
Os eltrons de valncia no esto ligados a
nenhum tomo especfico (esto livres)
H atrao entre os eltrons livres (de valncia) e os
ons positivos (ncleo mais eltrons de valncia)
Os metais tm elevada condutividade eltrica
devido os eltrons estarem livres para moverem-se
(alta mobilidade).
No entanto, a agitao trmica reduz o livre
percurso mdio dos eltrons, a mobilidade dos
mesmos e como conseqncia a condutividade.
12

EFEITO DA TEMPERATURA E DA
ESTRUTURA DO MATERIAL NA
RESISTIVIDADE

13

EFEITO DA TEMPERATURA E DA
ESTRUTURA DO MATERIAL NA
RESISTIVIDADE

ESTRUTURA PERFEITA A

MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS

BAIXA TEMPERATURA

ALTA TEMPERATURA

MOVIMENTO DOS ELTRONS

EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
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LIGAO QUMICA
B- SEMICONDUTORES
Todos os semicondutores tm ligao
covalente, com 4 eltrons de valncia. Os
semicondutores compostos (grupos III-V e IIVI) tm 4 eltrons de valncia em mdia.
RESISTIVIDADE VERSUS TEMPERATURA
PARA UM SEMICONDUTOR
O aumento da temperatura fornece energia
que liberta transportadores de cargas
adicionais.
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BANDAS DE ENERGIA
Os semicondutores se caracterizam por sua estrutura
eletrnica em bandas de energia.
Os eltrons de valncia de dois tomos adjacentes
interagem entre si quando so aproximados um do outro,
como acontece em um slido cristalino. Isso faz com que
novos nveis de energia sejam estabelecidos, originando
ento bandas de energia (so nveis discretos de energia,
mas com diferenas apenas infinitesimais)
A banda de energia corresponde um nvel de energia
de um tomo isolado

As bandas de energia nem sempre se sobrepem

Assim como orbitais, as bandas de energia podem

comportar no mximo dois eltrons.
16

GAP DE ENERGIA (BANDA

PROBIDA)
o espao entre as bandas de energia
o que distingue um semicondutor de
um condutor ou isolante.

17

NVEL DE DE ENERGIA DE
FERMI
definido como o nvel de energia
abaixo do qual todos os estados de
energia esto ocupados a 0K.

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CONDUTOR
Os eltrons no
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo ocorre
na banda de valncia.
Num metal o nvel de
Fermi esta localizado na
banda de valncia.

Nvel de Fermi

Banda de valncia
incompleta
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ISOLANTES
Os eltrons
preenchem todos os
estados possveis da
banda de valncia e por
isso a conduo NO
ocorre na banda de
valncia.

BANDA
DE
CONDUO
Nvel de fermi GAP DE ENERGIA

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

BANDA
DE
VALNCIA

energia
Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

Gap de um isolante maior

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SEMICONDUTOR
BANDA
Da mesma forma
DE
que nos isolantes,
CONDUO
os eltrons
preenchem todos os Nvel de fermi GAP DE ENERGIA
estados possveis
BANDA
da banda de
DE
valncia.

Um semicondutor difere de um isolante pelo tamanho do gap de

VALNCIA

energia
Gap de um Semicondutor: 0,1-5 eV

Gap de um isolante maior

21

SEMICONDUTOR
Num semicondutor, os eltrons podem ser
excitados para a banda de conduo por
energia eltrica, trmica ou ptica
(fotoconduo)
Quando um eltron excitado para a
banda de conduo deixa um buraco ou uma
vacncia na banda de valncia que contribui
tambm para a corrente.
22

CONDUO INTRNSECA
(SEMICONDUTOR INTRNSECO)
a conduo resultante dos
movimentos eletrnicos nos materiais
puros.

Um semicondutor pode ser tipo "p" ( conduo

devido aos buracos) ou tipo "n" (conduo
devidos aos eltrons)
Este tipo de conduo se origina devido a
presena de uma imperfeio eletrnica ou
devido a presena de impurezas residuais.
CONDUO INTRNSECA

23

CONDUO INTRNSECA
(SEMICONDUTOR INTRNSECO)

a conduo resultante dos movimentos eletrnicos

nos materiais puros.
24

CONDUO EXTRNSECA
Quando adiciona-se intencionalmente uma
impureza dopante para proporcionar eltrons ou
buracos extras.
Os semicondutores extrnsecos podem ser:
Tipo p: com impurezas que proporcionam buracos
extras.

Tipo n: com impurezas que proporcionam eltrons

extras
Os processos utilizados para dopagem so difuso e
implantao inica

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

.Quando adiciona-se intencionalmente

uma impureza dopante para CRIAR
buracos extras.

Impurezas tipo "p" ou aceitadores

proporcionam buracos extraS

Exemplo: Dopagem do Si (valncia 4)

com Boro (valncia 3)

26

(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

BORO UM DOPANTE
TIPO P PARA O SILCIO
PORQUE PROPORCIONA
BURACOS EXTRA

27

(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO P)

NVEL DE FERM I

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(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)

Impurezas tipo "n"
ou doadores.
proporcionam
eltrons extra

Exemplo: Dopagem
do Si (valncia 4)
com
Fsforo
(valncia 5)

29

(SEMICONDUTOR EXTRNSECO TIPO N)

NVEL DE FERMI

30

CONDUO EXTRNSECA
CONSIDERAES GERAIS
Os eltrons tem maior mobilidade
que os buracos.
A presena de impurezas pode
alterar o tamanho do gap de energia do
semicondutor.

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OPERAO DO DIODO
(JUNO P-N)
Dispositivos eletrnicos como transistors,
circuitos integrados, chips, etc... usam a
combinao
de
semicondutores
extrnsecos tipo p e tipo n .

DIODO um dispositivo que permite

a corrente fluir em um sentido e no em
outro. construdo juntando um
semicondutor tipo n e tipo p.
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JUNO P-N
-Quando uma voltagem aplicada
como no esquema abaixo, os dois
tipos de cargas se movero em
direo juno onde se
recombinaro. A corrente eltrica
ir fluir.
-Como no esquema abaixo, a
voltagem causar o movimento de
cargas para longe da juno. A
corrente no ir fluir no dispositivo.

33

PROPRIEDADES MAGNTICAS

34

PROPRIEDADES MAGNTICAS
A maioria dos elementos e materiais
no exibem propriedades magnticas.
Materiais que exibem propriedades
magnticas:
Ferro, Nquel, Cobalto, Gadolneo,
algumas ligas (SmCo5, Nd2Fe14B, ...)
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Ferromagnetismo
a propriedade de concentrar as linhas
de fora magntica, caracterizada pela
permeabilidade magntica.
Ferromagnticos- permeabilidade magntica >1
(subst. Paramagnticas) - eltrons desemparelhados
Ferro, Cobalto, Nquel e Gadolnio
Outros metais-permeabilidade magntica <1 (subst.
Diamagnticas) - eltrons emparelhados
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PERMEABILIDADE
MAGNTICA
Permeabilidade Magntica
()- est relacionada com a
intensidade de magnetizao.
A intensidade de magnetizao
varia em funo da intensidade
do campo aplicado.
caracterstica do material

= tg B/H
dada em Gauss/Oersted
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Domnios magnticos

So regies da estrutura do material

onde todos os tomos cooperam
magneticamente, ou seja, so zonas
de
magnetizao
espontnea
(<0,05mm).
Quando um campo magntico
aplicado, os domnios magnticos
tendem a se alinhar com o campo e,
ento, o material exibe propriedades
magnticas.
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Ponto de Curie

a temperatura na qual os domnios

magnticos so destrudos.

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Curva de magnetizao ou de histerese

Induo residual (Br) - a induo magntica que se

conserva no corpo magnetizado, depois de anulada a
intensidade do campo.
dada em Gauss
Fora coercitiva (Hc)- a intensidade de campo que tem
de ser aplicado para desmagnetizar.
dado em Oersted
Material com elevado Hc = consome energia para alinhar
os domnios magnticos, de uma direo para outra. A
quantidade de energia necessria para magnetizar
proporcional a rea do ciclo de histerese.
Permeabilidade Magntica ()- a intensidade de
magnetizao. A intensidade de magnetizao varia em
funo da intensidade do campo. caracterstica do
material
= tg B/H

dada em Gauss/Oersted

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Classificao das ligas

magnticas
A classificao feita de acordo com a
forma da curva de histerese.
O nome esta relacionado com as
propriedades mecnicas/metalrgicas
da liga:
Ligas Magnticas Duras
Ligas Magnticas Macias
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Ligas magnticas duras

- Se caracterizam pelo grande valor de
Hc e alto Br
- So ligas endurecidas com estruturas
desequilibradas, dispersas
- So utilizadas na fabricao de ims
permanentes

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Ligas magnticas macias

- Apresentam Hc de baixo valor e pequenas
perdas de histerese e baixo Br.
- So ligas organizadas. Geralmente metais
puros com boa qualidade estrutural.
- So empregadas como ligas a serem
submetidas magnetizao alternada
(ncleos de transformadores)

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CURVA HISTERTICA PARA LIGAS MAG. DURAS E

MACIAS

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Papel dos elementos de liga

Aumentam a fora coercitiva ou dureza magntica

Diminuem o tamanho de gro

A formao de uma segunda fase, pela adio de elementos
de liga (acima do limite de solubilidade), contribui para o
aumento do Hc. Quanto mais elevada a disperso da segunda fase
maior o Hc.
O endurecimento causado pela transformaes de fase ou
pela diminuio do tamanho de gro aumentam o Hc, porque
evitam a redistribuio ao acaso dos domnios magnticos.

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Variao da resistividade com a temperatura

para semicondutores

Aumentando a temperatura diminui a condutividade

aumenta a resistividade para os metais
Condutividade eltrica : = niq(n + q)

Variao com a temperatura: = oexp(-Eg/2kT)

porcentagem de
transporte de cargas:

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