Reviso!

Materiais Semicondutores

Universidade Federal de So Carlos

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Materiais Cristalinos
Cristais so materiais que apresentam um arranjo regular e
peridico de tomos ou ons. O cristal pode ser entendido como
sendo composto pela repetio espacial de um determinado
arranjo de tomos, conhecido por clula unitria. Exemplos de
clulas unitrias:

FCC

BCC

HCP
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Teoria de bandas em cristais

E

Eltron
livre

Eltron
ligado a um tomo

Eltron
num slido

O eltron livre pode assumir qualquer nvel de energia. Ligado a um

tomo pode assumir apenas nveis especficos de energia. Num slido
cristalino os nveis permitidos transformam-se em bandas de energia.

Teoria de bandas em cristais

E

Eg

Isolante
Diamante: Eg=5 eV
xido de silcio: Eg=8eV

Eg

Semicondutor

Condutor

Silcio: Eg=1,1 eV
Germnio: Eg=0,7 eV

No material isolante a alta energia da banda proibida faz com que existam
poucos eltrons livres. J no semicondutor, a energia do gap sendo
menor haver um nmero maior de eltrons livres. No condutor, a
inexistncia do gap indica grande quantidade de eltrons livres.

Materiais Semicondutores
Os eltrons da banda de valncia so os que tem facilidade de sair do
tomo. Em primeiro lugar, porque eles tm uma energia maior e, em
segundo lugar, porque, por estarem a uma distncia maior em relao
ao ncleo a fora eletrosttica menor. Por isso uma pequena
quantidade de energia recebida faz com que o eltrons se tornem
livres, estes tem que sair da banda de valncia e ir para a banda de
conduo, sendo capazes de se movimentar pelo material. Sob a ao
de um campo eltrico tem-se a corrente eltrica.

Banda de
Conduo

I = Corrente Eltrica
Energia

Banda de
Valncia

eltron livre

< =Lacuna (falta de eltron)

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Materiais Semicondutores
Recombinao Par Eltron-Lacuna
Em um cristal semicondutor ocorre infinitamente este efeito

Recombinao Par EltronLacuna

Materiais Semicondutores
Dopagem
Consiste em alterar as caractersticas eltricas e fsicas de um cristal
semicondutor pela substituio de alguns tomos tetravalentes por
tomos trivalentes ( 3 eltrons na rbita de valncia) ou pentavalentes
(5 eltrons na rbita de valncia). Esses tomos so denominados de
impurezas, e o semicondutor dopado denominado impuro ou
extrnseco.
Semicondutor tipo P
A dopagem de um cristal de Si ou Ge com impurezas trivalentes
(alumnio, glio ou boro) ocasiona ligaes covalentes incompleta, de
forma que o cristal dopado fica com excesso de lacunas.

Semicondutor tipo N
A dopagem de um cristal de Si ou Ge com impurezas pentavalentes
(fsforo ou antimnio), formam ligaes covalentes de forma que o
cristal dopado fica com excesso de eltrons
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Materiais Semicondutores
Semicondutor tipo P

Semicondutor tipo N

Semicondutor tipo P:

Semicondutor tipo N

Portador Majoritrio: lacuna

Portador Majoritrio: eltrons

Portador Minoritrio: eltrons

Portador Minoritrio: lacunas

Materiais Semicondutores
Juno PN
Quando a unio dos cristais realizada, ocorre o processo de difuso,
isto , o excesso de eltrons do lado N so atrados pelo excesso de
lacunas presentes no lado P e do lado P para o N, provocando diversas
recombinaes de pares eltron-lacuna

Materiais Semicondutores
Juno PN
Com a unio, forma-se ons positivos no lado N e ons negativos do
lado P;
O aumento da ionizao faz com que o processo de difuso cesse;
Essa camada ionizada em torno da juno fica com ausncia de
portadores devido as recombinaes. Ela denominada camada de
depleo;
Na camada de depleo surge um campo eltrico no sentido dos ons +
para os negativos. Como os eltrons se movimentam no sentido
contrrio do campo, a camada de depleo impede a passagem de
portadores majoritrios. Esse impedimento denominado barreira de
potencial Vy .
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Materiais Semicondutores
Juno PN
Em temperatura ambiente, a juno PN formada por
semicondutores de Si gera um VT = 0,7V e o Ge um VT =
0,3V.

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Materiais Semicondutores
Polarizao Direta da Juno PN
Observe que nesta condio o potencial externo aplicado
VD > VT, gera um campo eltrico externo contrrio ao
campo eltrico interno. Isto faz com que os eltrons do lado
N e lacunas do lado P sejam acelerados para dentro da
regio de depleo, iniciando o processo de desionizao,
ocasionando a diminuio da camada de depleo,
favorecendo o surgimento de uma corrente (corrente direta
ID) devido aos portadores majoritrios, de alta intensidade.

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Materiais Semicondutores
Polarizao Direta da Juno PN

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Materiais Semicondutores
Polarizao Reversa da Juno PN
Nesta condio, o plo positivo da fonte atra os eltrons do
lado N, gerando mais ons positivos, e o plo negativo da
fonte fornece eltrons para se recombinarem com as
lacunas do lado P, gerando mais ons negativos. A ionizao
excedente aumenta a camada de depleo impossibilitando
o fluxo de portadores majoritrios.

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Materiais Semicondutores
Polarizao Reversa da Juno PN

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Materiais Semicondutores
Curva caracterstica da juno PN
ID IS

VD *q

K *Tk

Is = corrente de saturao reversa

K = 8,617*10-5 cte de Boltzmann
q = 1,602*10-19 Carga do eltron
Tk = Tc + 273

Efeito Avalanche (Ruptura)

IRmx

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Aula 1 - Transistores de efeito de campo

Professor: Carlos Alberto De Francisco

Universidade Federal de So Carlos

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Idias bsicas:

Fonte de corrente

Fonte de corrente

controlada por corrente

controlada por tenso

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Caractersticas:
Transistor unipolar (apenas portadores
majoritrios);
Alta impedncia de entrada (1-100 MW);
Baixo rudo;
Maior estabilidade trmica;
Processo de fabricao mais simples;

Permite maior integrao.

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Idias bsicas:

(Fonte)
Fonte de corrente

(Porta)

controlada por tenso

(Dreno)
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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Estrutura:
A regio dopada tipo n possui eltrons
livres (portadores majoritrios);
A regio de depleo no possui

portadores livres, portanto, no permite

conduo.

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Polarizao: VGS=0; VDS positivo:

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Polarizao: VGS=0; VDS positivo: Estrangulamento

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Curva ID x VDS:
Nvel de saturao
Aumento da resistncia
devido ao estreitamento
do canal

Resistncia do canal n

IDSS= a corrente mxima

De dreno para um JFET

Sendo definida pela

condio VGS=0 e VDS>|VP|

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Polarizao: VGS<0; VDS positivo

O valor de VGS que resulta em ID=0 mA

definido por VGS=VP.

Do grfico: IDSS=8 mA e VP=-4V

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Operao linear

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Curva de transferncia

ID = IDSS 1-

VGS

VGS(off)

10
8
6

ID em mA

2
-4

-2
-1
-3
VGS em volts

0
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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Levantamento da curva de transferncia:

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET) tipo P

29

Transistor de efeito de campo de juno (JFET) tipo P

Regio de
ruptura

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Simbologia:

JFET canal n

JFET canal p
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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Resumo:

IDSS= a corrente mxima

de dreno para um JFET
Sendo definida pela
condio VGS=0 e VDS>|VP|

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Resumo:
Para tenses VGS= mais
negativas do que o valor de
estrangulamento, a corrente de
dreno 0 A.

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Resumo:

Para todos os valores de VGS

entre 0 V e o valor de

estrangulamento, a corrente de
dreno varia entre IDSS e 0.

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Curva caracterstica de transferncia:
BJT

JFET

Equao de Shockley

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Levantamento da curva de transferncia: Exemplo

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Levantamento da curva de transferncia: Mtodo simplificado

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Exemplo:

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Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Potncia dissipada:

39

Transistor de efeito de campo de juno (JFET)

Comparao entre JFET e BJT:

40